JPS58114763A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS58114763A JPS58114763A JP21022881A JP21022881A JPS58114763A JP S58114763 A JPS58114763 A JP S58114763A JP 21022881 A JP21022881 A JP 21022881A JP 21022881 A JP21022881 A JP 21022881A JP S58114763 A JPS58114763 A JP S58114763A
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- Japan
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- paint
- substrate
- film
- thin film
- viscosity
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- Granted
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜形成方法に関し１％にディスク状基板上に
均一な膜厚を有する薄膜を形成する方法に関する。
均一な膜厚を有する薄膜を形成する方法に関する。
従来１例えば磁気ディスクの製造等におけるディスク状
基板への薄膜の形成は、第１図に示す如き装置を用いて
第２図に示す如き工程によって行われ曵いた。すなわち
、塗布室（チャンバー）ｌ内に設けられたスピンドル２
に取付けられた基板３を回転させながら、塗料供給管令
から塗料を前記基板３上に供給して粗い塗布を行った俵
、前記基１［３を高速回転させ前記塗料を薄膜化させる
。
基板への薄膜の形成は、第１図に示す如き装置を用いて
第２図に示す如き工程によって行われ曵いた。すなわち
、塗布室（チャンバー）ｌ内に設けられたスピンドル２
に取付けられた基板３を回転させながら、塗料供給管令
から塗料を前記基板３上に供給して粗い塗布を行った俵
、前記基１［３を高速回転させ前記塗料を薄膜化させる
。
スピンアウト工程を行うものであった。
しかしながら、上述の方法では、基板上の任意の半径位
置における膜厚のコントロールは不可能であり、膜厚の
半径方向プロファイルを第４図の曲線ムに示す如く、内
周側で薄く、外周側で厚くなるような薄膜を常に形成す
るという欠点があった。塗料溶剤の、調合等によって、
上記欠点を除去することも検討されたが成功していない
。なお。
置における膜厚のコントロールは不可能であり、膜厚の
半径方向プロファイルを第４図の曲線ムに示す如く、内
周側で薄く、外周側で厚くなるような薄膜を常に形成す
るという欠点があった。塗料溶剤の、調合等によって、
上記欠点を除去することも検討されたが成功していない
。なお。
第４図の横軸は基板δ上の半径方向位置を示し。
第３図に対応するものである。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の薄膜形成方法の上述の如き欠点を
除去し、基板上の任意の半径位置において膜厚をコント
ロールして、必要な膜厚プロファイルを有する薄膜を形
成させることの可能な薄膜形成方法を提供することにあ
る。
するところは、従来の薄膜形成方法の上述の如き欠点を
除去し、基板上の任意の半径位置において膜厚をコント
ロールして、必要な膜厚プロファイルを有する薄膜を形
成させることの可能な薄膜形成方法を提供することにあ
る。
本発明の上記目的は、塗料によるスピンアウト工程を含
む薄膜形成方法において、前記塗料を塗布して塗膜を形
成した後、該塗膜に選択的にガス吹付けを行うか、また
は前記塗膜を形成した基板を回転させることにより生ず
る気流を利用するかにより、＃記塗膜を構成する塗料の
粘度を塗膜上の位置により任意に制御し、次いでスピン
アウト工程を実施するようにしたことを特徴とする薄膜
形成方法によって達成される。
む薄膜形成方法において、前記塗料を塗布して塗膜を形
成した後、該塗膜に選択的にガス吹付けを行うか、また
は前記塗膜を形成した基板を回転させることにより生ず
る気流を利用するかにより、＃記塗膜を構成する塗料の
粘度を塗膜上の位置により任意に制御し、次いでスピン
アウト工程を実施するようにしたことを特徴とする薄膜
形成方法によって達成される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第６図は本発明の薄膜形成方法を実施するための装置の
一例を示すもので、（４）はその平面図、（Ｂ）は同断
面図である。第５図（Ａ） 、 （Ｂ） においては、
第１図に示したと同じ構成！！累は同じ符号で示してあ
