JPS6221875B2 - - Google Patents

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JPS6221875B2
JPS6221875B2 JP53051350A JP5135078A JPS6221875B2 JP S6221875 B2 JPS6221875 B2 JP S6221875B2 JP 53051350 A JP53051350 A JP 53051350A JP 5135078 A JP5135078 A JP 5135078A JP S6221875 B2 JPS6221875 B2 JP S6221875B2
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JP
Japan
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cation exchange
caustic alkali
exchange membrane
concentration
groups
Prior art date
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Application number
JP53051350A
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English (en)
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JPS54143798A (en
Inventor
Naohiro Murayama
Teruo Sakagami
Makoto Fukuda
Shiro Suzuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kureha Corp
Original Assignee
Kureha Corp
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Publication date
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Publication of JPS54143798A publication Critical patent/JPS54143798A/ja
Publication of JPS6221875B2 publication Critical patent/JPS6221875B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01Products
    • C25B1/34Simultaneous production of alkali metal hydroxides and chlorine, oxyacids or salts of chlorine, e.g. by chlor-alkali electrolysis
    • C25B1/46Simultaneous production of alkali metal hydroxides and chlorine, oxyacids or salts of chlorine, e.g. by chlor-alkali electrolysis in diaphragm cells

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は苛性アルカリ水溶液の製造方法に関す
るものであり、更に詳しくはカルボキシル基を陽
イオン交換基の一部とする0.7〜1.5ミリグラム当
量/グラムドライレジンの交換容量を有する陽イ
オン交換膜を用い、ハロゲン化アルカリ水溶液を
電解するに際し、陰極室の苛性アルカリの濃度を
37〜50%の範囲内に維持し、かつ陽極室から陰極
室へ透過する透過水量を2.38〜3.2グラム/時・
アンペアに調節することにより高濃度苛性アルカ
リを85%以上の電流効率で製造することを特徴と
する苛性アルカリの製造法に関するものである。 ハロゲン化アルカリ水溶液の電解において、陽
イオン交換膜を使用することによりアスベスト隔
膜の使用に比して、含有塩化アルカリ量を少なく
し、高純度の苛性アルカリが得られることは既に
知られている。 しかし1枚の陽イオン交換膜を用いる2室法で
は、85%以上の電流効率で20%以上の苛性アルカ
リを得ることは困難であり、濃厚な苛性アルカリ
を得るためには、電解によつて得られた苛性アル
