JPS6120332A

JPS6120332A - Ｘ線発生装置およびこれを用いたｘ線リソグラフイ装置

Info

Publication number: JPS6120332A
Application number: JP59142590A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Natsui; 健一夏井; Yukio Kurosawa; 黒沢　幸夫; Kunio Hirasawa; 平沢　邦夫; Hiroshi Arita; 浩有田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1984-07-09
Filing date: 1984-07-09
Publication date: 1986-01-29
Also published as: JPH0471332B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（発明の利用分野）本発明は、Ｘ線発生装置、およびこれを利用したＸ線リ
ソグラフィ装置に係り、特に、長寿命で再現性のすぐれ
たＸ線発生装置、およびこれを備えたＸ線リソグラフィ
装置に関する。

（発明の背景）近年、エレクトロニクス技術、特に高密度集積回路の精
細化面における進歩はめざましいものがあり、半導体ウ
ェハー上へのパターンの書き込み太さく線幅）を１μｍ
以下にするニーズが発生してきた。

このように精細なパターンを、ウェハー上に転写するに
は、従来の可視光、紫外線などによる方法では、回折現
象によるぼけのため、その目的が達し得なかった。

そこで、これらの線源より波長の短かいＸ線、特に、軟
Ｘ線と呼ばれる波長１〜数十オングストロームのＸ線に
よるリンゲラブイ技術が発表（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｅａ
　Ｌａｔｔｅｒｓ　Ｖｏｌ、８．４４　ｐ、１０２〜１
０４．１９７２）されて以来、Ｘ線リソグラフィ技術の
研究が進展した。

しかし、この技術は、実用化に多くの困難があった。そ
の最も大きいものが、所定の軟Ｘ線を高強度で再現性よ
く一換言すれば、Ｘ線発生位置、発生Ｘ線の波長および
強度の変動を可及的小さくした状態で、発生させること
が極めて困難であった。

また、発生するＸ＠に波長の短かい硬Ｘ線が含まれると
、パターン転写のためのＸ線マスクを透過してしまうと
いう問題があった。

さらに、発生する軟Ｘ線の強度が低いと一つのパターン
を転写するのに、多数回の露光が必要となる。この場合
、Ｘ線発生位置が変動すると、パターン転写位置がずれ
て多重像となったり２隣接パタ一ン間での短絡を生じた
りし、転写精度および製品歩留まりの低下を招く欠点が
ある。

さらに、大量生産の観点から見ると・多数回の露光は転
写時間が長いことを意味し、このことは生産性低下の要
因であった。

高強度の軟Ｘ線を得る方法として、例えば、Ｒｅｖｉｅ
ｗ　ｏｆ　５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　Ｉｎａｔｒｕｍｅｎ
ｔ　Ｖｏｗ、。

４８、ん、ｓｐ、ｔｏｓｓ〜１０６２，１９７７に示さ
れたように、放電により発生したプラズマに電子ビーム
を照射するととによる方法が知られている。

第３図は、前述の文献に示されたプラズマ原理によるＸ
線発生装置を備えたＸ線リソグラフィ装置の概略図であ
る。

Ｘ線発生装置１は、所要の軟Ｘ線を特性Ｘ線として発生
する気体（たとえばＮｅ等）を充填した容器２内に、プ
ラズマ発生装置３０、および電子ビーム入射装置４が配
置されている。

プラズマ発生装置３０は、電極３，５と、中空円筒状の
絶縁物６とより構成されている。なお、この従来例では
、特開昭５７−１４７８５５号公報に開示されたコイル
７も付加して示されている。

