JPS62219635A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
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- JPS62219635A JPS62219635A JP61060570A JP6057086A JPS62219635A JP S62219635 A JPS62219635 A JP S62219635A JP 61060570 A JP61060570 A JP 61060570A JP 6057086 A JP6057086 A JP 6057086A JP S62219635 A JPS62219635 A JP S62219635A
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- JP
- Japan
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- stage
- semiconductor exposure
- actuator
- exposure apparatus
- oscillations
- Prior art date
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Vibration Prevention Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体露光装置に係り、特にこの装置において
発生する振動をできるだけ早く減衰させることができる
半導体露光装置に関する。
発生する振動をできるだけ早く減衰させることができる
半導体露光装置に関する。
（従来の技術〕
従来、半導体ウェハ上に回路パターンを撮影するために
、例えば特開昭６０−１１０７２２号公報に記載されて
いるような°ト導体露光装置がある。
、例えば特開昭６０−１１０７２２号公報に記載されて
いるような°ト導体露光装置がある。
一方、近年では１メガビットダイナミックＲＡＭのサン
プル出荷が報じられており、半導体の集積密度の向上が
盛んに行われている。
プル出荷が報じられており、半導体の集積密度の向上が
盛んに行われている。
−に述したように半導体の集積密度すなわち単位面積当
りの容量が大きくなってきている。このため、前述した
半導体露光装置においても、ウェハの位置決め精度の向
上が必要であるが、半導体露光装置においては、ウェハ
が搭載されるステージの発進停止の反力を受けて振動す
る。この振動は回路パターンの撮影精度の低下原因を生
じ、半導体の集積密度の向上に際し障害になっている。
りの容量が大きくなってきている。このため、前述した
半導体露光装置においても、ウェハの位置決め精度の向
上が必要であるが、半導体露光装置においては、ウェハ
が搭載されるステージの発進停止の反力を受けて振動す
る。この振動は回路パターンの撮影精度の低下原因を生
じ、半導体の集積密度の向上に際し障害になっている。
本発明は」―述の事柄にもとづいてなされたもので、ス
テージの振動を早めに減衰させることができる半導体露
光装置を提供することを目的とする。
テージの振動を早めに減衰させることができる半導体露
光装置を提供することを目的とする。
本発明の手記の目的は、直交２軸方向に移動するステー
ジを備える半導体露光装置において、前記ステージを保
持する本体に設けられ、ステージの移動に伴なって発生
する加振力を相殺する制振力発生手段と、これをロッド
を介して駆動するアクチュエータと、このアクチュエー
タに動力を供給する増幅器と、これに信号を供給する入
力部とを備えることにより達成される。
ジを備える半導体露光装置において、前記ステージを保
持する本体に設けられ、ステージの移動に伴なって発生
する加振力を相殺する制振力発生手段と、これをロッド
を介して駆動するアクチュエータと、このアクチュエー
タに動力を供給する増幅器と、これに信号を供給する入
力部とを備えることにより達成される。
ステージの発進、停止時の加振力によりステージは振動
を生じるが、このステージの振動は、このステージの駆
動と同期して駆動される振制力発生手段からの制振力に
よって相殺される。これによってステージの振動を減衰
することができる。
を生じるが、このステージの振動は、このステージの駆
動と同期して駆動される振制力発生手段からの制振力に
よって相殺される。これによってステージの振動を減衰
することができる。
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図および第２図は本発明の装置の一実施例を示すも
ので、これらの図において、１はベース、２はベース１
上にばね３を介して支持された半導体露光装置本体で、
この本体２上にはステージが搭載されている。この本体
２上のステージ（図示せず）は平面内の直交２軸Ｘ、Ｙ
方向に移動される。４は本体２内に移動可能に設けられ
た質量体で、この質量体４はステージの振動を減衰させ
るための制振力を発生する。５，６は本体１内に設けた
アクチュエータである。これらのアクチュエータ５，６
と質量体４とは、それぞれ継手７Ａ。
ので、これらの図において、１はベース、２はベース１
上にばね３を介して支持された半導体露光装置本体で、
この本体２上にはステージが搭載されている。この本体
２上のステージ（図示せず）は平面内の直交２軸Ｘ、Ｙ
方向に移動される。４は本体２内に移動可能に設けられ
た質量体で、この質量体４はステージの振動を減衰させ
るための制振力を発生する。５，６は本体１内に設けた
アクチュエータである。これらのアクチュエータ５，６
と質量体４とは、それぞれ継手７Ａ。
７Ｂおよびロッド８によって連結されている。
前述したアクチュエータ３，４の駆動系の一例を第３図
を用いて説明する。この図において第１図および第２図
と同符号のものは同一部分である。
を用いて説明する。この図において第１図および第２図
と同符号のものは同一部分である。
アクチュエータ５，６は液圧シリンダで構成されている
。９は液圧源、１０は液圧源９から液圧シリンダ５，６
へ供給される圧液を制御するサーボ弁、１１はタンク、
１２は増幅器、１３は人力部である。
。９は液圧源、１０は液圧源９から液圧シリンダ５，６
へ供給される圧液を制御するサーボ弁、１１はタンク、
１２は増幅器、１３は人力部である。
次に上述した本発明の装置の一実施例の動作を説明する
。
。
半導体露光装置のステージが例えばＸ軸方向に駆動され
た場合、入力部１３はステージの駆動に同期して発生す
る指令によりサーボ弁１０を制御する。これにより、サ
ーボ弁１０は液圧源９からの液圧をアクチュエータ５に
供給するので、アクチュエータ５は質量体４を加振駆動
する。この場合、質量体４はステージの発進、停止によ
り発生する振動と逆位相の力を加えてその振動を制振す
る。その結果、ステージの発進、停止時の振動がすみや
かに減衰され、その位置決め精度を高めることができる
。
た場合、入力部１３はステージの駆動に同期して発生す
る指令によりサーボ弁１０を制御する。これにより、サ
ーボ弁１０は液圧源９からの液圧をアクチュエータ５に
供給するので、アクチュエータ５は質量体４を加振駆動
する。この場合、質量体４はステージの発進、停止によ
り発生する振動と逆位相の力を加えてその振動を制振す
る。その結果、ステージの発進、停止時の振動がすみや
かに減衰され、その位置決め精度を高めることができる
。
なお、上述の実施例は質量体を直線方向に移動するもの
としたが、第４図に示すように振子式の質量体１４、ま
たは第５図に示すように回転式の質量体１５を用いるこ
ともできる。また、制御系として、第６図に示すように
、本体２に、その振動を検出する検出器１６を設け、こ
の検出器１６で検出した本体２の振動をフィードバック
増幅器１７を通して入力側に負帰還するようにしても良
