JPS62227029A - 清浄鋼の製造方法 - Google Patents
清浄鋼の製造方法Info
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- JPS62227029A JPS62227029A JP7172586A JP7172586A JPS62227029A JP S62227029 A JPS62227029 A JP S62227029A JP 7172586 A JP7172586 A JP 7172586A JP 7172586 A JP7172586 A JP 7172586A JP S62227029 A JPS62227029 A JP S62227029A
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Landscapes
- Treatment Of Steel In Its Molten State (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、非金属介在物がきわめて少ない高清浄度の
鋼を製造する方法に係り、更に詳しくは比較的微小な介
在物までも効果的に除去し得る還元精錬方法に関する。
鋼を製造する方法に係り、更に詳しくは比較的微小な介
在物までも効果的に除去し得る還元精錬方法に関する。
(従来の技術)
一般に、鋼中の非金属介在物を除去して鋼を清浄化する
ことは、種々のメリットをもたらす。
ことは、種々のメリットをもたらす。
綱を清浄化する方法としては、2次精錬炉における、い
わゆる還元精錬が公知である。これは、−Mに次の方法
による。すなわち、VOD、AOD、LF、VAD等の
2次精錬炉を用い、溶鋼の上にフラフクスをおいてスラ
グを形成させ、このスラグの酸化ポテンシャルをAIや
Siの強1元剤で低下させるとともに、この還元元素を
溶鋼中にも保持させて還元条件をつくり出す。ここで、
Ar等の不活性ガスを浴面下より吹き込んで強攪拌をか
け、これにより還元反応を促進させて鋼中介在物を浮上
、除去する。
わゆる還元精錬が公知である。これは、−Mに次の方法
による。すなわち、VOD、AOD、LF、VAD等の
2次精錬炉を用い、溶鋼の上にフラフクスをおいてスラ
グを形成させ、このスラグの酸化ポテンシャルをAIや
Siの強1元剤で低下させるとともに、この還元元素を
溶鋼中にも保持させて還元条件をつくり出す。ここで、
Ar等の不活性ガスを浴面下より吹き込んで強攪拌をか
け、これにより還元反応を促進させて鋼中介在物を浮上
、除去する。
非金属介在物が及ぼす害の最も顕著な例は、成品の表面
疵やユーザー側での加工時における割れ疵等の発生であ
り、これはとくに、比較的大型(具体的には50μ以上
)の酸化物系介在物によるものであるが、上記還元精錬
は、現在、このような介在物の減少を目的に多〈実施さ
れ、上記底、割れ等の問題をほぼ解決する成果を収めて
いる。
疵やユーザー側での加工時における割れ疵等の発生であ
り、これはとくに、比較的大型(具体的には50μ以上
)の酸化物系介在物によるものであるが、上記還元精錬
は、現在、このような介在物の減少を目的に多〈実施さ
れ、上記底、割れ等の問題をほぼ解決する成果を収めて
いる。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、近年その需要に急速な伸びがみられる各種精
密電子部品に用いるステンレス極薄板や極細線について
いうと、これらに供する材料は、−IIにいう機械加工
性のほか、打抜き性、エツチング性、メッキ性といった
複雑な加工処理に対する性能が同時に問われる。ここに
、後者の3特性については介在物の影響が大きく、なか
でも108以上の比較的微小な介在物の存在の有無が、
それらの特性の良否をほぼ支配していることが、発明者
らの研究で明らかとなった。
密電子部品に用いるステンレス極薄板や極細線について
いうと、これらに供する材料は、−IIにいう機械加工
性のほか、打抜き性、エツチング性、メッキ性といった
複雑な加工処理に対する性能が同時に問われる。ここに
、後者の3特性については介在物の影響が大きく、なか
でも108以上の比較的微小な介在物の存在の有無が、
それらの特性の良否をほぼ支配していることが、発明者