電極３，５は、スイッチ１０を介して、容器２の外部圧
設けたコンデンサ８に接続されている。

充電装置９で充電したコンデンサ８の蓄積電荷を、スイ
ッチ１０の閉成に応じて放電させることにより、中空円
筒状絶縁物６の中空部にプラズマ１１を発生させる。

電子ビーム発生装置４は、容器２の外部に設けたコンデ
ンサ１２に、スイッチ１４を介して接続されている。充
電装置１３で充電されたコンデンサ１２０両端子間の電
圧を、スイッチ１４の閉成に応答して前記電子ビーム発
生装置４および電極５０間に印加することにより、前述
のよう托して発生されたプラズマ１１に電子ビーム１５
を照射する。

これによって、前記プラズマ１１から軟Ｘ線が発生され
る。この軟Ｘ線は、吸収の少ない材料、たとえばベリリ
ウムで作られた窓１６を通してとり出される。

な詔、フィル７は、容器２の外部に設けた昇圧変成器１
７０２次巻線に接続されている。前記変圧器１７０１次
巻線には、図示しない電源装置により充電されたコンデ
ンサ１８が、スイッチ１９を介して接続される。

それ故に、スイッチ１９を閉じることことでコイル７に
高周波高電圧を印加すると、絶縁円筒６の内面に放電が
誘起される。このことが、電極３゜５間の放電によるプ
ラズマ生成を容易にしている。

リソグラフィ装置２０は、前記Ｘ線発生装置１で生成さ
れた軟Ｘ線２１の減衰を防ぐため、約１０”−”　Ｔｏ
ｒｒ以下の圧力に維持された室２２を備えている。

前記室２２内には、所定のパターンを有するＸ線マスク
２３と、その表面にＸ線レジスト２５を有し、前記Ｘ線
マスク２３のパターンを転写されるべき基板２４（たと
えば、シリコンウェハー）とが収納される。そして、前
記Ｘ線レジスト２５上に、Ｘ線マスク２３のパターンが
潜偉として転写される。

前述の従来例は、プラズマ発生装置に設けたコイル７に
より、中空絶縁物６の内面での沿面放電を誘起した後、
電極３，５間で大電流放電を生じさせることＫよってプ
ラズマ１１を生成させるものである。

このために、プラズマ生成過程において、絶縁物表面や
電極から、蒸発の形で不純物が発生する。

そして、このような不純物蒸気が容器２内ガス９間に存
在すると、発生した軟Ｘ線を吸収してしまうため、リソ
グラフィ装置２０に入射するＸ線強度が低下する原因と
なる。

また、不純物蒸気がべＩＪ　ＩＪウム製の窓１６に付着
することＫよって不純物の皮膜を生ずると、これがＸ線
強度低下の原因となる。

このように、プラズマ発生方法として沿面放電や電極間
放電を用いると、Ｘ線強度の再現性が低くなるため、ガ
スの交換とベリリウム銅製の窓１６の交換あるいは洗浄
が必要となり、高密度集積回路のように大ｌに高品質の
ものを生産するための設備としては、生産性の点で問題
があった。

以上に詳述したように、従来のＸ線リソグラフィ装置用
のＸ線発生装置には、（１）放電プラズマ発生の再現性が良好でない、（２）
放電により電極、絶縁物等が蒸発消耗するためＥＸ線発
生装置の寿命が短かくなる、（３）前項の蒸発ガスによ
る軟Ｘ線の吸収のためＫＸ線強度が弱められる、などの問題があった。

所定の軟Ｘ線の発生強度、およびＸ線発生位置の再現性
は、特に高密度集積回路の大量生産時の品質のばらつき
を小さくするという点から、工業的生産におけるＸ線発
生装置としては非常に重要な課題であり、高強度で前記
再現性のすぐれたＸ線発生装置の開発が要望されていた
。

（発明の目的）本発明の目的は、軟Ｘ線発生装置として、高強度で、強
度およびプラズマ内でのＸ線発生位置の変動が少なく、
しかも、寿命の長いものを提供することにある。

また、本発明の他の目的は、前記のような軟Ｘ線発生位
置を備え、精細なパターンを精度良く、かつ能率良く半
導体ウェハー上に転写することのできるＸ線すソグラフ
ベ装置を提供することにある。