カリを更に別のイオン交換膜を通して濃縮する
か、或いは蒸発等の方法により濃縮する工程を必
要とする。 ハロゲン化アルカリ水溶液を電解する場合に要
求される陽イオン交換膜の性質として、 (1) 高濃度の苛性アルカリを取扱う場合にも高い
陽イオン選択性を示すこと、 (2) 陽イオン交換膜の電気抵抗が小さく、安価な
電力で苛性アルカリが生産されること、 (3) 陽イオン交換膜がハロゲン化アルカリ電解に
耐えうる耐薬品性を備えていること、 が挙げられる。 現在陽イオン交換膜として以上の点から弗素系
ポリマーを膜母体としスルホン酸基を交換基とす
るものが使用されているが、高い陽イオン選択性
を示すものが得られておらず、特に高濃度の苛性
アルカリを取扱う場合には、その電流効率は大巾
に低下する。このため弗素系ポリマーを膜母体と
し、スルホン酸基を交換基とするものを陽イオン
交換膜に使用し、その電流効率を大にするため、
陰極室からのOH-の陽極室への移動をできるだ
け少なくするため、種々の方法により、陽極室よ
り陰極室へ水を移行させる方法が考案されてい
る。しかしながらこの場合でも電流効率は陰極液
の苛性アルカリ濃度がある値でピークを生じ、苛
性アルカリ濃度が37〜38%程度以上になると電流
効率が低下することを防ぐことができなかつた。
このピーク値は、陽イオン交換膜の交換容量、陽
極室のハロゲン化アルカリ濃度、陰極室の苛性ア
ルカリ濃度、その他電流密度等の電解条件によつ
て支配され変化する。従つてこれらの値の変動に
より電流効率が変化し、37〜38%程度以上特に44
〜50%での高い苛性アルカリ濃度で85%以上の高
い電流効率を安定に維持することは極めて困難で
あつた。 本発明者等はかかる要求を満足すべく鋭意研究
の結果、カルボキシル基を陽イオン交換基の一部
とする0.7〜1.5ミリグラム当量/グラムドライレ
ジンの交換容量を有する陽イオン交換膜を使用
し、ハロゲン化アルカリ水溶液を二室型電解槽に
より電解するに当り、陰極室に膜を介して2.38〜
3.2グラム/時・アンペアの水を陽極室から透過
させ、かつ生成苛性アルカリ濃度を37〜50%の範
囲に保つ電解方法をとることにより85%以上の高
い電流効率で、かつ37%以上の高い濃度の苛性ア
ルカリを収得し得ることを見い出した。 即ち本発明の特徴は、第1に陽イオン交換膜と
して、カルボキシル基を陽イオン交換基の一部と
する膜を用いることである。 第2の特徴はその電解方法にある。即ち陽極室
から陽イオン交換膜を介して陰極室へ透過する水
量が2.38〜3.2グラム/時・アンペアの量である
ように電解し、かつ生成苛性アルカリ濃度を37〜
50%の範囲、好ましくは44〜50%に保つことであ
る。 本発明で用いられる陽イオン交換膜は、少なく
ともカルボキシル基をその陽イオン交換基の一部
として所有しており、カルボキシル基の他の交換
基に対する割合はそれぞれ場合により異なるが、
少なくとも0.1%以上を含むことが必要である。
陽イオン交換基としては、他にスルホン酸基、フ
エノール基、リン酸基等が知られているが、本発
明ではカルボキシル基を主成分とするイオン交換
基層はイオン交換膜の片面であつても両面であつ
てもかまわないが、少なくとも1μ以上の厚みを
もつことが望ましい。この層のカルボキシル基は
前記イオン交換基総量の約80%以上を占有してい
ることが望ましい。カルボキシル基を主成分とす
るイオン交換基層は例えばスルホン酸からなるイ
オン交換膜の片面乃至両面を還元することにより
生成され、その反応条件により層の厚みが決定さ
れる。 またこのカルボキシル基を含む陽イオン交換膜
の交換容量は、0.7〜1.5ミリグラム当量/グラム
ドライレジンの範囲であることが必要であり、こ
の値より小さな交換容量では電気抵抗が大きくな
り、またこの値より大きな交換容量のものでは水
に対する膨潤性が大となり、却つてイオン選択性
が悪くなり、電流効率の低下につながる。従つて
この条件を満足しない陽イオン交換膜では本発明
における高濃度の苛性アルカリ領域で低抵抗で、
かつ高い電流効率を達成し得ない。 カルボキシル基を80%以上占有している陽イオ
ン交換膜の層が1μより薄くては、カルボキシル
基を陽イオン交換基とする特有の効果が表われな
いし、有利な電解を行なうことができない。 陽イオン交換膜の素材は特に限定はないが、ハ
ロゲン化アルカリ水溶液電解に充分耐え得るもの
である必要がある。例えばパーフロロカーボンよ
りなる素材であれば申し分ないが、ハイドロカー
ボンよりなるものである場合には、特に陽極側を
保護する必要がある。例えばパーフロロカーボン
よりなる他のイオン交換膜乃至は多孔膜とはり合
