JPS62220541A - 感光性導電性金属組成物 - Google Patents

感光性導電性金属組成物

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JPS62220541A
JPS62220541A JP61061939A JP6193986A JPS62220541A JP S62220541 A JPS62220541 A JP S62220541A JP 61061939 A JP61061939 A JP 61061939A JP 6193986 A JP6193986 A JP 6193986A JP S62220541 A JPS62220541 A JP S62220541A
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binder
composition
plasticizer
membrane
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JP61061939A
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ジヨン・ジエームス・フエルテン
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EIDP Inc
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EI Du Pont de Nemours and Co
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    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
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    • C04B41/85Coating or impregnation with inorganic materials
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
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    • H01B1/16Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
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    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、感光性導電性金属組成物、特に弱酸化性雰
囲気で焼付けることができる組成物に関する。
[従来の技術] 厚膜導電体は、ハイブリッド マイクロ回路及び抵抗体
ネットワークにおいて各種の受動素子及び能動素子の相
互結合手段として広く用いられている。この適用におい
て、要素の厚膜製造は、長い間、真空蒸発又はスパッタ
リングによる余尺粒子の沈着を包含するWJWAの使用
に対する経済的に魅力ある代案とされてきた。然しなが
ら、スクリーン厚膜の解像能力が比較的限られているた
め厚膜技術が更に広く利用されるにはかなりの障害があ
った。典型的には、非常に注意深く制御した状況におい
て、特に金導電体において、5ミル[127μm]ライ
ン及びスペースが達成できる。
ある場合には、金又は銅厚膜の印刷の限られた量の生産
において4ミル[102μ7FL]ライン及びスペース
が達成できる。
スクリーン印刷における困Mを克服するため高い解像厚
膜パターンを提供しようとする方策が考えられてきた0
例えば、スクリーン印刷操作はスクリーン乳濁液用の良
い樹脂、改良されたワイヤメツシュ、強いフレイム、フ
ラッタ 基体、及びより柔らかいマス スクイージ−プ
リントヘッドの開発などによって改良されてきた。他の
方策は1M体の表面エネルギの減少及びインクの広がり
を防ぐPr1nar■のような塗膜の開発である。
[p rinar■はE、 1. du  pont 
de  Nemoursand  Company、 
Wi1g+1noton、DEのスクリーン印刷助剤の
登録商標である]、また、改良された粉末、樹脂、溶剤
、流れ調節剤及び湿潤剤を有する厚膜ペーストも開発さ
れた。微細なライン及びスペースを得る問題に対する他
の方策は、(1)感光性媒体における分散体による基体
への導電性材料の層の適用、 (2)  化学線照射へ
のイメージ様の層の露出、 (31パターンの溶剤現像
による層の未霧出部分の除去i4)、全ての残留有機材
料を除き無機材料を焼結するためのパターンのみ露出部
分の焼付け[fire]である。この技術は多くの特許
に示されている0例えば、米国特許第3,443,94
4号[Wise]、米国特許第3,615,457号[
S eibert ] 、米国特許第3,958,99
6号、米国特許第3,982,941号[1n5kip
 ] 、米国特許第3.877.950号[Fe1to
n]及び米国特許第3,914,128号[5chei
ber et at ] テある。米国特許第3,35
5.291号[Ba1rd et al]及び米国特許
第3,573゜908号[1vlinettilには、
ガラスの感光性ペーストを適用し、露出し、溶剤現像し
、露出部分を焼付けることによって半導体素子にガラス
を適用する方法が記載されている。
