JPS6221723A - 多孔質ガラスの透明ガラス化方法 - Google Patents
多孔質ガラスの透明ガラス化方法Info
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- JPS6221723A JPS6221723A JP15947885A JP15947885A JPS6221723A JP S6221723 A JPS6221723 A JP S6221723A JP 15947885 A JP15947885 A JP 15947885A JP 15947885 A JP15947885 A JP 15947885A JP S6221723 A JPS6221723 A JP S6221723A
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- glass layer
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- hollow mandrel
- quartz
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
r産業上の利用分野j
本発明は通信、光学等の分野で用いられる合成石英管を
作製する際の多孔質ガラスの透明ガラス化方法に関する
。
作製する際の多孔質ガラスの透明ガラス化方法に関する
。
If従来の技術1
通信、非゛西信に用いられる光ファイバの母材を製造す
る際、クラッド用のガラスにフッ素をドープすることが
行なわれている。
る際、クラッド用のガラスにフッ素をドープすることが
行なわれている。
例えば特開昭59−223242号の発明に開示されて
いるOVD法の場合、炭素質または黒鉛質からなる中空
マンドレルの外周に、クラッド用の多孔質ガラス層を堆
積形成し、その多孔質ガラス層を透明ガラス化した後、
中空マンドレルを引き抜いて合成石英管を得ている。
いるOVD法の場合、炭素質または黒鉛質からなる中空
マンドレルの外周に、クラッド用の多孔質ガラス層を堆
積形成し、その多孔質ガラス層を透明ガラス化した後、
中空マンドレルを引き抜いて合成石英管を得ている。
特にこの方法では、上記中空マンドレルに透気性があり
、透明ガラス化時、多孔質ガラス層中に含まれるガスが
マンドレル壁を透過し、そのマンドレルの中空部から外
部へ排気されるので、気泡残留のない良質の合成石英管
が得られるとしている。
、透明ガラス化時、多孔質ガラス層中に含まれるガスが
マンドレル壁を透過し、そのマンドレルの中空部から外
部へ排気されるので、気泡残留のない良質の合成石英管
が得られるとしている。
しかし、火炎加水分解法によりフッ素ドープト石英を堆
積形成するとき、フッ酸(HF)が発生し、生成された
シリカ(SiO2)が揮発性のSihとなるので、ガラ
スの成長速度が著しく低下する。
積形成するとき、フッ酸(HF)が発生し、生成された
シリカ(SiO2)が揮発性のSihとなるので、ガラ
スの成長速度が著しく低下する。
したがって現状では、OVD法によりクラッド用の多孔
質ガラス層をつくり、その多孔質ガラス層の透明ガラス
化をフッ素含有ガス雰囲気中で行なう方法とか、あるい
はコア用ガラス林の外周にクラッド用の多孔質ガラス層
を堆積形成し、その多孔質ガラス層の透明ガラス化をフ
ッ素含有ガス雰囲気中で行なう方法などが実施されてい
る。
質ガラス層をつくり、その多孔質ガラス層の透明ガラス
化をフッ素含有ガス雰囲気中で行なう方法とか、あるい
はコア用ガラス林の外周にクラッド用の多孔質ガラス層
を堆積形成し、その多孔質ガラス層の透明ガラス化をフ
ッ素含有ガス雰囲気中で行なう方法などが実施されてい
る。
r発明が解決しようとする問題点J
しかし上述した二通りの方法も、多孔質ガラス層を電気
炉内のフッ素含有ガス雰囲気中で透明ガラス化するとき
、該ガラス層外側のシリカ揮散が避けられず、したがっ
てガラス層の寸法制御がむずかしい。
炉内のフッ素含有ガス雰囲気中で透明ガラス化するとき
、該ガラス層外側のシリカ揮散が避けられず、したがっ
てガラス層の寸法制御がむずかしい。
また、上記雰囲気保持のため、通常、電気炉内には石英
