JPS61114448A - プラズマx線発生装置 - Google Patents
プラズマx線発生装置Info
- Publication number
- JPS61114448A JPS61114448A JP59234925A JP23492584A JPS61114448A JP S61114448 A JPS61114448 A JP S61114448A JP 59234925 A JP59234925 A JP 59234925A JP 23492584 A JP23492584 A JP 23492584A JP S61114448 A JPS61114448 A JP S61114448A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- cylindrical electrode
- space
- rays
- shield
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/52—Generating plasma using exploding wires or spark gaps
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、同軸電極を用いた放電管のパルス放電によっ
て高温高密度のプラズマを形成し、軟X線を発生するプ
ラズマX線源に係わシ、なかでもサブミクロンの集積回
路を製造するX線露光装置などの線源に関するものであ
る。
て高温高密度のプラズマを形成し、軟X線を発生するプ
ラズマX線源に係わシ、なかでもサブミクロンの集積回
路を製造するX線露光装置などの線源に関するものであ
る。
同軸電極を用いた放電管の代表的な例として、プラズマ
フォーカスが知られている。プラズマフォーカスは、円
筒電極を同軸状に配置した放電管に、重水素などの気体
を充填し、コンデンサからパルス電圧を印加して気体を
プラズマ化し、プラズマを電極にはさまれ九空間で加速
して電極の先端にフォーカスし、高温・高密度のプラズ
マを形成して、従来中性子を発生する線源として研究が
行われてきた。しかし、プラズマフォーカスで発生する
高温・高密度のプラズマからは、強い軟X線が放射され
るので、近年はX線源としても注目されている。
フォーカスが知られている。プラズマフォーカスは、円
筒電極を同軸状に配置した放電管に、重水素などの気体
を充填し、コンデンサからパルス電圧を印加して気体を
プラズマ化し、プラズマを電極にはさまれ九空間で加速
して電極の先端にフォーカスし、高温・高密度のプラズ
マを形成して、従来中性子を発生する線源として研究が
行われてきた。しかし、プラズマフォーカスで発生する
高温・高密度のプラズマからは、強い軟X線が放射され
るので、近年はX線源としても注目されている。
プラズマフォーカスは、構造および動作が単純で、線源
の輝度が高いために、すぐれたX線源となる可能性を秘
めているが、軟Xaを放射するスポットの位置が放電ご
とに変動するという問題が存在している。プラズマフォ
ーカスのスポットは円筒電極の軸上に形成されることが
期待されるが、実際には軸からはずれることがしばしば
あり、軸上に発生しても軸上の位置が変動する。この様
子は、たとえば、W、H,Bostick、V、Nar
di andW、Pr1or: X−ray fin
e 5tructure ofdenseplas
main a coaxial accelera
tor。
の輝度が高いために、すぐれたX線源となる可能性を秘
めているが、軟Xaを放射するスポットの位置が放電ご
とに変動するという問題が存在している。プラズマフォ
ーカスのスポットは円筒電極の軸上に形成されることが
期待されるが、実際には軸からはずれることがしばしば
あり、軸上に発生しても軸上の位置が変動する。この様
子は、たとえば、W、H,Bostick、V、Nar
di andW、Pr1or: X−ray fin
e 5tructure ofdenseplas
main a coaxial accelera
tor。
J、 Plasma Physics、 vol、8.
