JPS62223002A - 水素ガスの吸収方法 - Google Patents
水素ガスの吸収方法Info
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- JPS62223002A JPS62223002A JP61060789A JP6078986A JPS62223002A JP S62223002 A JPS62223002 A JP S62223002A JP 61060789 A JP61060789 A JP 61060789A JP 6078986 A JP6078986 A JP 6078986A JP S62223002 A JPS62223002 A JP S62223002A
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C11/00—Use of gas-solvents or gas-sorbents in vessels
- F17C11/005—Use of gas-solvents or gas-sorbents in vessels for hydrogen
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/32—Hydrogen storage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
- Gas Separation By Absorption (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は水素吸蔵合金による水素ガスの吸収方法に関し
、特に化学プラントのパージガスや製鉄所副生ガス中の
水素を吸収する際に有利に適用される同方法に関する。
、特に化学プラントのパージガスや製鉄所副生ガス中の
水素を吸収する際に有利に適用される同方法に関する。
従来水素吸、t2合金はその粉末を容器に充填し、この
容器内に水素を含むガスを圧入して、水素を金属水素化
物の形で捕集し、水素を放出する際は容器を加熱して金
属水素化物を分解するといった使用形態で利用されてい
る。また本発明者等は粉末充填方式の欠点を解消するた
め水素吸蔵合金を溶媒に懸濁させたスラリー状という新
しい形態を同日付で提案した。
容器内に水素を含むガスを圧入して、水素を金属水素化
物の形で捕集し、水素を放出する際は容器を加熱して金
属水素化物を分解するといった使用形態で利用されてい
る。また本発明者等は粉末充填方式の欠点を解消するた
め水素吸蔵合金を溶媒に懸濁させたスラリー状という新
しい形態を同日付で提案した。
〔発明が解決しようとする問題点コ
このような粉末充填方式は次の欠点があった。
(1)水素吸蔵合金は、水素で還元された清浄な金属で
あるため、水素と共存する不純物ガス、例えばco、c
o鵞p Nu!+ Nt+ HlOr H!’
) rOf と反応し、金属カルボニル、炭酸塩、窒化
物、水酸化物、硫化物、酸化物を生成して急速に劣化す
る。
あるため、水素と共存する不純物ガス、例えばco、c
o鵞p Nu!+ Nt+ HlOr H!’
) rOf と反応し、金属カルボニル、炭酸塩、窒化
物、水酸化物、硫化物、酸化物を生成して急速に劣化す
る。
(2)固定床であり水素の吸収の後、必ず水素を放出さ
せて合金を再生する必要があって、供給ガスの連続処理
が難しい。
せて合金を再生する必要があって、供給ガスの連続処理
が難しい。
(3)合金が水素を吸収し、金属水素化物に変化すると
その熱伝導度が極端に低下するため、加熱して水素を放
出させる時の熱の伝導が悪い。すなわち水素放出時間が
長い。
その熱伝導度が極端に低下するため、加熱して水素を放
出させる時の熱の伝導が悪い。すなわち水素放出時間が
長い。
(4)合金が水素を吸収し、金属水素化物に変化する時
膨張するため、容器の変形、破損の恐れがある。
膨張するため、容器の変形、破損の恐れがある。
(5)水素を放出する際充填した微粉末が同伴するため
、容器のガス出入口にフィルターが設置されるが、この
フィルターの目詰りによるトラブルが発生する。
、容器のガス出入口にフィルターが設置されるが、この
フィルターの目詰りによるトラブルが発生する。
(6) また同日提案の方法、すなわちスラリー状にお
いても一酸化炭素や硫化水素、硫黄酸物などの硫黄化合
物に対してけ被毒耐久性が改善されないことが判った。
いても一酸化炭素や硫化水素、硫黄酸物などの硫黄化合
物に対してけ被毒耐久性が改善されないことが判った。
本発明は炭素と水素のみで構成された飽和炭化水素、芳
香族炭化水素および脂環式飽和炭化水素から成る群から