ペーストとして電子材料を適用する先行技術の方法は有
効ではあるが2寸法的に安定な膜として適用するには不
利益がある。膜の使用には利点があり、(1)良好な表
面均質性、 (2)  良好な層厚み均質性、(3厚い
焼付は層を得るのに少ない工程でより厚い層を適用する
ことができること、(4)処理の均質性がより大きいこ
と、 (5]  より長い貯蔵寿命、(6)  よごれ
のビック アップに対する感受性が最少であること、(
7)印刷スクリーンにおけるペースト乾燥による粘度ド
リフトを避けることが含まれる。従って、スクリーン印
刷のような常法によって、あるいは適当な場合には、上
述した特性が重要な積層膜として、適用することができ
る導電性分散体に対する解決されない強い要望が存在し
た。
[発明の概要] 第一に、この発明は、温和な酸化性雰囲気で焼付けでき
0次の混合物を包含する感光性導電性金属被膜組成物に
むけられる。
a、導電性金属の円滑な微細に分割された粒子。
その少なくとも80重量%が2より多くない外観割合[
aspect ratiolを有し2−6μ乳の粒子径
を有する。及び。
b、軟化点500−600℃を有するカドミウム含有鉛
アルミノシリケート ガラスの微細に分割された粒子、
その少なくとも80重量%が2−6μ膜の粒子径を有す
る。
このa及びbは次のものを包含する有機媒体中に分散さ
れている。
C,アクリル重合体結合剤。
d、可塑剤 及び e、光開始系 f、光硬化性単層体 中に上記のものがあり、可塑剤は
重合体結合剤の10−30重量%を包含し。
かつ単量体は重合体結合剤の20−33重量%を包含す
る。
第二に、この発明は溶剤を揮発によって除いた上記の感
光性組成物の層を包含する感光性膜を指向するものであ
る。
更に別の観点では、この発明は、(1)  セラミック
基体に積層し、 (2)  化学線照射にイメージ様露
出して膜の露出部分を硬化し、(3)溶剤現像して膜の
未露出部分を除き、(4)  実質的非酸化性雰囲気で
焼付けて有機媒体の揮発と無機結合剤の焼結とを行なっ
た上記感光性膜を包含するパターン導電性層を指向する
ものである。
[発明の詳細な説明] A  重量1Ll 銅及びニッケル、アルミニウム及び合金及びそれぞれの
混合物が、この発明の組成物の導電性金属として用いる
ことができる。これらの金属は特定の物理的特性を有す
ることが必要である。
この発明の組成物の最も重要な特徴は、導電性金属粒子
を高い濃度で含有し層を実質的に不透明にするにも拘ら
ず、それからつくられる層の厚みのかなりの部分に亙っ
て均質に光硬化できることである。これを達成するため
に9粒子の少なくとも95重量%の外観割合及び円滑性
の両者を注意深く制御することが必要である。特に2粒
子表面からの光拡散を最少にするために金属粒子は円滑
であることが必要であるにこで用いる「円滑」の語は、
粗さにおいて約0.1より大きい波長の光によって逸脱
しない粒子表面の構造を指す、一般的にいって、この基
準を超える偏差はスキャンニング電子顕微鏡で6000
xにおいて見ると明瞭に見えることを意味する。それに
も拘らず、約0.75μ雇を超えるクロス表面偏差を有
する粒子もこの発明に有効であり得る。同様に、導電性
金属粒子の少なくとも801量%は2より多くない外観
割合を有すること及び光の層への貫通を手分にするため
粒子の80重量%が径が2μ而より少なくないことが必
要である。他方1粒子は、焼付は温度で大きな空隙が生
じる程度にまで焼結が遅れないように約6μ瓦より大き
くてはならない。
球形の粒子[即ち、低い外観割合]は、光の貫通を良く
するばかりでなく、基体への残留付着が少ないためきれ
いな展開を生じるので二重に有利である。理想的には導
電性材料はモノ分散粒子径分配に近付くべきである。然
しながら、現在の技術では2−6μ膜の範囲内にある粒
子が80−95重量%の程度に現実的には限られる。然
し可能な場合には粒子の少なくとも90重量%がこの範
囲に入ることが好ましい。
きれいな金属表面は低いエネルギ状態への強い勾配を生
じる高い表面エネルギを有することは良く知られている
。このような表面は、酸素のような強い隔雪性金属原子
と化学的に反応して表面に強く結合した鹸化物層を形成
する気体を容易に吸収する[ P ast、  1as
s −etal  “ nterraces″旺虹1姐
牡組、 U or Ca1iforrria、Lawr
enceRadiation  Laboratory
、  Berkley、CA。
Report LI CRL  106重量.1963
参照]、この機構により、はとんどの清浄にされた金属
表面は酸化物の層を含む、このような金重量重量化物は
この発明の組成物の形成において重要であり、ニッケル
及び銅の場合には9表面酸化物のlはこれらの2種の金
属の酸化物の実質的光吸収性のために最少にしなければ
ならない、他方、アルミニウム粒子の場合には、Al2
0iは光の屈折を助けるので表面酸化物の偏在は全く無
害である。この発明の組酸物に用いる粒子から表面酸化
物を除くことが望ましい場合には、米国特許第4,47
7.296 @明細書[N airによる]の教示する
方法を用いることができる。チタニア又はアルミナのよ
うな保護被膜を、不動態にするのを助けさもなければ金
属表面に吸収されるかもしれない入射光を屈折するのを
助けるために、銅又はニッケル粉末に加えることができ
る。
B 糺且JばLl この発明の組成物の金属粒子の無機結合剤はカドミウム
含有鉛アルミノシリケート ガラスである。このガラス
は典型的には次の組成範囲に入る。