炉心管を配置するが、この場合、フッ素による炉心管の
侵食が甚だしく、保守費用が嵩むほか、炉心管交換等に
より稼働時間が減じられるので生産能率も低下する。
炉心管を配置するが、この場合、フッ素による炉心管の
侵食が甚だしく、保守費用が嵩むほか、炉心管交換等に
より稼働時間が減じられるので生産能率も低下する。
本発明は上記の問題点に鑑み、シリカの揮散を抑制し、
寸法精度の高いフッ素ドープト石英管が(1)られる、
しかも炉心管の侵食が防止できる多孔質ガラスの透明ガ
ラス化方法を提供しようとするものである。
寸法精度の高いフッ素ドープト石英管が(1)られる、
しかも炉心管の侵食が防止できる多孔質ガラスの透明ガ
ラス化方法を提供しようとするものである。
r問題点を解決するための手段A
本発明に係る方法は、透気性を有する炭素系中空マンド
レルの外周に堆積形成された多孔質ガラス層を透明ガラ
ス化するとき、上記中空マンドレル内にツー/素を含む
揮発性のガスを送入しながら多孔質ガラス層を透明ガラ
ス化して、該透明ガラス化時のガラス層中にフッ素をド
ープすることを加圧送入している。
レルの外周に堆積形成された多孔質ガラス層を透明ガラ
ス化するとき、上記中空マンドレル内にツー/素を含む
揮発性のガスを送入しながら多孔質ガラス層を透明ガラ
ス化して、該透明ガラス化時のガラス層中にフッ素をド
ープすることを加圧送入している。
1作用A
本発明方法の場合、上述のごとく透気性を有する中空マ
ンドレル内に、フッ素を含むガスを送入しながら多孔質
ガラス層を透明ガラス化する。
ンドレル内に、フッ素を含むガスを送入しながら多孔質
ガラス層を透明ガラス化する。
この際、フッ素を含むガスが中空マンドレルの壁を透過
して多孔質ガラス層中に浸透するので。
して多孔質ガラス層中に浸透するので。
当該多孔質ガラス層はフッ素をドープされながら透明ガ
ラス化される。
ラス化される。
「実 施 例J
以下本発明方法の実施例につき、図面を参照して説明す
る。
る。
第1図において、lは黒鉛質または炭素質などの炭素系
からなる中空マンドレルであり、この中空マンドレルl
の一端(上端)には、その内部へフッ素を含む揮発性の
ガスを送入するためのガス供給系2が接続されている。
からなる中空マンドレルであり、この中空マンドレルl
の一端(上端)には、その内部へフッ素を含む揮発性の
ガスを送入するためのガス供給系2が接続されている。
3は中空マンドレルlの外周にOVD法を介して堆積形
成された純石英またはドープト石英からなる多孔質ガラ
ス層である。
成された純石英またはドープト石英からなる多孔質ガラ
ス層である。
なお、0■D法を介して上記多孔質ガラス層3を形成す
るとき、既知の通り、多重管構造のバーナに気相のガラ
ス原料(または気相のガラス原料と気相のドープ原料)
、酸素、水素、アルゴン等を供給し、そのバーナを燃焼
状態に保持して生成したガラス微粒子(スート)を中空
マンドレル1の外周に堆積させる。
るとき、既知の通り、多重管構造のバーナに気相のガラ
ス原料(または気相のガラス原料と気相のドープ原料)
、酸素、水素、アルゴン等を供給し、そのバーナを燃焼
状態に保持して生成したガラス微粒子(スート)を中空
マンドレル1の外周に堆積させる。
4は石英製炉心管5と電気ヒータ6とを備えた電気炉で
あり、炉心管5の下部には、その内部へヘリウム等の不
活性ガスを供給するためのガス供給系7が接続され、炉
心管5の上部には、排気系8が接続されている。
あり、炉心管5の下部には、その内部へヘリウム等の不
活性ガスを供給するためのガス供給系7が接続され、炉
心管5の上部には、排気系8が接続されている。
第1図において多孔質ガラス層3を透明ガラス化すると
き、電気ヒータ8を介して加熱された炉心管5内にはガ
ス供給系7からヘリウム等の不活性ガスを供給するとと
もに中空マンドレル1内にはガス供給系2からフッ素を
含む揮発性のガスを送入し、かかる状態において多孔質
ガラス層3を炉心管5内へ回転させながら降下させる。
き、電気ヒータ8を介して加熱された炉心管5内にはガ
ス供給系7からヘリウム等の不活性ガスを供給するとと
もに中空マンドレル1内にはガス供給系2からフッ素を