わせる等の方法がある。 これ等パーフロロカーボンを膜素材として、カ
ルボキシル基を含有する陽イオン交換膜としては
特開昭52−24176号で述べられているパーフロロ
スルフオン酸からなるイオン交換膜を還元して得
られるパーフロロカルボン酸イオン交換基を一部
に有する陽イオン交換膜は好ましいものの一つで
ある。 次に本発明の電解方法においては、陽極室から
陽イオン交換膜を介して陰極室へ透過する水量
を、2.38〜3.2グラム/時・アンペアの量の範囲
とし、かつ生成する苛性アルカリ濃度を37〜50%
の範囲に維持せねばならない。即ち透過水量が上
述の範囲以外のもの、即ち透過水量が少ないもの
は、苛性アルカリ濃度が40〜50%の範囲に維持さ
れても、電解時に膜電気抵抗が増大し槽電圧が大
となるし、又透過水量がこの範囲を越えるもの
は、充分な電流効率がもたらされないばかりか、
高濃度の苛性アルカリを容易に製造できない。こ
れらの条件を満足するためには、次の電解方式を
とることが必要である。 即ち苛性アルカリを生産する陰極室には、苛性
アルカリ更には水の補給を全く行なわないで陰極
室への水の補給は全て陽極側から陽イオン交換膜
を透過するものだけにする方法をとることであ
る。 この電解方法をとる場合、陰極室の水は陽極室
側の膜を透過して移動する水だけが補給されるこ
とになる。故に陰極室内の苛性アルカリ濃度は、
膜および陽極室のハロゲン化アルカリ濃度により
大略は決定される。即ち膜および電流密度を一定
とすると、陰極室内の苛性アルカリ濃度は陽極室
ハロゲン化アルカリ濃度によつて決定され、陽極
室に補給されるハロゲン化アルカリ濃度及びその
分解率によつて決定されることになる。故に陰極
室苛性アルカリ濃度は、膜および電流密度および
ブライン分解率を一定とすると、陽極室へ補給す
るハロゲン化アルカリ濃度によつて大略調節する
ことが可能となる。 しかし本発明で有効な苛性アルカリ濃度は37〜
50%の範囲であり、この範囲に生成苛性アルカリ
濃度を調節する必要がある。 本発明において、更にもう一つ重要なことは、
上述の如く苛性アルカリ濃度を37〜50%に調節し
ても、陽極室から陽イオン交換膜を介して陰極室
へ透過する水量が、2.38〜3.2グラム/時・アン
ペアの範囲である必要があることである。 本発明において有効なイオン交換基容量は、前
述の如く0.7〜1.5ミリグラム当量/グラムドライ
レジンであり、かつ陰極室苛性アルカリ濃度は37
〜50%で、透過水量が2.38〜3.2グラム/時・ア
ンペアであるためには、自から陽極室ブライン
(ハロゲン化アルカリ水溶液)濃度が限定され
る。陽極室ブライン濃度は供給ブライン濃度と分
解率によつて決定されるが、陽極室ブライン濃度
は大略8〜20%水溶液が適当な範囲である。 本発明は陽極室から陰極室へ透過する透過水量
を、2.38〜3.2グラム/時・アンペアに調節する
ことが要件となるが、何れにせよカルボキシル基
を陽イオン交換基の一部とする0.7〜1.5ミリグラ
ム当量/グラムドライレジンの交換容量を有する
陽イオン交換膜を使用して初めて従来使用されて
きたスルホン基をイオン交換基とする陽イオン交
換膜と異なり、陰極室における37〜50%、好まし
くは44〜50%の高い苛性アルカリ濃度にも拘らず
電流効率85%以上の高い能率で電解を行なうこと
ができるのである。カルボキシル基のかかる効果
は、スルホン酸基やフエノール基等に比し、酸性
度恒数が小さいこと、膨潤性の小さいこと等が何
等かの影響を与えているものと考えられる。 以下本発明の理解を助けるために実施例により
説明する。 実施例 1 E.I.デユポン社製のスルホン酸基を陽イオン交
換基とするパーフロロ系イオン交換膜ナフイオン
N−110(デユポン社製商品名)(交換容量0.92ミ
リグラム当量/グラムドライレジン、厚み254
μ)を五塩化リンとオキシ塩化リンの重量比で1
対1の混合物中に120℃で48時間浸漬させた。こ
の膜を四塩化炭素中に80℃で30分間浸漬の後、表
面赤外スペクトルを取ると、表面の−SO3H基に
基づく1060cm-1の吸収は−SO2Cl基に基づく
(1420cm-1)の吸収に全部変化していた。顕微鏡に
より断面を観察すると均一な構造であり、−
SO2Clに全て変化していると考えられる。 この膜を更に57%のヨウ化水素酸水溶液中に入
れ、100℃で72時間保つた。この膜を10分間流水
中で洗浄の後、80℃の温水中に30分間浸漬させ
た。この膜の断面の顕微鏡観察からは明らかに三
層になつており、未反応部分は中間層の部分と考
えられ、この部分は膜厚の約2/3程度であつた。 この膜の表面赤外吸収スペクトル、即ち反応部