らの研究で明らかとなった。
すなわち、この種用途向けの材料に限っていえば、とく
に108以上の比較的小さな介在物までを取り除くこと
が求められてくるのである。
に108以上の比較的小さな介在物までを取り除くこと
が求められてくるのである。
ここで、従来公知の還元精錬は、大型の介在物について
は既述のように非常に効果的であるが、!0g以上の小
型の介在物には全く舞力なものであり、これを取り除く
要求には応えられないものである。
は既述のように非常に効果的であるが、!0g以上の小
型の介在物には全く舞力なものであり、これを取り除く
要求には応えられないものである。
上記に鑑み本発明は、大型介在物のみならず、比較的小
型の、とくに!0g以上の介在物までをきわめて効果的
に除去し、高度の清浄化を達成し得る1:元精錬方法の
提供を目的とする。
型の、とくに!0g以上の介在物までをきわめて効果的
に除去し、高度の清浄化を達成し得る1:元精錬方法の
提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段・作用)本発明者らはま
ず、詳細な実験、調査の結果、一般の還元精錬を伴う溶
製プロセスを経てなお成品中に残る!0g以上の小型介
在物について、その実体ならびに生成のメカニズムを次
のとおり突き止めた。すなわち、 (a)上記の小型介在物は、MgOを少なくとも10%
含有する化合物に限られ、これは鋳片から成品にいたる
途中の加工工程において変形したり破砕されたりしない
でそのまま成品中に持ち込まれるC系介在物(!’Ig
O−Al2O3またはMgO−5iO□)であることを
知見した。
ず、詳細な実験、調査の結果、一般の還元精錬を伴う溶
製プロセスを経てなお成品中に残る!0g以上の小型介
在物について、その実体ならびに生成のメカニズムを次
のとおり突き止めた。すなわち、 (a)上記の小型介在物は、MgOを少なくとも10%
含有する化合物に限られ、これは鋳片から成品にいたる
途中の加工工程において変形したり破砕されたりしない
でそのまま成品中に持ち込まれるC系介在物(!’Ig
O−Al2O3またはMgO−5iO□)であることを
知見した。
(b)また、このようなC系介在物の形成は、溶鋼中に
MBが存在すること、すなわち溶鋼中に!1gが混入す
ることによっておこることは、いうまでもない、 Mg
の混入については一般には、合金原材料、精錬添加剤等
種々の要因が考えられるが、この場合における、介在物
形成の基となるMgの混入は、意外にも還元精錬に使用
する精錬容器に起因していることを突き止めた。すなわ
ち、還元精錬に使用する精錬容器は通常、溶鋼の高温に
晒されることから、ドロマイトのようなMgO含有の耐
火物でライニングされているが、このライニング耐火物
はC3泪温度が1700℃(荷重軟化点)をこえるとM
gOの溶出挙動が際立って活発になる傾向があり、後記
するように精錬温度を約1720℃に設定する一般の精
錬では耐火物中MgOの溶鋼中への溶出、混入がどうし
ても避けられないこととなるのである。
MBが存在すること、すなわち溶鋼中に!1gが混入す
ることによっておこることは、いうまでもない、 Mg
の混入については一般には、合金原材料、精錬添加剤等
種々の要因が考えられるが、この場合における、介在物
形成の基となるMgの混入は、意外にも還元精錬に使用
する精錬容器に起因していることを突き止めた。すなわ
ち、還元精錬に使用する精錬容器は通常、溶鋼の高温に
晒されることから、ドロマイトのようなMgO含有の耐
火物でライニングされているが、このライニング耐火物
はC3泪温度が1700℃(荷重軟化点)をこえるとM
gOの溶出挙動が際立って活発になる傾向があり、後記
するように精錬温度を約1720℃に設定する一般の精
錬では耐火物中MgOの溶鋼中への溶出、混入がどうし
ても避けられないこととなるのである。
ごこに、M[0の溶出は、溶鋼中のSi、 Al1(
還元剤)による下記(1) 、 (2)の還元反応であ
る。
還元剤)による下記(1) 、 (2)の還元反応であ
る。
3Mg0 +2 A 1− ^1 t(h+3MB
・ ・ ・ (八)2MgO+si= 5i02
+ 2’LR・・・・・・([1)すなわち、上記のC
系介在物は、還元精錬工程で炉耐火物から混入してくる
Mgにより、同工程において形成されるというわけであ
