JPS62217520A - 真空インタラプタの電極材料 - Google Patents
真空インタラプタの電極材料Info
- Publication number
- JPS62217520A JPS62217520A JP6016286A JP6016286A JPS62217520A JP S62217520 A JPS62217520 A JP S62217520A JP 6016286 A JP6016286 A JP 6016286A JP 6016286 A JP6016286 A JP 6016286A JP S62217520 A JPS62217520 A JP S62217520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- vacuum
- electrode material
- electrode
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 title claims description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 4
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、真空インタラプタの電極材料に関する。
B1発明の概要
本発明は、真空インタラプタの電極材料において、
電極材料を、銅30〜80重量−、モリブデン5〜50
重i%、クロム5〜50重量%、ビスマス0.5〜20
重量%およびコバルト0.5〜10重量−の合金により
形成することにエリ、さい断電流値が極めて小ちい真空
インタラゲタの電極材料を得ることができるようにし友
ものである。
重i%、クロム5〜50重量%、ビスマス0.5〜20
重量%およびコバルト0.5〜10重量−の合金により
形成することにエリ、さい断電流値が極めて小ちい真空
インタラゲタの電極材料を得ることができるようにし友
ものである。
C1従来の技術
一般に、真空インタラゲタの電極材料は、■大電流をし
ゃ断する能力が高いこと、■絶縁耐力が高いこと、 ■耐溶着性が良好なこと、 ■嘔い@電流値が小さいこと、 等の条件を満足することが要求でれている。
ゃ断する能力が高いこと、■絶縁耐力が高いこと、 ■耐溶着性が良好なこと、 ■嘔い@電流値が小さいこと、 等の条件を満足することが要求でれている。
従来、と記条件を満足するものとし王、例えは特開昭5
9−27418号公報に開示される′@電極材料知られ
ている。かかる真空インタラプタの電極材料は、@(C
u)20〜70重量%、モリブデン(Mo) 10〜7
0重量%およびクロム(Cr)10〜70重it%の合
金により形成されている。
9−27418号公報に開示される′@電極材料知られ
ている。かかる真空インタラプタの電極材料は、@(C
u)20〜70重量%、モリブデン(Mo) 10〜7
0重量%およびクロム(Cr)10〜70重it%の合
金により形成されている。
D0発明が解決しようとする問題点
かかる従来の真空インタラプタの電極材料は、確かに前
記■〜■の条件をほぼ満足するものではあるが、回路条
件によっては一層の嘔い断電流値の小さいものが望まれ
ている。
記■〜■の条件をほぼ満足するものではあるが、回路条
件によっては一層の嘔い断電流値の小さいものが望まれ
ている。
E9問題点を解決するための手段
ところで、一般に、さい1fr′tIiL流値を小さく
するためには、低融点高蒸気圧材料であるビスマス。
するためには、低融点高蒸気圧材料であるビスマス。
テルル、アンチモ/、鉛等の元素を添加すれば工いこと
が知られている。荷にビスマス(BiJe添加すること
は、耐溶着性の改善も図れることからよく用いられてい
る。そこで、MOおよびCr粉、末により多孔質基材(
スケルトン)を形成し、この多孔質基材vcCuお工び
BtをCu−B1合金の状態で溶浸させて電極材料を製
造した。
が知られている。荷にビスマス(BiJe添加すること
は、耐溶着性の改善も図れることからよく用いられてい
る。そこで、MOおよびCr粉、末により多孔質基材(
スケルトン)を形成し、この多孔質基材vcCuお工び
BtをCu−B1合金の状態で溶浸させて電極材料を製