（発明の概要）本発明は、上記目的を達成するため、シータピンチによ
り高温プラズマを発生させ、そのピンチ効果によりプラ
ズマの電子温度を上昇させ、その高エネルギ電子により
、特性Ｘ線を発生させることを特徴とするものである。

また、本発明は、前記のようにシータピンチによって発
生されたプラズマに、電子ビームを照射したり、プラズ
マの軸方向に電界を印加したりすることによって、プラ
ズマの温度を上昇させ、特性Ｘ線を発生させることを特
徴とするものである。

シータピンチによって発生したプラズマ）言、（１）　
　コイルの中心に再現性良く位置するので、Ｘ線発生位
置が移動することがなく、（２）無電極放電によるため電極材料が不純物として混
入することがなく、また、（３）　　ピンチ状態において、プラズマの周囲はほぼ
真空に近い状態となるので、プラズマから発生した軟Ｘ
線が、周囲のガスによって吸収されることがなく、高強
關の軟Ｘ線を取出すことができる、などという特徴があ妙、軟Ｘ線源用のプラズマとしては
、極めて好ましいものである。

第４図及び第５図に、シータピンチによるプラズマ発生
の原理とピンチ過程の説明図を示した。

第４図において、図示しない電源装置によって充電され
たコンデンサ３１を、スイッチ３２を投入するととＫよ
り、コイル３３を介して放電させ、前記コイル３３に電
流ｉを図中の矢印３４で示した方向に流す。

その結果、コイル３３内には、磁界Ｂが紙面に垂直な方
向に、手前から紙面に向って発生する。

いま、電流ｉを時間的に変化させると、磁界Ｂもこれに
伴って変化し、それによりコイル３３内には電界Ｅが発
生する。

そして、前記の電界Ｅは、コイル３３の内面で最大とな
る。この電界ＥＫよってコイル内窒間の気体が電離され
ると、電界方向圧電流電′　が流れる。

この電流１　は、第４図中に明示したように、コンデン
サ３１の放電によるコイル電流１とは逆向きの電流とな
る。この電ｌｉ’　　と磁界Ｂとの相互作用により、電
離した電荷＋２、コイル３３の中心へ向かう力Ｆを受け
、コイル３３の中心部へ集中してゆく。この現象をシー
タピンチ効果という。

第５図は、第４図のコイル３３内のプラズマ粒子密度を
、時間を追って示したもので、横軸はコイル３３内の径
方向位置、縦軸はプラズマ粒子密度を示している。

時刻１＝０で、コイル３３の内壁近傍で電離が発生する
。前述のピンチ効果により、電離状態のプラズマ層は、
内側の気体を電離しながら、時刻が　ｔ、Ｉｔ、と進む
にしたがって、コイル３３の中心へ向って密度を増大さ
せて行く。

すなわち、あたかも雪かきで円内の雪をその中心にかき
集めるかのように、コイル３３内の気体をプラズマ化し
ながら、生成されたプラズマ層をその中心にピンチして
ゆく。

時刻ｔ、の状態が最大にピンチした状態で、この時、プ
ラズマの密度は最大となり、またプラズマ温度も最高と
なる。この状態では、コイル３３内の気体は、はぼ完全
に電離した状態で、その中心部−「なわち、コイル３３
の軸線上に果められる。そして、その周囲はほぼ真空状
態になっている。

プラズマ生成時の、このような特徴がＸ線リソグラフィ
用の軟Ｘ線発生装置として適している。

第５図の時刻ｔ、におけるようＫ、ピンチした状態でプ
ラズマ温度がＸ線発生に必要な温度に達していれば、シ
ータピンチのみでｘｒｓとして使用することが可能であ
る。

また、前記のシータピンチのみではＸ線発生に不充分な
場合は、シータピンチした状態のプラズマに電子ビーム
を照射するか、あるいはプラズマの軸方向に電界をかけ
、電子温度を上昇させる方法を併用するのが好ましい。