る。
・ ・ ・ (八)2MgO+si= 5i02
+ 2’LR・・・・・・([1)すなわち、上記のC
系介在物は、還元精錬工程で炉耐火物から混入してくる
Mgにより、同工程において形成されるというわけであ
る。
上記(a) 、 (b)の事実よりして、!0g以上の
小型介在物対策としては、還元精錬工程において、0M
[の溶出挙動、すなわち(A)、(B)の還元反応その
ものを抑えること、■溶出したMgを溶鋼中から取り除
いてやること、の2つが考えられる。
小型介在物対策としては、還元精錬工程において、0M
[の溶出挙動、すなわち(A)、(B)の還元反応その
ものを抑えること、■溶出したMgを溶鋼中から取り除
いてやること、の2つが考えられる。
そこで本発明者らは、上記■、■の具体的手段について
、更に実験、研究を重ねた結果、以下のようム知見を得
たのである。
、更に実験、研究を重ねた結果、以下のようム知見を得
たのである。
(c)まず■にいう(A) 、 (B)の還元反応は、
精錬条件としての精錬温度と溶鋼中還元剤(八β、Si
)濃度とに実質的に支配され、それらの値を低くする
と、抑制される傾向となる。
精錬条件としての精錬温度と溶鋼中還元剤(八β、Si
)濃度とに実質的に支配され、それらの値を低くする
と、抑制される傾向となる。
また■の溶鋼中Mgの除去には、同じく精錬条件として
のスラグ塩基度が重要な意味をもっており、4gの除去
はこの値を低くすることにより促進される(川向となる
。
のスラグ塩基度が重要な意味をもっており、4gの除去
はこの値を低くすることにより促進される(川向となる
。
(d) ところが、通常このような条件の設定に当たっ
ては、溶鋼中介在物の除去につながる還元反応の促進を
第一に考えるが、この還元反応の観点にたてば、上記条
件はいずれも高い方が有利ということになる。
ては、溶鋼中介在物の除去につながる還元反応の促進を
第一に考えるが、この還元反応の観点にたてば、上記条
件はいずれも高い方が有利ということになる。
つまり、上記各条件については、Mgの溶出抑制。
溶出九の除去を優先させると、本来の還元反応が抑えら
れる傾向となるということである。
れる傾向となるということである。
(e)シかるに、M(Hの溶出抑制と溶出Mgの除去の
雨対策を併用することを前提とするならば、上記3条件
の間に、10μ以上の小型介在物をほぼ完全になくし、
しかも大型介在物の十分な除去を達成し得る条件範囲の
存在することが判明したものである。
雨対策を併用することを前提とするならば、上記3条件
の間に、10μ以上の小型介在物をほぼ完全になくし、
しかも大型介在物の十分な除去を達成し得る条件範囲の
存在することが判明したものである。
本発明は以上のような知見に基づくものであって、Cr
O,5〜35wt%を含む泪を、Mg010%以上含
イ「の耐火物を用いた2次jrt錬炉により還元精錬す
るに際し、精錬温度を1700℃以下、スラグ塩基度を
1〜2とするとともに、当該精錬の全工程を通してン容
1’ll’l中に0.05〜2.Owt%のSi 、
0.01〜1.0匈むン6のAlの少なくとも一方が保
持され、かつそれらの1e星が2.Owt%以下となる
ようにして、精錬を行い、成品における非金属介在物中
のM8o濃度を10%以下とすることを特徴とする清浄
鋼の製造力l去を要旨とする。
O,5〜35wt%を含む泪を、Mg010%以上含
イ「の耐火物を用いた2次jrt錬炉により還元精錬す
るに際し、精錬温度を1700℃以下、スラグ塩基度を
1〜2とするとともに、当該精錬の全工程を通してン容
1’ll’l中に0.05〜2.Owt%のSi 、
0.01〜1.0匈むン6のAlの少なくとも一方が保
持され、かつそれらの1e星が2.Owt%以下となる
ようにして、精錬を行い、成品における非金属介在物中
のM8o濃度を10%以下とすることを特徴とする清浄
鋼の製造力l去を要旨とする。
精錬温度、スラグ塩基度、溶鋼中還元剤(Al゜Si
)濃度の各精錬条件については、従来、精ill!1.
!!度約1720℃、スラグ塩基度1.5〜2.5 、
/8鋼中還元剤最高名度: Aj! 1.5wt
%+ Si 1.Owt%程度に設定するのが通例であ
った。これらの条件設定は、次のような理由による。
)濃度の各精錬条件については、従来、精ill!1.
