JPS6222665B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明は回転板に皮膜を設ける方法に係わり、
具体的には磁気デイスクにおける磁気塗料のスピ
ンコート、あるいは光デイスクの原盤製造におけ
るレジストのスピンコートなどにおいて、円板の
内周から外周にかけての膜厚勾配を制御する方法
に関する。

(b) 従来技術と問題点 従来のスピンコートは第１図に示すようなスピ
ンコート装置を用いて行なわれている。即ち、コ
ートされる円板１がモータＭにより回転されるス
ピンドル軸２に保持されて回転し、該円板１の内
周部の上部より樹脂溶液がタンク３よりフイルタ
４を介してノズル５より滴下され、該滴下した液
６が外周に広がつたら滴下を終了する。

このときのコーテイング膜７の膜厚は内周部に
滴下した液６が円板１の遠心力で外周に流れてい
くので、一般に内周が薄く、外周が厚いという膜
厚勾配（例えば内周１とすると外周1.2〜1.5倍
位）が溶液濃度や回転円板１の回転数によらず存
在する。特に磁気デイスクにおける磁性材のコー
テイング、光デイスクにおけるレジストコーテイ
ングでは、内周から外周まで均一な膜厚を必要と
するため、上記の膜厚勾配はデイスク性能を制限
する要因となつていた。

(c) 発明の目的 本発明の目的は円板上に任意の膜厚勾配を得る
ことができ、かつ精密に再現性良く膜厚勾配をコ
ントロールするコーテイング方法を提供すること
にある。

(d) 発明の構成 そしてこの目的は、本発明によれば回転板上に
溶液を滴下して、皮膜を形成するコーテイング方
法において、前記溶液を滴下するノズルの位置を
前記回転板の内周から外周にかけて移動するとと
もに、該ノズル位置が該回転板中心より距離Ｒに
あるとき、該回転板の回転数Ｗを該回転数中心よ
りの距離Ｒの関数として制御することを特徴とす
るコーテイング方法を提供することにより達成し
ている。

(e) 発明の実施例 以下本発明の実施例を図面により詳述する。

第２図は本発明のコーテイング方法の１実施例
を説明するための図である。

図において、４はフイルタ、５はノズル、８は
回転板（以下デイスク基板と云う）、９は皮膜を
示し、他の省略した部分は第１図に示したスピン
コート装置と同様である。

コートされるデイスク基板８が図示しないモー
タにより回転されて、該デイスク基板８の上部
に、図示しないタンクにある樹脂溶液がフイルタ
４を介してノズル５より滴下されてコーテイング
が行われる。

従来のスピンコートでは、デイスク基板８の内
周部にノズル５より溶液を滴下し、該液が外周に
広がつて皮膜が形成されるので、一般に内周が薄
く、外周が厚い膜厚勾配となつていた。そこで本
発明では前記膜厚勾配をコントロールするため
に、ノズル５位置をデイスク基板８の内周より外
周にかけて移動させるとともに、該ノズル位置に
おけるデイスク基板８の回転数を変化させ、スピ
ンコートを行つたところ、次のようなことが判つ
た。

(1) 第２図に示すように、例えばデイスク基板８
（円板１４″）を用い、デイスク基板８回転数を
500γpmに一定回転させ、デイスク基板８内周
にノズル５より液滴下し、該ノズル５を徐々に
外周に移動させながらコーテイングしたとこ
ろ、デイスク基板８の外周膜厚が内周膜厚より
薄い第３図のＮ＝０に示すような膜厚勾配であ
つた。

(2) 次に、同じデイスク基板８を用い、最初デイ
スク基板８を500γpmで回転させて、デイスク
基板８内周（半径45mm）にノズル５より液滴下
し、該ノズル５を徐々に外周に移動させなが
ら、ノズル５の角位置におけるデイスク基板８
の回転も徐々に下げていき、外周のノズル位置
（半径175mm）における回転数を275γpmとした
とき、第３図のＮ＝0.44に示すような膜厚の均
一なものが得られた。

(3) その次に、同上(2)の条件において、外周のノ
ズル位置におけるデイスク基板８回転数を150
γpm以下としたとき、第３図のＮ＝１に示す
ような外周の膜厚が内周の膜厚より大きくなつ
た。

第３図に示すノズル５を移動しながら、デイス
ク基板８の回転制御したときの膜厚分布におい
て、デイスク基板８の回転数Wrpm、ノズル５の
デイスク基板８の半径位置をＲmmとし、ＲとＷの
初期値をそれぞれＲ、Ｗとすると、 ノズル５の半径位置Ｒに応じてデイスク基板８
の回転数はＷ＝W₀（Ｒ／R₀）の関係になる。

磁気デイスク、光デイスクのように一定膜厚が
望まれるときは、Ｗ＝W₀（Ｒ／R₀）において、Ｎ
を実験的に求めるとＮ＝0.44±0.2にすればよ
い。

このときのデイスク基板８の回転数Ｗはノズル
５の半径位置に応じて、第４図のＡのような変化
をすることになる。この回転数Ｗのコントロール
は無段階で行つてもよいし、或いは半径位置10ケ
所位をとり行い、一定膜厚を得るようにしてもよ
い。

又膜厚勾配を外周で厚くするときは、実験的に
求めるとＮ＝0.5〜１がよく、外周で薄くすると
きはＮ＝0.1〜0.3がよい。

上記のようにノズル５を移動させながらデイス
ク基板８の回転数の制御を組合せてコーテイング
することにより形成される膜厚分布はデイスク基
板８の内周から外周まで勾配なし（一定膜厚）及
び広範な勾配範囲の実現が可能である。

(f) 発明の効果 以上詳細に説明したように本発明のコーテイン
グ方法は溶液を滴下するノズルの位置を回転円板
の内周から外周にかけて移動するとともに、回転
円板の回転数をノズルの半径位置の関数として制
御することによつて、従来のノズル位置を回転円
板の内周に固定する方法で得られるような一定の
膜厚勾配でなく、任意の膜厚勾配が得られ、特に
回転円板の内周から外周まで精密に再現良く一定
膜厚にすることができる。従つて磁気デイスク、
光デイスクの性能向上に著しく促進する効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のコーテイング方法に用いられる
スピンコート装置を示す断面図、第２図は本発明
のコーテイング方法を説明するための図、第３図
は本発明のコーテイング方法による膜厚分布を示
す図、第４図は本発明のノズルの半径位置Ｒと回
転円板の回転数Ｗの関係を示す図である。 図において、４はフイルタ、５はノズル、８は
デイスク基板、９は膜厚を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 回転板８上に溶液を滴下して皮膜９を形成す
   るコーテイング方法であつて、 前記溶液を滴下するノズル５の位置を、前記回
   転板８の内周から外周にかけて移動させるととも
   に、該ノズル５の半径上の位置に対応させ、該回
   転板８の回転数制御を行い均一な膜厚を得ること
   を特徴とするコーテイング方法。 ２ 上記回転数制御は上記皮膜９の膜厚勾配を設
   定する値Ｎ、上記ノズル５の半径上の位置を回転
   板中心より距離Ｒ、該位置における回転板８の回
   転数Ｗとし、ＲとＷの初期値をそれぞれR₀、W₀
   としたとき、Ｗ＝W₀（Ｒ／R₀）とすることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載のコーテイング
   方法。