PbO32−35−Eル% SiO255−60モル% CdO2−4モル% Al2033−6モル% 然しなから、上記の4W礎成分に加えてガラスはzn○
、Fl:+ 04 、Cr2O3又はその混合物のよう
な接着促進剤を5モル%まで含むことができる。銀、酸
化銀、II!化亜鉛亜鉛その混合物をも用いることがで
きる。ガラスのカドミウム含有層はガラスと導電性金属
粒子との間の良好な接着を促進するのに有効であること
が見出された。この型の特に好ましいガラス組成物はモ
ル基準で33.8%P、b0.58.7%SiO2,2
,9%CdO,及び4.7%Al2O3を含む。
化学組成に加えて、結合剤の物理的特性も同様に重要で
ある。特に結合剤が500−600℃の軟化点[[) 
1latoffleter]を有することが必須である
。少なくとも500℃の軟化点は焼付は段階における有
機材料の過剰のトラッピングを避けるために重要である
。他方、600℃を超える軟化点は、焼付けにおけるガ
ラスの粘度が下にある基体及びそれとともに用いられる
ことがある接着促進剤の適当な湿潤を得るには高過ぎな
いように避けなければならない、一般に、ガラス及び導
電性金属の両者はそれぞれの良好な焼結性と整合する最
大の粒子径を有することが好ましい、この発明のガラス
粒子は導電性金属のものに類似した粒子径及び形状を有
しなければならない、即ち、少なくとも80重量%、好
ましくは90重量%の粒子が径2μmより小さくなく6
μmより大きくないものでなければならない。
ガラス結合剤は通常は1組成物の導電性金属含有量がお
おむね8.5−重量.5重量%である焼付は導電性層の
15−25重山%を占める。多くの場合に、光伝導及び
接着がそれによって改良されるためできるだけ多くのガ
ラスを用いることが好ましい、然しながら、ガラスの量
は適当な電気伝導性及び融着性を得るのと整合する。
結合剤は、所望の割合で所望の成分を混合し混合物を加
熱して融解物を形成する通常のガラス製造技術によって
製造する。当業界では良く知られているように、加熱は
ピーク温度で融解物が完全に液状で均質になる時間性わ
れる。この作業では。
成分はプラスチックボールを入れたポリエチレンジャー
中で撮り混ぜて予備混合し次いで白金ルツボ内で所望の
温度で融解する。融解物はピーク温度に1−1/2時間
加熱する1次いで融解物は冷水中に注ぐ、クエンチング
中の水の最高温度は水一対一融解物比を増加してできる
だけ低く保つ。
水から分離後の粗フリットは、空気中で乾燥するか又は
メタノールで濯ぐことにより水を置換えることによって
残留水をなくする1次いで粗フリットは、アルミナ ボ
ールを用いアルミナ容器内でボール ミルして径を小さ
くする。フリットのアルミナによる汚染はX線回折分析
による認識できる限度内にはない、粉砕したフリット 
スラリをミルから取出し、過剰の溶媒をデ、カンチージ
ョンによって除き、フリット粉末を空温で空気乾燥する
。乾燥粉末は次いで325メツシユ ふるいを通してふ
るい分は大きい粒子を除くJセラミック固体のような無
機結合剤は5m2/gより多くない表面一対一重量比を
もたなければならず1粒子の少なくとも95t!%が1
−10μ膜の粒子径を持たなければならない。
C1立遵」uし1 このように高温度で焼付は全ての有機物を除去する組成
物においては重合体結合剤の組成は極めて重要である。
この重−性は、ここにおけるように組成物が卑金属導電
性材料を含み、従って少なくとも最初は、卑金属の酸化
を避けるため弱い酸化性雰囲気で焼付けなければならな
い場合にはより大きくなる。特に重合体は限られた最の
みの酸らず1本質的に炭素質や他の残留物を残してはな
らない、この理由で、ポリ(アクリル酸アルキル)又は
ポリ(メタアクリル酸アルキル)又はその各種共重合体
のようなアクリル重合体を結合剤として用いることが必
要である。固体の分散を維持す−る有機媒体の能力を改
善するため、その酸又はアミン共重合体は好ましい、そ
の共重合体は分散安定性を改良する部分となるカルボン
酸又はアミンを5重量%まで含むことができる。このア
クリレート/酸二元型合体に加えて、50−75重量%
のC1−5アルキル メタアクリレート及び5〇−25
重−%のC1−6アルキル アクリレート及び0−5重
量%のエチレン性不飽和カルボン酸又はアミンの多元重
合体をこの発明に用いることができる。結合剤重合体は
少なくとも30’Cではあるが約50℃を超えないガラ
ス転移温度[Tg]を有することが好ましい、T9が3
0℃より低いと重合体は強度に乏しくぺとぺとし、Tg
が約50℃であると重合体は屈曲性が不十分で分散され
た固体に良く接着しない傾向がある。
DL!JL この発明の組成物に用いる可塑剤の性質は極めて重要で
ある。可塑剤はアクリル重合体に対する有効な溶剤であ
るばかりでなく、適当な揮発性をも有しなければならな
い、特に、可塑剤は膜製造中に200℃のような高温に
加熱されたときほとんど蒸発しないことが必要である。
然し焼付は段階における800−900℃の温度に達す
る前に本質的に完全に蒸発しなければならない、従って
可塑剤ハ200−350 ”C、好* L、 < ハ2
80−330℃の沸騰範囲を有しなければならない、こ
の揮発基準に適合するよう注意深く選択された可塑剤の
使用によって、可塑剤はそれからつくられる部品が処理
される焼付は炉の前部で本質的に熱分解することなく蒸
発によって本質的に完全に除去される。
この目的に対して最も有効な可塑剤は、フタル酸のアル
キルエステルであることが見出された。
これらには、ジブチル フタレート、エチル へキシル