い。
としたが、第４図に示すように振子式の質量体１４、ま
たは第５図に示すように回転式の質量体１５を用いるこ
ともできる。また、制御系として、第６図に示すように
、本体２に、その振動を検出する検出器１６を設け、こ
の検出器１６で検出した本体２の振動をフィードバック
増幅器１７を通して入力側に負帰還するようにしても良
い。
本発明によれば、半導体露光装置のステージの移動によ
って発生する振動を防止することができるので、半導体
露光装置の位置決め精度が向上し、高密度の半導体の製
作が可能となるものである。
って発生する振動を防止することができるので、半導体
露光装置の位置決め精度が向上し、高密度の半導体の製
作が可能となるものである。
第１図は本発明の半導体露光装置の一実施例を示す平面
図、第２図はその正面図、第３図はその駆動制御系を示
す図、第４図および第５図はそれぞれ本発明の装置を構
成する制振力発生手段の他の実施例を示す図、第６図は
本発明の装置を構成する駆動系の他の例を示す図である
。 １・・・ベース、２・・・本体、３・・・ばね、３・・
・質量体、５．６・・・アクチュエータ、７Ａ、７Ｂ・
・・継手、８・・・ロッド、９・・・液圧源、１０・・
・サーボ弁、１２・・・増幅器、１：う・・・入力部、
１４．１５・・・質量体、１６・・・検出器。
図、第２図はその正面図、第３図はその駆動制御系を示
す図、第４図および第５図はそれぞれ本発明の装置を構
成する制振力発生手段の他の実施例を示す図、第６図は
本発明の装置を構成する駆動系の他の例を示す図である
。 １・・・ベース、２・・・本体、３・・・ばね、３・・
・質量体、５．６・・・アクチュエータ、７Ａ、７Ｂ・
・・継手、８・・・ロッド、９・・・液圧源、１０・・
・サーボ弁、１２・・・増幅器、１：う・・・入力部、
１４．１５・・・質量体、１６・・・検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、直交２軸方向に移動するステージを備える半導体露
光装置において、前記ステージを保持する本体に設けら
れ、ステージの移動に伴なつて発生する加振力を相殺す
る制振力発生手段と、これをロッドを介して駆動するア
クチュエータと、このアクチュエータに動力を供給する
増幅器と、これに信号を供給する入力部とを備えたこと
を特徴とする半導体露光装置。 ２、前記制振力発生手段は振子式の揺動質量体であり、
この重心部をロッドを介してアクチュエータで駆動され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
露光装置。３、前記制振力発生手段は回転質量体で構成
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体露光装置。 ４、前記制振力発生手段は直線移動する質量体で構成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
露光装置。 ５、制振力発生手段の駆動アクチュエータは液圧シリン
ダで構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第４項のいずれかに記載の半導体露光装置。 ６、前記入力部は装置の振動を検知し、これと目標値と
比較した信号と、ステージの移動によつて生じる加振力
に相当する信号とを、ステージの移動に同期してアクチ
ュエータに加えることを特徴とする特許請求の範囲第６
項記載の半導体露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61060570A JPS62219635A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61060570A JPS62219635A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 半導体露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219635A true JPS62219635A (ja) | 1987-09-26 |
Family
ID=13146048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61060570A Pending JPS62219635A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219635A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0278836U (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-18 | ||
| JPH05234842A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| EP0740141A2 (en) * | 1995-04-27 | 1996-10-30 | Doryokuro Kakunenryo Kaihatsu Jigyodan | Electromagnetic rotary vibration for rotary body and damper using the same rotary body |
| WO1999053217A1 (fr) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Nikon Corporation | Systeme d'elimination des vibrations et d'exposition |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP61060570A patent/JPS62219635A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0278836U (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-18 | ||
| JPH05234842A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
| EP0740141A2 (en) * | 1995-04-27 | 1996-10-30 | Doryokuro Kakunenryo Kaihatsu Jigyodan | Electromagnetic rotary vibration for rotary body and damper using the same rotary body |
| EP0740141A3 (en) * | 1995-04-27 | 1997-11-19 | Doryokuro Kakunenryo Kaihatsu Jigyodan | Electromagnetic rotary vibration for rotary body and damper using the same rotary body |
| WO1999053217A1 (fr) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Nikon Corporation | Systeme d'elimination des vibrations et d'exposition |
| US6472840B1 (en) | 1998-04-09 | 2002-10-29 | Nikon Corporation | Vibration cancellation apparatus and exposure apparatus |
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