JPS62229876A - 電荷結合素子およびその駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電荷結合素子、とくに複数の垂直シフトレジス
タと水平シフトレジスタとを有する電荷結合素子とその
駆動方法に関する。

（従来技術とその問題点） 電荷結合素子（以後ＣＯＤと記す）は、従来からの高度
の集積回路技術を基盤とし、その発展とともに急速な開
発が進められ、近年、固体撮像。

アナログ遅延線、メモリ等の各種の応用がなされるよう
になつ友。特にＣＣＤを用い几固体撮像素子は、低消費
電力、小型、軽量など多くの特長を有し、近年その開発
が盛んである〇 一般にＣＯＤ固体固体撮像上イノタライントラ／スフ了
型トフレームトランス７丁型、！：に分類されるが、い
ずれも現在、多画素、高密度化される傾向にある。これ
らの固体撮像素子は複数の垂直シフトレジスタと水平シ
フトレジスタとを有するが、多画素、高密度化にともな
い水平シフトレジスタの素子ピッチが縮小される。この
ため、水平方向の密度は通常、水平シフトレジスタの最
小の素子ピッチで制限される。

第５図は従来の固体撮像素子の垂直シフトレジスタと水
平シフトレジスタとの接続部の平面図を示している。（
アイ、イー、イー、イー、トランザクション、オン、エ
レクトロン、デバイセズ（ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ　　、
ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　Ｄｅｖｉｃｅｓ）ＥＤ−２
０（１９７３）２４４−２５２およびアイ・イー。

イー、イー、トランザクション、オン、　エレクトロン
、デバイセズ（ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ、ｏｎ　　Ｅｌ−
ｅｃｔｒｏｎ　　Ｄｅｖｉｃｅｓ）ＥＤ−２１（１９７
４）７１２−７２０）図において、２１１は水平シフト
レジスタの電荷転送チャネル、２０１〜２０３は垂直シ
フトレジスタの電荷転送チャネル、２３１〜２４０は水
平シフトレジスタを構成する転送電極、２２２は垂直シ
フトレジスタの最終転送電極２２１および水平シフ、ト
レジスタ２１１の転送電極２３１・２３３．２３５に隣
接するトランスファゲート電極でめる。ま几この素子で
は水平シフトレジスタの駆動として二相駆動を仮定して
おシ、水平シフトレジスタの転送電極２３１〜２３５は
蓄積電極、２３６〜２４０はバリヤ電極として作用する
。

２４１〜２４４は蓄積電極２３１〜２３５０間隙部に電
位障壁を発生させる友めの領域である。図において、水
平シフトレジスタの一素子のピッチは水平シフトレジス
タの４つの転送電極１例えば２３２．２３７，２３３，
２３８の水平方向の電極長によって決定され、したがっ
て垂直シフトレジスタ２０１〜２０３の水平方向のピッ
チも水平シフトレジスタの一素子のピッチによって決定
されている。すなわち、垂直シフトレジスタの密度上水
平シフトレジスタの電極の最小加工寸法によって決定さ
れてしまう。このため、多画素、高密度化するｔめには
従来の素子構造では不可能である。

（発明の目的） 本発明の目的は、このような従来の欠点を除去した新し
い電荷結合半導体装置とその駆動方法を提供することに
ある。

（発明の構成） 本発明によれば、電荷結合素子による複数列の垂直シフ
トレジスタ群と、該シフトレジスタ群の信号転送方向と
直角方向に配置され、しかも水平転送電極下の前記垂直
シフトレジスタのチャネルを規定するチャネルストップ
領域に対応した領域に電位障壁が形成されたＭ行の水平
シフトレジスタ群とを有し、前記垂直シフトレジスタ群
と前記水平シフトレジスタ群の第１の水平シフトレジス
タとの間および前記Ｍ行の水平シフトレジスタ間には該
水平シフトレジスタの信号転送方向と平行にトランス７
丁ゲート電極が配置された電荷結合素子において、前記
Ｍ行の水平シフトレジスタのうち互いに隣接するＮ番目
およびＮ４１番目の水平シフトレジスタは前記トランス
７丁ケート電極直下に前記水平７７トレジスタの転送電
極のＭ電極毎にＭ−Ｎ本形成される電荷転送チャネルに
よって結合され、該各電荷転送チャネルは前記水平シフ
トレジスタを覆う隣り合う水平転送電極下の活性領域を
結合してなり、かつ前記チャネル領域の両端には電位障
壁を設けてなること１−＊徴とする電荷結合素子が得ら
れる。