高温プラズマからの軟Ｘ線発生のメカニズムは、高いエ
ネルギを持った電子が原子に衝突した時、原子核に近い
軌道にある電子をはじき出すことにより、そのすぐ外側
の軌道の電子がその軌道へ遷移され、その結果、ある特
定の波長のＸ線を放射するというものである。

したがって、イオン温度が必要以上に高くなって電離が
進みすぎると、原子核に近い軌道の電子まで電離してし
まい、Ｘ線の発生が生じなくなってしまう。

以上のことから、イオン温度は、比較的低い状態に保持
しておき、電子温度のみを、原子核に近い軌道にある電
子をはじき出すのに必要な温度まで高めるのが好ましい
。

そのため、前述のように、シータピンチにより得られた
プラズマ圧電子ビームを照射するとか、軸方向圧電界を
印加するなどの手法を併用するのが好ましい方法である
。

（発明の実施例）以下、上記原理に基づく本発明の一実施例を第１図及び
第２図により説明する。第１図は本発明の一実施例の側
断面図、第２図は第１図のＩ−１線にそう断面図である
。これらの図において、第３図と同一の符号は、同一ま
たは同等部分をあられしている。

Ｘ線発生装置１は、所要の（例えば、波長が５〜２０オ
ングストロームの）軟Ｘ線を、特性Ｘ線として発生する
気体（たとえばＮｏ　、　Ｘｅ　、　Ｇａ等）を充填し
た容器２を有している。

前記容器２内には、シータピンチによりプラズマを発生
させるコイル４１と、前記コイル４１の軸力向に電圧を
印加して電流を流すための電極４２゜４３、および前記
の電極４２．４３を支持・固定するための端板４４．４
５を有している。なお、前記コイル１４は板状の１ター
ンコイルであり、全体）マはば円筒状に整形されている
。

端板４４，４５は、絶縁物製支持部材４６　、４７によ
り、シータピンチ用コイル４１から電気的に絶縁されて
支持されている。また、前記コイル４１の一部には、軟
Ｘ線取り出しのための開口４８が穿設される。この開口
４８は、軟Ｘ線を透過しゃすい材質−たとえばベリリウ
ムなどで封止されている。

シータピンチ用コイル４１には、充電装置４９により所
定の電圧に充電されたコンデンサ５０がスイッチ５１を
介して接続されている。そして、スイッチ５１を、始動
装置５２よりの指令に従って投入することにより、コイ
ル４１に高周波大電流を流し、コイル４１の中心部に（
その軸線にそって）プラズマ５３をピンチ生成させる。

この時に、プラズマ５３の温度が十分に高くなっておれ
ば、前述の説明から明らかなように・プラズマ５３から
特性Ｘ線が放射される。

なお、この実施例では、Ｘ線発生を確実にするために、
前記コイル４１、またはプラズマ５３の軸方向に電流を
流すための電極４２．４３が設けられ、前記電極には、
充電装置５４により所定の電圧に充電されたコンデンサ
５５が、スイッチ５６を介して接続されている。

そして、前記スイッチ５６を始動装置５７０指令罠従っ
て投入することにより、電極４２．４３を介して、プラ
ズマ５３に電圧を印加し、電流を流す。その結果、前述
のようにピンチされたプラズマ５３からは、容器２内の
封入ガスによって決まる特定波長の軟Ｘ線が放射される
。

前記スイッチ５６を投入する時刻としては、シータピン
チにより、フィル４１の中心部にプラズマ５３がピンチ
する時刻の近くが好ましいことは当然である。このため
には、コイル４１に流れる電流が最大値に達した時刻の
近傍で、スイッチ５６を投入するのが艮い。

