JPS62223724A - 導電性基材 - Google Patents
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は導電性基材に関するもので、詳しくは、液晶デ
ィスプレーの反射型表示板において。
ィスプレーの反射型表示板において。
表示面の反対側に反射板として設けられる導電性基材に
関するものである。
関するものである。
(従来技術とその欠点)
液晶ディスプレーの表示部は通常、液晶を透明導電性基
材でサンドウィッチした構造となっているが、ここで用
いられる導電性基材は例えば、ガラス又は合成樹脂製基
板の一面に導電層及び配向層を有し、他面には偏光層を
有するものが利用される。導電層は通常、前記基板にイ
ンジウム・スズの酸化物、パラジウム、白金、金などの
金属をスパッタリング又は真空蒸着させることにより形
成させ、tfc、配向層は例えば、ポリイミド系樹脂の
液状物を塗布することにより形成されるが、偏光層につ
いては例えば。
材でサンドウィッチした構造となっているが、ここで用
いられる導電性基材は例えば、ガラス又は合成樹脂製基
板の一面に導電層及び配向層を有し、他面には偏光層を
有するものが利用される。導電層は通常、前記基板にイ
ンジウム・スズの酸化物、パラジウム、白金、金などの
金属をスパッタリング又は真空蒸着させることにより形
成させ、tfc、配向層は例えば、ポリイミド系樹脂の
液状物を塗布することにより形成されるが、偏光層につ
いては例えば。
ヨード配合し虎ポリビニルアルコール又は二色性色素を
配合したポリエステルフィルムなどの偏光フィルムを積
層することにより形成されてい虎。更に、液晶表示が反
射型である場合には。
配合したポリエステルフィルムなどの偏光フィルムを積
層することにより形成されてい虎。更に、液晶表示が反
射型である場合には。
表示面と反対側の導電性基材は反射板としての機能も必
要であるため、偏光層の外側にアルミニウム箔を積層し
て反射層を設けていた。
要であるため、偏光層の外側にアルミニウム箔を積層し
て反射層を設けていた。
一方、前記基板としてはガラス久のものを用いた場合に
は1曲げ強度及び衝撃強度が弱く。
は1曲げ強度及び衝撃強度が弱く。
また、わん曲している表示部を製造することが難しいの
で、近時、ポリエステルなどの合成樹脂製のものに代替
されつつある。この合成樹脂製基板の場合には、上述の
欠点は解消され、しかも1表示部を軽量化することがで
きるので望ましい。
で、近時、ポリエステルなどの合成樹脂製のものに代替
されつつある。この合成樹脂製基板の場合には、上述の
欠点は解消され、しかも1表示部を軽量化することがで
きるので望ましい。
しかしながら1合成樹脂層基板を用い念場合には、上述
した偏光フィルム及びアルミニウム箔をムラなく均一に
積層することは極めて難しく、この処理には非常に大き
な注意力を要する。
した偏光フィルム及びアルミニウム箔をムラなく均一に
積層することは極めて難しく、この処理には非常に大き
な注意力を要する。
まな、8を石のためには接着剤を必要とするが。
接着剤の選定及び塗布方法が不適当な場合には。
剥離原因にもなシかねない。更に、アルミニウム箔を積
層した場合には、どうしても1合成樹脂製基板の有する
可撓性が低下すると言う欠点がある。
層した場合には、どうしても1合成樹脂製基板の有する
可撓性が低下すると言う欠点がある。
(発明の目的と解決手段)
本発明の目的は偏光フィルム及びアルミニウム箔を積層
処理する必要がなく、均一で高品質の表示板となし得る
導電性基材を安定して生産することのできる方法を提供
するものであ勺。
処理する必要がなく、均一で高品質の表示板となし得る
導電性基材を安定して生産することのできる方法を提供
するものであ勺。
この目的は偏光機能を有する合成樹脂製基板の片面にア
ルミニウムよりなる反射層を、また。
ルミニウムよりなる反射層を、また。
他面にインジウムあるいはスズの酸化物又はパラジウム
、白金あるいは金から選ばれた金属の少なくとも一種よ
りなる導電層を各々、スパッタリング法又は真空蒸着法
により形成嘔せ念導電性基材を用いることにより達成さ
れる。
、白金あるいは金から選ばれた金属の少なくとも一種よ
りなる導電層を各々、スパッタリング法又は真空蒸着法
により形成嘔せ念導電性基材を用いることにより達成さ
れる。
(発明の構成)
以下1本発明を図面により詳細に説明するに。
第1図は本発明の導電性基材の一例を示す断面図であり
、第2図は従来の反射型液晶ディスプレー用の表示板の
断面図であ夛、(1)は基板、(2)は導電R%(3)
は配向石、(4)は反射層、(5)は偏光フィルムを示
す。
、第2図は従来の反射型液晶ディスプレー用の表示板の
断面図であ夛、(1)は基板、(2)は導電R%(3)
は配向石、(4)は反射層、(5)は偏光フィルムを示
す。
本発明においては、基板(1)は透明々合成樹脂によ多
構成され、しかも偏光機能を有することを必須とするが
1合成樹脂としては、例えば。
構成され、しかも偏光機能を有することを必須とするが
1合成樹脂としては、例えば。
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2、g−