造した。
しかし、その電極材料には、溶浸欠陥(空孔)が生じて
しまい、!極材料として使用できないことが判った。
しまい、!極材料として使用できないことが判った。
そこで、発明者等は、溶浸欠陥を無くすため、ぬれ性を
改善すべく、さらにコバルト(Co)を添加することと
し友。COは、名い断を流値が比較的小さく、Cuとは
反応し難く、’EfcMOお工びCrとは反応し易いと
いう性質を有している。
改善すべく、さらにコバルト(Co)を添加することと
し友。COは、名い断を流値が比較的小さく、Cuとは
反応し難く、’EfcMOお工びCrとは反応し易いと
いう性質を有している。
、そして、檀々検討し九結果、次のような構成とするこ
とにより、従来の問題点を解決するに至つ友。
とにより、従来の問題点を解決するに至つ友。
すなわち、本発明は、Cu30〜80重量%、MO5〜
50重量%、Cr5〜50重量%、Bi0.5〜2oi
i%およびCo0.5〜10重量%から真空インタラゲ
タの電極材料を講成し九ものである。
50重量%、Cr5〜50重量%、Bi0.5〜2oi
i%およびCo0.5〜10重量%から真空インタラゲ
タの電極材料を講成し九ものである。
Cuが300重量未満の場合には、導電率が低下すると
ともに接触抵抗が大きくなつ工しまい、80重量%を越
える場合には、絶縁耐力が著しく低下するとともに耐溶
着性が急激に悪化してしまう。ま九、Moが5重量−未
満の場合には、絶縁耐力が低下するとともに耐溶着性が
悪化し、50重量%を越える場合には、電流さい断値が
大きくなるとともに大電流し中断能力が低下してし1う
。
ともに接触抵抗が大きくなつ工しまい、80重量%を越
える場合には、絶縁耐力が著しく低下するとともに耐溶
着性が急激に悪化してしまう。ま九、Moが5重量−未
満の場合には、絶縁耐力が低下するとともに耐溶着性が
悪化し、50重量%を越える場合には、電流さい断値が
大きくなるとともに大電流し中断能力が低下してし1う
。
さらに、Crが5重量−未満の場合には、電流さい断値
が著しく大きくなり、遅れ小電流しゃ断能力が低下し、
ま友耐溶着性が急激に悪化してしまい、50重量−を越
える場合には、導電率が低下し、大電流し中断能力が低
下してしまう。一方、Biが0.5重量−未満の場合に
は、さい断電流値低減の効果がなく、耐溶着性悪化し、
20重i:%を越える場合には、耐電圧特性及びろう付
性が悪くなる。
が著しく大きくなり、遅れ小電流しゃ断能力が低下し、
ま友耐溶着性が急激に悪化してしまい、50重量−を越
える場合には、導電率が低下し、大電流し中断能力が低
下してしまう。一方、Biが0.5重量−未満の場合に
は、さい断電流値低減の効果がなく、耐溶着性悪化し、
20重i:%を越える場合には、耐電圧特性及びろう付
性が悪くなる。
′!友、COが0.5m11%未満の場合には、さいl
!T電流値の低減効果がなく、溶浸欠陥が生じ、10重
量%を越える場合には、耐電圧特性が低下してしまう。
!T電流値の低減効果がなく、溶浸欠陥が生じ、10重
量%を越える場合には、耐電圧特性が低下してしまう。
20作用
上記構成の真空インタラプタの!極材料によれば、特開
昭59−27418号公報に記載ぢれ几Cu−MO−C
r合金の有する大* #t、Lや断能力や絶縁耐力等を
ほぼ維持しつつ、さい断電流値がちらに小さくなる。
昭59−27418号公報に記載ぢれ几Cu−MO−C
r合金の有する大* #t、Lや断能力や絶縁耐力等を
ほぼ維持しつつ、さい断電流値がちらに小さくなる。
G、実施例
以下、本発明を図に示す一実施例に基づき杵細に説明す
る。
る。
出は本発明に係る電極を備えた真空インタラプタの縦I
Ifr面図で、この真空インタラプタは、円筒状に成形
したガラスまたはセラミ・ンクス等の絶縁物からなる複
数(本実施例においては2本)の絶縁筒1.1を、それ
ぞれの両端に固着したコバール等の金属からなる薄肉円
環状の封着金具2.2゜・・・の一方を介し同軸的に接
合して1本の絶縁筒とするとともに、両開口部を他方の
封着金具2,2を介しステンレス鋼等からなる円板状の
金属端板3、乙により閉塞し、かつ内部を高真空に排気
して真空容器4が形成ちれている。この真空容1# 4
内には、1対の円板状の電極5.5が、各金属端板3.