また、前記電極４２．４３に立上りの早い高電圧を印加
するのが、軟Ｘ線発生のための電子温度上昇を図る上で
好ましい。

ピンチされたプラズマ５３から発生した軟Ｘ線は、ベリ
リウム族の窓４８を通して、リソグラフィ装置２０に導
かれる。そして、Ｘ線マスク２３のパターンを、シリコ
ンウェハなどの半導体装置２４０表面に形成されたＸ線
レジスト２５上に、潜像として転写する。

前記リソグラフィ装置２０の構成は、第３図に示した従
来技術におけるものと同じである。

本Ｉｊ！施例によれば、軟Ｘ線を発生させるためのピン
チプラズマを生成するのに、シータピンチによる無電極
放電を用いるので・軸方向に大電流を流してピンチプラ
ズマ（２ピンチプラズマ）を発生させる、従来の方法（
Ａｐｐｌｉｅｄ　ＰｈｙｓｉｃａＬｅｔｔｅｒｓ　Ｖｏ
ｌ、４４４７　ｐ、６６７〜６６９．１９８４　）に較
べて電極の消耗が少なく、不純物の発生も少なくなる。

また、本実施例で軸方向に電流を流すのは、プラズマを
ピンチさせるためではなく、すでにピンチしているプラ
ズマの電子温度を上昇させるのが目的であるため、大電
流を流す必ｙｉ′！ｙ、ｃ＜、ｚピンチによるプラズマ
発生の場合に較べて電極消耗は格段に少なく、Ｘ線源の
寿命を長く保持することが可能となる効果がある。

（発明の他の実施例）第６図は、本発明になる他の実施例を示したものである
。なお、同図中、第１図および第２図と同等のものは同
じ符号で示してあり、プラズマ発生方法は第１図と同様
であるから説明を省略する。

本実施例は、シータピンチにより生成されたピンチプラ
ズマ５３に、シータピンチコイル４１の径方向から、電
子ビーム６１を照射することにより、その照射点から軟
Ｘ線を発生させるものである。

このために、シータピンチフィル４１の外側に電子ビー
ム入射装置６２が備えられている。

プラズマ５３がピンチした時点で、始動装置６６からの
指令にしたがってスイッチ６３を投入すると、充電装置
６４により充電されていたコンデンサ６５が放電し、電
子ビーム６１を、コイル４１の一部に穿設した開口６７
からプラズマ５３に照射する。これ、（より、電子ビー
ム６１の照射点から軟Ｘ線が発生される。

本実施例によれば、軟Ｘ線源をシータコイル軸上の１点
−換言すれば、ピンチされたプラズマ５３の上の１点に
規制することが可能となる。このため、軟Ｘ線発生源の
位置決めが正確にできるようになり、Ｘ線レジスト２５
上に％健度のよい潜像が得られ、したがって、より精細
なパターンを描くことができる効果がある。

第７図は、本発明のさらに他の実施例を示した断面図で
、図において、第６図と同一の符号は、同一または同等
部分をあられしている。

本実施例は、シータピンチにより生成したピンチプラズ
マ５３に、シータピンチコイル４１．または前記ピンチ
プラズマ５３の軸方向から電子ビーム６１を照射し、軟
Ｘ線をピンチプラズマ５３の軸方向からとり出すように
したものである。

本実施例によれば、電子ビーム６１とプラズマ５３の相
互作用の機会が増大するので、軟Ｘ線強度を増大させる
ことができる効果がある。

また、本実施例では、Ｘ線発生のために必要なガスを放
電管７１内にのみ封入することができるので、シータピ
ンチコイル４１．電子ビーム入射装置６２を大気中に配
置することが可能となり、保守・点検がしやすいという
効果もある。

なお、第１図、第２図に示した本発明の実施例において
、軟Ｘ線は、ピンチプラズマの径方向にとり出すような
構成となっているが、軸方向に電流を流す方式の軟ＸＩ
ＩＡ源においても、第７図に示した実施例と同じようＫ
、ピンチプラズマの軸方向に軟Ｘ線をとり出すことは可
能である。