更に本発明によれば、電荷結合素子による複数列の垂直
シフトレジスタ群と、該シフトレジスタ群の信号転送方
向と直角方向に配置されしかも水平転送電極下の前記画
直シフトレジスタのチャネルを規定するチャネルストッ
プ領域に対応し几領域に電位障壁が形成されたＭ行の水
平シフトレジスタ群とを有し、前記垂直シフトレジスタ
群と前記水平シフトレジスタ群の第１の水平シフトレジ
スタとの間および前記Ｍ行の水平シフトレジスタ間には
該水平シフトレジスタの信号転送方向と平行にトランス
２丁ゲート電極が配置され％前記Ｍ行ノ水平シフトレジ
スタのうち互いに隣接するＮ番目ｐよびＮ４−１番目の
水平シフトレジスタは前記トランス７丁ゲート電極直下
に前記水平シフトレジスタの転送電極のＭ電極毎にＭ−
Ｎ本形成される電荷転送チャネルによって結合され、該
各電荷転送チャネルは前記水平シフトレジスタを覆う隣
り合う水平転送電極下の活性領域を結合してなり、かつ
前記チャネルの両肩には電位障壁を設けた電荷結合素子
の駆動方法であって、前記水平シフトレジスタ群におい
て水平転送を行う際は前記水平シフトレジスタは第１の
電圧のＭ相の駆動パルスによって駆動され、前記垂直シ
フトレジスタ群から第１の水平シフトレジスタへ信号電
荷を読み出すに際しては両者の間に配置され７ｊ＠１の
トランスフ丁ゲート電極直下に信号電荷を蓄積したのち
該トランスファゲート電極に印加される電圧をオフ状態
とするとともに前記水平シフトレジスタを覆うＭ相また
はＭ相のうちいずれか１相の転送電極に第２の電圧を印
加することによりオン状態として第１の水平シフトレジ
スタへ信号電荷全転送蓄積し、前記Ｎ番目の水平シフト
レジスタから前記Ｎ＋１番目の水平シフトレジスタへ信
号電荷を転送するに際しては前記Ｎ番目の水平シフトレ
ジスタを覆い信号電荷を蓄積している一転送電極をオフ
゛状態とするとともに前記Ｎ番目およびＮ＋１番目の水
平シフトレジスタの間に設けられ次前記トランス７丁ゲ
ート電極をオン状態とし、信号電荷を該トランス７丁ゲ
ート電極直下に形成される前記電荷転送チャネルへ転送
し、かかるのちに該トランスファゲート電極をオフ状態
にするとともに前記Ｎ＋１番目の水平シフトレジスタを
覆い前記へ番目の水平シフトレジスタの一転送電極に隣
接する一転送電極に前記第１の電圧を印加することによ
りオン状態として前記Ｎ＋１番目の水平シフトレジスタ
へ信号電荷を転送蓄積し、かかる一連の動作により前記
第１のトランス７丁ゲート電極下に蓄積される信号電荷
を前記Ｍ行の水平シフトレジスタへ振り分けること全特
徴とする電荷結合素子の駆動方法が得られる。

（実施例） 第、１図は本発明による電荷結合素子の一実施例を示す
平面図である。

第１図において％１〜５は垂直シフトレジスタ群の電荷
転送チャネル、８１〜８４は前記垂直シフトレジスタの
電荷転送チャネルを規定するチャネルストップ領域、１
１〜１３は水平シフトレジスタの電荷転送チャネル、２
１は垂直シフトレジスタの最終転送電極％２２〜２４は
トランスファゲート電極、３１〜３５は水平シフトレジ
スタを覆う転送電極、７１〜７６は前記各水平シフトレ
ジスタを結合する電荷転送チャネル、４１〜６６は例え
ばイオン注入によって形成される電位障壁領域を示す。