!!度約1720℃、スラグ塩基度1.5〜2.5 、
/8鋼中還元剤最高名度: Aj! 1.5wt
%+ Si 1.Owt%程度に設定するのが通例であ
った。これらの条件設定は、次のような理由による。
・精錬温度;この温度が高いほど、介在物除去に関与す
る還元反応は進み易く、またフラックスの滓化も早くな
る。精錬温度は上記還元反応面のほか、−次精錬の温度
、成分のばらつきを成分微調整も含めて二次精錬で補償
すること、また更には強撹拌による温度低下の補償に吹
精S!J、後のキリング過程における温度低下、鋳造工
程のための温度補償など工業生産上の見地からも、高l
ユが指向される。このような事情と、精錬容器の内張耐
火物の耐熱性の問題との兼ね合いから、従来1720℃
程度が採用されていた。
る還元反応は進み易く、またフラックスの滓化も早くな
る。精錬温度は上記還元反応面のほか、−次精錬の温度
、成分のばらつきを成分微調整も含めて二次精錬で補償
すること、また更には強撹拌による温度低下の補償に吹
精S!J、後のキリング過程における温度低下、鋳造工
程のための温度補償など工業生産上の見地からも、高l
ユが指向される。このような事情と、精錬容器の内張耐
火物の耐熱性の問題との兼ね合いから、従来1720℃
程度が採用されていた。
・スラグ塩基度ニア8鋼上面のスラグの組成は溶鋼中で
の還元反応を支配する重要な因子であり、スラグ塩基度
とはこのスラグ組成の指標となるものである。一般にこ
の値が高いほど還元反応は進み易く、したがってこれも
、高い値が好ましい。このことから、同塩基度としては
、1.5〜2.5程度が選ばれてきた。
の還元反応を支配する重要な因子であり、スラグ塩基度
とはこのスラグ組成の指標となるものである。一般にこ
の値が高いほど還元反応は進み易く、したがってこれも
、高い値が好ましい。このことから、同塩基度としては
、1.5〜2.5程度が選ばれてきた。
・i$E中還元剤濃度:還元剤としてのllj!、Si
が多いほど、還元反応は効果的に進行する。この八β、
Siについては、還元剤のほか、とくに外部熱源を使用
しないVOD、AODの場合には昇温剤としても利用さ
れ、更には鋼の機械的特性の上からも必要とされるもの
であり、こうした側面も考慮に入れて、Al濃度、s+
濃度はそれぞれ1.5−L%、 1.0ivt%(初期
最高値)程度が採用されていた。
が多いほど、還元反応は効果的に進行する。この八β、
Siについては、還元剤のほか、とくに外部熱源を使用
しないVOD、AODの場合には昇温剤としても利用さ
れ、更には鋼の機械的特性の上からも必要とされるもの
であり、こうした側面も考慮に入れて、Al濃度、s+
濃度はそれぞれ1.5−L%、 1.0ivt%(初期
最高値)程度が採用されていた。
このような条件設定では、しかしながら先述のように5
0μ以上の大型介在物は効果的に除去されるものの、1
0μ以上の小型介在物については多くの残留が見られる
というわけである。
0μ以上の大型介在物は効果的に除去されるものの、1
0μ以上の小型介在物については多くの残留が見られる
というわけである。
しかるに、本発明の方法に従って、↑11錬温度=17
00℃以下、スラグ塩基度1〜2./8鋼中還元剤l益
度:Si0.05 〜2wt% 、八ρ 0.01 〜
1.0wt%と、従来より全て低めに条件設定してやれ
ば、■還元精錬本来の大型介在物に対する効果を実質的
に低下させることなく、0108以上の小型介在物の残
留を殆ど皆無とすることができる。すなわち、■につい
ては、これは先に述べたことからも明らかなように、
(イ)精錬温度、溶鋼中還元剤濃度の上記条件設定によ
り、当該精錬工程における精錬容器からのMgOの溶出
、すなわち前記(A)、(B)の還元反応が抑制され、
また(口)スラグ塩基度の上記条件設定により、僅かな
がら溶出したMgも溶鋼中から略々完全に除去されるこ
ととなり、その結果、同工程でのMgO含有のC系介在
物の生成が可及的に防止されるごとによるものである。
00℃以下、スラグ塩基度1〜2./8鋼中還元剤l益
度:Si0.05 〜2wt% 、八ρ 0.01 〜
1.0wt%と、従来より全て低めに条件設定してやれ
ば、■還元精錬本来の大型介在物に対する効果を実質的
に低下させることなく、0108以上の小型介在物の残
留を殆ど皆無とすることができる。すなわち、■につい
ては、これは先に述べたことからも明らかなように、
(イ)精錬温度、溶鋼中還元剤濃度の上記条件設定によ
り、当該精錬工程における精錬容器からのMgOの溶出
、すなわち前記(A)、(B)の還元反応が抑制され、
また(口)スラグ塩基度の上記条件設定により、僅かな
がら溶出したMgも溶鋼中から略々完全に除去されるこ
ととなり、その結果、同工程でのMgO含有のC系介在
物の生成が可及的に防止されるごとによるものである。
■についていうと、本発明に規定する3条件のうち、と
くに精錬温度1700“Cという条件は、工業生産りの
諸々の課題に対処する際の条件設定の自由度を少なくし
、二次+I″!錬のみならず一次精錬からSli造工程
まで、従来以上に厳しく管理して製造する必要が生して
くる。しかし還元反応そのものは1700′C以下で、
かつ本発明範囲の塩基度、溶鋼中ぶ元剤濃度の下でほぼ
問題なく進行し、50μ以上の大型介在物も従来の還元
