JPS62206753A - プラズマx線発生装置 - Google Patents

プラズマx線発生装置

Info

Publication number
JPS62206753A
JPS62206753A JP61048258A JP4825886A JPS62206753A JP S62206753 A JPS62206753 A JP S62206753A JP 61048258 A JP61048258 A JP 61048258A JP 4825886 A JP4825886 A JP 4825886A JP S62206753 A JPS62206753 A JP S62206753A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
cylindrical electrode
electrode
electrodes
inner cylindrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61048258A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0687408B2 (ja
Inventor
Yasuo Kato
加藤 靖夫
Isao Ochiai
落合 勲
Yoshio Watanabe
渡辺 良男
Seiichi Murayama
村山 精一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61048258A priority Critical patent/JPH0687408B2/ja
Priority to US07/012,992 priority patent/US4841556A/en
Publication of JPS62206753A publication Critical patent/JPS62206753A/ja
Publication of JPH0687408B2 publication Critical patent/JPH0687408B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、パルス放電によって高温高密度のプラズマを
形成して軟X線を発生するプラズマX線発生装置に係り
、特に、サブミクロンの集積回路を製造するX線露光装
置、あるいはX線顕微鏡などの線源に用いて好適なプラ
ズマX線発生装置に関するものである。
〔従来の技術〕
2つの円筒電極が絶縁物を介して同軸状に配置された放
電管はプラズマフォーカスと呼ばれて、重水素などの気
体を充填し、充電したコンデンサからパルス電圧を印加
して気体をプラズマ化し、プラズマを電極の間の空間を
走らせて電極の先端にフォーカスし、磁界の圧力によっ
て圧縮して高温高密度のプラズマを形成し、中性子を発
生する線源として使用されてきた。この場合、プラズマ
フォーカスで形成される高温高密度のプラズマからは強
い軟X線が放射されるので、近年、軟X線源としても注
目されている。プラズマフォーカスを用いた軟X線源に
ついては、例えば特開昭60−84749号に記載され
ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
X線露光装置あるいはX線顕微鏡には、輝度の高い軟X
線源が必要である。プラズマフォーカスを上記の目的に
適合したものにするには、次に述ベる問題点を解決しな
ければならない。
プラズマフォーカスによって形成される高温のプラズマ
から放射されるX線は、外部に放射される以前に、放電
管内の気体と透過窓による吸収を受けて減衰する。放電
管から高い輝度のX線を発生する1こは、プラズマから
の放射の強度を増すとともに、これらの吸収を減らさね
ばならない。放電管内の気体による吸収を減らすには、
放電管に充填する気体の圧力を下げること、X線が通過
する通路を短かくすることが必要であり、透過窓による
減衰を低下するには、透過窓として使用するベリリウム
、ポリマーなどの厚さを減らすことが必要である。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明では、プラズマフォーカスの電極に印加する電圧
の極性を、通常のものとは逆に、内側円筒電極を負、外
側円筒電極を正とする構成によって、上記問題を解決す
る。従来、プラズマフォーカスの電極に印加する電圧の
極性を本発明のようにすると、プラズマのフォーカスが
起こらないとか弱い等の理由で、内側円筒電極を陽極、
外側円筒電極を陰極として動作させていたのである。し
かし、プラズマフォーカスの電極の寸法を通常のものか
ら変えることによって、つまり内側円筒電極の直径を減
少し、沿面放電を開始する絶縁物の表面に強い電界を生
ずることによって、あるいは、放電管に充填する気体を
水素、重水素ではなく、ネオン、アルゴン、クリプトン
、キセノンのように原子量の大きい気体に変えることに