 フタレート、ベンジル エチル フタレート、ジオク
チル フタレート、ドデシル フタレート、ジメチル 
フタレート、ジエチル フタレート及びジプロピル フ
タレートが含まれる。
ポリエチレン グリコール フタレートを用いることも
できる。可塑剤の混合物は、沸点の上記の広い範囲内の
特定の揮発特性を得るために用いられることが多い。
この発明の重要で独特の特色は結合剤重合体の量に対し
て用いられる可塑剤の量を最大にするのが好ましいこと
にある。従って、少量の可塑剤を要求する低いT9の重
合体より最大蚤の可塑剤と・共に高いT9の結合剤重合
体を使用するのが好ましい、可塑剤を最大にすることに
よって1組成物の要求する焼き尽くすべき重合体が少な
くなる。
代って、このことは組成物中の光の貫通を大きくする有
機物の量を多くすることを容易にする。この理由で、可
塑剤の山は重合体の少なくとも10重量%、好ましくは
少なくとも12重量%を構成しなければならない、然し
ながら、可塑剤は結合剤重合体の30重量%、好ましく
は25重量%を超えてはならない、予りの場合において
約15%可塑剤は最適であることが見出された。
勿論、有効に用いることができる可塑剤の量は重合体だ
けではなく0組成物中の固体の粒子径及び表面積にも実
−的程度においで依存する0例えば、高表面積固体は高
い液体吸収を招き、一定の水準の可塑剤及び結合剤にお
いてより粘着性である。他方、低表面積固体は液体の吸
収が少なく。
従って一定の可塑剤及び結合剤において粘着性が少ない
 LllL 適当な光開始系は熱的に不活性であるが185℃以下に
おいて化学線に露出したときに遊離のラジカルを発生す
るものである。これらには置換され又は置換されていな
い多核キノンが含まれ、これは共役カルボサイクリック
環系の2個の環内[1ntracycl ic ]炭素
原子を有する化合物である。
これらには、 9.10−アン1−ラキノン、2−メチ
ルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、 2−
tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアント
ラキノン、1,4−ナフトキノン、 9.10−フェナ
ンスレンキノン、ベンズアンスラセン−7,12−ジオ
ン、2゜3−ナフタセン−5,12−ジオン、2−メチ
ル−1,4−ナフトキノン、1.4−ジメチルアントラ
キノン、2.3−ジメチルアントラキノン、2−フェニ
ルアントラキノン、2.3−ジフェニルアントラキノン
、レテネキノン、 7,8,9.10−テトラヒドロナ
フタセン−5,12−ジオン、及び 1,2,3.4−
テトラヒドロベンズアントラセンづ、12−ジオンが含
まれる。85℃のような低温において熱的に活性である
ものもあるが、また有用である光開始剤は、米国特許第
2,760,863号明細書に記載され、ベンゾイン、
ビバロイン。
アシロイン エーテルのような隣接ケタルドニルアルコ
ール2例えばベンゾイン メチル及びエチル エーテル
; α−メチルベンゾイン、α−アリルベンゾイン及び
α−フェニルベンゾインを含むα−ヒドロ−炭素−置換
 芳香族アシロインが含まれる。米国特許第2,850
,445.2,875,047゜3.097,096.
3,074,974.3,097,097.及び3、1
45.104号明細書に開示された光還元性染料及び還
元剤、同様に、フェナジン、オキサジン及びキノン類の
染料、ミッチラ[lyl 1ciler  ]ケトン。
ベンゾフェノン、米国特許第3,427,161.3,
479゜185、及び3,549,367号明1B1に
記載されたロイコ染料及びその混合物を含む、2,4.
5−トリフェニルイミダゾイル ダイマも開始剤として
使用できる。
米国特許第4,162,162号明細書に開示された増
感剤も光開始剤及び光禁止剤として有用である。光開始
剤及び光禁止剤系は乾燥光重合性層の全重量を基準にし
て0.05−10重量%存在する。
この発明に用いられる電子要素の腐蝕に伴う問題を避け
るためにハライドを含まないことが必須である。
F 土1JtJJLU虹 この発明の光硬化性単層体は、少なくとも1の重合性エ
チレン性基を有する付加重合性エチレン性不飽和化合物
を少なくとも1種を包含する。この化合物は遊m基開始
鎖延長付加重合によって高重合体を形成することができ
る。好ましくは、不飽和化合物[単量体コは2乃至4の
末端エチレン性不飽和基を有する。この単量体化合物は
非気体であり、即ち、100℃を超える大気沸点を有す
る。これは有ti重合体結合剤に可塑作用をも有しなけ
ればならない。
単独で又は他の単量体と共に使用することができる適当
な単層体には次のものが含まれる。t−ブチル アクリ
レート及びメタクリレート、1.5−ベンタンジオール
 ジアクリレート及びジメタクリレート、N、N−ジエ
チルアミノエチル 、ジアクリレート及びジメタクリレ
ート、エチレン グリコール ジアクリレート及びジメ
タクリレート。
1.4−ブタンジオール ジアクリレート及びジメタク
リレート、ジエチレン グリコール ジアクリレート及
びジメタクリレート、ヘキサメチレングリコール ジア
クリレート及びジメタクリレート、1,3−プロパンジ
オール ジアクリレート及びジメタクリレート、デカメ
チレン グリコールジアクリレート及びジメタクリレー
ト、1.4−シクロヘキサンジオール ジアクリレート
及びジメタクリレート、2.2−ジメチロールプロパン
 ジアクリレート及びジメタクリレート、グリセロール
