JPS62217180A - 電離放射線検出装置 - Google Patents
電離放射線検出装置Info
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- H01L31/118—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
- H01L31/1185—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors of the shallow PN junction detector type
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電離放射線の飛来方位を測定するための電離放
射線検出装置に関するものである。
射線検出装置に関するものである。
第２図は例えば昭和６１年度電子通信学会総合全国大会
講演番号４８３に報告されたα線などの電離放射線を検
出する装置を示す図であり、図において、１はｐ型半導
体基板、２はｐ型−半導体基板１内に設けられたｎ型領
域（ｎ十領域）、３は該ｎ型領域２をゲート３１の電圧
で制御しつつ静電的に正にプリチャージするためのプリ
チャージトランジスタ、４はｎ型領域２の電位変化をイ
ンピーダンス変換して外部にば力するための検出バ・ノ
ファである。上記ｐ型基板１の端子１１はプリチャージ
トランジスタ３のソース３２の電位、あるいは検出バッ
ファの正電源電位４２に対して負にバイアスされている
。
講演番号４８３に報告されたα線などの電離放射線を検
出する装置を示す図であり、図において、１はｐ型半導
体基板、２はｐ型−半導体基板１内に設けられたｎ型領
域（ｎ十領域）、３は該ｎ型領域２をゲート３１の電圧
で制御しつつ静電的に正にプリチャージするためのプリ
チャージトランジスタ、４はｎ型領域２の電位変化をイ
ンピーダンス変換して外部にば力するための検出バ・ノ
ファである。上記ｐ型基板１の端子１１はプリチャージ
トランジスタ３のソース３２の電位、あるいは検出バッ
ファの正電源電位４２に対して負にバイアスされている
。
次に第２図の電離放射線検出装置の動作について説明す
る。
る。
まずα線が放射線検出装置のｎ十領域２に対し矢印Ａで
示す経路で入射すると、該入射経路に沿って放射エネル
ギにより励起された電子−正孔対が発生ずる。プリチャ
ージトランジスタ３によってｐ型基板１に対しｎ型領域
２が正に帯電した状態では、ｐ−ｎ接合１２は逆バイア
スされており、放射線により励起された電子−正孔対の
うち電子はｎ型領域２に集められ、ｎ型領域２の正の帯
電を消滅させるのでｎ型領域２の電位が下がる。この電
位の低下を、インピーダンス変換機能を有する検出バノ
フプ４の出力４１から外部に出力する。
示す経路で入射すると、該入射経路に沿って放射エネル
ギにより励起された電子−正孔対が発生ずる。プリチャ
ージトランジスタ３によってｐ型基板１に対しｎ型領域
２が正に帯電した状態では、ｐ−ｎ接合１２は逆バイア
スされており、放射線により励起された電子−正孔対の
うち電子はｎ型領域２に集められ、ｎ型領域２の正の帯
電を消滅させるのでｎ型領域２の電位が下がる。この電
位の低下を、インピーダンス変換機能を有する検出バノ
フプ４の出力４１から外部に出力する。
プリチャージトランジスタ３は一定周期で再び正に帯電
され、次のα線の入射に備えて待機する。
され、次のα線の入射に備えて待機する。
以上の動作において、発生ずる電子−正孔対の数はα線
の入射角に応じて大きく変化し、この結果ｎ型領域２に
流入する電子流も異なるので、この放射線検出器は入射
方向に対応した大きさの電圧を出力するが、飛来する放
射線のエネルギも様々に変化するので、これによっても
電圧出力は変化する。従って出力電圧の大きさから入射
方向を特定することはできない。
の入射角に応じて大きく変化し、この結果ｎ型領域２に
流入する電子流も異なるので、この放射線検出器は入射
方向に対応した大きさの電圧を出力するが、飛来する放
射線のエネルギも様々に変化するので、これによっても
電圧出力は変化する。従って出力電圧の大きさから入射
方向を特定することはできない。
従来の電離放射線検出装置は以上のように構成されてい
るので、飛来方位を検出するためにはその検出装置の感