り、δは塗布室の蓋、６は窒素ガス吹出管を示している
。
一例を示すもので、（４）はその平面図、（Ｂ）は同断
面図である。第５図（Ａ） 、 （Ｂ） においては、
第１図に示したと同じ構成！！累は同じ符号で示してあ
り、δは塗布室の蓋、６は窒素ガス吹出管を示している
。
簿膜形成に当っては、第６図にその工程を示した如く、
スピンドル２に取付けられた基板３を低速で回転させな
がら、その表面に塗料供給管養がら塗料を滴下する。塗
料は基板３上に略一様に滴下し、その後、基板３を回転
させながら、基板上の膜厚を厚くしたい部分に窒素ガス
吹出管６から窒素ガスを吹付けて溶媒の蒸発を促進し、
その部分の塗料の粘度を上昇させる。このときの回転数
は塗布時の回転数と異なっても良い。その彼、スピンド
ルを高速回転させて余分な塗料をスピンアウトして薄膜
を形成する。このとき、前記窒素ガスを予め吹付けた部
分は粘度が高くなっているために１局部的に膜厚を厚（
することができる。
スピンドル２に取付けられた基板３を低速で回転させな
がら、その表面に塗料供給管養がら塗料を滴下する。塗
料は基板３上に略一様に滴下し、その後、基板３を回転
させながら、基板上の膜厚を厚くしたい部分に窒素ガス
吹出管６から窒素ガスを吹付けて溶媒の蒸発を促進し、
その部分の塗料の粘度を上昇させる。このときの回転数
は塗布時の回転数と異なっても良い。その彼、スピンド
ルを高速回転させて余分な塗料をスピンアウトして薄膜
を形成する。このとき、前記窒素ガスを予め吹付けた部
分は粘度が高くなっているために１局部的に膜厚を厚（
することができる。
第７図は本実施例装置により形成される薄膜の膜厚プロ
ファイルを任意に変更することが可能な状況を示してい
る。第７図において１曲線ムは先 （′に第４図に
示した曲線ムと同じもので、従来の薄膜形成方法により
形成された薄膜の膜厚プロファイルを示す。曲線Ｂは本
実施例装置によって形成可能となった均一な膜厚プロフ
ァイルを示し、曲嶽Ｃは従来とは逆に内周側で厚い薄膜
を形成した場合の膜厚プロファイルを示す。
ファイルを任意に変更することが可能な状況を示してい
る。第７図において１曲線ムは先 （′に第４図に
示した曲線ムと同じもので、従来の薄膜形成方法により
形成された薄膜の膜厚プロファイルを示す。曲線Ｂは本
実施例装置によって形成可能となった均一な膜厚プロフ
ァイルを示し、曲嶽Ｃは従来とは逆に内周側で厚い薄膜
を形成した場合の膜厚プロファイルを示す。
上記実施例においては、窒素ガスを吹付けるために１本
のノズル状の吹出管を用いたが、効率を上昇させるため
に吹出管を基板３と同心の円形状としても良い。また、
窒素ガスの吹出量、吹付は時間、吹出管と基板３との距
離等の可変要因のうち、いずれか１つを変えても良く、
これらを組合せて変えても良い。更に、吹付けるガスは
窒素ガスに限るものではなく、空気その他の不活性ガス
ないしは低活性ガスを用いることが可能である。
のノズル状の吹出管を用いたが、効率を上昇させるため
に吹出管を基板３と同心の円形状としても良い。また、
窒素ガスの吹出量、吹付は時間、吹出管と基板３との距
離等の可変要因のうち、いずれか１つを変えても良く、
これらを組合せて変えても良い。更に、吹付けるガスは
窒素ガスに限るものではなく、空気その他の不活性ガス
ないしは低活性ガスを用いることが可能である。
この際、注意すべきことは、ガスがごみ、はこり等を含
まないようにすることである。塗料中に使用される溶媒
が沸点の高いものである場合には。
まないようにすることである。塗料中に使用される溶媒
が沸点の高いものである場合には。
前記ガスを若干加熱して用いると有効である。
基板の両面に薄膜を形成する場合には、基板の両面にガ
ス吹出管を設けて、それぞれの面に最適のガス吹付けを
行うととＫより、両面に同じ条件で薄膜を形成すること
が可能となる。
ス吹出管を設けて、それぞれの面に最適のガス吹付けを
行うととＫより、両面に同じ条件で薄膜を形成すること
が可能となる。
第８図は本発明の薄膜形成方法を実施するための装置の
他の例を示す断面図であり、第５図に示したと同じ構成
要素は同じ符号で示しである。なお、５ Ａ ｔ ５
Ｂは塗布室の蓋５に設けた開孔である。本実施例におい
ては、前記実施例において示した加圧ガス吹付けの代り
に、基板の回転により生ずる気流を利用するものである
。この場合、気流は基板の回転数、塗布室の１５に設け
た開孔５Ａ、δＢの位置および開孔面積により調節する
ことが可能である。
他の例を示す断面図であり、第５図に示したと同じ構成
要素は同じ符号で示しである。なお、５ Ａ ｔ ５
Ｂは塗布室の蓋５に設けた開孔である。本実施例におい
ては、前記実施例において示した加圧ガス吹付けの代り
に、基板の回転により生ずる気流を利用するものである
。この場合、気流は基板の回転数、塗布室の１５に設け