3の中央部から真空容器4の気密性を保持して相対的に
接近離反自在に導入しt対をなす電極棒6.6を介し、
接触離反(接離)自在に設けられている。筐た、各電極
5は、Cu30〜80重量%、Mo5〜50重i%、C
r 5〜50重量慢。
Ifr面図で、この真空インタラプタは、円筒状に成形
したガラスまたはセラミ・ンクス等の絶縁物からなる複
数(本実施例においては2本)の絶縁筒1.1を、それ
ぞれの両端に固着したコバール等の金属からなる薄肉円
環状の封着金具2.2゜・・・の一方を介し同軸的に接
合して1本の絶縁筒とするとともに、両開口部を他方の
封着金具2,2を介しステンレス鋼等からなる円板状の
金属端板3、乙により閉塞し、かつ内部を高真空に排気
して真空容器4が形成ちれている。この真空容1# 4
内には、1対の円板状の電極5.5が、各金属端板3.
3の中央部から真空容器4の気密性を保持して相対的に
接近離反自在に導入しt対をなす電極棒6.6を介し、
接触離反(接離)自在に設けられている。筐た、各電極
5は、Cu30〜80重量%、Mo5〜50重i%、C
r 5〜50重量慢。
Bio、5〜20重量%およびCo 0.5〜1 (
lJtチの合金により形成されている。
lJtチの合金により形成されている。
なお、図において7は金属ベローズ、8は各電極5等f
、r町心状に囲繞する中間電位のシールドである。
、r町心状に囲繞する中間電位のシールドである。
電極5を製造するには、まず、粒径が74μm以下(−
200メヴシユンのMO扮末と、粒径が149 μm以
下(−100メツシユ)のCr粉末と、粒径が149
、gm以下(−100メヴシユ)のC。
200メヴシユンのMO扮末と、粒径が149 μm以
下(−100メツシユ)のCr粉末と、粒径が149
、gm以下(−100メヴシユ)のC。
粉末とを、無加圧で所定量機械的に混合する。そして、
この混合粉末をアルミナ客語に収納し、6、67 mP
a以下の圧力に保持し几真空炉中にて、MO,Crおよ
びCoの融点以下の1100℃で10分間加熱し、炉冷
固化してMo−Cr−Co の多孔質基材(スケルト
ン)を形成する。次に、この多孔員基材上にCu−B1
合金を載置し、Cuの融点以上の1100℃で10分間
加熱し、Cu−B1合金をMo−Cr−Coの多孔質基
材の空隙に溶浸させることにより電極材料が製造される
。
この混合粉末をアルミナ客語に収納し、6、67 mP
a以下の圧力に保持し几真空炉中にて、MO,Crおよ
びCoの融点以下の1100℃で10分間加熱し、炉冷
固化してMo−Cr−Co の多孔質基材(スケルト
ン)を形成する。次に、この多孔員基材上にCu−B1
合金を載置し、Cuの融点以上の1100℃で10分間
加熱し、Cu−B1合金をMo−Cr−Coの多孔質基
材の空隙に溶浸させることにより電極材料が製造される
。
なお、上記製造方法においては、 CuおよびBiを(
:u−Bi金合金して溶浸させ九が、Cuの一部につい
ては、粉末としてMo、Cr、Co と焼結して多孔質
基材を形成してもよい。ただし、この際の焼結温度はC
uの融点以下とする。1次、Biは蒸発が著しいので、
予めBi の蒸発量を考慮し九量にして溶浸を行うべき
である。
:u−Bi金合金して溶浸させ九が、Cuの一部につい
ては、粉末としてMo、Cr、Co と焼結して多孔質
基材を形成してもよい。ただし、この際の焼結温度はC
uの融点以下とする。1次、Biは蒸発が著しいので、
予めBi の蒸発量を考慮し九量にして溶浸を行うべき
である。
一方、実施例1として組成をCu40重量%。
Mo30重量%、Cr5重f%、Bi2O重fチお工び
Co 5重量%とし、上記製造方法により、直径50
1Ell*厚さ5fiでかつ周縁を4アールの円板状の
電極を製造し、これを図に示す真空インタラゲタに適用
した場合のさい断電流値を次表に示しtoなお、本発明
の他の実施例および比較例についても組成以外の条件t
″夾施例1と同一にした場合のはい断電流値を同表中に
示した。表中のざイ断電流値は、試験条件を50)iz
、 100V、 80Aとし、100回の測定値の平
均値である。
Co 5重量%とし、上記製造方法により、直径50
1Ell*厚さ5fiでかつ周縁を4アールの円板状の
電極を製造し、これを図に示す真空インタラゲタに適用
した場合のさい断電流値を次表に示しtoなお、本発明
の他の実施例および比較例についても組成以外の条件t
″夾施例1と同一にした場合のはい断電流値を同表中に
示した。表中のざイ断電流値は、試験条件を50)iz
、 100V、 80Aとし、100回の測定値の平
均値である。
(以下全白)
上記表中、比較例5においては、ろう付は強度が不足し
ていた。1九、実施例1〜7における絶縁耐力は、従来
の60Cu−30Mo−10Cr合金の80チ程度に維
持でき、大電流しゃ断面刃は、従来と同等の結果を示し
念。
ていた。1九、実施例1〜7における絶縁耐力は、従来
の60Cu−30Mo−10Cr合金の80チ程度に維
持でき、大電流しゃ断面刃は、従来と同等の結果を示し
念。
なお、Cu 30〜80重i%、Mo5〜50重−J1
%、Cr5〜50重i:%、Bi0.5〜20重量%お
よびCo0.5〜10重i%の範囲では、*流側1〜7
と同様な結果が得られ友。
%、Cr5〜50重i:%、Bi0.5〜20重量%お
よびCo0.5〜10重i%の範囲では、*流側1〜7
と同様な結果が得られ友。
H0発明の効果
以上のように、本発明の真空インタラゲタの電極材料に
よれば、電極材料を、(:u30〜80重量%、Mo5
〜50重量%、Cr 5〜50重量%。
よれば、電極材料を、(:u30〜80重量%、Mo5
〜50重量%、Cr 5〜50重量%。
BiO,5〜20重it%およびCOo、5〜lON′
Jiチの合金により構成したので、従来の1!他材料の