よって、極性を従来のものとは反対にしても強いフォー
カスが起こることを見出した結果、本発明が可能となっ
たのである。
〔作用〕
本発明においては、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノンなどの気体を使用し、気体を電離してプラズマを
発生し、プラズマを集束して高温高密度のプラズマを形
成し、軟X線を発生するプラズマフォーカスにおいて、
内側円筒電極に負、外側円筒電極に正の極性の電圧を印
加する。この極性では、プラズマ中のイオンは、電界に
よって内側円筒電極に向う力を受け、電子は外側円筒電
極に向う力を受ける。このために、プラズマが両電極の
間の空間を電極の先端に向って走りながら集められてゆ
く過程でイオンは内側円筒電極に向って運動し、その結
果、電極の先端に集められるイオンの数は、内側円筒電
極を陰極とする場合の方が多いことになる。したがって
、電極の先端に同じ密度の高温プラズマを形成するため
には、内側円筒電極を負極性とする方が、正極性とする
よりも、低い気体の圧力で動作させることができ、放電
管中の気体によるX線の吸収を減少させることができる
。この圧力の比は、内側円筒電極を陰極とした方が、数
倍も低いことが実験から知られた。
磁界の圧力によって圧縮された高温高密度のプラズマか
らは、X線のほかに、荷電粒子つまり電子およびイオン
が放射される。これらの荷電粒子は高いエネルギーを持
っているので、電極をスパッタしたり、X線を透過する
のに用いられているべIJ IJウムの薄い膜を損傷す
る。ベリリウムの膜を荷電粒子の損傷から防ぐには、膜
の前に磁界を作って荷電粒子を偏向して膜からそらす方
法が実施できる。荷電粒子のうち電子は、電荷と質量の
比が大きいために、比較的弱い磁界で必要な偏向量が得
られるが、イオンは、その比が小さいために、゛必要な
偏向量を得るには、強い磁界が必要である。プラズマフ
ォーカスX線源のX線透過窓は、内側円筒電極の先端に
対向した軸上に配置されることが好ましい。こうすると
、線源の大きさが最も小さくなり、輝度が高いからであ
る。このような配置をとると、X線透過窓の電位は、外
側円筒電極の電位と等しくするのが構造上便利である。
本発明の構成によって内側円筒電極に負極性の電圧を印
加すると、さきに述べた理由から、X線透過窓のべIJ
 IJウムは、陽極である外側円筒電極と等しい電位に
保たれて、ベリリウムには電子が衝突することになり、
磁界による荷電粒子の衝突防止が容易1こなる。
さらに、内側円筒電極に負極性の電圧を印加すると、こ
の電極に衝突する粒子は正のイオンとなリ、電子が衝突
する場合に比べると、電極から発生するX線が大幅に減
少する。電極から発生するX線は、プラズマから発生す
るX線のバックグラウンドとなり、線源の大きさを広げ
、例えばX線露光装置に適用する場合であれば、転写す
る図形の精度を落とすことになる。
また、内側円筒電極を陰極とすることによってこの電極
の消耗を減らすことが可能である。電極の消耗は、電流
のエネルギーが主に電子によって運ばれるために、電子
の衝突によって生ずるが、電極面積が小さい内側円筒電
極を陽極にすると、電子の密度が特に高(なるため、電
極の蒸発が激しくなるとともに、蒸発した電極材料の付
着によってべIJ IJウム膜の汚れも激しくなる。極
性を逆にして本発明のようにすると、陽極の面積が広く
なるために、電子電流の密度が下がり、電極の消耗も大
幅に低下し、べIJ IJウム膜の汚れを減らすことが
できる。
なお、同様の理由から陽極の温度の上昇も問題となるが
、これも外側円筒電極を陽極とする方が温度の上昇も少
なく、冷却も容易である。
〔実施例〕
以下に、本発明を実施例により説明する。第1図は、一
実施例の断面図である。同図において、1は内側円筒電
極、2は外側円筒電極、3は両電極を絶縁する絶縁物で
ある。本発明においては、内側円筒電極1には、充電さ
れたコンデンサ5から負極性の高電圧が、エアーギャッ
プスイッチ6を介して、また外側円筒電極2には、正極
性の電圧が印加される。放電容器4により外界から隔離
された放電空間7には、ネオン、アルゴン、クリプトン
、キセノンなどの気体が0.1〜1トル(Torr、)
の圧力で充填されている。電極間に電圧が印加されると
、絶縁物3の表面で絶縁破壊が起こり、プラズマが発生
する。プラズマは、電極の間の空間の電界と磁界からロ
ーレンツ力を受けて、電極の開放端に向って運動し、電
極の端を過ぎると磁界の圧力を受けてピンチし、内側円
筒電極1の先端の軸上に高温高密度のプラズマを形成し
て軟X線を放射する。第1図において、8はプラズマか
ら放射される荷電粒子を偏向してべIJ IJウムの窓
9への衝突を防止する磁界を作る磁極であり、IOはコ
イルである。11は、磁界が放電空間7へ洩れることを
防ぐためのシールドである。第1図実施例はX線露光装
置に適用する場合で、シールド11の中央に設けた開孔
を通って露光室12にX線を導入し、マスクを通して、