た開孔５Ａ、δＢの位置および開孔面積により調節する
ことが可能である。
第９図にこの場合の工程を示したが、塗料滴下後、ガス
吹付けを行わず、塗布室５の蓋に開孔を設けた状態で、
ディスクを回転させながら放置した後、スピンアウト工
程を実施し、薄膜を形成するものである。
吹付けを行わず、塗布室５の蓋に開孔を設けた状態で、
ディスクを回転させながら放置した後、スピンアウト工
程を実施し、薄膜を形成するものである。
以上述べた如く、本発明によれば、基板上に塗膜を形成
した後、該塗膜に選択的にガス吹付けを行って塗膜を構
成する塗料の粘度を塗膜上の位置により異ならしめ、次
いでスピンアウト工程な奥施するよ５にしたので、基板
上の任意の半径位置における塗膜の厚さを任意に変化さ
せることが可能となるという顕著な効果を奏するもので
ある。
した後、該塗膜に選択的にガス吹付けを行って塗膜を構
成する塗料の粘度を塗膜上の位置により異ならしめ、次
いでスピンアウト工程な奥施するよ５にしたので、基板
上の任意の半径位置における塗膜の厚さを任意に変化さ
せることが可能となるという顕著な効果を奏するもので
ある。
臀に基板の両面に薄膜を形成させる場合にその効果が大
きい。
きい。
第１図は従来の薄膜形成装置の断面図、第２図はその工
程を示すタイムチャート、第３図はディスクの千両図、
第４図はその半径方向の膜厚プロファイルを示す図、第
５１囚は本発明の一実施例を示す薄膜形成装置の平面図
（Ｂ）はその断面図、第６図はその工程を示すタイムチ
ャート、第７図は不発明の効果を示す図、第８図は他の
実施例を示す装置の断面図、第９図はその工程を示すタ
イムチャートである。 １：塗布室、２ニスピンドル、３：基板、４＝塗料供給
管、５：塗布室の蓋、５Ａ、５Ｂ：開孔、６：窒素ガス
吹出管。 第１図 第２図 一一一時間 第３図 ！ 第４図 基板上の半径位買 第６図 第６図 ｍ一時間 １７ 図 ＩＬ ｌ） ｃ基板上の半径位
置 （
程を示すタイムチャート、第３図はディスクの千両図、
第４図はその半径方向の膜厚プロファイルを示す図、第
５１囚は本発明の一実施例を示す薄膜形成装置の平面図
（Ｂ）はその断面図、第６図はその工程を示すタイムチ
ャート、第７図は不発明の効果を示す図、第８図は他の
実施例を示す装置の断面図、第９図はその工程を示すタ
イムチャートである。 １：塗布室、２ニスピンドル、３：基板、４＝塗料供給
管、５：塗布室の蓋、５Ａ、５Ｂ：開孔、６：窒素ガス
吹出管。 第１図 第２図 一一一時間 第３図 ！ 第４図 基板上の半径位買 第６図 第６図 ｍ一時間 １７ 図 ＩＬ ｌ） ｃ基板上の半径位
置 （
Claims (1)
- （１）塗料によるスピンアウト工程を含む薄膜形成方法
におい文、基板ＫｌＩＩ記塗料を塗布して塗膜を形成し
た後、該塗膜に選択的にガス吹付けを行って、塗膜を構
成する塗料の粘度を塗膜上の位置により任意に制御し１
次いでスピンアウト工程を実施するようＫしたことを特
徴とする薄膜形成方法。 ？）塗料によるスピンアウト工程を含む薄膜形成方法に
おいて、基板に前記塗料を塗布して塗膜を形成した後、
咳塗膜を形成した基板を回転させ。 回転により生ずる気流によって前記塗膜を構成する塗料
の粘度を塗膜上の位置により任意に制御し。 次いでスピンアウト工程を実施するようにしたことを特
徴とする薄膜形式方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21022881A JPS58114763A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21022881A JPS58114763A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114763A true JPS58114763A (ja) | 1983-07-08 |
| JPS613545B2 JPS613545B2 (ja) | 1986-02-03 |
Family
ID=16585900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21022881A Granted JPS58114763A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114763A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193339A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Fujitsu Ltd | レジスト膜塗布方法 |