度の方向性の有無を調べること、方向性有りのときはそ
の方向を知ること、無しのときはコリメータなどを前面
に装着して方向性を持たせることが必要であった。又、
飛来方向を求めるときには検出装置を種々の方向に向け
て複数回測定し、最大強度の方向を求めることが必要で
あり、また時間的に強度の変化する入射に対しては、複
数回の方位測定中には方位以外の要因で検出出力が変わ
ることとなるためこの方法を適用することはできなかっ
た。
るので、飛来方位を検出するためにはその検出装置の感
度の方向性の有無を調べること、方向性有りのときはそ
の方向を知ること、無しのときはコリメータなどを前面
に装着して方向性を持たせることが必要であった。又、
飛来方向を求めるときには検出装置を種々の方向に向け
て複数回測定し、最大強度の方向を求めることが必要で
あり、また時間的に強度の変化する入射に対しては、複
数回の方位測定中には方位以外の要因で検出出力が変わ
ることとなるためこの方法を適用することはできなかっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、電離放射線の飛来方向を同定できると共に、
放射線強度に時間変化がある場合にもその検出を行なう
ことのできるｍ離放射線検出装置を得ることを目的とす
る。
たもので、電離放射線の飛来方向を同定できると共に、
放射線強度に時間変化がある場合にもその検出を行なう
ことのできるｍ離放射線検出装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係る電離放射線検出装置は、単位検出器を２
次元的に正則配列した面構造検出器を所定距離だけ離し
て積層してなる積層構造放射線検出装置と、該各層の位
置検出器の出力から放射線の飛来方向を計算する飛来方
向計算回路とから構成したものである。
次元的に正則配列した面構造検出器を所定距離だけ離し
て積層してなる積層構造放射線検出装置と、該各層の位
置検出器の出力から放射線の飛来方向を計算する飛来方
向計算回路とから構成したものである。
この発明においては、まず積層構造放射線検出装置の各
層毎の放射線透過位置が各面構造中の透過位置検出器に
よって求められ、放射線の飛来方向によって異なる各層
の透過位置の情報に基いて、飛来方位計算回路により飛
来方向が瞬時に計算される。
層毎の放射線透過位置が各面構造中の透過位置検出器に
よって求められ、放射線の飛来方向によって異なる各層
の透過位置の情報に基いて、飛来方位計算回路により飛
来方向が瞬時に計算される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例による電離放射線検出装置を示
し、図において、１０１は単位検出器としての検出セル
、１００は検出セル１０１を２次元的に正則配列してな
る面構造放射線検出装置であり、１０２は正則配列検出
セル領域、１０３は該領域１０２０周辺に設けられ、放
射線が透過したセルの位置を検出するための位置検出回
路である。２００．３００は面構造放射線検出装置１０
０と同様の構造の面構造放射線検出装置であり、各面構
造の面はすべて同−又は異なる所定距離だけ離隔して積
層状に配列されている。
図はこの発明の一実施例による電離放射線検出装置を示
し、図において、１０１は単位検出器としての検出セル
、１００は検出セル１０１を２次元的に正則配列してな
る面構造放射線検出装置であり、１０２は正則配列検出
セル領域、１０３は該領域１０２０周辺に設けられ、放
射線が透過したセルの位置を検出するための位置検出回
路である。２００．３００は面構造放射線検出装置１０
０と同様の構造の面構造放射線検出装置であり、各面構
造の面はすべて同−又は異なる所定距離だけ離隔して積
層状に配列されている。
４００は各面構造内の各位置検出器ｉｌｌ ０３゜２０
３．３０３から出力される放射線透過位置１ｎ報を入力
として受け、放射線の入射方向を定めるための計算を行
なう入射方位計算回路であり、図では面構造放射線検出
装置１００，２００，３００と異なる面に積層されてい
る。各面構造放射線検出装置１００，２００．３００の
各位置検出回路１０３，２０３．３０３及び入射方位計
算回路４００は、放射線に対する動作感度が低くなるよ
う設計されており、放射線には応動しない。