（発明の効果）以上の説明から明らかなように、本発明によれば、つぎ
のような効果が達成される。

（１）　　シータピンチによってプラズマを発生するの
で、プラズマ発生位置の再現性が良い。

１２１　　Ｗａ記（１）の結果として、Ｘ線源、すなわ
ちＸ線発生位置を正確に制御できるので、特にＸ線リソ
グラフィ装置のＸ線源として用いる場合に、半導体基板
上の正しい位置にパターン偉を形成することができる。

また、多重露光を行なう場合の各像の位置ずれが低減さ
れるので、微細パターンの焼付けが可能となり、高密式
集積が実現される。

（３）　　プラズマ内で、高強度の軟Ｘ線を発生するこ
とができる。

（４）　　ピンチされたプラズマの周辺が、残留ガス粒
子の少ない稀薄９間となるので・発生した軟Ｘ線の眩収
が少なく、高強度の軟Ｘ線が得られ易く、作動効率が改
善される。

（５）電極や絶縁物の蒸発消耗が少ｔくなるので、Ｘ線
発生装置の寿命が長くなり、ひいてはＸ線リソグラフィ
装置の稼動率を向上することができる。

（６）前項のように蒸発ガスが少ないので、軟Ｘ線の吸
収はより一層少なくなる。また、Ｘ線取出し窓の汚損も
減少するので、この面での軟Ｘ線の吸収も減少し、前記
取出し窓の交換頻度も低減する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になるＸ線発生装置を採用したＸ線リソ
グラフィ装置の側断面図、第２図は、第１図の■−■線
にそう断面図、第３図は、従来のＸ線発生装置を採用し
たＸ線リソグラフィ装置の断面図、第４図は、シータピ
ンチの原理を示す概略構成図、第５図は、シータピンチ
によるピンチ過程を説明する概念図、第６図、第７図は
、本発明になる他の実施例を示す断面図である。１・・Ｘ線発生装置、　　２・・容器、　２０　・リソ
グラフィ装置、　２３・・・Ｘ線マスク、　２４・・・
基板、　　２５・・・Ｘ線レジスト、　４１・・・シー
タピンチコイル、　４２．４３・・・電極、　４８・・
・ベリリウム製窓、　５３・・・ピンチされたプラズマ
、６１・・・電子ビーム、　６２・・・電子ビーム入射
装置