精錬とほぼ同様に除去され得る。
くに精錬温度1700“Cという条件は、工業生産りの
諸々の課題に対処する際の条件設定の自由度を少なくし
、二次+I″!錬のみならず一次精錬からSli造工程
まで、従来以上に厳しく管理して製造する必要が生して
くる。しかし還元反応そのものは1700′C以下で、
かつ本発明範囲の塩基度、溶鋼中ぶ元剤濃度の下でほぼ
問題なく進行し、50μ以上の大型介在物も従来の還元
精錬とほぼ同様に除去され得る。
なお、精錬温度としては、1G50′c以上が望ましい
。
。
以上のように本発明方法は、−次精錬から最終の鋳造工
程まで厳密に管理することが必要で、若干能率低下など
を伴うものの、50μ以上の大型介在物以外に10μ以
上の介在物をほぼ完全に除去しi斗、製品の品質につい
ては大幅な向上がll1l待できるものである。
程まで厳密に管理することが必要で、若干能率低下など
を伴うものの、50μ以上の大型介在物以外に10μ以
上の介在物をほぼ完全に除去しi斗、製品の品質につい
ては大幅な向上がll1l待できるものである。
なお、本発明の方法は、とくに頭記した精密電子部品用
極薄板、極IIII線に供するステンレス材料(フェラ
イト系、オーステナイト系等)に主眼をおくものである
が、適用対象としてはこの他にも、とくにすぐれた疲労
強度が望まれ、その点から高度の清浄化が要求される軸
受鋼等が挙げられる。
極薄板、極IIII線に供するステンレス材料(フェラ
イト系、オーステナイト系等)に主眼をおくものである
が、適用対象としてはこの他にも、とくにすぐれた疲労
強度が望まれ、その点から高度の清浄化が要求される軸
受鋼等が挙げられる。
以下、本発明の各要件について説明する。
・まず、本発明においては、適用対象をCr O,5〜
35w t%を含む泪とした。発明本来の目的からすれ
ば、対象口の制限はとくに必要ではないが、用途上要求
される特性の面から適用がとりわけを効と、ちえられる
鋼種に対象を絞ったものである。具体的には、精密電子
部品用としての、フェライト系。
35w t%を含む泪とした。発明本来の目的からすれ
ば、対象口の制限はとくに必要ではないが、用途上要求
される特性の面から適用がとりわけを効と、ちえられる
鋼種に対象を絞ったものである。具体的には、精密電子
部品用としての、フェライト系。
オーステナイト系等のステンレス鋼や軸受鋼としてのC
r含有鋼等を考慮したもので、このような鋼に限った場
合、Crは少なくとも0.5wt%含まれ、また加工性
、とくに熱間加工性の観点より、多くとも35し%以下
に抑えられることがら、CrFJを0.5〜35−t%
に限定した。
r含有鋼等を考慮したもので、このような鋼に限った場
合、Crは少なくとも0.5wt%含まれ、また加工性
、とくに熱間加工性の観点より、多くとも35し%以下
に抑えられることがら、CrFJを0.5〜35−t%
に限定した。
・本発明の方法に使用する2次精錬炉は、Mg010%
以上含有の耐火物を使用したものである。耐火物のMg
O含有量が10%未満では、精錬時の高温に実質的に耐
えず、実用に供し得ない。Mg010%以上含(Tの耐
火物としては、マグネシア・クロマイ、ト、マグネシア
・ドロマイト等が挙げられる。炉ソノも+17)(7)
形式としては、VOD、AOD、LF。
以上含有の耐火物を使用したものである。耐火物のMg
O含有量が10%未満では、精錬時の高温に実質的に耐
えず、実用に供し得ない。Mg010%以上含(Tの耐
火物としては、マグネシア・クロマイ、ト、マグネシア
・ドロマイト等が挙げられる。炉ソノも+17)(7)
形式としては、VOD、AOD、LF。
VΔD等の何れでもよい。
・還元精錬の方法そのものは、先に述べた従来の方法と
基本的に同じであるが、本発明の方法では、情錬温度、
スラグ塩基度、そして?′8柵中連中還元剤濃度条件を
先述べの如く設定する。各条件について説明すると、 l)精錬温度: 1700℃をこえる温度では、本来の
還元反応による大型介在物の除去は作動に行われるが、
精錬炉耐火物からのMgの溶出が顕著となって10μ以
上の小型介在物の残留が多くなる。よって、1700℃
以下にする必要がある。設定温度の下限については、精
錬後のキリング時間の設定の仕方や外部熱源の有無等、
種々の操業条件によって変わってくるのでとくに1服定
しないが、大体1600〜1650℃程度と考えればよ
い。
基本的に同じであるが、本発明の方法では、情錬温度、
スラグ塩基度、そして?′8柵中連中還元剤濃度条件を
先述べの如く設定する。各条件について説明すると、 l)精錬温度: 1700℃をこえる温度では、本来の
還元反応による大型介在物の除去は作動に行われるが、
精錬炉耐火物からのMgの溶出が顕著となって10μ以
上の小型介在物の残留が多くなる。よって、1700℃
以下にする必要がある。設定温度の下限については、精
錬後のキリング時間の設定の仕方や外部熱源の有無等、
種々の操業条件によって変わってくるのでとくに1服定
しないが、大体1600〜1650℃程度と考えればよ
い。
2)スラグ塩基度:この値が1未満では、本来の還元反
応が十分に行われず、また2をこえた場合には精錬炉耐
火物から溶出、混入したMgの除去が効果的に達成され
ない。よって、1〜2の範囲に設定することが必要であ