pt 1 * pp7(1972)を見れば明らかで
ある。このような変動をもたらす原因として、従来、プ
ラズマ自身の不安定性が知られているが、それ以外の原
因については、明らかになってはいない。
pt 1 * pp7(1972)を見れば明らかで
ある。このような変動をもたらす原因として、従来、プ
ラズマ自身の不安定性が知られているが、それ以外の原
因については、明らかになってはいない。
したがって本発明の目的は、同軸電極を用いたプラズマ
X線源、たとえばプラズマフォーカスによるX#!源に
おいて、線撒の位置、すな、わち、プラズマがピンチし
て高温高密度となり、 xatf:放射するスポットの
位置の変動を少なくシ、線源の軸対称性を増しプラズマ
の密度を高め、輝度を増加することのできるプラズマX
線発生装置を提供することにある。
X線源、たとえばプラズマフォーカスによるX#!源に
おいて、線撒の位置、すな、わち、プラズマがピンチし
て高温高密度となり、 xatf:放射するスポットの
位置の変動を少なくシ、線源の軸対称性を増しプラズマ
の密度を高め、輝度を増加することのできるプラズマX
線発生装置を提供することにある。
上記の目的を達するために本発明では、同軸電極の開放
端より先の空間くおける、プラズマのピンチを乱しある
いは妨げる電界および磁界の乱れ中歪みを取除くように
し念ものである。このために、内面が球あるいは球に近
い形状の電気伝導性の良い遮蔽体を設けて、同軸電極の
端を含む空間を覆い、かつ遮蔽体の電位を、外側円筒電
極と等しいかあるいはこれに近い一定の電位に保つよう
に構成したものである。
端より先の空間くおける、プラズマのピンチを乱しある
いは妨げる電界および磁界の乱れ中歪みを取除くように
し念ものである。このために、内面が球あるいは球に近
い形状の電気伝導性の良い遮蔽体を設けて、同軸電極の
端を含む空間を覆い、かつ遮蔽体の電位を、外側円筒電
極と等しいかあるいはこれに近い一定の電位に保つよう
に構成したものである。
ワま)、本発明は、同軸電極を用いたプラズマX線源に
おける線源の位置や、輝度の変動の原因のひとつか、プ
ラズマがピンチする空間における電界および磁界の乱れ
、歪みにあるという考えにもとづいて生まれたものであ
る。
おける線源の位置や、輝度の変動の原因のひとつか、プ
ラズマがピンチする空間における電界および磁界の乱れ
、歪みにあるという考えにもとづいて生まれたものであ
る。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。第1図は、本
発明によるプラズマフォーカス放電管の断面図である。
発明によるプラズマフォーカス放電管の断面図である。
この放電管には、陽極である内側円筒電極1と、陰極で
ある外側円筒電極2とが同軸状に配置され、両電極は、
ガラス絶縁物3によって絶縁されている。これらは、放
電容器4に収められ、内部にネオン、アルゴン、クリプ
トン。
ある外側円筒電極2とが同軸状に配置され、両電極は、
ガラス絶縁物3によって絶縁されている。これらは、放
電容器4に収められ、内部にネオン、アルゴン、クリプ
トン。
キセノンなどの気体が0.1〜1トル充填される。
両電極には、充電されたコンデンサ5が放電スイッチ6
を介して接続されている。放電スイッチが作動すると、
高電圧パルスが電極間に加わ)、ガラス絶縁物3の沿面
で絶縁破壊が生じ、プラズマが発生する。プラズマは、
電極間の電界と磁界からカケ受けて、電極に沿って運動
し、電極の端を過ぎると磁界の圧力を受けてフォーカス
し、内側円筒電極1の先端の軸の近傍にプラズマのホッ
トスポットを形成して軟X線を放射する。
を介して接続されている。放電スイッチが作動すると、
高電圧パルスが電極間に加わ)、ガラス絶縁物3の沿面
で絶縁破壊が生じ、プラズマが発生する。プラズマは、
電極間の電界と磁界からカケ受けて、電極に沿って運動
し、電極の端を過ぎると磁界の圧力を受けてフォーカス
し、内側円筒電極1の先端の軸の近傍にプラズマのホッ
トスポットを形成して軟X線を放射する。
本実施例では、球形の金属で構成された遮蔽体7を設け
、球の中心を内側円筒電極1の先端の軸上に一致させて
、同軸電極の一部分を覆い、プラズマがピンチする空間
8をと)8み、遮蔽体7を外側円筒電極2と同電位に保
って、空間8における電界の分布を球対称に近づけ、外
部から変化する磁界の侵入を妨げ、電界、磁界の乱れを
除いて、プラズマの軸対称のピンチを助けている。同図
において、9は、X線を取出すために遮蔽体に設けた開
孔、10は、外部へX!!を取出すためのベリリウムの
窓である。
、球の中心を内側円筒電極1の先端の軸上に一致させて
、同軸電極の一部分を覆い、プラズマがピンチする空間
8をと)8み、遮蔽体7を外側円筒電極2と同電位に保
って、空間8における電界の分布を球対称に近づけ、外
部から変化する磁界の侵入を妨げ、電界、磁界の乱れを
除いて、プラズマの軸対称のピンチを助けている。同図
において、9は、X線を取出すために遮蔽体に設けた開
孔、10は、外部へX!!を取出すためのベリリウムの
窓である。
本実施例における放電管の諸元は、内側円筒電極の外径
が255cm、外側円筒電極の内径が60m。
が255cm、外側円筒電極の内径が60m。
長さが150101%遮蔽体の直径が150mとなって
いる。
いる。
以上のべたごとく、本発明によれば、同軸電極を有する
プラズマX線源において、球あるいは球に近い形状の電
気伝導性の良い遮蔽体を設けて同軸電極の一部分とプラ
ズマがピンチする空間を覆い、遮蔽体を外側円筒電極と
同じ電位に保つことによってプラズマがピンチする空間
における電界の分布を球対称に近づけ、磁界の乱れと歪
みを除き、プラズマの軸対称なピンチを可能にして軸上
に高温、高密度のプラズマのスボツ)を形成し、線源の
位置の変動をへらし、対称性を高め、線源の直径を減ら
して輝度を高め放電ごとの再現性を改善することができ
