JPS62217646A - Lsi冷却用フインの製造法 - Google Patents
Lsi冷却用フインの製造法Info
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- JPS62217646A JPS62217646A JP61059185A JP5918586A JPS62217646A JP S62217646 A JPS62217646 A JP S62217646A JP 61059185 A JP61059185 A JP 61059185A JP 5918586 A JP5918586 A JP 5918586A JP S62217646 A JPS62217646 A JP S62217646A
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- thin
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- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 12
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、LSI冷却用フィンの製造方法に関する。
近年、電子計算機に代表される各種半導体装置は、その
小形化が著しく促進されておシ1、この装置内に収納さ
れる電子部品の集積度も非常に高いものとなっている。
小形化が著しく促進されておシ1、この装置内に収納さ
れる電子部品の集積度も非常に高いものとなっている。
従って、これら電子部品の放熱を効率良く行うことが重
要な課題の一つになっている。特にLSI等の半導体を
冷却する際には冷却フィンの熱抵抗がジャンクションか
ら空気までの全体の熱抵抗の大半を占める。このため、
冷却フィンの熱抵抗を低下させることが、半導体の冷却
をうまく行う上で重要となっている。
要な課題の一つになっている。特にLSI等の半導体を
冷却する際には冷却フィンの熱抵抗がジャンクションか
ら空気までの全体の熱抵抗の大半を占める。このため、
冷却フィンの熱抵抗を低下させることが、半導体の冷却
をうまく行う上で重要となっている。
ところが、従来の半導体用冷却フィン(実公昭53−2
1002号)は、フィンの肉JcAがかなり厚くしかも
放熱面積もそれ程大きくなかったため、半導体装置とし
て組んだ際に、圧損が大きくしかも放熱性能が十分に良
くなっていなかった。これは、従来の放熱フィンは引抜
き、押出しあるいは切削により加工されていたため、圧
損の少ない薄肉のフィンを作ることが極めて困難であり
、フィンの板厚はせいぜい1m程度になるように作られ
ていたためである。
1002号)は、フィンの肉JcAがかなり厚くしかも
放熱面積もそれ程大きくなかったため、半導体装置とし
て組んだ際に、圧損が大きくしかも放熱性能が十分に良
くなっていなかった。これは、従来の放熱フィンは引抜
き、押出しあるいは切削により加工されていたため、圧
損の少ない薄肉のフィンを作ることが極めて困難であり
、フィンの板厚はせいぜい1m程度になるように作られ
ていたためである。
一方、フィンの肉厚を減少させるとフィン前後でのよど
み流れをなくすことができ、伝熱性能が大巾に向上する
。しかし、製造価格上の問題があった。
み流れをなくすことができ、伝熱性能が大巾に向上する
。しかし、製造価格上の問題があった。
上記従来技術は、押出し加工等フィンの製造上の制約か
らフィン肉厚を薄くできなかった。このためフィンの通
風抵抗が大きく、又伝熱面積を大きくとれず、LSIの
冷却性能が問題となっている。特に超大形コンピュータ
などにおいては、フィンの熱抵抗が冷却上の障害となっ
ている。
らフィン肉厚を薄くできなかった。このためフィンの通
風抵抗が大きく、又伝熱面積を大きくとれず、LSIの
冷却性能が問題となっている。特に超大形コンピュータ
などにおいては、フィンの熱抵抗が冷却上の障害となっ
ている。
一方、薄肉のフィンを用いることの欠点を除去すること
ができるが、製造価格上の問題があった。
ができるが、製造価格上の問題があった。
本発明の目的は、薄肉のLSI用冷却フィンを安価に供
給できるLSI冷却用フィンの製造法を提供することに
ある。
給できるLSI冷却用フィンの製造法を提供することに
ある。
上記目的は、L字状またはコの字状あるいはジグザグ状
の銅あるいはアルミのような熱伝導性の良い厚さ0.0
5〜0.5−の薄板を、下面がLSIパッケージに接着
される厚さ1〜3m++の金属板に、超音波溶接するこ
とにより、達成される。
の銅あるいはアルミのような熱伝導性の良い厚さ0.0
5〜0.5−の薄板を、下面がLSIパッケージに接着
される厚さ1〜3m++の金属板に、超音波溶接するこ
とにより、達成される。
超音波溶接機は、第2図に示すように超音波発振器と振
動子ユニットから構成されており、振動子ユニットは、
振動子および超音波振動源より成る。
動子ユニットから構成されており、振動子ユニットは、
振動子および超音波振動源より成る。
この超音波溶接により、第1図に示すように薄肉のフィ
ン4をベース3に接続させることができる。
ン4をベース3に接続させることができる。
超音波溶接は、被接合物を密着させ加圧した状態で強力