３．３０３から出力される放射線透過位置１ｎ報を入力
として受け、放射線の入射方向を定めるための計算を行
なう入射方位計算回路であり、図では面構造放射線検出
装置１００，２００，３００と異なる面に積層されてい
る。各面構造放射線検出装置１００，２００．３００の
各位置検出回路１０３，２０３．３０３及び入射方位計
算回路４００は、放射線に対する動作感度が低くなるよ
う設計されており、放射線には応動しない。
上記面構造放射線検出装置１００，２００．３００は、
例えば通常のダイナミックＲＡＭのように、単位検出器
としてのメモリセルを面状配列し、各メモリセルの内容
を読み出すことにより位置検出器として動作するデコー
ダ、センスアンプから構成される。又、この面構造放射
線検出装置１００．２００，３００を半導体基板上に、
薄い絶縁膜を介して積層することにより、積層構造放射
線検出装置６００が構成される。
例えば通常のダイナミックＲＡＭのように、単位検出器
としてのメモリセルを面状配列し、各メモリセルの内容
を読み出すことにより位置検出器として動作するデコー
ダ、センスアンプから構成される。又、この面構造放射
線検出装置１００．２００，３００を半導体基板上に、
薄い絶縁膜を介して積層することにより、積層構造放射
線検出装置６００が構成される。
次に本発明の動作について説明′する。
放射線Ａがある方位から最上層１００の中のある単位検
出セル１０１に入射すると、該単位検出セル１０１が放
射線に対して応動し、その位置（ＸＩ、ｙｌ）を最上層
１００内の位置検出回路１０３が検出し出力する。放射
線Ａは最上層１００が薄く作られているため貫通し、第
２層２００の中のある単位検出セル２０１に入射すると
、単位検出セル２０１が放射線に対して応動し、その位
置（ｘ２＋７２）を第２層２００内の位置検出回路２０
２が検出し出力する。同様にして第３層３００より位置
情報（Ｘ３． ｙ３）が出力される。
出セル１０１に入射すると、該単位検出セル１０１が放
射線に対して応動し、その位置（ＸＩ、ｙｌ）を最上層
１００内の位置検出回路１０３が検出し出力する。放射
線Ａは最上層１００が薄く作られているため貫通し、第
２層２００の中のある単位検出セル２０１に入射すると
、単位検出セル２０１が放射線に対して応動し、その位
置（ｘ２＋７２）を第２層２００内の位置検出回路２０
２が検出し出力する。同様にして第３層３００より位置
情報（Ｘ３． ｙ３）が出力される。
各面構造の出力（ｘｌ、ｙ＋）〜（Ｘ３．ｙ３）は各層
の位置検出回路１０３，２０３，３０３から出力１０４
．１０５，２０４，２０５，３０４゜３０５として出力
されて入射数位計算回路４００に導かれ、該回路４００
は（ｘｌ、ｙｌ）〜（ｘ３゜７３）より放射線入射方位
を計算する。例えばｘｌ”Ｘ２ ”Ｘ３．）’１ ＝）
’２−３’３のときは、放射線は各積層面と直角の方向
から来たことになる。
の位置検出回路１０３，２０３，３０３から出力１０４
．１０５，２０４，２０５，３０４゜３０５として出力
されて入射数位計算回路４００に導かれ、該回路４００
は（ｘｌ、ｙｌ）〜（ｘ３゜７３）より放射線入射方位
を計算する。例えばｘｌ”Ｘ２ ”Ｘ３．）’１ ＝）
’２−３’３のときは、放射線は各積層面と直角の方向
から来たことになる。
又、ＸＩ ＝Ｘ２ｘｘ３で、かっｙ１≠ｙ２あるいはｙ
２≠ｙ３であれば、放射線はＸ軸を含み積層面に直角な
面内から入射したことになり、ｙｌ。
２≠ｙ３であれば、放射線はＸ軸を含み積層面に直角な
面内から入射したことになり、ｙｌ。
：Ｙ２． ｙ３から入射角が計算される。
ダイナミックＲＡＭでは必ずしもメモリセルのみが放射
線に応動するのではな゛く、構造によってはビット線や
ワード線が主として応動する場合もあるが、この場合に
は隣接する２層を直交して配置すれば入射位置（ｘ、
ｙ）を同定することが可能であり、隣接する２層を一
組の面構造放射線検出器と考えれば、前記と同様の入射
方位の検出が可能である。又、放射線は入射したセルの
みならず、同一面内の他のセルにも影響を及ぼし入射位
置（ｘ、ｙ）はある分布強度としてしか検出できないこ
ともあるが、方位検出回路に分布函数に対する計算機能
を持たせれば入射方位の検出はさほど困難ではない。
線に応動するのではな゛く、構造によってはビット線や