選ばれた溶媒に水素吸蔵合金を懸濁したスラリーと水素
を含むガスとを接触させ水素ガスを吸収する方法におい
て、該ガス中の一酸化炭素および又はイオウ化合物を、
スラリーと接触させる前段で除去することを特徴とする
水素ガスの吸収方法である。
香族炭化水素および脂環式飽和炭化水素から成る群から
選ばれた溶媒に水素吸蔵合金を懸濁したスラリーと水素
を含むガスとを接触させ水素ガスを吸収する方法におい
て、該ガス中の一酸化炭素および又はイオウ化合物を、
スラリーと接触させる前段で除去することを特徴とする
水素ガスの吸収方法である。
本発明は水素吸蔵合金粉末を溶媒中に懸濁させてスラリ
ーとして使用するものである。溶媒は合金と反応するも
のは不可で、有機溶媒が使用できるが、有機溶媒の中で
炭素と水素で構成された飽和炭化水素、芳香族炭化水素
、および脂環式飽和炭化水素に限定される。
ーとして使用するものである。溶媒は合金と反応するも
のは不可で、有機溶媒が使用できるが、有機溶媒の中で
炭素と水素で構成された飽和炭化水素、芳香族炭化水素
、および脂環式飽和炭化水素に限定される。
本発明で使用される飽和炭化水素、芳香族炭化水素およ
び脂環式飽和炭化水素としては、水素を加熱放出したり
水素吸蔵時の発熱を利用するために少くとも約100C
以上の沸点をもち常温で液体のものが用いられる。以下
それらの例をあする。
び脂環式飽和炭化水素としては、水素を加熱放出したり
水素吸蔵時の発熱を利用するために少くとも約100C
以上の沸点をもち常温で液体のものが用いられる。以下
それらの例をあする。
0飽和炭化水素
例:n−へブタン、2−メチルヘキサン、3−メチルヘ
キサン、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタ
ン、2.3−ジメチルペンタン、2.4−ジメチルペン
タン、43−ジメチルペンタン、2.2.5− )リメ
チルブタン、n−オクタン、2−メチルへブタン、3−
メチルへブタン、4−メチルへブタン、3−エチルヘキ
サン、2.2−ジメチルへキサン、2.3−ジメチルヘ
キサン、2.4−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチル
へキサン、へ3−ジメチルヘキサン、瓜4−ジメチルヘ
キサン、2−メチル−3エチルペンタン、3−メチル−
3エチルペンタン、2.2.3−トリメチルペンタン、
2.24−トリ)チルペンタン、2,3.3−トリメチ
ルペンタン、2.44−トリメチルペンタン、2.2.
へ3−テトラメチルブタン、n−ノナン、n−デカン、
n−ウンデカン、n−ドデカン、n−)リゾカンなど 0芳香族炭化水素 列;メチルベンゼン、エチルベンゼン、1,2−ジメチ
ルベンゼン、1.3−ジメチルベンゼン、1,4−ジメ
チルベンゼン、n−プロピルベンゼン、1−プロピルベ
ンゼン、1−メチル−2−エチルベンゼン、1−メチル
−3−エチルベンゼン、1−メチル−4−エチルベンゼ
ン、1,2.3−トリメチルベンゼン、1,2.4−ト
リメデルベンゼン、1,2.5−トリメチルベンゼン、
n−7”チルベンゼン、n−ペンチルベンゼン、n−ヘ
キシルベンゼン、n−ヘプチルベンゼン、n−オクチル
ベンゼン、n−ノニルベンゼン、n−デシルベンゼンな
ど OJl環式飽和炭化水素 例:エチルシクロペンタン、n−プロピルシクロペンタ
ン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシ
クロヘキサン、p−プ日ビルシクロヘキサンなど 更K Co +HHasT 80Xに対する被毒耐久性
が改善され危いことから、これらの不純物を含む水素ガ
スとスラリーとを接触させる前段で、水素ガスからGo
、 Has 、 BOXを除去するようにした。
キサン、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタ
ン、2.3−ジメチルペンタン、2.4−ジメチルペン
タン、43−ジメチルペンタン、2.2.5− )リメ
チルブタン、n−オクタン、2−メチルへブタン、3−
メチルへブタン、4−メチルへブタン、3−エチルヘキ
サン、2.2−ジメチルへキサン、2.3−ジメチルヘ
キサン、2.4−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチル
へキサン、へ3−ジメチルヘキサン、瓜4−ジメチルヘ
キサン、2−メチル−3エチルペンタン、3−メチル−
3エチルペンタン、2.2.3−トリメチルペンタン、
2.24−トリ)チルペンタン、2,3.3−トリメチ
ルペンタン、2.44−トリメチルペンタン、2.2.
