JP5659543B2 - プラズマ光源とプラズマ光発生方法 - Google Patents
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Description
前記各同軸状電極は、単一の軸線上に延びる棒状の中心電極と、該中心電極の対向する先端部を一定の間隔を隔てて囲むガイド電極と、前記中心電極とガイド電極の間を絶縁する絶縁部材とからなり、
プラズマ光発光後の残留プラズマの排出時に、プラズマ光の発光位置から離れた離隔位置に、中心電極より電位の低い仮想電極を形成する仮想電極形成装置を備え、
前記仮想電極形成装置は、
残留プラズマの排出時に前記中心電極を接地状態にするインダクタ回路と、
残留プラズマの排出時に前記離隔位置に電子を放出する電子放出回路と、
前記離隔位置に電子を拘束する磁場を発生させる磁場発生装置と、を有する、ことを特徴とするプラズマ光源が提供される。
前記放電電圧は、パルス幅1〜10μS、パルス周期0.1〜10mS、電圧1〜30kVの極短パルス電圧であり、
前記インダクタは、前記放電電圧の印加時に前記極短パルス電圧を維持可能なインダクタンスを有する。
残留プラズマの排出時に、低エネルギー電子供給体を負電圧に印加する電子放出電源と、からなる。
インダクタ回路により、残留プラズマの排出時に中心電極を接地状態にし、
電子放出回路により、残留プラズマの排出時に離隔位置に電子を放出し、
磁場発生装置により、前記離隔位置に電子を拘束する磁場を発生させ、
プラズマ光発光後の残留プラズマの排出時に、プラズマ光の発光位置から離れた離隔位置に、中心電極より電位の低い仮想電極を形成して、残留プラズマを前記仮想電極による静電気力により加速させて高速排気する、ことを特徴とするプラズマ光発生方法が提供される。
この図において、本発明のプラズマ光源は、1対の同軸状電極10、放電環境保持装置20、及び電圧印加装置30を備える。
各同軸状電極10は、棒状の中心電極12、管状のガイド電極14及びリング状の絶縁体16からなる。
なお、絶縁体16の形状はこの例に限定されず、中心電極12とガイド電極14の間を電気的に絶縁する限りで、その他の形状であってもよい。
放電環境保持装置20は、例えば、真空チャンバー21、真空装置22、温度調節器及びプラズマ媒体供給装置により構成することができる。またこの例において、真空チャンバー21内のガスは、真空装置22により図で下向きに排気されるようになっている。
なおこの構成は必須ではなく、その他の構成であってもよい。
電圧印加装置30は、この例では、正電圧源32、負電圧源34及びトリガスイッチ36からなる。
トリガスイッチ36は、正電圧源32と負電圧源34を同時に作動させて、それぞれの中心電極12に同時に正負の放電電圧を印加する。
この構成により、本発明のプラズマ光源は、1対の同軸状電極10間に管状放電(後述する)を形成してプラズマ3を軸方向に封じ込め、プラズマ光8を発光させるようになっている。
仮想電極形成装置40は、残留プラズマ3aの排出時に、プラズマ光8の発光位置から離れた離隔位置(この図でプラズマ3の下方)に、中心電極12より電位の低い仮想電極41を形成して、残留プラズマ3aを仮想電極41による静電気力により加速させて高速排気するようになっている。
例えばインダクタンスLを1〜10mHに設定することにより、このインダクタ43はプラズマ放電時の数μ秒のパルス電圧に対しては、kΩオーダーの抵抗として作用し、中心電極12とガイド電極14(外部電極)の間に高電圧印加が可能である。一方、イオン排出時の時間間隔ミリ秒オーダーの時間帯では、インダクタ43のインピーダンスは10Ω程度となり両中心電極がほぼ接地電位となる。
この場合、プラズマ光源部の電位がほぼ接地電位で、仮想電極側が負高電位状態であるため、イオン回収プレート48aの電位は、仮想電極電位に近い負高電位であり、パルス電位または一定の負電位であるのがよい。
なお、イオン回収プレート48aは負電位である限りで、低エネルギー電子供給体45aと電源及び電位が共通でなくてもよい。
以下、この図を参照して、本発明のプラズマ光発生方法を説明する。
なおこの際、左側の同軸状電極10の中心電極12は正電圧(+)、右側の同軸状電極10の中心電極12は負電圧(−)に印加されている。なお、ガイド電極14は、両方とも接地され、0Vに維持されている。
この管状放電4が形成されると、図に符号5で示すプラズマ封込み磁場(磁気ビン)が形成され、プラズマ3を半径方向及び軸方向に封じ込むことができる。
すなわち、磁気ビン5はプラズマ3の圧力により中央部は大きくその両側が小さくなり、プラズマ3に向かう軸方向の磁気圧勾配が形成され、この磁気圧勾配によりプラズマ3は中間位置に拘束される。さらにプラズマ電流の自己磁場によって中心方向にプラズマ3は圧縮(Zピンチ)され、半径方向にも自己磁場による拘束が働く。
この状態において、プラズマ3の発光エネルギーに相当するエネルギーを電圧印加装置30から供給し続ければ、高いエネルギー変換効率で、プラズマ光8(EUV)を長時間安定して発生させることができる。
以下、この図を参照して、残留プラズマの排気方法を説明する。
次に、図4(B)のプラズマ光発光後の残留プラズマの排出時には、図2に示したように正電圧源32の電圧32aと負電圧源34の電圧34aの両方が0V(または0に近い電圧)になるので、管状放電4及びプラズマ光8の発光がなくなり、プラズマ3の位置に残留プラズマ3aのみが存在する状態となる。この残留プラズマ3aは、質量数の大きい荷電粒子(電子を除くイオン、微粒子等)である。
3 プラズマ、3a 残留プラズマ、
4 管状放電、5 プラズマ封込み磁場、6 プラズマ媒体、
7 レーザー光、8 プラズマ光(EUV)、9 排出経路、
10 同軸状電極、12 中心電極、
14 ガイド電極、14a 開口、16 絶縁体、
20 放電環境保持装置、21 真空チャンバー、
22 真空装置、30 電圧印加装置、
32 正電圧源、34 負電圧源、36 トリガスイッチ、
40 仮想電極形成装置、41 仮想電極、
42 インダクタ回路、43 インダクタ、
44 電子放出回路、45a 低エネルギー電子供給体、
45b 電子放出電源、46 磁場発生装置、
48a イオン回収プレート、48 プラズマ媒体回収装置
Claims (5)