第２図は本発明による電荷結合素子の駆動方法のＷＪｌ
の実施例を示す波形図である。

同図はテレビジョン信号の水平プランヤング中での各電
極に印加される駆動パルスの波形を示し。

φＶＬは、前記垂直シフトレジスタの最終転送電極２１
に印加されるパルス、φ７゜は前期トランス７丁ゲート
電極２２〜２４に印加されるパルス、φＨ１〜φＨ３は
前記水平転送電極３１〜３５に印加されるパルスの波形
を示す。第３図は第１図一点鎖線Ａ−Ａ’に沿っての素
子内部の第２図の各時刻における電位分布を示す。第１
図〜第３図を用いて本素子の動作について説明する。

なお、本実施例において、第１のトランス７丁ゲート電
極２２下に形成される電位障壁領域４４〜４８が存在し
なくても以下に説明する動作をさせることができる。時
刻ｔｏにおいてパルスφｖ１はオン状態でめシ、垂直シ
フトレジスタ群１〜５を下方に転送されて＠を信号電荷
は垂直シフトレジスタの最終電極２１直下に蓄積される
。つぎに時刻ｔ、でパルスφＶＬがオフ、パルスφＴＧ
がオン状態に遷移すると、前記信号電荷は第１のトラン
スファゲート電極２２直下へと転送され、時刻ｔ、にお
いてトランスフチゲート電極２２直下に蓄積される。つ
ぎに時刻ｔ３でトランス７丁ゲート電極２２に印加され
ているパルスφＴＧがオフ、水平シフトレジスタの転送
電極３１〜３５に印加されるパルスφＨ１〜φＨ３が同
時にオフ状態となシ、時刻ｔ４となると第１のトランス
７丁ゲート電極２２直下に蓄積されていた信号電荷はす
べて同時に、垂直シフトレジスタの電荷転送チャネル１
〜５に対応する第１の水平シフトレジスタの転送電極３
１〜３５直下へと転送される。例えば垂直シフトレジス
タ１．４中で第１のトランスファゲート電極２２直下に
蓄積されていた信号電荷１０１（第３図）は、第１の水
平シフトレジスタ１１のφ□、に対応する水平転送電極
３１．３４下へと転送される。垂直シフトレジスタ２．
５からの信号電荷１０２および垂直シフトレジスタ３か
らの信号電荷１０３についても同様に、第１の水平シフ
トレジスタ１１のφ　およびφ　に対応する１（２Ｈ３ 水平シフトレジスタの転送電極３２．３５および３３下
へそれぞれ転送される。このとき、水平転送電極ジｌ〜
３５に印加されるパルスφ□、〜φＨ３はすべてオン状
態であるにもかかわらず、水平転送電極下３１〜３５下
に蓄積場れている信号電荷は第１の水平シフトレジスタ
１１中に垂直シフトレジスタ１〜５ｔ−規定するチャネ
ルストップ領域８１〜８４に対応する電位障壁領域５５
〜５８が存在するため、それぞれの水平転送電極３１〜
３５直下にとどまっている。

つぎに時刻ｔｓ、ｔｓでパルスφ□□〜φＨ３がすべて
オフ、パルス　φＴＧがオン状態になると、前記信号電
荷１０１，１０２はそれぞれφ旧。

φｉ（２が印加されている水平転送電極３１．３２から
第２のトランスファゲート電極２３直下へ転送、蓄積さ
れる。第１図に示すように電荷１０１゜１０２の転送路
は水平転送方向へ折シ曲げている。

まｔ１ｍ記信号電荷１０３はφＩ□３力け７状態にもか
かわらず、電位障壁領域４１，５６．５７及びトランス
７丁−ゲート電極２３厘下に設けたチャネルストップ領
域（斜線で示しである）が存在することにより、第１の
水平シフトレジスタ１１のφ□３に対応する水平転送転
極３３直下にそのまま蓄積されている。この様子を第３
図中に破線で示しである。