ワード線が主として応動する場合もあるが、この場合に
は隣接する２層を直交して配置すれば入射位置（ｘ、
ｙ）を同定することが可能であり、隣接する２層を一
組の面構造放射線検出器と考えれば、前記と同様の入射
方位の検出が可能である。又、放射線は入射したセルの
みならず、同一面内の他のセルにも影響を及ぼし入射位
置（ｘ、ｙ）はある分布強度としてしか検出できないこ
ともあるが、方位検出回路に分布函数に対する計算機能
を持たせれば入射方位の検出はさほど困難ではない。
なお、上記実施例では面構造検出装置としてダイナミッ
クＲＡＭを用いる例を示したが、放射線に対して応動す
る単位回路を正則的に配列したものであれば、スタティ
ックＴ’２ＡＭ、ＣＣＤ、ＰＬＡその他を用いても本発
明の目的とする機能を果たすことができる。
クＲＡＭを用いる例を示したが、放射線に対して応動す
る単位回路を正則的に配列したものであれば、スタティ
ックＴ’２ＡＭ、ＣＣＤ、ＰＬＡその他を用いても本発
明の目的とする機能を果たすことができる。
また、上記実施例では面構造放射線検出装置を３層用い
る例について説明したが、原理上は２層以上の積層構造
であれば目的を達成できることは明らかである。又、面
構造放射ＩＩ検出器内に含まれる検出セル数、又は面構
造放射線検出器の層数を増加させれば、検出方位の精度
を向上させることが可能である。
る例について説明したが、原理上は２層以上の積層構造
であれば目的を達成できることは明らかである。又、面
構造放射ＩＩ検出器内に含まれる検出セル数、又は面構
造放射線検出器の層数を増加させれば、検出方位の精度
を向上させることが可能である。
また面構造放射線検出装置の層数を増やすか、又は各層
間の距離を大きくとることにより、積層構造放射線検出
装置全体の厚さを大きくすれば、前記飛来方位の計算結
果と各層の応動出力の大きさとを組み合わせて飛来放射
線のエネルギを測定することもできる。
間の距離を大きくとることにより、積層構造放射線検出
装置全体の厚さを大きくすれば、前記飛来方位の計算結
果と各層の応動出力の大きさとを組み合わせて飛来放射
線のエネルギを測定することもできる。
また、上記電離放射線検出装置において用いた上記方法
は、ビーム状に細（絞られた赤外線の入射方向を定める
のにも利用でき、この場合は、各面構造内の検出セルを
赤外線に対して感度のある回路により置換すればよい。
は、ビーム状に細（絞られた赤外線の入射方向を定める
のにも利用でき、この場合は、各面構造内の検出セルを
赤外線に対して感度のある回路により置換すればよい。
以上のように、この発明によれば、電離放射線の飛来方
位を検出する装置を積層化された面構造放射線検出器に
よって構成したので、入射方位の選択性を有する装置を
種々の方向に向けて複数回測定を行ない、最大方位を求
めるという手間が不要であり、短時間に、又精度良く入
射、方位を求めることができる。又、入射量が時間的に
変動する場合においても測定が可能となる効果がある。
位を検出する装置を積層化された面構造放射線検出器に
よって構成したので、入射方位の選択性を有する装置を
種々の方向に向けて複数回測定を行ない、最大方位を求
めるという手間が不要であり、短時間に、又精度良く入
射、方位を求めることができる。又、入射量が時間的に
変動する場合においても測定が可能となる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による電離放射線検出装置
を示す図、第２図は従来の電離放射線検出装置を示す図
である。 Ａは電離放射線の飛来経路、１０１，２０１゜３０１は
単位検出セル、１０２，２０２．３０３は面構造検出器
、１０３，２０３．３０３は位置検出回路、１００，２
００，３００はそれぞれ面構造放射線検出装置であり、
全体として積層構造放射線検出装置を構成する。４００
は飛来方位計算回路、１０４，１０５，２０４，２０５
，３０４．３０５は位置検出回路の出力である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 手続補正書（自発） 昭和６２年６月１８０ ２、発明の名称 電離放射線検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁「１２番３