ジアクリレート及びジメタクリレート、トリプロピレン
 グリコール ジアクリレート及びジメタ、クリレート
、グリセロール トリアクリレート及びトリメタクリレ
ート、トリメチロールプロパントリアクリレート及びト
リメタクリレート、ペンタエリスリトール トリアクリ
レート及びトリメタクリレート、ポリオキシエチル化ト
リメチロールプロパン トリアクリレート及びトリメタ
クリレート、及び米国特許第3,380,831号明細
書に開示された類似化合物、2.2−ジ(p−ヒドロキ
シフェニル)−プロパン ジアクリレート2ペンタエリ
スリトール テトラアクリレート及びテトラメタクリレ
ート、2.2−ジ(p−ヒドロキシフェニル)−プロパ
ン ジメタクリレート、トリエチレングリコール ジア
クリレート、ポリオキシエチル−2,2−ジ(p−ヒド
ロキシ−フェニル)プロパンジメタクリレート、ごスフ
エノール−Aのジー(3−メタクリロキシ−2−ヒドロ
キシプロピル)エーテル、ビスフェノール−Aのジー(
2−メタクリロキシエチル) エーテル、ビスフェノー
ル−Aのジー(3−アクリロキシ−2−ヒドロキシプロ
ピ。
ル) エーテル、ビスフェノール−Aのジー(2−アク
リロキシエチル) エーテル、1,4−ブタンジオール
のジー(3−メタクリロキシ−2−ヒドロキシプロピル
) エーテル、トリエチレン グリコール ジメタクリ
レート、ポリオキシプロピルトリメチロール プロパン
 トリアクリレート、ブチレン グリコール ジアクリ
レート及びジメタクリレート、 1,2.4−ブタント
リオール トリアクリレ−1・及びトリメタクリレート
、 2,2.4−トリメチル−1,3−ベンタンジオー
ル ジアクリレート及びジメタクリレート、1−フェニ
ル エチレン−1,2−ジメタクリレート、ジアリル 
フマレート、スチレン、1.4−ベンタンジオール ジ
メタクリレート。
1.4−ジイソプロペニル ベンゼン、 1,3.5−
トリイソプロペニル ベンゼン、また、有用なものには
少なくとも300の分子量を有するエチレン性不飽和化
合物2例えば、炭素原子数2−15のフルキレン グリ
コール又は1−10のエーテル結合を有するポリアルキ
レン エーテル グリコールからつくったアルキレン又
はポリアルキレン グリコール ジアクリレート、及び
米国特許第2,927.022号明細書に開示されたも
の2例えば、7!数の付加重合性エチレン性結合、特に
末端結合として存在するもの、を有するものがある。特
に好ましい単量体は、ポリオキシエチル化トリメチロー
ルプロパン トリアクリレート、エチル化ペンタエリス
リトール トリサルフェート、ジペンタエリスリトール
 モノヒドロキシペンタアクリレート、及び1.10−
デカンジオール ジメタクリレートがある。不飽和単量
体成分は乾燥光重合性層の全重量を基準にして5−45
重量%存在する。
少量の他の成分は光重合性組成物がその本質的特性を保
持する限り光重合性組成物に存在することができる0例
えば、顔料、染料、熱重合禁止剤。
オルガノシランのような接着促進剤、可塑剤、ポリエチ
レン オキサイドのような被覆助剤等である。
揮発の困難性のため、光硬化結合剤の良好な現像特性を
保持することと整合するよう組成物中の単量体の量を最
少にすることが・望ましい、従って。
単量体の量は結合剤の20−33!1m%、好ましくは
25−30重量%である。約28重量%単量体が多くの
場合に最適であることが見出された。
この発明の組成物の有機成分は組成物の微細に分割され
た固体の分散のビヒクルとして作用し。
セラミック又は他の基体に容易に適用できるような形態
となる。従って、有機媒体は、先ず固体が適当な程度の
安定性で分散できるようなものでなければならない、第
二に有機媒体のレオロジイ待′性が分散体に良好な適用
特性を付与するようなものでなければならない。
分散体を躾につくるべき場合には、導電性合成固体及び
無wi結合剤が分散されている有機媒体は上記の重合体
結合剤、可塑剤、単量体及び開始剤からなる。場合によ
り9分散剤、ストリッピング剤、及び湿潤剤のような他
の溶解した材料も存在することができる。
この発明の感光性組成物は、支持膜上に感光性層が被覆
されるレジスト コンポジットの感光部分として用いら
れることが非常に多い。
通常のフォトレジスト要素においては、ロールの形態で
貯蔵される場合に感光層と支持体の裏面との間のブロッ
キングを避けるため除去可能な被覆シートで感光層を保
護することが必要であるか。
又は少なくとも極めて好ましい、また、イメージ露出中
に層とフォトツールとの間のブロッキングを避けるため
除去可能な支持フィルムによって基体に積層された層を
保護することが望ましい。
光重合性組成物は支持フィルム上に約0.001インチ
[〜0.0025α]乃至約0.01インチ[〜0.0
25n]又はそれ以上の乾燥被覆厚みで被覆する。ai
m変化に対する高度の寸法安定性を好ましくは有する適
当なストリップ可能な支持体は、ポリアミド、ポリオレ
フィン、ポリエステル、ビニル重合体及びセルロース等
の高重合体から構成される広い範囲のフィルムから選択
することができ、約0.0005インチ [〜o、0013c#Iコ乃至約0.008インチ[〜
0.02CIR]又はそれ以上の厚みを有することがで
きる。ストリップ可能な支持体を除去する前に露出を行
なう場合には、勿論、それに投射される化学線照射の実
質的部分を通過させなければならない、露出を行なう前
にストリップ可能な支持体を除去する場合には、このよ
うな制限は適用されない、特に適当な支持体は、約0.