つぎに時刻ｔ７．ｉｓでパルスφ、。がオフ、パルスφ
Ｈ２がオン状態になると前記信号電荷１０１は、第２の
トランスファゲート電極２３からＩ！２の水平シフトレ
ジスタ１２のφＨ２に対応する水平転送電体３２，３５
下５と、転送される。このとき前記信号電荷１０２は、
φＴＧ　がオフ状態にもかかわらず電位障壁領域４２．
５０が存在することにより、第１のトランスファゲート
電極２３下にそのまま蓄積されている。また前記信号電
荷１０３はやはシ第１の水平シフトレジスタ１１のφＨ
３に対応する水平転送電極３３下にとどまったままであ
る。この様子を第３図中に破線で示しである。

つぎに時刻１．．１．・でパルスφ？Ｇ　がオフ、パル
３φＨ２がオフ状態になると前記信号電荷１０１は第２
の水平シフトレジスタ１２のφＨ２に対応する水平転送
電極３２下から第３のトランスファゲート電極２４下へ
と転送、蓄積される。このとき前記信号電荷１０２は電
位障壁領域４２，６０゜６１とチャネルストップ領域（
第１図中に斜線で示しである）が存在するからそのまま
第２のトランス７丁ゲート電極２３下に蓄積されている
。こののち時刻ｔ１１　　ｓ　ｔ１鵞でパルス　φ１Ｇ
がオフ。

パルス　φＨ３がオン状態になると、前記信号電荷１０
１，１０２はそれぞれ第２．第３のトランスファゲート
電極２３．２４下から、第２．Ｎ３の水平シフトレジス
タ１２．１３のφＨ３に対応する水平転送電極３３下へ
と転送、蓄積される。

このとき、前記信号電荷１０３は第１の水平シフトレジ
スタ１１のφＨ３に対応する水平転送電極３３下に蓄積
されたままである。

このようにして垂直シフトレジスタ群の３列毎の信号電
荷が３本の水平シフトレジスタに振り分けられることに
なる。この振り分けののち、各信号電荷は水平方向に通
常のＣＯＤの駆動によりミ荷転送される。

次に、本発明による電荷結合素子の駆動方法の第２の実
施例について図面金参照して説明する。

第４図は本発明による電荷結合素子の第２の実施例によ
り各電極に印加されるパルスの波形図であるＯ ！４図は第１図と同じくテレビジ日ン信号の水平ブラン
キング中での各電極に印加される駆動ノくルスの波形を
示Ｌ、ハＡｔ　スφＶＬ、φＴＧ、φ旧１゜φ。□２．
φ□□３　はそれぞれ第２図のφＶＬ　　φ、。

φ第１、　”Ｎ２．”Ｎ３　で示されるパルスが印加さ
れる電極と同じ電極に印加されるパルスを示しているＯ
′＜″′φ旧ｌ、φＨ１２，φ旧３は各′立上シと立下
シの位相及び時刻ｔ！意以後の水平シフトレジスタにお
ける水平転送時の電圧ｖｓは第２図に示すパルスφＨ１
，”Ｎ２．　φＨ３と同じであるが、時刻ｔ６から時刻
ｔｔｓまでの垂直シフトレジスタから水平シフトレジス
タへの転送時の電圧■１は電圧■３よシ高い電圧である
。

第５図は第４図に示すパルスを印加したときの第１図に
示すＣＣＤにおけるＡ−Ａ’線に沿つｔ電位分布図であ
る。

Ｗ、４図、第５図において、時刻”２ｓ”６及びｔ！・
　においては、電極２１〜２４及び３１〜３５に印加さ
れる電圧は、前述し７を第１の実施例の場合と同一であ
るから、第５図に示す電位分布も前述した第３図に示す
ものと同一になる。しかし、時刻ｔ４においては電極３
１〜３５１時刻ｔ８においては電極３２，３５．時刻「
■においては電極３３に印加される電圧は、第２図に示
すｊｔｌ！１の実施例の場合の電圧■、よシも大きい電
圧ＶＬである九め、電極３１〜３５下の電位は高くなる
。

従って、電極２２と電極３１，３４、電極２３と電極３
２．　、３５％電極２４と電極３３それぞれの間の電位
傾斜は大きくなシ、電極２２から電極３１及び３４、電
極２３から電極３２および３５、電極２４から電極３３
それぞれへの信号電荷の転送は完全に近くなシ、取残し
電荷が減少し、取残し電荷による水平解像度の低下及び
パターンノイズを少くできる。