号名 称 （６０１）三菱電機株式会社５、補正の対
象 明細書の特許請求の範囲の欄、及び発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書第５頁第２行、第８行の「方向」を「方位
」に訂正する。 （３）同第５頁第１７行の［飛来方向を計算する飛来方
向計算回路」を「飛来方位を計算する飛来方位計算回路
」に訂正する。 （４）同第６頁第１０行〜第１２行のｒｌｏｏは・・・
・・・正則配列検出セル領域」を「１０２は検出セル１
０１を２次元的に正則配列してなる正則整列検出セル領
域」に訂正する。 （５）同第６頁第１４行〜第１５行の「位置検出回路で
ある」を「位置検出回路、１００は上記正則配列検出セ
ル領域および位置検出回路よりなる面構造放射線検出装
置である」に訂正する。 （６） 同第７頁第１６行の「積層することにより」
を「積層し、かつ飛来方位計算回路４００を設けること
により」に訂正する。 （７）同第７頁第２行、第６行、第８頁第１３行。 第１５行、第９頁第８行、第１３行の「入射」を「飛来
」に訂正する。 （８）同第９頁第１３行の「検出」を「同定」に訂正す
る。 （９） 同第１１頁第２行の「入射方位の選択性を有
する」を「飛来方位に対して選択性を有する」に訂正す
る。 αΦ 同第１１頁第４行の「最大方位」を「最大強度方
位」に訂正する。 以 上 特許請求の範囲 （１１！離放射線に応動する単位検出器を面上に正則配
列してなる面構造検出器と、応動した単位検出器の位置
を検出する位置検出器とからなる面構造放射線検出装置
を所定間隔で２１！以上に同一方向に積層配列して構成
される積層構造放射線検出装置と、 上記積ｒｆｉ構造放射線検出装置の各層内の位置検出器
の出力を入力とし電離放射線の飛来方位を計算する１米
方位計算回路とを備えたことを特徴とする電離放射線検
出装置。 （２） 上記面構造検出器はダイナミックＲＡＭから
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の！離
放射線検出装置。 （３）上記面構造検出器がダイナミックＲＡＭであり、
上記単位検出器が該ＲＡＭのメモリセルであり、上記２
層以上の面構造放射線検出装置且々は１ のみの ″
′ ”を４むことを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の電離放射線検出装置。 （４）上記面構造検出器がダイナミックＲＡＭであり、
上記単位検出器が該ＲＡＭのワード線亙工皿ビット線で
あり、上記面構造放射線検出装置は相互に直交して配置
した２枚二■の面構造検出器奎皇互ことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電離放射ｖＡ検出装置。 （５） 上記ｌ来方位計算回路は、電離放射線の飛来
方位及びエネルギ強度を求めるものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電離放射線検出装置。
を示す図、第２図は従来の電離放射線検出装置を示す図
である。 Ａは電離放射線の飛来経路、１０１，２０１゜３０１は
単位検出セル、１０２，２０２．３０３は面構造検出器
、１０３，２０３．３０３は位置検出回路、１００，２
００，３００はそれぞれ面構造放射線検出装置であり、
全体として積層構造放射線検出装置を構成する。４００
は飛来方位計算回路、１０４，１０５，２０４，２０５
，３０４．３０５は位置検出回路の出力である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 手続補正書（自発） 昭和６２年６月１８０ ２、発明の名称 電離放射線検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁「１２番３
号名 称 （６０１）三菱電機株式会社５、補正の対
象 明細書の特許請求の範囲の欄、及び発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書第５頁第２行、第８行の「方向」を「方位
」に訂正する。 （３）同第５頁第１７行の［飛来方向を計算する飛来方
向計算回路」を「飛来方位を計算する飛来方位計算回路
」に訂正する。 （４）同第６頁第１０行〜第１２行のｒｌｏｏは・・・