ナフタレンジカルボキシレート、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、セルローストリアセテート、セルロースダ
イアセテート、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ
アミドなどが挙げられ1通常、ポリエチレンテレフタレ
ートが好ましい、基板(1)の厚さは必要以上に厚いと
製品重量が大きくな〕、あまシ薄いと基板としての強度
的役割を果すことができないので1通常、jθ〜−jO
p、好ましくは/θo、コ00μの範囲のものが望まし
い。合成樹脂製の基板(1)に偏光機能を付与する方法
としては1例えば。
ナフタレンジカルボキシレート、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、セルローストリアセテート、セルロースダ
イアセテート、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ
アミドなどが挙げられ1通常、ポリエチレンテレフタレ
ートが好ましい、基板(1)の厚さは必要以上に厚いと
製品重量が大きくな〕、あまシ薄いと基板としての強度
的役割を果すことができないので1通常、jθ〜−jO
p、好ましくは/θo、コ00μの範囲のものが望まし
い。合成樹脂製の基板(1)に偏光機能を付与する方法
としては1例えば。
基板(1)の製造時に、二色性色素やヨードなどの偏光
色素成分を配合する方法、又は、製造後の基板表面に二
色性色素をスパッタリング法又は真空蒸着法により付着
させる方法などが挙げられるが1本発明の場合には前者
の方が望ましい。
色素成分を配合する方法、又は、製造後の基板表面に二
色性色素をスパッタリング法又は真空蒸着法により付着
させる方法などが挙げられるが1本発明の場合には前者
の方が望ましい。
1+、ここで用いられる色素としては、通常の偏光フィ
ルムを卿造する際に使用されているものであれば、特に
限定されるものではないが。
ルムを卿造する際に使用されているものであれば、特に
限定されるものではないが。
例えば1次のような色素が好適である。
■アントラキノン系
■アゾ系
■スチルベン系
■メチン系
■シアニン系
本発明では上述のよう表基板(1)の片面に導電層(2
)が設けられるが、この導電層(2)は特定の金属又は
金属酸化物をスパッタリング法又は真空蒸着法により形
成する。この金属成分としては。
)が設けられるが、この導電層(2)は特定の金属又は
金属酸化物をスパッタリング法又は真空蒸着法により形
成する。この金属成分としては。
インジウムあるいはスズの酸化物、ノ(ラジウム、白金
あるいは金の金属の少なくとも一種を主体とするものが
挙げられ、特に、インジウム又はスズの酸化物を主体と
するものが好ましい。
あるいは金の金属の少なくとも一種を主体とするものが
挙げられ、特に、インジウム又はスズの酸化物を主体と
するものが好ましい。
導電層(2)の形成は通常、基板の抵抗値が70〜10
5rV口であり、マ九、基板を含めての可視光透過率(
−tjonm)が30%以上、好ましくは4tO%以上
となるように調節するのが好ましい。
5rV口であり、マ九、基板を含めての可視光透過率(
−tjonm)が30%以上、好ましくは4tO%以上
となるように調節するのが好ましい。
この場合、導電層(2)の厚さは通常、700〜3θθ
0X程度である。なお、導電層(2)の形成はスパッタ
リング法による方が、よシ高品質の導電性基材を得るこ
とができるので好ましい。ま虎、導電層(2)の形成に
先だって、必要に応じて。
0X程度である。なお、導電層(2)の形成はスパッタ
リング法による方が、よシ高品質の導電性基材を得るこ
とができるので好ましい。ま虎、導電層(2)の形成に
先だって、必要に応じて。
基板(1)の表面に例えば、シリコン系樹脂、エポキシ
樹脂などの熱硬化性樹脂を下塗シしても差し支えない。
樹脂などの熱硬化性樹脂を下塗シしても差し支えない。
本発明の導電性基材を用いて液晶ディスプレーの反射型
表示部を形成する場合には、導電層(2)が内側の液晶
側となるので1通常、導電層(2)の上面には配向層(
3)が設けられる。配向層(3)の成分及び形成方法は
特に限定されるものではなく公知法の範囲のものでよい
が1例えば、ポリイミド系樹脂、有機シラン系化合物又
はポリビニルアルコールなどを常法に従ってコーティン
グする方法が挙げられる。
表示部を形成する場合には、導電層(2)が内側の液晶
側となるので1通常、導電層(2)の上面には配向層(
3)が設けられる。配向層(3)の成分及び形成方法は
特に限定されるものではなく公知法の範囲のものでよい
が1例えば、ポリイミド系樹脂、有機シラン系化合物又
はポリビニルアルコールなどを常法に従ってコーティン
グする方法が挙げられる。
一方、導電層(2)の反対面の基板(1)にはアルミニ
ウムよりなる反射層(4)が設けられるが1本発明では
この反射層(4)もスパッリング法又は真空蒸着法で形
成されていることを必須の要件とする。反射N(4)の
厚さは、あま)薄いと反射板としての機能を果さず、ま
九、あまシ厚ぐても効果に変シはないので1通常、ro
oX〜/μ。
ウムよりなる反射層(4)が設けられるが1本発明では
この反射層(4)もスパッリング法又は真空蒸着法で形