さらに、第４図において、パルスφ　　　φ［１１１（
１２ φ［１３の時刻ｔ１雪　　以後の水平レジスタにおける
水平転送時の電圧は、第２図に示すパルスφ□、φＨ２
φＨ３の電圧と同じ電圧Ｖｓであるから、消費電力の増
加もはとんどない。

第６図は本発明による電荷結合素子の駆動方法の第３の
実施例を示す波形図である。８６図も第１図と同じくテ
レビジョン信号の水平ブランキング中での各電極に印加
される駆動パルスの波形を示し１′４ル３φＶＬ、φＴ
Ｇ、φＨ２１，φＨ２２，φ［２３はそれぞれ！２図の
φｖＬ〜φＨ３で示されるパルスが印加される電極と同
じ電極に印加されるパルスを示している。パルスφ　　
　φ ［２１，Ｈ２２，φ［２３は 各々前述の第２の実施例と同じく、立上りと立下シの位
相および時刻ｔ！震以後の水平シフトレジスタにおける
水平転送時の電圧■３は第２図に示すパルスφ□０．φ
Ｈ２，φＨ３と同じであるが、時刻ｔ・よシ時刻ｔ１ｍ
　　までの垂直シフトレジスタよシ水平シフトレジスタ
への転送時の電圧ｖＬは前記電圧Ｖ８ニジ高い電圧であ
る。尚、第６図に示すパルスは、第４図に示すパルスの
時刻第４におけるφ■とφ１３と管オフにしたものに相
当する。

第７図は第６図に示されるパルスを印加したときの第１
図に示すＣＯＤにおけるＡ−Ａ’線に沿った電位分布図
である。

第６図、第７図において、時刻を冨　ｍｔ＠および１．
・　においては電極２１〜２４および３１〜３５に印加
される電圧は前述した第１の実施例の場合と同一である
から、ｊＪＧ７図に示す電位分布も前述した第３図に示
すものと同一になる。しかし、時刻ｔ４においては電極
３１．３５、時刻ｔ、においては電極３２　、３５．時
刻ｔ１雪　　においては電極３３に印加される電圧は、
第２図に示す第１の実施例の場合の電圧■　よシも大き
い電圧ｖＬであるため、電極３１〜３５下の電位は高く
なる。

従って、電極２２と電極３１，３４、電極２３と電極３
２，３５、を極２４と電極３３それぞれの間の電位傾斜
は大きくなシ、電極２２から電極３１及び３４、電極２
３から電極３２および３５、電極２４から電極３３それ
ぞれの信号荷電の転送は完全に近くなシ、取シ残し電荷
が減少し、取残し電荷による水平解像度の低下及びバタ
ンノイズを少くできる。

さらに、第６図において、パルスφ　　　φ［２１Ｈ２
２ φ　　の時刻ｔｔｓ以後の水平レジスタにおける［２３ 水平転送時の電圧は、第２図に示すパルスφ□、φＨ２
φ［３の電圧と同じ電圧Ｖ、であシ、オフとしている究
め、消費電力の増加は、前述の第２の実施例より少ない
。

以上の説明では、水平シフトレジスタを３相駆動と仮定
し、３本の水平シフトレジスタを用いることにより信号
電荷の振り分けを行ない、水平方向の転送電極の形成を
容易ならしめた例について示した。

第８図は本発明による電荷結合素子の他の実施例を示す
もので、２相駆動の水平シフトレジスタを２本用いて垂
直シフトレジスタからの信号電荷の振り分けを行なう例
である。図において１１１〜１１５は垂直シフトレジス
タの電荷転送チャネ／Ｉ／、１８１〜１８４は前記垂直
シフトレジスタの電荷転送チャネルを規定するチャネル
ストップ領域、１２１，１２２はそれぞれ第１．第２の
水平シフトレジスタの電荷転送チャネル％１３１は垂直
シフトレジスタの最終転送電極、１３２，１３３はそれ
ぞれ第１．纂２のトランス７丁ゲート電極、１４１〜１
４５は水平シフトレジスタの転送電極、１７２〜１７３
は前記第１．第２の水平シフトレジスタ金結合する電荷
転送チャネル、１５１〜１６８は例えはイオン注入によ
って形成される電位障壁領域を示す。本実施例において
も、水平シフトレジスタが２相躯動となっていることを
除き。