る。
応が十分に行われず、また2をこえた場合には精錬炉耐
火物から溶出、混入したMgの除去が効果的に達成され
ない。よって、1〜2の範囲に設定することが必要であ
る。
3)?8t!1中還元剤濃度:還元剤としてはAA、S
iの一方または双方を使用する。還元剤は精錬開始時に
iSE中に所定濃度に保持せしめられ、精錬の進行とと
もに消費されて濃度が次第に低下してゆくが、本発明の
方法ではこの全過程においてAIの場合ハ0.01〜1
.Owt%、 Siニツいテは0.05〜2wL%の各
濃度に保つようにする必要がある。
iの一方または双方を使用する。還元剤は精錬開始時に
iSE中に所定濃度に保持せしめられ、精錬の進行とと
もに消費されて濃度が次第に低下してゆくが、本発明の
方法ではこの全過程においてAIの場合ハ0.01〜1
.Owt%、 Siニツいテは0.05〜2wL%の各
濃度に保つようにする必要がある。
^j!、Si とも下限値未満では、本来の還元反応が
進まず、また上限値をこえると、精錬炉耐火物からの1
の溶出が多くなり、結果的に10μ以上の小型介在物の
残留が増加する。
進まず、また上限値をこえると、精錬炉耐火物からの1
の溶出が多くなり、結果的に10μ以上の小型介在物の
残留が増加する。
なお、AI、Siの一方を添加する場合には、添加しな
い方の元素については溶鋼に上記下限値を下回る範囲で
の含有が予めあっても、それは何ら差支えないのはいう
までもない。本発明は、このよ・)なケースも熱論、包
含するものである。
い方の元素については溶鋼に上記下限値を下回る範囲で
の含有が予めあっても、それは何ら差支えないのはいう
までもない。本発明は、このよ・)なケースも熱論、包
含するものである。
・最後に、本発明において、成品における非金属介在物
中のM[O濃度を10%以下にすることとしたのは、こ
のMg04度が10%をこえると既述から明らかなよう
に108以上の小型介在物の残留がみられることになる
からである。このような目的は、上記した条件下での還
元精錬により、達成されるわけである。
中のM[O濃度を10%以下にすることとしたのは、こ
のMg04度が10%をこえると既述から明らかなよう
に108以上の小型介在物の残留がみられることになる
からである。このような目的は、上記した条件下での還
元精錬により、達成されるわけである。
(実施例1)
後記第1表に示す5us304@を30LonEF(T
L気が)にて溶製し、次いでVODで還元精錬を行い、
この際精錬速度、スラグ塩基度、78柵中還元剤の条件
をそれぞれ変化さゼた。使用した精錬炉のライニング耐
火物は、マグドロレンガ(Mg070%、 Ca030
%)である。
L気が)にて溶製し、次いでVODで還元精錬を行い、
この際精錬速度、スラグ塩基度、78柵中還元剤の条件
をそれぞれ変化さゼた。使用した精錬炉のライニング耐
火物は、マグドロレンガ(Mg070%、 Ca030
%)である。
得られた各種の柵を、連続鋳造によりスラブとなし、次
いで熱延−冷延を行ってQ、25+ntの薄板を得、こ
の薄板について、表面に存在する介在物を調査した。調
査は、表面の100 m++2の部分を500倍の視野
で観察し、同部分における10μm以上の大きさの介在
物の存在個数を調べる方法によった。
いで熱延−冷延を行ってQ、25+ntの薄板を得、こ
の薄板について、表面に存在する介在物を調査した。調
査は、表面の100 m++2の部分を500倍の視野
で観察し、同部分における10μm以上の大きさの介在
物の存在個数を調べる方法によった。
結果を第1図、第2図に示す。
第1図は、精錬温度と上記介在物個数との関係を冷部1
中還元剤条件をパラメータとして示したもの(スラグ塩
基度1〜2)であるが、同図の結果から、精錬温度を1
700℃以下(本発明範囲)とすることにより、108
以上の介在物が著減することが明らかである。また、溶
口中5元剤濃度については八N≦1.Owt%、Si≦
2.0wt%(本発明範囲)とすることが同上介在物の
減少に有効であることが稈屑される。
中還元剤条件をパラメータとして示したもの(スラグ塩
基度1〜2)であるが、同図の結果から、精錬温度を1
700℃以下(本発明範囲)とすることにより、108
以上の介在物が著減することが明らかである。また、溶
口中5元剤濃度については八N≦1.Owt%、Si≦
2.0wt%(本発明範囲)とすることが同上介在物の
減少に有効であることが稈屑される。
第2図はスラグ塩基度と同上介在物個数との関係(t/
r f1’点度:1700’c以下、溶鋼中最高還元剤
濃度: 0.25ivt% St、 0.05wt%
畳を示したもので、この図からは、スラグ塩基度2以下
の条件(本発明範囲)が介在物の低減に有効であること
が判る。
r f1’点度:1700’c以下、溶鋼中最高還元剤
濃度: 0.25ivt% St、 0.05wt%
畳を示したもので、この図からは、スラグ塩基度2以下
の条件(本発明範囲)が介在物の低減に有効であること
が判る。
(実施例2)
第1表に示す5US430を30tonEFで溶製し、
次いでVODによる還元精錬を行い、この際11′I錬
温度5スラグ塩基度、/8’lfA中最高還元剤濃度を
、ソレソれ1730”C+ 2.5+ Si =2.5
wt%(従来例)と、1680℃、 1.8. Si