成されていることを必須の要件とする。反射N(4)の
厚さは、あま)薄いと反射板としての機能を果さず、ま
九、あまシ厚ぐても効果に変シはないので1通常、ro
oX〜/μ。
好ましくは100θ〜roooXである。
スパッタリング法とは減圧槽中に窒素、アルゴン等の不
活性ガスを封入し、該不活性ガスをイオン化してターゲ
ットに照射し、ターゲットを原子または分子状態で飛散
させ、該蒸発しなケ゛ ターゲット物質を基板表面に沈着させる方法であシ、グ
ロー放電スパッタリング法、マグネトロンスパッタリン
グ法、イオンビームスパッタリング法等の方式がある。
活性ガスを封入し、該不活性ガスをイオン化してターゲ
ットに照射し、ターゲットを原子または分子状態で飛散
させ、該蒸発しなケ゛ ターゲット物質を基板表面に沈着させる方法であシ、グ
ロー放電スパッタリング法、マグネトロンスパッタリン
グ法、イオンビームスパッタリング法等の方式がある。
まfc、真空蒸着法とは高真空中で蒸着材料を加熱蒸発
させ、この蒸発粒子を基板上に沈着させる方法であり、
加熱方式によって、抵抗加熱法、アーク蒸発法、レーザ
ー加熱法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法等がある。
させ、この蒸発粒子を基板上に沈着させる方法であり、
加熱方式によって、抵抗加熱法、アーク蒸発法、レーザ
ー加熱法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法等がある。
本発明における金属成分のスパッタリング又は真空蒸着
は常法に従って、例えば、直流マグネトロン式スパッタ
リング装置又はイオンビーム蒸着装置を用いて、必要に
応じて、少量の酸素を含有する不活性ガス中において、
!θ〜/jO℃、好ましくは70〜100℃の温度で/
0−’ 〜/ 0−2torr 、好ましくは/ 0
−3torr台の減圧下で実施することができる。
は常法に従って、例えば、直流マグネトロン式スパッタ
リング装置又はイオンビーム蒸着装置を用いて、必要に
応じて、少量の酸素を含有する不活性ガス中において、
!θ〜/jO℃、好ましくは70〜100℃の温度で/
0−’ 〜/ 0−2torr 、好ましくは/ 0
−3torr台の減圧下で実施することができる。
本発明では偏光機能を有する合成樹脂製の基板(1)の
両面に直接、スパッタリング法又は真空蒸着法によ〕導
電層(2)及び反射層(4)が設けられているので、基
材の軽量化、可撓性化が計れる上、製造工程も簡略劣化
することができる。これに対し、第一図に示すような従
来品の場合には、ガラス基板(1)の片面に偏光フィル
ム(5)が積層され、更に、その上にアルミニウム箔(
4′lが積層さn、一方、他面に導電層(2)が設けら
れているので1本発明で期待する効果は得ることができ
ない。
両面に直接、スパッタリング法又は真空蒸着法によ〕導
電層(2)及び反射層(4)が設けられているので、基
材の軽量化、可撓性化が計れる上、製造工程も簡略劣化
することができる。これに対し、第一図に示すような従
来品の場合には、ガラス基板(1)の片面に偏光フィル
ム(5)が積層され、更に、その上にアルミニウム箔(
4′lが積層さn、一方、他面に導電層(2)が設けら
れているので1本発明で期待する効果は得ることができ
ない。
(発明の効果)
本発明によれば、基板が合成樹脂であシ1反射層がスパ
ッタリング法又は蒸着法で形成されているので、軽量で
、しかも、可撓性を有し。
ッタリング法又は蒸着法で形成されているので、軽量で
、しかも、可撓性を有し。
曲げ強度及び衝撃強度に優れているばかシか。
表面がわん曲している表示部の制作も容易である。ま九
、従来品のように、偏光フィルム及びアルミニウム箔を
積層する必要がないので、その装造工程で積層操作が全
く不要であう、製造面からも望ましい。
、従来品のように、偏光フィルム及びアルミニウム箔を
積層する必要がないので、その装造工程で積層操作が全
く不要であう、製造面からも望ましい。
(実施例)
次に本発明を実施例により更に詳細に説明するが1本発
明はその要旨を超えない限夛以下の実施例に限定される
ものではない。
明はその要旨を超えない限夛以下の実施例に限定される
ものではない。
実施例/
下記構造式
で小名nる赤色系色素を配合して成形された厚さ/7j
μのポリエチレンテレフタレートよりなる基板(1)の
片面に直流マグネトロン式スパッタリング装置を用いて
、下記の条件にてアルミニウムをターゲットとしてスパ
ッタリングを行ない、厚さ200θ^のアルミニウムよ
りなる反射層(4)を形成させた。
μのポリエチレンテレフタレートよりなる基板(1)の
片面に直流マグネトロン式スパッタリング装置を用いて
、下記の条件にてアルミニウムをターゲットとしてスパ
ッタリングを行ない、厚さ200θ^のアルミニウムよ
りなる反射層(4)を形成させた。
〈スパッタリング条件〉
雰囲気ガス : アルゴンガス
温 度 : 70℃
圧 力 : J X /f tor
r次いで、反射層(4)を有する基板(1)の反対面に
同様のスパッタリング装置を用いて下記条件にて酸化イ
ンジウム−酸化スズ(り!:りをターゲットとしてスパ
ッタリングを行ない、導電層(2)を形成嘔せ念。
r次いで、反射層(4)を有する基板(1)の反対面に
