JPS62216059A - 記憶装置チエツク方式 - Google Patents

記憶装置チエツク方式

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JPS62216059A
JPS62216059A JP61059724A JP5972486A JPS62216059A JP S62216059 A JPS62216059 A JP S62216059A JP 61059724 A JP61059724 A JP 61059724A JP 5972486 A JP5972486 A JP 5972486A JP S62216059 A JPS62216059 A JP S62216059A
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JP61059724A
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Takeshi Niwada
剛 庭田
Hiroshi Sato
弘 佐藤
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 複数の記憶装置を有するデータ処理システムにおける記
憶装置チェノク方式であって、同時選択指定手段から同
時選択設定信号が送出されている時は、前記複数の記憶
装置を同時選択手段により同時選択して、上位からの1
回の読出し命令で全ての記憶装置の情報を同時に読出し
、その読出した情報を布線論理を取り上位へ転送しチェ
ックするように構成することにより、記憶機能チェック
用読出処理の時間短縮が可能となる。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数の記憶装置を存するデータ処理システム
に係り、特に各記憶装置の情報記憶機能のチェックをす
る記憶装置チェック方式に関する。
通常、記憶装置を有するデータ処理システムにあっては
、データ処理システムの動作開始時に記憶装置の記憶機
能を確認するための情報の書込み/読出し試験を行うの
が一般的である。
一方、最近の大規模集積回路技術の進歩等により、使用
される記憶装置の記憶容量も大容量となり、それに伴い
記憶装置の記憶機能チェックのための情報の書込み/読
出し処理に要する時間も増大して来ている。
かかる情報の書込み/読出し試験が効率的に実施出来る
記憶装置チェック方式の実用化が期待されている。
〔従来の技術〕
第4図は従来例を説明するブロック図を示す。
第4図に示す記憶装置1は8096語×8ビットのメモ
リ(RAM) 1(0)〜1(3)を4個使用した場合
を例としている。
第4図のブロック図は、 情報を記憶する複数のメモリ(RAM) 1 (0)〜
1(3)からなる記憶装置1と、 複数のメモリ(RAM) 1 (0)〜1(3)に対す
る記憶機能チェック用情報の書込み/読出し処理の動作
指示と、その動作の制御を行う中央処理装置(以下cp
u と称する)2と、 CPU2の指示により記憶装置1の動作処理の実行を制
御する記憶装置制御部3と、 CPU2の処理速度を決定するクロック信号を発生する
クロック発生部6とから構成されている。
例えば、メモリ(RAM) 1 (0)〜1(3)の記
憶機能のチェックを行う場合は、CPU2からの指示で
記憶装置制御部3を介してオール“1”情報を書込み、
そのオール″1”情報を読出すことにより行われる。
即ち、CPU2はクロック発生部6から送出されるクロ
ック信号(端子CLKに入力)に基づき動作し、端子A
から送出するアドレス信号AO−A15により複数のメ
モリ(RAM) 1 (0)〜1(3)を個別に指定し
て、各メモリ(RAM) 1 (0)〜1(3)に記憶
しているオール“1”情報読出しを指示する。
アドレス信号AO〜へ15(端子へより出力)の内、上
位3桁のアドレス信号へ13〜A15は記憶装置制御部
3で変換して各メモリ(RAM) 1 (0)〜1(3
)に対するチップセレクト信号C3となり、メモリ(R
AM) 1(0)〜1(3)のうちの1つのアクセスを
指定する。
又、アドレス信号AO〜へ12は各メモリ(RAM) 
1 (0)〜1(3)内のアドレスを指定する。
尚、CPU2の端子Rは読出し指定信号を送出する端子
で、この信号は各メモリ(RAM) 1 (0)〜1(
3)でリードイネーブル信号REとなる。又、端子Eは
CPU2から出力されるイネーブル信号端子、端子りは
読出し情報DO〜D7(8ビツトの情報)を取込む端子
を意味する。
各メモリ(RAM) l (0)〜1(3)の記憶機能
チェックを行う場合のオール“1”情報読出し処理は、
cpu2からのアドレス信号へ〇〜へ15により各メモ
リ(RAM) 1 (0)〜1(3)が指定され、指定
された当該メモリ(RAM) 1 (0)〜1(3)に
対して読出し処理が実行され、出力端子りから読出され
たオール“1”情報は送出される。
即ら、例えばメモリ(RAM) 1 (0)の情報を読
出し、記憶機能をチェックする場合、CPU2はアドレ
ス信号413〜A15(記憶装置制御部3の端子A−C
に入力)を記憶装置制御部3で変換して当該メモリ(R
AM) 1 (0)を指定する。
同時に、アドレス信号AO〜へ13でメモリ(RAM)
1(0)内アドレスを指定して、リードイネーブル信号
RIEで指定した指定アドレス内のオール“1”情報を