分には1780cm-1のカルボン酸基に基づく吸収が出
現し、−SO2Clに基づく吸収はすべて消失してい
た。 尚この陽イオン交換膜のイオン交換容量を測定
すると0.95ミリグラム当量/グラムドライレジン
であつた。この膜をメタノール−水−苛性ソーダ
の2.5モル溶液(メタノール/水=1/1(容
量))中に80℃で24時間浸漬の後にNaCl電解を行
なつた。電解条件は第1表の如くである。
【表】 陽極室に供給するブライン濃度を10%から17%
に変化させ、NaClの分解率を10%に維持し、ま
た陰極室には全く水を供給しないでNaCl電解を
行なつた時の電流効率と槽電圧および陽極室から
陰極室へ膜を介して透過した水量を第2表に示
す。
【表】 このように本発明の如く苛性ソーダ濃度を37〜
50%に維持し、水透過量を2.38〜3.2グラム/
時・アンペアに調節することにより極めて高い電
流効率でまた低い槽電圧で高濃度の苛性アルカリ
を製造できる。 尚、陽極より陽イオン交換膜を介して、陰極室
へ透過する透過水量の算出は、一定時間に陰極室
内に製造された苛性ソーダの含有水および電気分
解により消費された水の量およびこの時の電流量
より求めた。 比較例 1 実施例1で用いた同じ陽イオン交換膜を第1表
の条件下で26%のNaCl水溶液を供給ブラインと
し、分解率10%でNaCl電解を行なつた。この際
陰極室には陰極室の苛性ソーダ濃度が47%になる
よう水を供給してコントロールした。この時の槽
電圧、水透過量、電流効率を第3表に示す。
【表】 以上のように水透過量の少ない電解では実施例
1に比較し槽電圧は著しく高く、電流効率も低い
ものしか得られないことが理解される。 比較例 2 E.I.デユポン社製のナフイオンN−110(交換
容量0.92ミリグラム当量/グラムドライレジン、
厚み254μ)をカルボキシル基に変化させること
なくそのまま使用した。水中に1昼夜浸漬の後、
NaCl電解を行なつた。電解条件は実施例1と同
様である。 陽極室に供給するブライン濃度がNaCl20%の
ときおよび26%のときを第5表に示す。
【表】 即ち水透過量は容易に上昇せず、かつ苛性ソー
ダの高濃度の所ではカルボキシル基を有しない陽
イオン交換膜では電流効率は極めて低く、本発明
陽イオン交換膜を使用した場合の効果の著しいこ
とが判る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 カルボキシル基を陽イオン交換基の一部とす
    る0.7〜1.5ミリグラム当量/グラムドライレジン
    の交換容量を有する陽イオン交換膜を用い、ハロ
    ゲン化アルカリ水溶液を電解するに際し、陽極室
    のハロゲン化アルカリ濃度を8〜20%の範囲内と
    しかつ陰極室への水の補給は全て陽極側から陽イ
    オン交換膜を透過するものだけとすることによつ
    て、陰極室の苛性アルカリの濃度を37〜50%の範
    囲内に維持し、かつ陽極室から陰極室へ陽イオン
    交換膜を介して透過する透過水量を2.38〜3.2グ
    ラム/時・アンペアに調節することにより高濃度
    苛性アルカリを85%以上の電流効率で製造するこ
    とを特徴とする苛性アルカリの製造法。 2 苛性アルカリの濃度を44〜50%の範囲に維持
    し、かつ高濃度苛性アルカリを85%以上の高電流
    効率で製造する特許請求の範囲第1項記載の苛性
    アルカリの製造法。 3 カルボキシル基を主体とするイオン交換膜層
    が少なくとも1μ以上であり、カルボキシル基を
    陽イオン交換基の一部とする0.7〜1.5ミリグラム
    当量/グラムドライレジンの交換容量を有する陽
    イオン交換膜を用いる特許請求の範囲第1項記載
    の苛性アルカリの製造法。 4 スルホン酸基を有する弗素系ポリマーからな
    る陽イオン交換膜のスルホン酸基を還元すること
    により、一部をカルボキシ化した陽イオン交換膜
    を使用する特許請求の範囲第1項記載の苛性アル
    カリの製造法。
JP5135078A 1978-04-28 1978-04-28 Production of caustic alkali Granted JPS54143798A (en)

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JPS54143798A JPS54143798A (en) 1979-11-09
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