同様のスパッタリング装置を用いて下記条件にて酸化イ
ンジウム−酸化スズ(り!:りをターゲットとしてスパ
ッタリングを行ない、導電層(2)を形成嘔せ念。
くスパッタリング条件〉
雰囲気ガス:酸素/ vol %含有のアルゴンガス温
度 : 70℃ 圧 カ : j X / 0= torr
このようにして得た導電性基材の抵抗値は50007口
と良好なものであり、しかも1個光性も良好なものであ
った。また1反射層も可視光透過率θ%(すなわち、反
射率100%)であシ優れ念ものであった。更に、この
基材は軽量で可撓性も高い上、全体的な肉厚も薄く1反
射型液晶ディスプレー表示の反射板として適したもので
ある。
度 : 70℃ 圧 カ : j X / 0= torr
このようにして得た導電性基材の抵抗値は50007口
と良好なものであり、しかも1個光性も良好なものであ
った。また1反射層も可視光透過率θ%(すなわち、反
射率100%)であシ優れ念ものであった。更に、この
基材は軽量で可撓性も高い上、全体的な肉厚も薄く1反
射型液晶ディスプレー表示の反射板として適したもので
ある。
第1図は本発明の導電性基材の一例を示す断面図であり
、第2図は従来の反射型液晶ディスプレー用の表示板の
断面図であシ、(1)は基板、(2)は導電層、(3)
は配向層、(4)は反射/’!、(5)は偏光フィルム
を示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − (ほか7名)
、第2図は従来の反射型液晶ディスプレー用の表示板の
断面図であシ、(1)は基板、(2)は導電層、(3)
は配向層、(4)は反射/’!、(5)は偏光フィルム
を示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − (ほか7名)
Claims (5)
- (1)偏光機能を有する透明な合成樹脂製基板の一面に
、アルミニウム金属よりなる反射層を、他面にインジウ
ムもしくはスズの酸化物又はパラジウム、白金もしくは
金から選ばれた金属の少なくとも一種を主成分とする導
電層を各々、スパッタリング法又は真空蒸着法により形
成させてなる導電性基材。 - (2)導電層の上面にポリイミド系樹脂よりなる配向層
を設けてなる特許請求の範囲第(1)項記載の導電性基
材。 - (3)合成樹脂製基板がポリエチレンテレフタレート製
である特許請求の範囲第(1)項記載の導電性基材。 - (4)合成樹脂製基板の厚さが50〜250μである特
許請求の範囲第(1)項記載の導電性基材。 - (5)反射層の厚さが800Å〜1μである特許請求の
範囲第(1)項記載の導電性基材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61067519A JPS62223724A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 導電性基材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61067519A JPS62223724A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 導電性基材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62223724A true JPS62223724A (ja) | 1987-10-01 |
Family
ID=13347305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61067519A Pending JPS62223724A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 導電性基材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62223724A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6166791A (en) * | 1995-12-18 | 2000-12-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflection-type liquid crystal displaying device having anistropic scattering film |
-
1986
- 1986-03-26 JP JP61067519A patent/JPS62223724A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6166791A (en) * | 1995-12-18 | 2000-12-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflection-type liquid crystal displaying device having anistropic scattering film |
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