有する特性をほぼ維持しつつ、特にでい断電流値を著し
く小ざくすることができる。
Jiチの合金により構成したので、従来の1!他材料の
有する特性をほぼ維持しつつ、特にでい断電流値を著し
く小ざくすることができる。
図は本発明に係る電極材料を用い′″ct極を形成し之
真空インタラプタの縦断面図である。 5・・・電極。 gtytンタフプグの縦断正面コ 5−−−−t &
真空インタラプタの縦断面図である。 5・・・電極。 gtytンタフプグの縦断正面コ 5−−−−t &
Claims (1)
- (1)銅30〜80重量%、モリブデン5〜50重量%
、クロム5〜50重量%、ビスマス0.5〜20重量%
およびコバルト0.5〜10重量%からなる真空インタ
ラプタの電極材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6016286A JPS62217520A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 真空インタラプタの電極材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6016286A JPS62217520A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 真空インタラプタの電極材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62217520A true JPS62217520A (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=13134180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6016286A Pending JPS62217520A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 真空インタラプタの電極材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62217520A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002161327A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-06-04 | Toshiba Corp | 遮断器用接点材料,その製造方法および遮断器 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP6016286A patent/JPS62217520A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002161327A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-06-04 | Toshiba Corp | 遮断器用接点材料,その製造方法および遮断器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4546222A (en) | Vacuum switch and method of manufacturing the same | |
JPS62217520A (ja) | 真空インタラプタの電極材料 | |
JPH10255603A (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
JP2006032036A (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
JPH0510782B2 (ja) | ||
JPH02500554A (ja) | 真空開閉装置用接触材料及びその製法 | |
JP3859393B2 (ja) | 真空バルブ接点材料の製造方法 | |
JPS59119625A (ja) | 真空インタラプタの電極 | |
JP4619821B2 (ja) | 接点材料および真空バルブ | |
JPH02117033A (ja) | 真空インタラプタの電極材料 | |
JPH0193018A (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
JPH059888B2 (ja) | ||
JP2004273342A (ja) | 真空バルブ用接点材料及び真空バルブ | |
JPH04141924A (ja) | 電極材料の製造方法 | |
JPH0877855A (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
JPS6010522A (ja) | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 | |
JPH1083746A (ja) | 真空バルブ用電極及びその製造方法 | |
JPS6335049B2 (ja) | ||
JP2004076141A (ja) | 真空遮断器に用いる真空バルブ及び電気接点の製法 | |
JPH0347931A (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
JPS6014723A (ja) | 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 | |
JPH0510783B2 (ja) | ||
JPS6074315A (ja) | 真空インタラプタ | |
JPS6336091B2 (ja) | ||
JP2001222934A (ja) | 真空バルブ用接点材料 |