読出しCPU2に送出する。
この読出したオール“1”情報とCPU2内メモリに格
納している書込み情報(即ち、オール“1”情報)とを
CPU2内部で比較してオール“1”情報をチェックす
る。
これを各メモリ(RA?I) 1 (0)〜1(3)に
対して順次繰り返し実施することにより、各メモリ(R
IIM) 1 (0)〜1(3)の記憶機能チェックと
している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述のように、メモリ(RA?l) 1 (0)〜1(
3)に書込んだオール“1”情報を、各メモリ(RAM
) 1 (0)〜1(3)毎に指定して、オール″1″
情報を読出し、CPU2内部に格納している書込み時の
オール“1″情報と、読出したオール“1”情報とを比
較してその内容を比較することにより、メモリ(RAM
) 1 (0)〜1(3)の記憶機能チェックとしてい
る。
しかし、上述のように従来方式では個別に指定してチェ
ックを行うため、メモリ(RAM) 1 (0)〜1(
3)の記憶容量が増大するに比例して、その読出し処理
時間が増大し、記憶機能チェック処理時間が増大すると
言う問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
第1図は本発明の詳細な説明するブロック図を示す。
第1図に示す本原理ブロック図は、 情報を記憶する複数の記憶装置(メモリ(RA?’1)
)1(0)〜1(n)からなる記憶装置1と、記憶装置
1に対する情報の書込み/読出しの指示を行う中央処理
装置2と、 中央処理装置2からの命令により記憶装置1の情報の書
込み/読出し処理動作を制御する記憶装置制御部3と、 中央処理装置2からの命令により複数の記憶装置(メモ
リ(RAM))1(0)〜1(n)を同時選択状態に設
定する同時選択指定手段(同時選択指定部)4と、同時
選択指定手段(同時選択指定部)4から同時選択設定信
号を受けた時は複数の記憶装置(メモリ(RAM))1
(0)〜1(n)を同時選択する同時選択手段(同時選
択部)5とから構成されている。
〔作用〕
同時選択指定手段(同時選択指定部)から同時選択設定
信号が送出されている時、同時選択手段(同時選択部)
は前記複数の記憶装置(メモリ(RAM) )を同時選
択して、上位からの1回の読出し命令で全ての記憶装置
(メモリ(RAM))の情報を同時に読出し、これを布
線論理を取り上位へ転送するように構成することにより
、記憶機能チェック用読出処理の時間短縮が可能となる
〔実施例〕 以下本発明の要旨を第2図、第3図に示す実施例により
具体的に説明する。
第2図は本発明の詳細な説明するブロック図、第3図は
本発明の実施例における情報読出しを説明する図をそれ
ぞれ示す。尚、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
本実施例も記憶装置1として、8096語×8ビットの
4つのメモリ(RAM) 1 (0)〜1(3)で構成
させた場合を例とする。
本実施例の同時選択指定部4は、 記憶装置制御部3の端子6から出力される同時選択モー
ド指示信号と、CPU2の端子Rから出力する読出し指
定信号との論理積条件を取るAND回路41と、 CPU2から同時選択指定が指示された場合、即ちCP
II2からのデータDOが“1”の状態で、同時選択モ
ード指示信号と読出し指定信号とが同時にオンの時は、
クロック端子CKがオンとなりその出力端子Qが“1”
 (即ち、“ハイレベル”)となり、又、CPU2から
同時選択指定が解除され場合、即ちCPU2からのデー
タDOが“0”の状態で、同時選択モード指示信号と読
出し指定信号とが同時にオンの時は、出力端子Qが“0
” (即ち、“ロウレベルn)となるように構成されて
いるフリップフロップ(以下FFと称する)42とから
なっている。
又、同時選択部5は2つのNOT回路51,52.1つ
のNAND回路53及び各メモリ(RAM) 1 (0
)〜1(3)に対応して設けられているOR回路54 
(0)〜54 (3)  とから構成されている。
記憶装置制御部3はデコーダ機能を有しており、CPU
2から出力されるアドレス信号へ13〜A15の組合わ
せをデコードして、CPU2からのイネーブル信号Eに
同期したパルスを出力端子O〜6に出力する。
尚、出力端子O〜3の出力はそれぞれのメモリ(RAl
’l) 1 (0)〜1(3)の個別選択用に使用され
、端子6は同時読出しを行うか否かの指定を行う同時選
択指示信号の選択(FF42の選択)に使用され、端子
4,5及び7は本実施例では未使用となる。
通常、FF42の端子CKは0″ (即ち、40ウレベ
ル”)となっているため、出力端子Qは“0”となって
いる。そのため、NAND回路53の出力は“1”とな
る。
従って、例えばアドレス信号A15 =A14 =A1
3=“0”の時はメモリ(RAM) 1 (0)が、ア
ドレス信号A15−^14=“0″、A13−1″の時
はメモリ(RAM) 1 (1)が選択され、読出し指
定信号によりメモリ(RAM) 1 (0)又はメモリ
(RAM) 1 (1)の情報DO〜D7が読出される
次に、CI”02から同時選択の指定がなされると、デ
ータDoが“1“となると同時に記憶装置制御部3のデ
コードにより出力端子6も“1”となり、これによりF
F42の出力端子Qは“1”となる。