・・・正則配列検出セル領域」を「１０２は検出セル１
０１を２次元的に正則配列してなる正則整列検出セル領
域」に訂正する。 （５）同第６頁第１４行〜第１５行の「位置検出回路で
ある」を「位置検出回路、１００は上記正則配列検出セ
ル領域および位置検出回路よりなる面構造放射線検出装
置である」に訂正する。 （６） 同第７頁第１６行の「積層することにより」
を「積層し、かつ飛来方位計算回路４００を設けること
により」に訂正する。 （７）同第７頁第２行、第６行、第８頁第１３行。 第１５行、第９頁第８行、第１３行の「入射」を「飛来
」に訂正する。 （８）同第９頁第１３行の「検出」を「同定」に訂正す
る。 （９） 同第１１頁第２行の「入射方位の選択性を有
する」を「飛来方位に対して選択性を有する」に訂正す
る。 αΦ 同第１１頁第４行の「最大方位」を「最大強度方
位」に訂正する。 以 上 特許請求の範囲 （１１！離放射線に応動する単位検出器を面上に正則配
列してなる面構造検出器と、応動した単位検出器の位置
を検出する位置検出器とからなる面構造放射線検出装置
を所定間隔で２１！以上に同一方向に積層配列して構成
される積層構造放射線検出装置と、 上記積ｒｆｉ構造放射線検出装置の各層内の位置検出器
の出力を入力とし電離放射線の飛来方位を計算する１米
方位計算回路とを備えたことを特徴とする電離放射線検
出装置。 （２） 上記面構造検出器はダイナミックＲＡＭから
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の！離
放射線検出装置。 （３）上記面構造検出器がダイナミックＲＡＭであり、
上記単位検出器が該ＲＡＭのメモリセルであり、上記２
層以上の面構造放射線検出装置且々は１ のみの ″
′ ”を４むことを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の電離放射線検出装置。 （４）上記面構造検出器がダイナミックＲＡＭであり、
上記単位検出器が該ＲＡＭのワード線亙工皿ビット線で
あり、上記面構造放射線検出装置は相互に直交して配置
した２枚二■の面構造検出器奎皇互ことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電離放射ｖＡ検出装置。 （５） 上記ｌ来方位計算回路は、電離放射線の飛来
方位及びエネルギ強度を求めるものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電離放射線検出装置。
Claims (5)
- （１）電離放射線に応動する単位検出器を面上に正則配
列してなる面構造検出器と、応動した単位検出器の位置
を検出する位置検出器とからなる面構造放射線検出装置
を所定間隔で２層以上に同一方向に積層配列して構成さ
れる積層構造放射線検出装置と、 上記積層構造放射線検出装置の各層内の位置検出器の出
力を入力とし電離放射線の飛来方位を計算する入射方位
計算回路とを備えたことを特徴とする電離放射線検出装
置。 - （２）上記面構造検出器はダイナミックＲＡＭからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電離放射
線検出装置。 - （３）上記面構造検出器がダイナミックＲＡＭであり、
上記単位検出器が該ＲＡＭのメモリセルであり、上記２
層以上の面構造放射線検出装置は１枚の面構造検出器か
らなることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電
離放射線検出装置。 - （４）上記面構造検出器がダイナミックＲＡＭであり、
上記単位検出器が該ＲＡＭのワード線及びビット線であ
り、上記面構造放射線検出装置は相互に直交して配置し
た２枚の面構造検出器からなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の電離放射線検出装置。 - （５）上記入射方位計算回路は、電離放射線の飛来方位
及びエネルギ強度を求めるものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の電離放射線検出装置。
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