る。
プラズマX線源において、球あるいは球に近い形状の電
気伝導性の良い遮蔽体を設けて同軸電極の一部分とプラ
ズマがピンチする空間を覆い、遮蔽体を外側円筒電極と
同じ電位に保つことによってプラズマがピンチする空間
における電界の分布を球対称に近づけ、磁界の乱れと歪
みを除き、プラズマの軸対称なピンチを可能にして軸上
に高温、高密度のプラズマのスボツ)を形成し、線源の
位置の変動をへらし、対称性を高め、線源の直径を減ら
して輝度を高め放電ごとの再現性を改善することができ
る。
なお、本発明の実施に当っては、たとえば、放電容器そ
のものを球形に作るなどその主旨を変更することなく幾
多の変形が可能モある。
のものを球形に作るなどその主旨を変更することなく幾
多の変形が可能モある。
#41図は、本発明の実施例を示すプラズマフォーカス
放電管の断面図でおる。 1・・・陽極である内側円筒電極、2・・・陰極である
外側円筒電極、3・・・ガラス絶縁物、4・・・放電容
器、5・・・コンデンサ、6・・・放電スイッチ、7・
・・本発明にかかわる遮蔽体、9・・・X線を取出す開
孔、10″を1図
放電管の断面図でおる。 1・・・陽極である内側円筒電極、2・・・陰極である
外側円筒電極、3・・・ガラス絶縁物、4・・・放電容
器、5・・・コンデンサ、6・・・放電スイッチ、7・
・・本発明にかかわる遮蔽体、9・・・X線を取出す開
孔、10″を1図
Claims (1)
- 1、同軸状に配置された複数の電極を含む放電管に、気
体を充填あるいは注入し、充電したコンデンサからパル
ス電圧を印加して気体をプラズマ化し、X線を発生させ
るプラズマX線発生装置において、球あるいは球に近い
形状の電気伝導性の良い遮蔽体を設けて、上記電極の一
部分を覆い、かつ上記電極と同電位に保つことを特徴と
するプラズマX線発生装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59234925A JPS61114448A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | プラズマx線発生装置 |
US06/795,776 US4715054A (en) | 1984-11-09 | 1985-11-07 | Plasma x-ray source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59234925A JPS61114448A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | プラズマx線発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61114448A true JPS61114448A (ja) | 1986-06-02 |
JPH0542098B2 JPH0542098B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=16978427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59234925A Granted JPS61114448A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | プラズマx線発生装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4715054A (ja) |
JP (1) | JPS61114448A (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0687408B2 (ja) * | 1986-03-07 | 1994-11-02 | 株式会社日立製作所 | プラズマx線発生装置 |
US4912731A (en) * | 1987-04-13 | 1990-03-27 | Vittorio Nardi | Plasma focus apparatus with field distortion elements |
GB8821672D0 (en) * | 1988-09-02 | 1988-10-19 | Emi Plc Thorn | Discharge tube arrangement |
GB8821673D0 (en) * | 1988-09-02 | 1988-10-19 | Emi Plc Thorn | Discharge tube arrangement |
GB8821671D0 (en) * | 1988-09-02 | 1988-10-19 | Emi Plc Thorn | Discharge tube arrangement |
DE3908480C1 (ja) * | 1989-03-15 | 1990-08-09 | Karl Suess Kg, Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft Und Industrie Gmbh & Co, 8046 Garching, De | |
US5014291A (en) * | 1989-04-13 | 1991-05-07 | Nicola Castellano | Device for amplification of x-rays |
US5006706A (en) * | 1989-05-31 | 1991-04-09 | Clemson University | Analytical method and apparatus |
US5243638A (en) * | 1992-03-10 | 1993-09-07 | Hui Wang | Apparatus and method for generating a plasma x-ray source |