超音波を加え、同相状態で接合する方法であり、板・薄
箔または細線の接合に特に適してい名。
超音波を加え、同相状態で接合する方法であり、板・薄
箔または細線の接合に特に適してい名。
/・超音波溶接の原理を第2図により説明する。同種あ
るいは異種の金属板A・・・6.金属板B・・・7を
1重ねてアンビル(作業台)5の上に置き、振動子1を
通して静荷重を加えた状態でお互いの接触面が擦れ合う
ような方向に振動子1を振動させると。
るいは異種の金属板A・・・6.金属板B・・・7を
1重ねてアンビル(作業台)5の上に置き、振動子1を
通して静荷重を加えた状態でお互いの接触面が擦れ合う
ような方向に振動子1を振動させると。
2つの金属は1秒程度の時間で溶接される。この振動は
、周波数が15〜60KHz、振幅が数2m〜100μ
m8度のものである。
、周波数が15〜60KHz、振幅が数2m〜100μ
m8度のものである。
本発明では、上述の超音波溶接をLSI冷却用フィンの
製造に適用する。すなわち、熱伝導性の良い金属製の薄
板を超音波溶接を用いて1枚ないし複数枚他の金属板上
に溶接することにより、薄肉の工、SI冷却フィンを構
成させる。
製造に適用する。すなわち、熱伝導性の良い金属製の薄
板を超音波溶接を用いて1枚ないし複数枚他の金属板上
に溶接することにより、薄肉の工、SI冷却フィンを構
成させる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
本発明においては、振動子1は金属性の円板であり;1
ケないし複数個が主軸2に固定されている。振動子は、
加圧力5 kg〜40kgで被溶接材料を、アンビル5
との間で押えつける。振動子1は送り速度150〜15
00■/ rn i nで回転しなから ′被溶接物上
を進むようになっている。この送りと同時に振動子1は
超音波振動をし、被溶接物の溶接を行う。振動の周波数
は約20 K Hzであり。
ケないし複数個が主軸2に固定されている。振動子は、
加圧力5 kg〜40kgで被溶接材料を、アンビル5
との間で押えつける。振動子1は送り速度150〜15
00■/ rn i nで回転しなから ′被溶接物上
を進むようになっている。この送りと同時に振動子1は
超音波振動をし、被溶接物の溶接を行う。振動の周波数
は約20 K Hzであり。
振動方向は主軸方向であって振幅は数10μmである。
L、SI冷却用フィンは、肉厚1〜3mのアルミニウム
板または銅板を折り曲げたベース3ならびに肉厚0.0
5〜0.5膿の熱伝導の良いアルミニウムあるいは鋼の
薄板を間隔が1〜3+mとなるようコの字状に折り曲げ
たフィン4によって構成されている。フィン4同志の間
隔もコの字状板の間隔とほぼ同じである。
板または銅板を折り曲げたベース3ならびに肉厚0.0
5〜0.5膿の熱伝導の良いアルミニウムあるいは鋼の
薄板を間隔が1〜3+mとなるようコの字状に折り曲げ
たフィン4によって構成されている。フィン4同志の間
隔もコの字状板の間隔とほぼ同じである。
本実施例においては、フィン4はベース3に仮止めされ
ている。この冷却フィンをアンビル5の上におき、主軸
2の位置合せを行い、フィン4の端面を5〜40kg程
度の圧力で振動子1で押えつける。この状態において、
振動子1を超音波振動させると同時に、主軸2の高さを
一定に保ち、振動子1をゆっくり回転させる。この超音
波振動によって、フィン4とベース3の界面において接
触部の酸化皮膜等が静圧力による圧縮変形と振動により
破壊、除去されて清浄な面が接触し、弾性変形および局
部的な塑性流動が生じて、これによる温度上昇と相まっ
て金属原子間の結合が生じて接合が行われる。本実施例
によれば、フィン4のベース3への接合が容易であり、
薄肉フィンを低コストで作ることができる。
ている。この冷却フィンをアンビル5の上におき、主軸
2の位置合せを行い、フィン4の端面を5〜40kg程
度の圧力で振動子1で押えつける。この状態において、
振動子1を超音波振動させると同時に、主軸2の高さを
一定に保ち、振動子1をゆっくり回転させる。この超音
波振動によって、フィン4とベース3の界面において接
触部の酸化皮膜等が静圧力による圧縮変形と振動により
破壊、除去されて清浄な面が接触し、弾性変形および局
部的な塑性流動が生じて、これによる温度上昇と相まっ
て金属原子間の結合が生じて接合が行われる。本実施例
によれば、フィン4のベース3への接合が容易であり、
薄肉フィンを低コストで作ることができる。
第3図は、本発明の他の実施例である6本実施例におい
ては、冷却フィンは肉厚0.05〜0.5mの熱伝導の
良い薄板をフィンとフィンの間隔が1〜31TI11と
なるようにジグザク状に折り曲げたフィン4と肉J、’
21〜3Mnのアルミニラ11板あるいは銅板を折り曲
げたベース3により構成されている。
ては、冷却フィンは肉厚0.05〜0.5mの熱伝導の
良い薄板をフィンとフィンの間隔が1〜31TI11と
なるようにジグザク状に折り曲げたフィン4と肉J、’
21〜3Mnのアルミニラ11板あるいは銅板を折り曲
げたベース3により構成されている。
本実施例によれば、冷却用フィンを作る際の部品点数が
減り、またその機械的強度が向上するという利点がある
。さらに、フィン4の安定性が良いため、ベース3への