=1.5 wt%(本発明実施例)の2種の条件に設定
した。
次いでVODによる還元精錬を行い、この際11′I錬
温度5スラグ塩基度、/8’lfA中最高還元剤濃度を
、ソレソれ1730”C+ 2.5+ Si =2.5
wt%(従来例)と、1680℃、 1.8. Si
=1.5 wt%(本発明実施例)の2種の条件に設定
した。
得られた鋼を、(実施例 1)と同様の方法で0.25
satの薄板とし、これについて、板厚全面における介
在物分布状態(観察視野:50 m*2)を光学顕微鏡
により調査した。
satの薄板とし、これについて、板厚全面における介
在物分布状態(観察視野:50 m*2)を光学顕微鏡
により調査した。
結果は第3図(イ)(本発明法)、 (ロ)(比較法)
に示す。
に示す。
従来例と本発明実施例とを比較すれば、従来例では10
8以上の介在物個数が非常多いが、本発明例ではこれが
ほとんど皆無となっており、本発明の有効性が確認され
る。
8以上の介在物個数が非常多いが、本発明例ではこれが
ほとんど皆無となっており、本発明の有効性が確認され
る。
(実施例 3)
後記第2表に示す5uJti(軸受鋼)を、70T、L
D転炉で溶製し、次いでVADにより還元精錬を行った
。精錬の条イ′は、精錬最高温度。
D転炉で溶製し、次いでVADにより還元精錬を行った
。精錬の条イ′は、精錬最高温度。
スラグ塩基度、溶鋼中還元剤最高潤度を、それぞれ 1
685℃、 1.8. Si: 0.2wt%、
Al1(Sol Ajり:0゜020wt%(本
発明実施例)、 1750’c、 2.5. Si、^
lとも同上(比較例)の2種の条件とした。
685℃、 1.8. Si: 0.2wt%、
Al1(Sol Ajり:0゜020wt%(本
発明実施例)、 1750’c、 2.5. Si、^
lとも同上(比較例)の2種の条件とした。
得られた鋼を300 *鳳X400++−のフ゛ル−ム
に連続鋳造し、分塊圧延後、軸受用鋼管(外径6o−1
φ。
に連続鋳造し、分塊圧延後、軸受用鋼管(外径6o−1
φ。
内径50龍φ)の製造を行った。
こうして得た鋼管について、介在物状況と疲労寿命の調
査を行った。
査を行った。
後記第3表は介在物状況の調査結果であるが、本発明材
ではA系介在物が比較材よりもやや多くなっているが、
C系介在物は著しく少なくなっている。
ではA系介在物が比較材よりもやや多くなっているが、
C系介在物は著しく少なくなっている。
また、第4図は上記画材の疲労寿命の調査結果であるが
、本発明材は比較材の約3倍にも及ぶ寿命を示している
。
、本発明材は比較材の約3倍にも及ぶ寿命を示している
。
(発明の効果)
以上に示したとおり本発明の方法は、50μ程度の比較
的大型の介在物のみならず、10μ以上の比較的小型の
介在物をもきわめて効果的に除去し得、清浄度のきわめ
て問い鋼を製造することが可能であり、と(に高清浄度
が要求される精密電子部品用ステンレス刈、軸受鋼等の
製造法として利用価値のきわめて高いものである。
的大型の介在物のみならず、10μ以上の比較的小型の
介在物をもきわめて効果的に除去し得、清浄度のきわめ
て問い鋼を製造することが可能であり、と(に高清浄度
が要求される精密電子部品用ステンレス刈、軸受鋼等の
製造法として利用価値のきわめて高いものである。
第1図、第2図は(実施例 l )の結果であり、第1
U7Jは精錬温度と圧延材表面における10μ以上の介
在物個数との関係、第2図はスラグ塩基度と同上介在物
個数との関係をそれぞれ示す。第3図(イ)5 (ロ)
は(実施例 2)の結果であり、板厚全面における介在
物分布状態を示し、(イ)は本発明実施例の場合、(ロ
)は従来例の場合、である。第4図は(実施例 3)の
結果であり、本発明実施材と比較材の疲労強度を示して
いる。
U7Jは精錬温度と圧延材表面における10μ以上の介
在物個数との関係、第2図はスラグ塩基度と同上介在物
個数との関係をそれぞれ示す。第3図(イ)5 (ロ)
は(実施例 2)の結果であり、板厚全面における介在
物分布状態を示し、(イ)は本発明実施例の場合、(ロ
)は従来例の場合、である。第4図は(実施例 3)の
結果であり、本発明実施材と比較材の疲労強度を示して
いる。
Claims (1)
- (1)Cr0.5〜35wt%を含む鋼を、MgO10
%以上含有の耐火物を用いた2次精錬炉により還元精錬
する場合において、精錬温度を1700℃以下、スラグ
塩基度を1〜2とし、かつ当該精錬の全工程を通じて溶
鋼を、0.05〜2wt%のSi、0.01〜1.0w
t%のAlの少なくとも一方を含有し、かつSi+Al
≦2wt%を満足する還元条件に保持して精錬を行うこ
とにより、成品における非金属介在物中のMgO濃度を
10%以下とすることを特徴とする清浄鋼の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7172586A JPS62227029A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 清浄鋼の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7172586A JPS62227029A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 清浄鋼の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62227029A true JPS62227029A (ja) | 1987-10-06 |