001インチ[〜0.0025ca+]の厚みを有する
透明なポリエチレン テレフタレート フィルム であ
る。
要素が除去可能な保護被覆シートを含まずロール形態で
貯蔵される場合には、ストリップ可能な支持体の裏面に
は、光重合性層とのブロッキングを避けるためワックス
又はシリコンのような材料の薄い剥MHを適用すること
が好ましい、あるいは、被覆した光重合層への接着は被
覆ずべき支持体表面のフレーム処理又は放電処理によっ
て好ましくは高められる。
適当な除去可能な保護被覆シートは、使用される場合に
は、上記の高重合体フィルムと同一の群から選択するこ
とができ、同じ広い範囲の厚みをiすることができる。
約o、ooiインチ[〜0.0025α]の厚みのポリ
エチレンは特に適当である。上述した支持体及び保護シ
ートは使用前の貯蔵中における光重合性レジスト層に良
好な保護を付与する。
他方、この発明の組成物を厚膜組成物として調合する場
合には9通常はスクリーン印刷によって適用される。従
って、スクリーンを容易に通過できるように適当な粘度
を有しなければならない。
有機媒体も固体及び基体の適当な湿潤性、良好な乾燥速
度、粗い取扱いに耐えるに充分な乾燥フィルム強度及び
良好な焼付は強度を与えるように調合することが好まし
い、焼付けした組成物の満足できる外観もまた重要であ
る。
分散体が厚膜ペーストとして適用される場合には1通常
の厚膜溶媒が適当なレオロジイ調節を伴って使用される
ことができる。
これらの基準の全てを考慮して、広い範囲の不活性液体
が有線溶媒として使用できる。多くの厚膜組成物の有機
媒体は典型的には溶媒中の樹脂)8液であり、多くの場
合には樹脂とチクソトロビック剤とを含有する溶ts溶
液である。溶媒は通常130−350℃の範囲で沸騰す
る。
このために特に適当な媒体はエチレン グリコール モ
ノアセテートのモノブチル エーテル中の低級アルコー
ルのポリメタアクリレートの溶液である。
厚膜適用に広く用いられる溶媒は、アルファー又はベー
ターチルピノールのようなテルペン。
又はケロセン、ジブチルフタレート、ブチル カルピト
ール、ブチル カルピトール アセテート。
ヘキサメチレン グリコール及び高沸点アルコール及び
アルコールエステルのような他の溶媒との混合物である
。各適用についての所望の粘度及び揮発性要件を得るた
めこれらの溶媒及び他の溶媒の各種の組合せで調合され
る。
分散体における有機媒体と無機固体との割合は。
かなり変わることができ1分散体が適用されるべき方法
及び使用する有機媒体の成分によ、って左右される。普
通には、良好なカバレッジを達成するため1分散体は補
足的に重態で60−90%固体及び40−40%有機媒
体を含む、その分散体は通常半流動体コンシステンシイ
のもので「ペースト」と一般に呼ぶ。
ペーストは、30−ル ミルで調整するのが便利である
。ペーストの粘度は空温でブルックフィールド ビスコ
メータで低、中及び高ぜん断速度で測定すると次の範囲
に内にあるのが典型的である。
せ         SeC’l          
   a  So、2     100−5000 −
100−300  好ましい 100−150  特に好ましい 80−120  好ましい 40−70   好ましい 40−50   特に好ましい 使用する有閤溶媒の量及び型は主として最終的に所望の
処方粘度及び印刷厚みによって定める。
各種の染料及び顔料をフォト イメージの可視性を増す
ために加えることができる。然し使用する着色剤は、可
視性又はLIVスペクトル領域の他の照射を吸収したり
不透明であることができるが。
化学線照射に透明であることが好ましい。
特性の多くの因子及び上述した組成に加えて。
成分−一無機及び有機の両者−一の全てが実質的にハロ
ゲンを含まないものでなければならない。
この理由は1通常に焼付は条件下では、ハロゲンは導N
8J及び焼付けを行なう炉の部分を腐蝕する原因を放出
する傾向があるからである。
[実施例〕 この例においては、従来の光硬化性組成物を処方した。
これにおいては、銅粉末は不規則な形であり、ガラス結
合剤は径分けをせず、スクリーン印刷を容易にするため
遅い乾燥溶媒を用いた。材料は、全ての成分を完全に混
合した後。
約1501bs、ロール圧力にロール ミルし400メ
ツシユふるいを通してふるい分け「プルダーズ」を除い
た。
C1[2μ径、不規則形]   59.0% 13.0
%ガラス (1)          5.5  6.
8s hell  I ono+@  (2)    
  0,5  0.6プチル カルピトール    1
8.9アセテート メタクリル酸メチル     9.4  重量,4Ze
lec  TD   (3)      0,3  0
,4TOETA  アントラキノン 4.4  5.4
T−Bll   アントラキノン 1.0  1,2(
1)重am準、 33.8%pi)Q、58.7%5i
O22,9%CdO及び4.7%Al203(2Jlo
nol■はヒンダード フェノール酸化防止剤の商標[
3hell  Chenical Co。、 HOUS
ton。
TXIである。
(3)  Zelec  は帯電防止及び離型剤の登録
商標[E、  I 、 du  Pont de  N
emours andCompany、  l nc、
 ]である。
この従来の導電性ペーストの特性と積層膜の特性〔表4
〕とを比較すると、この従来の焼付は膜の欠点、即ち受
容できない焼付は厚み、実際的でない露出速度、極めて
貧弱な焼付は膜不透明度及び貧弱な焼尽特性が明瞭に示
されている。
例2及び3 例2及び3においては、銅の粒子径の影響が観察できる
ように組成物を処方し試験した1組成物は、樹脂を塩化
メチレンに溶解し、銅及びガラス結合剤、及び場合によ
って光活性成分を加え1次いでジャー ミル中でガラス
 ビーズと共にミリングして処方した。可塑剤及び単量
体等の容易に溶解できる成分との処方を、粉末が溶媒/
樹脂溶液中でミリングした後に行なった場合もある。
被覆は、被覆溶液をM ylar■〔ポリエステルフィ
ルムに対するE、  I 、 du  Pont de
  Nemoursand  Company、  I
nc、 Wilmington、DEの登録商標コ ポ
リエステルフィルム基体に適用し塩化メチレンを蒸発さ
せてつくった。乾燥膜の典型的厚みは、4ミル ドクタ
ー ブレードで形成したi、o−i、2ミルであった。
部品は約80−100℃で約40J I)Si [30
(1kPa]圧力を用いてラミネートした3部品はラミ
ネータ中を2.3回通して基体端への積層を確保した。
現像は、約5−8d/secの速度でスピニング部上約
3インチ[7,5α]フアン型パターン中で噴霧したり
Oロエタン現象剤液体を用いてスピン デベロッパ中で
行なった。
部品は帯状炉中で焼尽帯における変化する酸素注入を伴
った窒素雰囲気を用いて行なった。緊密な密閉及び焼尽
帯におけるかなり高い雰囲気流。
約100pI)ff102注入を伴うマツフル容量の立
方デシメータ当り約0.75立方直径/hr、で充分で
ある。
2種の組成物の処方は次の表2に示しである・銅 1μ風不規則     79.8    −2μm球形
       −81,15無機結合剤 (515、9
5、8 有機結合剤 (617、854、65 単層体 (7)        3 、2    4 
、0開始剤 (813、22、5 エチル セルロース   0.15    0.1ジメ
チル フタレート   −1,2 (5)重量基準、 82%B i 203 、重量%P
 bo。
3.5%5iOz、及び3.5%A1203(6)  
Elvacite■2010.ポリ(メチル メタクリ
レート) (7)  TEOTA  1000.ポリオキシエチル
化 トリメチロール プロパン トリアクリレート、M
Wt、重量62 (8)ドブチル アントラキノン 標準銅粒子[例番号2]から製造した膜は極めて遅り、
かつ、Uv光に6−14分の露出を要する。更に、光硬
化端の端部はかなりアンダカットである。これは規則性
の少ない銅粒子は表面で過剰の光を吸収すること、及び
表面下の露出が不十分で現像溶媒に対する良好な抵抗が
得られないことを示している0例3においては1M化物
含量及び銅の表面積/容積割合が低く、それに加えて。
追加の可塑剤が結合し優れた光貫通を有し良好な露出及
び現像特性を有する膜を製造する。
例4−に れらの例では高い軟化点ガラスを用いた点で例2及び3
と異なっている。また露出速度を2倍にする速い開始系