| JPS61161174A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-21 | Nordson Kk | 回転中の被塗体に対する液体スプレイ塗布方法 |
| JPS62114683A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-26 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 塗布方法および装置 |
| US5393584A (en) * | 1992-02-21 | 1995-02-28 | Tdk Corporation | Magnetic disc |
| KR100324645B1 (ko) * | 1999-01-15 | 2002-02-27 | 박호군 | 용액의 점도 변화를 이용한 박막의 두께 조절 방법 |
| KR20170057136A (ko) * | 2015-11-16 | 2017-05-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포막 형성 방법, 도포막 형성 장치 및 기억 매체 |
| JP2017092392A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6238558A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-19 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁気シ−トジヤケツト装着装置 |
| JPS62107458A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子スチルカメラの記録装置 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP21022881A patent/JPS58114763A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193339A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Fujitsu Ltd | レジスト膜塗布方法 |
| JPS61161174A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-21 | Nordson Kk | 回転中の被塗体に対する液体スプレイ塗布方法 |
| JPH0342942B2 (ja) * | 1984-12-29 | 1991-06-28 | ||
| JPS62114683A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-26 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 塗布方法および装置 |
| US5393584A (en) * | 1992-02-21 | 1995-02-28 | Tdk Corporation | Magnetic disc |
| KR100324645B1 (ko) * | 1999-01-15 | 2002-02-27 | 박호군 | 용액의 점도 변화를 이용한 박막의 두께 조절 방법 |
| KR20170057136A (ko) * | 2015-11-16 | 2017-05-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포막 형성 방법, 도포막 형성 장치 및 기억 매체 |
| JP2017092392A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
| CN107051831A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-08-18 | 东京毅力科创株式会社 | 涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置 |
| US10672606B2 (en) | 2015-11-16 | 2020-06-02 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method, coating film forming apparatus, and storage medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS613545B2 (ja) | 1986-02-03 |
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