レジストを塗布したウエノ113にX線が照射される。
なお、本実施例では電磁石を用いるとして述べたが、こ
のような磁界は永久磁石によって形成することも可能で
ある。
このような構造において、充電されたコンデンサ5から
内側円筒電極1に負、外側円筒電極2には正の極性のパ
ルス電圧が印加される。本実施例における電極の寸法は
内側円筒電極の外径が30mm、外側円筒電極の内径が
75馴、電極の全長が170 in、。
絶縁物の沿面距離が40咽である。この放電管に55μ
Fのコンデンサを3kVに充電し、1.76 kJのエ
ネルギーで放電を起こすと、放電管に充填するアルゴン
ガスの最適圧力は0.18 トルであり、従来通り内側
円筒電極を陽極とした同じ条件の放電の最適圧力0.3
2 トルより少なくなっており、発生するX線量は、約
2倍に増加した。
なお、上記の場合に比較に用いた従来装置の放電管の寸
法は、内側円筒電極の外径が50咽、外側円筒電極が1
00+++m、電極の全長が200膿、絶縁物の沿面距
離が50rrunであり、したがって、本発明によれば
、放電管の寸法形状を従来のものより小形にして、しか
も、より強力なX線源を実現し得ることが確認された。
〔発明の効果〕
以上に述べたように、本発明によれば、同軸状に配置さ
れた円筒電極を有するプラズマフォーカス方式のX線源
において、内側円筒電極が陰極として動作する極性のパ
ルス電圧を印加することによって、プラズマの集束効率
を高めることが可能となり、放電管に充填する気体の放
電最適圧力が低下することから、放電管内におけるX線
の吸収を減らすことができる。また、X線の透過窓に衝
突する荷電粒子の除去が容易となり、薄いX線透過窓を
使用してX線の減衰を減らすことができ、強力なX線を
試料室に取り出すことが可能となる。
実験結果から、従来構成の場合に比べて約2倍の強度を
もつX線源とするのは容易であることが確認された。さ
らに、電極から発生するX線のバックグランドを除(こ
とができ、X線露光装置やX線顕微鏡に適用する場合の
転写する図形の精度を高めることができる。また、電極
の温度上昇を低下し、冷却を容易にすることができる。
以上に述べたように、本発明によれば、プラズマフォー
カスの電極に印加する電圧の極性を逆にすることによっ
て、上記の著るしい諸効果を発揮することが 。
可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すプラズマフォーカスの
断面図である。 〈符号の説明〉 ■・・・内側円筒電極  2・・・外側円筒電極3・・
・絶縁物     4・・・放電容器5・・・コンデン
サ 6・・・エアーギャップスイッチ 8・・・磁極      9・・・ベリリウム窓10・
・・コイル     11・・・シールド12・・・露
光室     13・・・ウェハ代理人弁理士 中 村
 純 之 助 IPIB =コ 巨−内イ則円肯V極 2− り)4す11円油電抽 3−−一瀬4#頽 4・−・セX電怠逓 5−・−コシデ′〉マ 6−一一ニアーヤ阜1..デズイ1..す7一−一方父
′1!号1間 8−・石妨才セ 9−・−べ゛リリリム弛 10−  コイル 11−−−シールp゛ 12−・情、支壁 13− サ一へ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、内側円筒電極と外側円筒電極とが同軸状に配置され
    た放電管に気体を充填し、上記電極間に充電されたコン
    デンサから高電圧パルスを印加して気体をプラズマ化し
    、プラズマを内側円筒電極の先端に集束してX線を発生
    し、X線を放電管に設けた窓を経由して放電管の外へ放
    射するプラズマX線発生装置において、内側円筒電極に
    は、外側円筒電極に対して負極性の高電圧パルスが印加
    されることを特徴とするプラズマX線発生装置。
JP61048258A 1986-03-07 1986-03-07 プラズマx線発生装置 Expired - Lifetime JPH0687408B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61048258A JPH0687408B2 (ja) 1986-03-07 1986-03-07 プラズマx線発生装置
US07/012,992 US4841556A (en) 1986-03-07 1987-02-10 Plasma X-ray source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61048258A JPH0687408B2 (ja) 1986-03-07 1986-03-07 プラズマx線発生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62206753A true JPS62206753A (ja) 1987-09-11
JPH0687408B2 JPH0687408B2 (ja) 1994-11-02