- 対向配置された1対の同軸状電極と、該同軸状電極内のプラズマ媒体をプラズマ発生に適した温度及び圧力に保持する放電環境保持装置と、各同軸状電極に極性を反転させた放電電圧を印加する電圧印加装置と、を備えるプラズマ光源であって、
前記各同軸状電極は、単一の軸線上に延びる棒状の中心電極と、該中心電極の対向する先端部を一定の間隔を隔てて囲むガイド電極と、前記中心電極とガイド電極の間を絶縁する絶縁部材とからなり、
プラズマ光発光後の残留プラズマの排出時に、プラズマ光の発光位置から離れた離隔位置に、中心電極より電位の低い仮想電極を形成する仮想電極形成装置を備え、
前記仮想電極形成装置は、
残留プラズマの排出時に前記中心電極を接地状態にするインダクタ回路と、
残留プラズマの排出時に前記離隔位置に電子を放出する電子放出回路と、
前記離隔位置に電子を拘束する磁場を発生させる磁場発生装置と、を有する、ことを特徴とするプラズマ光源。 - 前記インダクタ回路は、インダクタを介して前記中心電極を接地する接地回路であり、
前記放電電圧は、パルス幅1〜10μS、パルス周期0.1〜10mS、電圧1〜30kVの極短パルス電圧であり、
前記インダクタは、前記放電電圧の印加時に前記極短パルス電圧を維持可能なインダクタンスを有する、ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ光源。 - 前記電子放出回路は、前記残留プラズマの排出経路を挟んで前記離隔位置に対向配置された1対の低エネルギー電子供給体と、
残留プラズマの排出時に、低エネルギー電子供給体を負電圧に印加する電子放出電源と、からなる、ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ光源。 - 前記残留プラズマの排出経路に、負電圧に印加されかつ温度調整可能なイオン回収プレートを有するプラズマ媒体回収装置を備える、ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ光源。
- 1対の同軸状電極を対向配置し、前記同軸状電極内にプラズマ媒体を供給しかつプラズマ発生に適した温度及び圧力に保持し、各同軸状電極に極性を反転させた放電電圧を印加して、1対の同軸状電極にそれぞれ面状放電を発生させ、該面状放電により各同軸状電極の対向する中間位置に単一のプラズマを形成し、次いで前記面状放電を1対の同軸状電極間の管状放電に繋ぎ換えて前記プラズマを封じ込める磁場を形成してプラズマを軸方向に封じ込めプラズマ光を発光させ、
インダクタ回路により、残留プラズマの排出時に中心電極を接地状態にし、
電子放出回路により、残留プラズマの排出時に離隔位置に電子を放出し、
磁場発生装置により、前記離隔位置に電子を拘束する磁場を発生させ、
プラズマ光発光後の残留プラズマの排出時に、プラズマ光の発光位置から離れた離隔位置に、中心電極より電位の低い仮想電極を形成して、残留プラズマを前記仮想電極による静電気力により加速させて高速排気する、ことを特徴とするプラズマ光発生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010090300A JP5659543B2 (ja) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | プラズマ光源とプラズマ光発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010090300A JP5659543B2 (ja) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | プラズマ光源とプラズマ光発生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011222302A JP2011222302A (ja) | 2011-11-04 |
JP5659543B2 true JP5659543B2 (ja) | 2015-01-28 |
Family
ID=45039039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010090300A Expired - Fee Related JP5659543B2 (ja) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | プラズマ光源とプラズマ光発生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5659543B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5948810B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2016-07-06 | 株式会社Ihi | プラズマ光源 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4042848A (en) * | 1974-05-17 | 1977-08-16 | Ja Hyun Lee | Hypocycloidal pinch device |
JP4696478B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2011-06-08 | 株式会社Ihi | プラズマx線発生装置 |
US7115887B1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-10-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for generating extreme ultraviolet with mather-type plasma accelerators for use in Extreme Ultraviolet Lithography |
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2010
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011222302A (ja) | 2011-11-04 |
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