前記した第１図に示す素子と同様に動作させることがで
きる。

なお、第１の実施例と同様に第１のトランスファゲート
電極１３２下の電位障壁領域１５３〜１５７が存在しな
くても同様の動作をさせることができる。

〔発明の効果） 以上述べたように、本発明の電荷結合素子の第１の実施
例では垂直シフトレジスタの３列毎に、第２の実施例で
は２列毎に水平シフトレジスタの単位素子が構成できる
ため、水平転送電極を形成する際の加工精度を大喝に低
減でき、素子形成が容易となシ、多画累、高密度のＣＯ
Ｄが得られる。

ま几、駆動周波数も低減することができ、低消費電力で
高解像度を得ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

に１図、＠８図は本発明による電荷結合素子の主要部の
平面因、第２図は本発明による電荷結合素子の駆動方法
の第１の実施例のパルス波形図、第３図は第１図一点鎖
線Ａ−Ａ’に沿っての第２図に示すパルスによる電位分
布と信号電荷の流れを示す因、＠４図は本発明による電
荷結合素子の駆動方法の第２の実施例のパルス波形図、
第５図は第１図一点鎖線Ａ−Ａ’に沿っての第４図に示
すパルスによる電位分布と信号電荷の流れを示す図、第
６図は本発明による電荷結合素子の駆動方法の＠３の実
施例のパルス波形図、第７図は第１図一点鎖線Ａ−Ａ’
に沿っての第６図に示すパルスによる′１位分布と信号
電荷の流れとを示す図。 ＠９図は従来の固体撮像素子の垂直シフトレジスタと水
平シフトレジスタとの接続部の平面図。 図において％１〜５，１１１〜１１５，２０１〜２０３
Ｕ垂！シフトレジスタの電荷転送チャネル、８１〜８４
，１８１〜１８４は前記垂直シフトレジスタの電荷転送
チャネルを規足するチャネルストップ領域％１１〜１３
，１２１，１２２゜２１１は水平シフトレジスタの電荷
転送チャネル、２１．１３１，２２１１１を垂直シフト
レジスタの最終転送電極、２２〜２４，１３２，１３３
，２２２はトランス７丁ゲート′電極、３１〜３５，１
４１〜１４５，２３１〜２４０は水平シフトレジスタの
転送電極、７１〜７６％１７１〜１７３は各水平シフト
レジスタを結合する電荷転送チャネル。 ４１〜６６．１５１〜１６８．２４１〜２４４は電位障
壁領域をそれぞれ示す。 ８　　ｆ　　区 ２２〜２４　　　）ランスフッ１−ｒレト’＄８　　　
１？ｆん８手　→〜−和レスし／７゜第　７　図 ８６　区 ／ｆｆＡ、ｉｆ！；　＄１　＞７）−）ン’スｆ　　　
　／４ｆルｆ４！；　　／Ｊｃ７＄ｔｚＪＬ電港ｆ２ｆ
、　／り２　水平シフトレジスフ　　　　ｆｌ−ｆ−１
６８−１１１１ｆｔｎ壁僧ｄ’／３／　　　　転遺棄蕾
狐姐壇Ｊ丞　ｆ７ｆＮ１７３　檀図一部通沖■没しｔ３
２．／３３　　）−ランス７７ｈ′”−１−電イｋｙｇ
／−／１４　　斗ヤネルズと・ｙ７６８９　閃