含む揮発性のガスを送入し、かかる状態において多孔質
ガラス層3を炉心管5内へ回転させながら降下させる。
かくて炉心管5内へ導入された多孔質ガラス層3は、そ
の下端より順次焼結され、透明ガラス化されるが、この
際、中空マンドレルl内に送入されたフッ素を含むガス
は、そのマンドレル壁を透過して多孔質ガラス層3中へ
浸透拡散する。
の下端より順次焼結され、透明ガラス化されるが、この
際、中空マンドレルl内に送入されたフッ素を含むガス
は、そのマンドレル壁を透過して多孔質ガラス層3中へ
浸透拡散する。
したがって多孔質ガラス層3は、炉心管5内においてフ
ッ;kをドープされながら透明ガラス化される。
ッ;kをドープされながら透明ガラス化される。
こうして透明ガラス化された上記ガラス層は、その軸心
から中空マンドレル壁を抜きとることにより所定のガラ
スパイプとなり、光ファイバのりランド用ガラス材とし
て使用される。
から中空マンドレル壁を抜きとることにより所定のガラ
スパイプとなり、光ファイバのりランド用ガラス材とし
て使用される。
なお、上記においてフッ素をドープしながら多孔質ガラ
ス層3を透明ガラス化するとき、フッ素を含むガラスが
炭素系の中空マンドレルi内を流れるので、そのガラス
層の内周側が直接フッ素に曝されることがなく、したが
ってシリカの揮散が抑制される。
ス層3を透明ガラス化するとき、フッ素を含むガラスが
炭素系の中空マンドレルi内を流れるので、そのガラス
層の内周側が直接フッ素に曝されることがなく、したが
ってシリカの揮散が抑制される。
また、多孔質ガラス層3の最外周にまで拡散したフッ素
を含むガスも、炉心管5内を流れる不活性ガスの流動性
により排気系8へ速やかに排出されるから、石英製炉心
管5がフッ素により侵食されることもない。
を含むガスも、炉心管5内を流れる不活性ガスの流動性
により排気系8へ速やかに排出されるから、石英製炉心
管5がフッ素により侵食されることもない。
一般に、多孔質ガラス層3の透明ガラス化速度は、炉心
管5内の温度とその炉心管5内への多孔質ガラス挿入速
度により調整できるが、この際。
管5内の温度とその炉心管5内への多孔質ガラス挿入速
度により調整できるが、この際。
多孔質ガラス挿入速度を高速化すると、透明ガラス化後
のガラス層3中に気泡の残留する傾向が高まる。
のガラス層3中に気泡の残留する傾向が高まる。
したがって上記挿入速度を無理に高速化せず、適切に調
整することにより、透明ガラス層の気泡残留が回避でき
る。
整することにより、透明ガラス層の気泡残留が回避でき
る。
に記において、炭、に系(例えば黒鉛質)の中空マンド
レル1内から多、孔質ガラス層3中にフッ素をドープす
るとき、ポーラスな黒鉛質の気孔径が大きいほど、フッ
素含有ガスがよく透過するが、1記気孔径が大きすぎる
と、その孔内にガラス化物が入り、透明ガラス層の内周
面が粗くなる。
レル1内から多、孔質ガラス層3中にフッ素をドープす
るとき、ポーラスな黒鉛質の気孔径が大きいほど、フッ
素含有ガスがよく透過するが、1記気孔径が大きすぎる
と、その孔内にガラス化物が入り、透明ガラス層の内周
面が粗くなる。
かかる観点からすると、黒鉛質、炭素質等からなる中空
マンドレル1の上記気孔径は1〜50ル■が適当である
。
マンドレル1の上記気孔径は1〜50ル■が適当である
。
通常、ガスの透過速度は黒鉛質、炭素質等の密度と気孔
径に依存して定まるが、中空マンドレルlとして高密度
のものを用いた場合、フッ素含有ガスの透過に時間を要
することがある。
径に依存して定まるが、中空マンドレルlとして高密度
のものを用いた場合、フッ素含有ガスの透過に時間を要
することがある。
このような場合、中空マンドレルlの一端を封じ、その
他端(開放端)からフッ素含有ガスを加圧送入するのが
よい。
他端(開放端)からフッ素含有ガスを加圧送入するのが
よい。
もちろん中空マンドレルlの両端を開放した状態にて所
定ガスを送入することもある。
定ガスを送入することもある。
つぎに本発明方法の具体例を説明する。
具体例1
内径10mmφ、外径22mmφ、長さ800mm 、
最大気孔径10.層の黒鉛質からなる中空マンドレルl
の外周に、5iCI4をガラス原料とするOVD法にて