Family

ID=12798415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61048258A Expired - Lifetime JPH0687408B2 (ja) 1986-03-07 1986-03-07 プラズマx線発生装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4841556A (ja)
JP (1) JPH0687408B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR920004961B1 (ko) * 1988-12-30 1992-06-22 한국 전기통신공사 초미세형상용 연 x선 발생장치
DE3908480C1 (ja) * 1989-03-15 1990-08-09 Karl Suess Kg, Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft Und Industrie Gmbh & Co, 8046 Garching, De
DE3927089C1 (ja) * 1989-08-17 1991-04-25 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De
JP3036296B2 (ja) * 1993-05-25 2000-04-24 富士通株式会社 プラズマディスプレイ装置の電源装置
KR960008918A (ko) * 1994-08-24 1996-03-22 이데이 노부유끼 플라즈마방전장치
US6408052B1 (en) * 2000-04-06 2002-06-18 Mcgeoch Malcolm W. Z-pinch plasma X-ray source using surface discharge preionization
US6765987B2 (en) 2001-03-15 2004-07-20 Safe Food Technologies, Inc. Resonant plasma x-ray source
WO2002102122A1 (en) * 2001-06-07 2002-12-19 Plex Llc Star pinch x-ray and extreme ultraviolet photon source
DE10336273A1 (de) 2003-08-07 2005-03-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur Erzeugung von EUV- und weicher Röntgenstrahlung
US10288763B2 (en) * 2015-11-11 2019-05-14 Halliburton Energy Services, Inc. Long-lifetime, high-yield, fast neutrons source

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3959659A (en) * 1974-04-04 1976-05-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Intense, energetic electron beam assisted fusion neutron generator
US3946240A (en) * 1974-04-04 1976-03-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Energetic electron beam assisted fusion neutron generator
US4301391A (en) * 1979-04-26 1981-11-17 Hughes Aircraft Company Dual discharge plasma device
US4538291A (en) * 1981-11-09 1985-08-27 Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha X-ray source
DE3332711A1 (de) * 1983-09-10 1985-03-28 Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim Vorrichtung zur erzeugung einer plasmaquelle mit hoher strahlungsintensitaet im roentgenbereich
JPS6086743A (ja) * 1983-10-18 1985-05-16 Fujitsu Ltd ガスプラズマ型エツクス線発生装置
JPS60175351A (ja) * 1984-02-14 1985-09-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線発生装置およびx線露光法
US4627086A (en) * 1984-09-07 1986-12-02 Hitachi, Ltd. Plasma X-ray source
JPS61114448A (ja) * 1984-11-09 1986-06-02 Hitachi Ltd プラズマx線発生装置
US4648106A (en) * 1984-11-21 1987-03-03 Micronix Corporation Gas control for X-ray lithographic system
US4644576A (en) * 1985-04-26 1987-02-17 At&T Technologies, Inc. Method and apparatus for producing x-ray pulses
US4663567A (en) * 1985-10-28 1987-05-05 Physics International Company Generation of stable linear plasmas
ATE107787T1 (de) * 1989-05-19 1994-07-15 Dambach Werke Gmbh Anzeigevorrichtung für alphanumerische anzeigen.

Also Published As

Publication number Publication date
US4841556A (en) 1989-06-20
JPH0687408B2 (ja) 1994-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3054302B2 (ja) イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム
Ehlers et al. Multicusp negative ion source
EP0523699A1 (en) Charged particle beam apparatus
US4122347A (en) Ion source
JP2000223299A (ja) プラズマ源
EP0740327B1 (en) Ion beam processing apparatus
JPS62206753A (ja) プラズマx線発生装置
JP2008234880A (ja) イオン源
CA2011644C (en) Vacuum switch apparatus
JP3401801B2 (ja) イオンビーム装置
JPH01243349A (ja) プラズマ極端紫外光発生装置
KR920004961B1 (ko) 초미세형상용 연 x선 발생장치
JPH08102278A (ja) イオンビーム発生装置及び方法
JP3098360B2 (ja) シングル・タンデム加速両用イオン加速器
JPS61250948A (ja) X線発生装置およびx線露光法
US3418465A (en) Radiation source for reducing specimen contamination in electron microscopes
US4748378A (en) Ionized channel generation of an intense-relativistic electron beam
JPH089778B2 (ja) イオン源
JPH0638391B2 (ja) X線露光装置
JP2023142088A (ja) 真空装置
JPH01161699A (ja) 高速原子線源
JPH0346739A (ja) プラズマx線発生装置
JPS6120332A (ja) X線発生装置およびこれを用いたx線リソグラフイ装置
KR960004963B1 (ko) 이온 유도 스퍼터링(Ion Induced Sputtering)을 이용한 고밀도 플라즈마 생성법과 그 장치
JPH0950777A (ja) プラズマ式電子銃およびx線装置