へ3−テトラメチルブタン、n−ノナン、n−デカン、
n−ウンデカン、n−ドデカン、n−)リゾカンなど 0芳香族炭化水素 列;メチルベンゼン、エチルベンゼン、1,2−ジメチ
ルベンゼン、1.3−ジメチルベンゼン、1,4−ジメ
チルベンゼン、n−プロピルベンゼン、1−プロピルベ
ンゼン、1−メチル−2−エチルベンゼン、1−メチル
−3−エチルベンゼン、1−メチル−4−エチルベンゼ
ン、1,2.3−トリメチルベンゼン、1,2.4−ト
リメデルベンゼン、1,2.5−トリメチルベンゼン、
n−7”チルベンゼン、n−ペンチルベンゼン、n−ヘ
キシルベンゼン、n−ヘプチルベンゼン、n−オクチル
ベンゼン、n−ノニルベンゼン、n−デシルベンゼンな
ど OJl環式飽和炭化水素 例:エチルシクロペンタン、n−プロピルシクロペンタ
ン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシ
クロヘキサン、p−プ日ビルシクロヘキサンなど 更K Co +HHasT 80Xに対する被毒耐久性
が改善され危いことから、これらの不純物を含む水素ガ
スとスラリーとを接触させる前段で、水素ガスからGo
、 Has 、 BOXを除去するようにした。
(1)合金の表面を溶媒が覆うためまた被毒性の強いC
o 、 Has 、 Box を前段で除去するため不
純物ガスによる合金の被毒が軽減される。
o 、 Has 、 Box を前段で除去するため不
純物ガスによる合金の被毒が軽減される。
(2) ポンプ輸送が可能で吸収工程と再生工程を分
離でき、連続吸収、再生が可能となる。
離でき、連続吸収、再生が可能となる。
(3)溶媒が熱媒体となり熱伝導が向上する。
(41合金の膨張による支障や飛散による支障がない。
以下、本発明の実施例をあげて更に詳述する。
実1験例l
LaNi53五1fを容器に採増し、7N(セブンナイ
ン: 99.99999%)の水素を圧入して16 a
tmとし、室温にて水素を吸蔵させた。
ン: 99.99999%)の水素を圧入して16 a
tmとし、室温にて水素を吸蔵させた。
しかる後ガス出口バルブを開放し、更に容器を80℃に
加熱して、水素ガス分放出させた。この操作を数回繰返
しLaNi5の活性化処理を終えた。
加熱して、水素ガス分放出させた。この操作を数回繰返
しLaNi5の活性化処理を終えた。
次に容器のガス出口をアスピレータに接続し、容2(の
ガス入口からノルマルヘプタン298tを容器内に吸引
してLaNi5の’ Oを都%スラリーを調製した。攪
拌機を始動させ水素圧16atm1室温にてLaN1g
/ノルマルヘプタンスラリーに水素を吸蔵させた。第
1図に示すとおシLaNi1合金とほぼ同様の水素吸蔵
性能を示した。
ガス入口からノルマルヘプタン298tを容器内に吸引
してLaNi5の’ Oを都%スラリーを調製した。攪
拌機を始動させ水素圧16atm1室温にてLaN1g
/ノルマルヘプタンスラリーに水素を吸蔵させた。第
1図に示すとおシLaNi1合金とほぼ同様の水素吸蔵
性能を示した。
実験例2
実験例1と同様にして、溶媒をプロピルベンゼンに代え
て水素を吸蔵させた。結果を第1図に示す。合金とほぼ
同様の水素吸蔵性能を示すことが判った。
て水素を吸蔵させた。結果を第1図に示す。合金とほぼ
同様の水素吸蔵性能を示すことが判った。
実験例3
実験例1と同様にして溶媒をn−プロピルシクロヘキサ
ンに代えて水素を吸蔵させた。結果を第1図に示す。合
金とはy同様の水素吸蔵性能を示すことが判った。
ンに代えて水素を吸蔵させた。結果を第1図に示す。合
金とはy同様の水素吸蔵性能を示すことが判った。
比較(A1
溶媒をテトラデセン(OHs(CHz)ttcH−CH
g )とし、実!@例1と同様にスラリーによる水素の
吸蔵を試験したところ、第2図に示すように合金のみの
水素吸蔵量の約7倍の水素を吸蔵した。
g )とし、実!@例1と同様にスラリーによる水素の
吸蔵を試験したところ、第2図に示すように合金のみの
水素吸蔵量の約7倍の水素を吸蔵した。
テスト後溶媒はテトラデカン(ORB(OHx)u・c
Hs)に変化していた。オレフィン系の炭化水素はLa
Ni5の触媒作用で水素付加反応が進行し、飽和炭化水
素へ変化することが明らかである。
Hs)に変化していた。オレフィン系の炭化水素はLa
Ni5の触媒作用で水素付加反応が進行し、飽和炭化水
素へ変化することが明らかである。
比較PAJ2
溶媒をヨウ化メチレンとした時の結果を第2図に示した
。水素を吸蔵する時間が長く、吸蔵量も合金のみの場合
の8割までしか到達しなかった。合金自身が溶媒で被毒
されることが明らかである。
。水素を吸蔵する時間が長く、吸蔵量も合金のみの場合
の8割までしか到達しなかった。合金自身が溶媒で被毒
されることが明らかである。
実験例4
実験例1と同様にしてLa1ii5 /ノルマルヘプタ
ン10重量係スラリを調製し、第1表に示す不純物濃度
の水素ガスを用いて実験例1と同様に水素吸蔵性能を試