JPH0469207B2 JPH0469207B2 (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=13468782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7172586A Granted JPS62227029A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 清浄鋼の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62227029A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396134B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2003-08-27 | 주식회사 포스코 | 가공성이 우수한 고청정 스테인레스강의 제조방법 |
KR100941841B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-02-11 | 주식회사 포스코 | 오스테나이트계 스테인리스강 제조방법 |
JP2020172078A (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-22 | 凸版印刷株式会社 | インクジェットヘッド用流路パーツの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101656532B1 (ko) * | 2010-12-22 | 2016-09-22 | 두산인프라코어 주식회사 | 비-작업 부하를 이용한 dpf 강제 재생 시스템 및 그 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55148713A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-19 | Kobe Steel Ltd | Production of high silicon spring steel of superior fatigue resistance |
JPS57110612A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-09 | Kawasaki Steel Corp | Vacuum refining method of low carbon, low nitrogen and high chromium steel |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7172586A patent/JPS62227029A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55148713A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-19 | Kobe Steel Ltd | Production of high silicon spring steel of superior fatigue resistance |
JPS57110612A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-09 | Kawasaki Steel Corp | Vacuum refining method of low carbon, low nitrogen and high chromium steel |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396134B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2003-08-27 | 주식회사 포스코 | 가공성이 우수한 고청정 스테인레스강의 제조방법 |
KR100941841B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-02-11 | 주식회사 포스코 | 오스테나이트계 스테인리스강 제조방법 |
JP2020172078A (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-22 | 凸版印刷株式会社 | インクジェットヘッド用流路パーツの製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0469207B2 (ja) | 1992-11-05 |
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