仮止めを必要としない。
減り、またその機械的強度が向上するという利点がある
。さらに、フィン4の安定性が良いため、ベース3への
仮止めを必要としない。
図の例ではベースを折り曲げて側壁の強度を増している
が、ベースは平板のままでも良い。
が、ベースは平板のままでも良い。
以上の実施例においては、振動子1が1本の主軸2に複
数個ついていたが、振動子1と主軸2の組が複数組あっ
ても良い。
数個ついていたが、振動子1と主軸2の組が複数組あっ
ても良い。
本発明によれば、薄肉のフィンを容易に量産することが
できるので、高性能なLSI用冷却フィンを安価に提供
することができる。
できるので、高性能なLSI用冷却フィンを安価に提供
することができる。
第1図は本発明の一実施例の説明図、第2図は、超音波
溶接の説明図、第3図は、本発明の他の実施例の説明図
である。 1・・・振動子、2・・・主軸、3・・・ベース、4・
・・フィン、5・・・アンビル。 2・・−主軸 3−・・公−ス 4・−フィン 5−一一了ンrル 奉 2 図 2・−・主軸 7・・・金4仮B
溶接の説明図、第3図は、本発明の他の実施例の説明図
である。 1・・・振動子、2・・・主軸、3・・・ベース、4・
・・フィン、5・・・アンビル。 2・・−主軸 3−・・公−ス 4・−フィン 5−一一了ンrル 奉 2 図 2・−・主軸 7・・・金4仮B
Claims (1)
- 1、肉厚0.05〜0.5mmの熱伝導性の良い金属で
できた薄板をピッチ1〜3mmで多数配列したLSIの
空気冷却用フィンにおいて、上記薄板を、下面がLSI
パッケージに接着されるように設けられた厚さ1〜3m
mの金属板に対して、超音波溶接を用いることにより接
続させることを特徴とするLSI冷却用フィンの製造法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61059185A JPS62217646A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | Lsi冷却用フインの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61059185A JPS62217646A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | Lsi冷却用フインの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62217646A true JPS62217646A (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=13106092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61059185A Pending JPS62217646A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | Lsi冷却用フインの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62217646A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001030087A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-06 | Denso Corp | 超音波接合方法 |
US6494976B1 (en) | 1999-05-18 | 2002-12-17 | Denso Corporation | Ultrasonically joining apparatus and ultrasonically joining method |
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JP2010184267A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Nippon Light Metal Co Ltd | 金属部材の接合方法及び金属部材の接合装置 |
JP2011177736A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Kyocera Kinseki Corp | 超音波シーム溶接装置 |
JP2011187199A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Panasonic Corp | 誘導加熱コイル |
JP2017084883A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | スタンレー電気株式会社 | グラファイトを用いたヒートシンク、および、発光装置 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP61059185A patent/JPS62217646A/ja active Pending
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