Claims

【特許請求の範囲】

（１）筒状のシータピンチコイルと、前記シータピンチ
コイルの内部空間に封入されたプラズマ用気体と、前記
シータピンチコイルにプラズマ発生用電流を供給する手
段とを具備したことを特徴とするＸ線発生装置。
（２）前記シータピンチコイルの一部には、Ｘ線取出し
用窓が穿設されたことを特徴とする前記特許請求の範囲
第１項記載のＸ線発生装置。
（３）前記気体はＮｅ、ＸｅおよびＧａのうちの一つで
あり、発生されるＸ線は軟Ｘ線であることを特徴とする
前記特許請求の範囲第１項記載のＸ線発生装置。
（４）筒状のシータピンチコイルと、前記シータピンチ
コイルの内部空間に封入されたプラズマ用気体と、前記
シータピンチコイルにプラズマ発生用電流を供給する手
段と、前記シータピンチコイル内のピンチプラズマ生成
位置に、電子ビームを照射する手段とを具備したことを
特徴とするＸ線発生装置。
（５）電子ビームはピンチプラズマの軸と交さする方向
から照射され、前記シータピンチコイルの一部には、Ｘ
線取出し用窓が穿設されたことを特徴とする前記特許請
求の範囲第４項記載のＸ線発生装置。
（６）前記気体は、Ｎｅ、ＸｅおよびＧａのうちの一つ
であり、発生されるＸ線は軟Ｘ線であることを特徴とす
る前記特許請求の範囲第４項記載のＸ線発生装置。
（７）電子ビームはピンチプラズマの軸方向から照射さ
れることを特徴とする前記特許請求の範囲第４項記載の
Ｘ線発生装置。
（８）筒状のシータピンチコイルと、前記シータピンチ
コイルの内部空間に封入されたプラズマ用気体と、前記
シータピンチコイルにプラズマ発生用電流を供給する手
段と、前記シータピンチコイル内部に生成されるピンチ
プラズマに、前記シータピンチコイルの軸方向の電圧を
印加する手段とを具備したことを特徴とするＸ線発生装
置。
（９）前記シータピンチコイルの一部には、Ｘ線取出し
用窓が穿設されたことを特徴とする前記特許請求の範囲
第８項記載のＸ線発生装置。
（１０）前記気体は、Ｎｅ、ＸｅおよびＧａのうちの一
つであり、発生されるＸ線は軟Ｘ線であることを特徴と
する前記特許請求の範囲第８項記載のＸ線発生装置。
（１１）筒状のシータピンチコイルと、前記シータピン
チコイルの内部空間に封入されたプラズマ用気体と、前
記シータピンチコイルにプラズマ発生用電流を供給する
手段とよりなるＸ線発生装置を具備し、さらに、前記Ｘ
線発生装置の一部に配設されたＸ線取出し用窓と、前記
Ｘ線取出し用窓に関して前記シータピンチコイルと反対
側のＸ線放射領域に配置されたＸ線マスクおよび半導体
基板保持手段とを具備したことを特徴とするＸ線リソグ
ラフィ装置。
（１２）前記Ｘ線マスクおよび半導体基板保持手段は真
空室内に配置されることを特徴とする前記特許請求の範
囲第１１項記載のＸ線リソグラフィ装置。
（１３）筒状のシータピンチコイルと、前記シータピン
チコイルの内部空間に封入されたプラズマ用気体と、前
記シータピンチコイルにプラズマ発生用電流を供給する
手段と、前記シータピンチコイル内のピンチプラズマ生
成位置に、電子ビームを照射する手段とよりなるＸ線発
生装置を具備し、さらに、前記Ｘ線装置の一部に配設さ
れたＸ線取出し用窓と、前記Ｘ線取出し用窓に関して前
記シータピンチコイルと反対側のＸ線放射領域に配置さ
れたＸ線マスクおよび半導体基板保持手段とを具備した
ことを特徴とするＸ線リソグラフィ装置。
（１４）電子ビームはピンチプラズマの軸と交さする方
向から照射され、前記シータピンチコイルの一部には、
Ｘ線取出し用窓が穿設されたことを特徴とする前記特許
請求の範囲第１３項記載のＸ線リソグラフィ装置。
（１５）電子ビームはピンチプラズマの軸方向から照射
されることを特徴とする前記特許請求の範囲第１３項記
載のＸ線リソグラフィ装置。
（１６）筒状シータピンチコイルと、前記シータピンチ
コイルの内部空間に封入されたプラズマ用気体と、前記
シータピンチコイルにプラズマ発生用電流を供給する手
段と、前記シータピンチコイル内部に生成されるピンチ
プラズマに、前記シータピンチコイルの軸方向の電圧を
印加する手段とよりなるＸ線発生装置を具備し、さらに
、前記Ｘ線発生装置の一部に配設されたＸ線取出し用窓
と、前記Ｘ線取出し用窓に関して前記シータピンチコイ
ルと反対側のＸ線放射領域に配置されたＸ線マスクおよ
び半導体基板保持手段とを具備したことを特徴とするＸ
線リソグラフィ装置。
（１７）前記シータピンチコイルの一部には、Ｘ線取出
し用窓が穿設されたことを特徴とする前記特許請求の範
囲第１６項記載のＸ線リソグラフィ装置。