験した。
ン10重量係スラリを調製し、第1表に示す不純物濃度
の水素ガスを用いて実験例1と同様に水素吸蔵性能を試
験した。
7Nの水素での吸蔵量の8m%に到達する時間(Tso
)を各々7N水素の場合の時間を1としてその比率で第
2表に示す。
)を各々7N水素の場合の時間を1としてその比率で第
2表に示す。
比較例3
LaNi5を実験例1と同様に活性化処理し、第1表の
不純物を含む水素ガスを用いて水素吸蔵性能を試験した
。結果を第2表に示す。
不純物を含む水素ガスを用いて水素吸蔵性能を試験した
。結果を第2表に示す。
以上の実験例よりスラリにおいてもCO。
Has 、 Soxは事前に除去することが不可欠であ
ることが判った。
ることが判った。
実施例1
第5図の態様にてLaN1B /プロピルベン9重量%
重M%スラリーを用い、水素ガスの吸脱蔵を実施した。
重M%スラリーを用い、水素ガスの吸脱蔵を実施した。
第3図中、1は気液接触装置でライン(イ)から第5表
の組成のガスを前処理装置2を介してCo 、 SOX
、 E28 を除去して供給し攪拌機3で猾拌され
ているLaN1gスラリーと接触させた。残存ガスはラ
イン(ロ)から排気した。気液接触装置1内の圧力は1
6atm、また冷却水をライン(ハ)から供給、ライン
に)から排出して温度を20℃にコントロールし念。気
液接触装置1内のスラリをライン(ホ)から連続的に抜
き出し、圧力IC16atmから1 atmに減圧して
再生装置4へ供給した。再生装置4にはスチームをライ
ン(へ)から供給し、ライン(ト)から排出して温度を
80℃にコントロールした。再生装置4で発生する水素
ガスは冷却器5を介してライン(イ)がら抜出した。再
生装置4内のスラリーはポンプ6で連続的に抜き出し、
冷却器5を介してライン(’J)によって気液接触装置
1へ圧送した。
の組成のガスを前処理装置2を介してCo 、 SOX
、 E28 を除去して供給し攪拌機3で猾拌され
ているLaN1gスラリーと接触させた。残存ガスはラ
イン(ロ)から排気した。気液接触装置1内の圧力は1
6atm、また冷却水をライン(ハ)から供給、ライン
に)から排出して温度を20℃にコントロールし念。気
液接触装置1内のスラリをライン(ホ)から連続的に抜
き出し、圧力IC16atmから1 atmに減圧して
再生装置4へ供給した。再生装置4にはスチームをライ
ン(へ)から供給し、ライン(ト)から排出して温度を
80℃にコントロールした。再生装置4で発生する水素
ガスは冷却器5を介してライン(イ)がら抜出した。再
生装置4内のスラリーはポンプ6で連続的に抜き出し、
冷却器5を介してライン(’J)によって気液接触装置
1へ圧送した。
ライン0)から供給するガス量は毎分4tとし、スラリ
ーの滞留時間を10分とした。ライン(1)から放出さ
れる水素量は毎分2.2tでほぼ供給した水素の全量が
回収されていることが判った。
ーの滞留時間を10分とした。ライン(1)から放出さ
れる水素量は毎分2.2tでほぼ供給した水素の全量が
回収されていることが判った。
第 5 表
なお、前処理装置2において、まず供給ガスにスチーム
を導入し、400℃でCOシフト触媒層を通して 00
−)−H,O→CO*+Htなる反応でCOをCO,に
変換し、しかる後+00℃に保たれたFe3O4主体の
鉄系吸着剤層に通してH,Sを吸着除去した。しかる後
ガスを常温まで冷却して気液接触装置1へ供給した。
を導入し、400℃でCOシフト触媒層を通して 00
−)−H,O→CO*+Htなる反応でCOをCO,に
変換し、しかる後+00℃に保たれたFe3O4主体の
鉄系吸着剤層に通してH,Sを吸着除去した。しかる後
ガスを常温まで冷却して気液接触装置1へ供給した。
実施例2
実施例1と同様にLaNi5 / n−プロピルシクロ
ヘキサン10重t%スラリーを用いて水素ガスの吸脱蔵
を実施した。ライン(1)から放出される水素は毎分2
.26で実施列1と同一の結果を得之。
ヘキサン10重t%スラリーを用いて水素ガスの吸脱蔵
を実施した。ライン(1)から放出される水素は毎分2
.26で実施列1と同一の結果を得之。
〔発明の効果]
水素吸蔵合金?スラリー化し、また事前にCoとH=s
、 BOX を除去した水素を含むガスと接触させ
て水素を吸収することにより、(])合金粉末の飛散が
防止できる。(2)可動性(mobility)が付与
される。(3)合金の不純物ガスに対する耐久性が向上
する。(4)熱伝導性が向上する。(5)合金の膨張、
収縮による障害がない。など従来の欠点が解消でき、水
素の連続的回収方法が可能となる。
、 BOX を除去した水素を含むガスと接触させ
て水素を吸収することにより、(])合金粉末の飛散が
防止できる。(2)可動性(mobility)が付与
される。(3)合金の不純物ガスに対する耐久性が向上
する。(4)熱伝導性が向上する。(5)合金の膨張、
収縮による障害がない。など従来の欠点が解消でき、水