シリカ製の多孔質ガラス層3を堆積形成した。
最大気孔径10.層の黒鉛質からなる中空マンドレルl
の外周に、5iCI4をガラス原料とするOVD法にて
シリカ製の多孔質ガラス層3を堆積形成した。
その後、多孔質ガラス層3 y1500℃の電気炉4内
で透明ガラス化するとき、中空マンドレルl内にはフッ
素を含むガスとしてCClF2 を送入するとともに多
孔質ガラス層3を5m厘/winの移動速度で石英製炉
心管5内に挿入し、これにより多孔質ガラス層3を透明
ガラスした。
で透明ガラス化するとき、中空マンドレルl内にはフッ
素を含むガスとしてCClF2 を送入するとともに多
孔質ガラス層3を5m厘/winの移動速度で石英製炉
心管5内に挿入し、これにより多孔質ガラス層3を透明
ガラスした。
この際、石英製炉心管5内には、その下部からヘリウム
を71/winにて供給した。
を71/winにて供給した。
上記透明ガラス化後、所定の冷却時間をおいて透明ガラ
ス層の軸心から中空マンドレル1を抜きとり、これによ
りフッ素ドープト石英製のガラスパイプを得た。
ス層の軸心から中空マンドレル1を抜きとり、これによ
りフッ素ドープト石英製のガラスパイプを得た。
このガラスパイプは内径22.1mmφ、長さ300+
w■、石英との比屈折率差(Δ)が−lzであり、気泡
残留のない所望の低屈折率合成石英管であることが確認
された。
w■、石英との比屈折率差(Δ)が−lzであり、気泡
残留のない所望の低屈折率合成石英管であることが確認
された。
なお、L記透明ガラス化時、石英製炉心管5内にヘリウ
ムを供給したため、フッ素による該炉心管5の侵食が発
生しなかった。
ムを供給したため、フッ素による該炉心管5の侵食が発
生しなかった。
具体例2
中空マンドレルlについては具体例1と同一仕様のもの
を用い、その−・端(下端)を封じた。
を用い、その−・端(下端)を封じた。
この中空マンドレル1の外1Mに、5il14 をガラ
ス原料、日CI3をドープ原料とするOVD法によりボ
ロシリケイトの多孔質ガラス層3を堆積形成した。
ス原料、日CI3をドープ原料とするOVD法によりボ
ロシリケイトの多孔質ガラス層3を堆積形成した。
その後、多孔質ガラス層3を1430℃の電気炉4内で
透明ガラス化するとき、中空マンドレルl内にはフ・ン
素を含むガスとしてCFa を1kg/c脂2にて加圧
送入し、かつ、多孔質ガラス層3を軸層/層1nの移動
速度で石英製炉心管5内に挿入して当該多孔質ガラス層
3を透IJ′lガラスした。
透明ガラス化するとき、中空マンドレルl内にはフ・ン
素を含むガスとしてCFa を1kg/c脂2にて加圧
送入し、かつ、多孔質ガラス層3を軸層/層1nの移動
速度で石英製炉心管5内に挿入して当該多孔質ガラス層
3を透IJ′lガラスした。
この際、石英製炉心管5内には、その下部からヘリウム
を71 /+sinにて供給した。
を71 /+sinにて供給した。
■−記透明ガラス化後、所定の冷却時間をおいて透明ガ
ラス層の軸心から中空マンドレル1を抜きとり、これに
よりフッ素ドープト石英製のガラスパイプを得た。
ラス層の軸心から中空マンドレル1を抜きとり、これに
よりフッ素ドープト石英製のガラスパイプを得た。
このガラスパイプは内径22.1腸票φ、長さ400肩
組石英との比屈折率差(Δ)が−1,2zであり、気泡
残留のない所望の合成ボロシリケイト管であることが確
認された。
組石英との比屈折率差(Δ)が−1,2zであり、気泡
残留のない所望の合成ボロシリケイト管であることが確
認された。
なお、この例での透明ガラス化でも1石英製炉心管5内
にヘリウムを供給したため、フッ素による該炉心管5の
侵食が発生しなかった。
にヘリウムを供給したため、フッ素による該炉心管5の
侵食が発生しなかった。
旧述した具体例1.2により得られたガラスパイプは、
第2図に示すごとく、その厚さ方向の変動が無視できる
程度に小さい。
第2図に示すごとく、その厚さ方向の変動が無視できる
程度に小さい。
r発明の効果j
以上説明した通り1本発明方法によるときは、透気性の
ある中空マンドレル内にフッ素を含む揮発性のガスを送
入しながら該マンドレル外周の多孔質ガラス層を透明ガ
ラス化して、該透明ガラス化時のガラス層中にフッ素を