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）電荷結合素子による複数列の垂直シフトレジスタ
   群と、該シフトレジスタ群の信号転送方向と直角方向に
   配置され、しかも水平転送電極下の前記垂直シフトレジ
   スタのチャネルを規定するチャネルストップ領域に対応
   した領域に電位障壁が形成されたＭ行の水平シフトレジ
   スタ群とを有し、前記垂直シフトレジスタ群と前記水平
   シフトレジスタ群の第１の水平シフトレジスタとの間お
   よび前記Ｍ行の水平シフトレジスタ間には該水平シフト
   レジスタの信号転送方向と平行にトランスファゲート電
   極が配置された電荷結合素子において、前記Ｍ行の水平
   シフトレジスタのうち互いに隣接するＮ番目およびＮ＋
   １番目の水平シフトレジスタは前記トランスファゲート
   電極直下に前記水平シフトレジスタの転送電極のＭ電極
   毎にＭ−Ｎ本形成される電荷転送チャネルによって結合
   され、該各電荷転送チャネルは前記水平シフトレジスタ
   を覆う隣り合う水平転送電極下の活性領域を結合してな
   り、かつ前記チャネルの両端には電位障壁を設けること
   を特徴とする電荷結合素子。
2. （２）電荷結合素子による複数列の垂直シフトレジスタ
   群と、該シフトレジスタ群の信号転送方向と直角方向に
   配置されしかも水平転送電極下の前記垂直シフトレジス
   タのチャネルを規定するチャネルストップ領域に対応し
   た領域に電位障壁が形成されたＭ行の水平シフトレジス
   タ群とを有し、前記垂直シフトレジスタ群と前記水平シ
   フトレジスタ群の第１の水平シフトレジスタとの間およ
   び前記Ｍ行の水平シフトレジスタ間には該水平シフトレ
   ジスタの信号転送方向と平行にトランスファゲート電極
   が配置され、前記Ｍ行の水平シフトレジスタのうち互い
   に隣接するＮ番目およびＮ＋１番目の水平シフトレジス
   タは前記トランスファゲート電極直下に前記水平シフト
   レジスタの転送電極のＭ電極毎にＭ−Ｎ本形成される電
   荷転送チャネルによって結合され、該各電荷転送チャネ
   ルは前記水平シフトレジスタを覆う隣り合う水平転送電
   極下の活性領域を結合してなり、かつ前記チャネルの両
   端には電位障壁を設けた電荷結合素子の駆動方法であっ
   て、前記水平シフトレジスタ群において水平転送を行う
   際は前記水平シフトレジスタは第１の電圧のＭ相の駆動
   パルスによって駆動され、前記垂直シフトレジスタ群か
   ら第１の水平シフトレジスタへ信号電荷を読み出すに際
   しては両者の間に配置された第１のトランスファゲート
   電極直下に信号電荷を蓄積したのち該トランスファゲー
   ト電極に印加される電圧をオフ状態とするとともに前記
   水平シフトレジスタを覆うＭ相またはＭ相のうちいずれ
   か１相の転送電極に第２の電圧を印加することによりオ
   ン状態として第１の水平シフトレジスタへ信号電荷を転
   送蓄積し、前記Ｎ番目の水平シフトレジスタから前記Ｎ
   ＋１番目の水平シフトレジスタへ信号電荷を転送するに
   際しては前記Ｎ番目の水平シフトレジスタを覆い信号電
   荷を蓄積している一転送電極をオフ状態とするとともに
   前記Ｎ番目およびＮ＋１番目の水平シフトレジスタの間
   に設けられた前記トランスファゲート電極をオン状態と
   し、信号電荷を該トランスファゲート電極直下に形成さ
   れる前記電荷転送チャネルへ転送し、かかるのちに該ト
   ランスファゲート電極をオフ状態にするとともに前記Ｎ
   ＋１番目の水平シフトレジスタを覆い前記Ｎ番目の水平
   シフトレジスタの一転送電極に隣接する一転送電極に前
   記第１の電圧を印加することにより、オン状態として前
   記Ｎ＋１番目の水平シフトレジスタへ信号電荷を転送蓄
   積し、かかる一連の動作により前記第１のトランスファ
   ゲート電極下に蓄積される信号電荷を前記Ｍ行の水平シ
   フトレジスタへ振り分けることを特徴とする電荷結合素
   子の駆動方法。
3. （３）前記第１の電圧と前記第２の電圧とが等しいこと
   を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電荷結合素子
   の駆動方法。
4. （４）前記第２の電圧が前記第１の電圧より高いことを
   特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電荷結合素子の
   駆動方法。