WO1997007740A1 (en) | 1995-08-24 | 1997-03-06 | Interventional Innovations Corporation | X-ray catheter |
US6377846B1 (en) | 1997-02-21 | 2002-04-23 | Medtronic Ave, Inc. | Device for delivering localized x-ray radiation and method of manufacture |
DE69823406T2 (de) * | 1997-02-21 | 2005-01-13 | Medtronic AVE, Inc., Santa Rosa | Röntgenvorrichtung versehen mit einer Dehnungsstruktur zur lokalen Bestrahlung des Inneren eines Körpers |
US5763930A (en) * | 1997-05-12 | 1998-06-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source |
US5854822A (en) * | 1997-07-25 | 1998-12-29 | Xrt Corp. | Miniature x-ray device having cold cathode |
US6108402A (en) * | 1998-01-16 | 2000-08-22 | Medtronic Ave, Inc. | Diamond vacuum housing for miniature x-ray device |
US6069938A (en) * | 1998-03-06 | 2000-05-30 | Chornenky; Victor Ivan | Method and x-ray device using pulse high voltage source |
US6353658B1 (en) | 1999-09-08 | 2002-03-05 | The Regents Of The University Of California | Miniature x-ray source |
US6408052B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-06-18 | Mcgeoch Malcolm W. | Z-pinch plasma X-ray source using surface discharge preionization |
US7140771B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-11-28 | Leek Paul H | X-ray producing device with reduced shielding |
US7501642B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
US7482607B2 (en) * | 2006-02-28 | 2009-01-27 | Lawrenceville Plasma Physics, Inc. | Method and apparatus for producing x-rays, ion beams and nuclear fusion energy |
US7696492B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
CN104735892B (zh) * | 2013-03-15 | 2017-03-01 | 中冶天工集团有限公司 | 具有锁紧手轮的x射线机焦点定位的方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3324333A (en) * | 1965-06-18 | 1967-06-06 | Curtiss Wright Corp | Arc plasma device having a thimble-shaped electrode of pyrolytic graphite |
DE3303677C2 (de) * | 1982-03-06 | 1985-01-17 | Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5300 Bonn | Plasmakanone |
DE3332711A1 (de) * | 1983-09-10 | 1985-03-28 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Vorrichtung zur erzeugung einer plasmaquelle mit hoher strahlungsintensitaet im roentgenbereich |
JP3871735B2 (ja) * | 1996-06-26 | 2007-01-24 | 日本ケミコン株式会社 | 金属箔基材への膜形成装置 |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP59234925A patent/JPS61114448A/ja active Granted
-
1985
- 1985-11-07 US US06/795,776 patent/US4715054A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4715054A (en) | 1987-12-22 |
JPH0542098B2 (ja) | 1993-06-25 |
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