この状態で、例えばメモリ(RAM) 1 (0)への
情報DO−07の読出しが指定されると、記憶装置制御
部3の出力端子Oと同じタイミングでNAND回路53
の出力は“0″となる。
このNAND回路53の出力はOR回路54 (0)〜
54 (3)を通してメモリ(RAM) 1 (0)〜
1(3)のチップセレクト端子C3に接続され、リード
イネーブル信号REとあいまってメモリ(RAM) 1
 (0)に書込まれているオール“1”情報が読出され
、同時に他の全てのメモリ(RAM) 1 (1)〜1
(3)のオール“1”情報が読出される。
これら読出された全てのオール“1”情報は各ビット毎
に付線論理条件(AND条件)が取られ、CPII2の
端子りに送出される。ここで、もし各メモリ(RAM)
 1 (0)〜1(3)の内1つのビット(情報ビット
Do−07の内の1つ)でも“0”情報が有れば、その
ビットは″0″情報としてCI’U2の端子りに送出さ
れることになる。
尚、オール“l”情報が各ビット毎に付線論理条件(A
ND条件)を取られ、CPU2の端子りに送出される状
況を第3図に示す。
上述のように、メモリ1 (RAM) (0)〜1(3
)の記憶機能チェック用読出しが、1回の読出し指示で
同時に出来、その読出した情報DO−07のチェックが
1回で同時に出来るため、その処理時間が大幅に短縮可
能となる。
〔発明の効果〕
以上のような本発明によれば、CPUからの1回の読出
し命令で全ての記憶装置の読出し及び読出した情報のチ
ェックが出来るため、記憶機能チェック用読出し処理動
作の時間が大幅に短縮出来ると言う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の詳細な説明するブロック図、第2図は
本発明の詳細な説明するブロック図、第3図は本発明の
実施例における情報読出しを説明する図、 第4図は従来例を説明するブロック図、をそれぞれ示す
。 図において、 ■は記憶装置、 1 (0) 〜1 (n)はメモリ(RAM)  (記
憶装置)、2はcpu、       3は記憶装置制
御部、4は同時選択指定部、 5は同時選択部、6はク
ロック発生部、 41はAND回路、42はFF、  
       51.52はN07回路、53はNAN
D回路、 54 (0)〜54 (3) はOR回路、をそれぞれ
示す。 だ1 目 第3司 ジaC」(イタ“1t=LHFT、i3ブ’U−J 7
1第4匡

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 複数の記憶装置(1(0)〜1(n))から構成される
    記憶装置(1)と、前記記憶装置(1)に対して情報の
    書込み/読出し指示を行う中央処理装置(2)と、前記
    中央処理装置(2)からの命令により前記記憶装置(1
    )の情報書込み/読出し動作を制御する記憶装置制御部
    (3)とを具備するデータ処理システムにおいて、 前記中央処理装置(2)からの命令により前記複数の記
    憶装置(1(0)〜1(n))を同時選択状態に設定す
    る同時選択指定手段(4)と、 前記同時選択指定手段(4)から同時選択設定信号を受
    けた時は前記複数の記憶装置(1(0)〜1(n))を
    同時選択する同時選択手段(5)とを設け、前記中央処
    理装置(2)からの指示により前記複数の記憶装置(1
    (0)〜1(n))の記憶機能チェック処理動作が指定
    された場合、前記同時選択指定手段(4)に対して該同
    時選択設定信号を前記同時選択手段(5)に送出させ、
    前記中央処理装置(2)からの1回の読出し命令により
    前記複数の記憶装置(1(0)〜1(n))に記憶して
    いる情報を同時に読出し、同時に読出した情報を布線論
    理を取り前記中央処理装置(2)へ転送しチェックする
    ことを特徴とする記憶装置チェック方式。
JP61059724A 1986-03-18 1986-03-18 記憶装置チエツク方式 Pending JPS62216059A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353060A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Samsung Electronics Co Ltd ハブ、メモリモジュール、及びメモリシステムとこれを通じた読み込み方法及び書き込み方法
US8060799B2 (en) 2004-06-11 2011-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Hub, memory module, memory system and methods for reading and writing to the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005353060A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Samsung Electronics Co Ltd ハブ、メモリモジュール、及びメモリシステムとこれを通じた読み込み方法及び書き込み方法
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