を用いた1表3はその処方を含み1表4には全ての6導
電材料の特性をあげた。
五−1 銅[2μ径、平均]    73.8    72.7
    −−銅[2μ径、サブミク  −−73,20
ン部分を含まない] タ ガラス (1)        6.8    −− 
   −−ガラス[サブミクロン  −−6,86,4
部分を除くよう仕分けた] TEOTA  1000  (7)   4.5   
 4.5    4.2メタクリル酸メチル   重量
.6    10.9    重量.0ミツチラ ケト
ン    0,2    0.2    0.2ベンゾ
フエノン     3,0    3.1    3.
1エチル セルロース   0,1    0.1  
  0.1ジブチル フタレート  −−1,71,8
(7)  ポリオキシエチル化 トリメチロールプロパ
ン トリアクリレート、 M、 Wt、重量62露出速
度[分コ    4  6−10  2−3使用時厚み
     7   10   10線解像度     
優良   良  優良使用時不透明度  不可   良
   良アンダカット   重要  激しい  重要焼
尽        可  不可   不可導電性   
    5  5   5[ミリオーム/スクエア] 露出速度[分]    1−2  1.5 0.5−1
使用時厚み     10   10   13線解像
度     優良  優良  優良使用時不透明度  
良好  優良  優秀アンダカツ1〜   重要  補
優   補優焼尽        可   良    
良導電性      4−5.43〜3.5[ミリオー
ム/スクエア] 例4は可塑剤及び仕分けた粉末を含まず2例5は可塑剤
及び仕分けたガラスを含み9例6は可塑剤、仕分けたガ
ラス及び仕分けた銅粉末を含んで露出速度及び焼尽を高
めている。一般に、ガラス及び銅から微細粒子を除くと
露出速度が増大し。
機能性膜を製造するのに必要な有礪物の量が減少し、現
像パターンの線形が良好な光貫通のfめ改良され、かつ
、焼付は中の収縮が減少する。他方。
大き過ぎる粒子径は焼結速度を遅らせ、導電性を下げ、
焼付は膜中に空所を多くすることになる。
例6は銅及びガラスの粒子径を注意深く選択して侵れ゛
た特性の総体的バランスを与える一つの例である。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)次の混合物を包含し、弱酸化性雰囲気で焼付ける
    ことができる感光性導電性金属被覆組成物。 a、導電性金属の円滑な微細に分割された粒子、その少
    なくとも80重量%は(1)2より大きくない外観割合
    を有し、(2)2−6μmの粒子径を有するものであり
    、及び、 b、軟化点500−600℃を有するカドミウム含有鉛
    アルミノシリケートガラスの微細に分割された粒子、そ
    の少なくとも80重量%は2−6μmの粒子径を有し、
    a、及びb、の両者は次の溶液中に分散されている、 c、アクリル重合体結合剤。 d、揮発性可塑剤、及び e、光開始系の f、光硬化性単量体、中の溶液であつて、可塑剤が重合
    体結合剤の10−30重量%を包含し、かつ、単量体が
    重合体結合剤の20−33重量%を包含する。
  2. (2)有機成分c−fが揮発性非水性有機溶媒に溶解し
    ている特許請求の範囲第1項記載の組成物。
  3. (3)非水性有機溶媒が揮発によって除かれる特許請求
    の範囲第2項記載の組成物の層を包含する光導電性膜。
  4. (4)膜が、 a、セラミック基体に積層し、 b、化学線照射にイメージ様露出して膜の露出領域の硬
    化を行ない、 c、溶剤現像して、膜の未露出領域を除去し、d、弱い
    酸化性雰囲気で焼付けて有機媒体の揮発及び無機結合剤
    と導電性金属との焼結を行なうことを受けた特許請求の
    範囲第3項記載の膜を包含するパターン導電性層。
  5. (5)スクリーン印刷に適したコンシステンシイのペー
    ストである特許請求の範囲第2項記載の組成物。
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DE (1) DE3584435D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01184897A (ja) * 1988-01-13 1989-07-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 回路パターンの形成方法およびこれに用いる導体形成用組成物

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4766027A (en) * 1987-01-13 1988-08-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for making a ceramic multilayer structure having internal copper conductors
US5209688A (en) * 1988-12-19 1993-05-11 Narumi China Corporation Plasma display panel
US5032478A (en) * 1989-08-21 1991-07-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive aqueous developable gold conductor composition
US5047313A (en) * 1989-08-21 1991-09-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive semi-aqueous developable copper conductor composition
US5032490A (en) * 1989-08-21 1991-07-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive aqueous developable copper conductor composition
US5049480A (en) * 1990-02-20 1991-09-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive aqueous developable silver conductor composition
DE69417684T2 (de) * 1993-10-29 1999-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Leitfähige Pastenzusammensetzung zum Füllen von Kontaktlöchern, Leiterplatte unter Anwendung dieser leifähigen Paste und Verfahren zur Herstellung
JPH07161223A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ
US5672460A (en) * 1994-06-10 1997-09-30 Nippon Hoso Kyokai Method for forming conductive or insulating layers
US5518663A (en) * 1994-12-06 1996-05-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor compositions with improved adhesion
US5879812A (en) 1995-06-06 1999-03-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Monolithic ceramic capacitor and method of producing the same
US5726348A (en) * 1996-06-25 1998-03-10 United Technologies Corporation Process for precisely closing off cooling holes of an airfoil