ドープするから、シリカの揮散が抑制され、したがって
石英よりも低、屈折率の合成石英管が高い寸法精度で得
られ、しかも炉心管の侵食が防止できるようになる。
ある中空マンドレル内にフッ素を含む揮発性のガスを送
入しながら該マンドレル外周の多孔質ガラス層を透明ガ
ラス化して、該透明ガラス化時のガラス層中にフッ素を
ドープするから、シリカの揮散が抑制され、したがって
石英よりも低、屈折率の合成石英管が高い寸法精度で得
られ、しかも炉心管の侵食が防止できるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法の一実施例を略示した説明図、第2
図は本発明方法により得られたガラスパイプの厚さを示
した説明図である。 l 書・拳中空マンドレル 2・・−ガス供給系 3・・・多孔質ガラス層 4・・φ電気炉 511・・炉心管 6拳・・電気ヒータ 7・・・ガス供給系 8・・・排気系
図は本発明方法により得られたガラスパイプの厚さを示
した説明図である。 l 書・拳中空マンドレル 2・・−ガス供給系 3・・・多孔質ガラス層 4・・φ電気炉 511・・炉心管 6拳・・電気ヒータ 7・・・ガス供給系 8・・・排気系
Claims (2)
- (1)透気性を有する炭素系中空マンドレルの外周に堆
積形成された多孔質ガラス層を透明ガラス化するとき、
上記中空マンドレル内にフッ素を含む揮発性のガスを送
入しながら多孔質ガラス層を透明ガラス化して、該透明
ガラス化時のガラス層中にフッ素をドープすることを特
徴とする多孔質ガラスの透明ガラス化方法。 - (2)一端が閉鎖された中空マンドレル内に、フッ素を
含む揮発性のガスを加圧送入する特許請求の範囲第1項
記載の多孔質ガラスの透明ガラス化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15947885A JPS6221723A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 多孔質ガラスの透明ガラス化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15947885A JPS6221723A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 多孔質ガラスの透明ガラス化方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6221723A true JPS6221723A (ja) | 1987-01-30 |
Family
ID=15694647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15947885A Pending JPS6221723A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 多孔質ガラスの透明ガラス化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6221723A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015098433A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | ヘレウス クオーツ ユーケー リミティド | シリカスート体を焼結するための炉 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP15947885A patent/JPS6221723A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015098433A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | ヘレウス クオーツ ユーケー リミティド | シリカスート体を焼結するための炉 |
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