素の連続的回収方法が可能となる。
第1図は本発明の実験例としての1aNi@スラリーの
水素吸収を示す図表、第2図は本発明の比較例としての
LaNi5スラリーの水素吸収を示す図表、第3図は本
発明の実施列としての水素回収70−を示す図である。 復代理人 内 1) 明 復代理人 荻 原 亮 − 復代理人 安 西 篤 夫 時間(分) 時 閘 (分) 第3図
水素吸収を示す図表、第2図は本発明の比較例としての
LaNi5スラリーの水素吸収を示す図表、第3図は本
発明の実施列としての水素回収70−を示す図である。 復代理人 内 1) 明 復代理人 荻 原 亮 − 復代理人 安 西 篤 夫 時間(分) 時 閘 (分) 第3図
Claims (1)
- 炭素と水素のみで構成された飽和炭化水素、芳香族炭化
水素および脂環式飽和炭化水素から成る群から選ばれた
溶媒に水素吸蔵合金を懸濁したスラリーと水素を含むガ
スとを接触させ水素ガスを吸収する方法において、該ガ
ス中の一酸化炭素および又はイオウ化合物をスラリーと
接触させる前段で除去することを特徴とする水素ガスの
吸収方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61060789A JPH068161B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 水素ガスの吸収方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61060789A JPH068161B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 水素ガスの吸収方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62223002A true JPS62223002A (ja) | 1987-10-01 |
JPH068161B2 JPH068161B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=13152417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61060789A Expired - Lifetime JPH068161B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 水素ガスの吸収方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH068161B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06174196A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 金属水素化物スラリを用いた水素の吸蔵または放出方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5340195A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-12 | Sekisui Chem Co Ltd | Irradiating method of radioactive ray |
JPS60151201A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 水素吸蔵合金の取扱い方法 |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP61060789A patent/JPH068161B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5340195A (en) * | 1976-09-24 | 1978-04-12 | Sekisui Chem Co Ltd | Irradiating method of radioactive ray |
JPS60151201A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 水素吸蔵合金の取扱い方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06174196A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 金属水素化物スラリを用いた水素の吸蔵または放出方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH068161B2 (ja) | 1994-02-02 |
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