CN1251204A (zh) * 1997-03-25 2000-04-19 纳幕尔杜邦公司 显示板的场致发射体阴极的背板结构
US6360562B1 (en) * 1998-02-24 2002-03-26 Superior Micropowders Llc Methods for producing glass powders
US6194124B1 (en) * 1999-08-12 2001-02-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive ceramic compositions containing polycarbonate polymers
US20060208621A1 (en) * 1999-09-21 2006-09-21 Amey Daniel I Jr Field emitter cathode backplate structures for display panels
CH693774A5 (de) * 1999-11-30 2004-01-30 Christine Hardman Erzeugnis mit lichtempfindlicher Aussenschicht sowie Verfahren zu dessen Herstellung.
US6337037B1 (en) 1999-12-09 2002-01-08 Methode Electronics Inc. Printed wiring board conductive via hole filler having metal oxide reducing capability
JP3674501B2 (ja) * 2000-11-30 2005-07-20 株式会社村田製作所 感光性銅ペースト、銅パターンの形成方法、及びセラミック多層基板の製造方法
JP3614152B2 (ja) * 2001-08-07 2005-01-26 株式会社村田製作所 感光性導電ペースト、それを用いた回路基板及びセラミック多層基板の製造方法
US7303854B2 (en) * 2003-02-14 2007-12-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode-forming composition for field emission type of display device, and method using such a composition
US8298754B2 (en) * 2003-11-25 2012-10-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for forming thick film pattern, method for manufacturing electronic component, and photolithography photosensitive paste
US7435763B2 (en) * 2004-04-02 2008-10-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Solid freeform compositions, methods of application thereof, and systems for use thereof
US20060027307A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Bidwell Larry A Method of application of a dielectric sheet and photosensitive dielectric composition(s) and tape(s) used therein
KR20060113137A (ko) * 2005-04-29 2006-11-02 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US20080073516A1 (en) * 2006-03-10 2008-03-27 Laprade Bruce N Resistive glass structures used to shape electric fields in analytical instruments

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3355291A (en) * 1963-10-08 1967-11-28 Texas Instruments Inc Application of glass to semiconductor devices
US3443944A (en) * 1963-10-23 1969-05-13 United Aircraft Corp Method of depositing conductive patterns on a substrate
US3505134A (en) * 1966-04-13 1970-04-07 Du Pont Metalizing compositions whose fired-on coatings can be subjected to acid bath treatment and the method of using such metalizing compositions
US3615457A (en) * 1969-04-02 1971-10-26 Du Pont Photopolymerizable compositions and processes of applying the same
GB1256344A (en) * 1969-05-23 1971-12-08 North American Rockwell Photographic manufacture of printed circuits
US3573908A (en) * 1969-06-06 1971-04-06 Bell Telephone Labor Inc Photographic technique for the selective deposition of a ceramic substrate glaze
US3982941A (en) * 1973-05-07 1976-09-28 E. I. Du Pont De Nemours & Company Photopolymerizable paste compositions and their use
US3958996A (en) * 1973-05-07 1976-05-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photopolymerizable paste composition
US3914128A (en) * 1973-06-08 1975-10-21 Du Pont Photohardenable paste compositions having high resolution
US3877950A (en) * 1974-03-21 1975-04-15 Du Pont Photosensitive gold compositions
US3885964A (en) * 1974-05-31 1975-05-27 Du Pont Photoimaging process using nitroso dimer
DE2929682A1 (de) * 1979-07-04 1981-01-15 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zum aetzen von silizium- substraten und substrat zur durchfuehrung des verfahrens

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01184897A (ja) * 1988-01-13 1989-07-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 回路パターンの形成方法およびこれに用いる導体形成用組成物

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