JPS59108249A - Ｘ線発生方法及びｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生方法及びｘ線発生装置Info
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- JPS59108249A JPS59108249A JP21900782A JP21900782A JPS59108249A JP S59108249 A JPS59108249 A JP S59108249A JP 21900782 A JP21900782 A JP 21900782A JP 21900782 A JP21900782 A JP 21900782A JP S59108249 A JPS59108249 A JP S59108249A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（〜 発明の技術分野
本発＋ｊＪＪはＸａ発生方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
ＩＣ，ＬＳ Ｉ等の半導体装置の製造に際し、微細パタ
ーンを得るためのホトリソグラフィ技術において、従来
の紫外線を用いてホトレジスト膜を露光する代わりに、
より波長の短いＸ ４’ｄを用いて露光する方法が取ら
れるようになっている。
ーンを得るためのホトリソグラフィ技術において、従来
の紫外線を用いてホトレジスト膜を露光する代わりに、
より波長の短いＸ ４’ｄを用いて露光する方法が取ら
れるようになっている。
このようなＸ線を用いたＸ線転写装置に必要なＸ線源と
して各種のプラズマＸ線源の開発が進めちれている。
して各種のプラズマＸ線源の開発が進めちれている。
（ｃ） 従来技術と問題点
このようなＸ線源におけるＸ線の発生方法として従来は
プラズマフォーカス型やガス噴出型がある。
プラズマフォーカス型やガス噴出型がある。
前者の方法は真空に排気されたＸ線発生室内へ円柱状の
ステンレス等よりなる第１の市価とその周囲に該第１の
ｒ４ｉ： ｌｉと同一中心軸を有し２．内部がくり抜か
れた円筒状のステンレス等よりなる第２の電極とを設け
、前記Ｘ線発生室内へクリプトン（Ｋｒ ）のようなプ
ラズマ発生用ガスを導入する。
ステンレス等よりなる第１の市価とその周囲に該第１の
ｒ４ｉ： ｌｉと同一中心軸を有し２．内部がくり抜か
れた円筒状のステンレス等よりなる第２の電極とを設け
、前記Ｘ線発生室内へクリプトン（Ｋｒ ）のようなプ
ラズマ発生用ガスを導入する。
そして前記第１．第２の電極間に高電圧を印加して放１
ｋを生じさせ、この放電によって導入されたガスをプラ
ズマ状にして発生したＸ線をＸＲ発生室より外部に照射
するものである１、 また後者の方法は、真空に排気したＸ線室内へバルブを
用いて高速でぶガスのようなプラズマ発生用ガスを導入
し、このガスの通路に設けた電極で放電を生じさせ３、
導入されたガスにプラズマを発生させるようにしたもの
である。
ｋを生じさせ、この放電によって導入されたガスをプラ
ズマ状にして発生したＸ線をＸＲ発生室より外部に照射
するものである１、 また後者の方法は、真空に排気したＸ線室内へバルブを
用いて高速でぶガスのようなプラズマ発生用ガスを導入
し、このガスの通路に設けた電極で放電を生じさせ３、
導入されたガスにプラズマを発生させるようにしたもの
である。
ところで前者の方法では、発生したプラズマを効率良く
収縮化するのが不充分で、その結果Ｘ ｉ＋１の発生効
率が低いといった欠点があり、また後者の方法はプラズ
マ発生用ガスをＸ線発生室へ高速にノζ）入するための
機械的なバルブを用いる必要があり、Ｘ線発生装置の信
頼度が低下する欠点がある。
収縮化するのが不充分で、その結果Ｘ ｉ＋１の発生効
率が低いといった欠点があり、また後者の方法はプラズ
マ発生用ガスをＸ線発生室へ高速にノζ）入するための
機械的なバルブを用いる必要があり、Ｘ線発生装置の信
頼度が低下する欠点がある。
（由 発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し、一つのＸ線発生室内に
プラズマの発生と収縮との二つの機能を別個に持たせて
、Ｘ線発生効率を向上させ、かつ機械的なバルブを必要
としない高信頼度のＸ線発生装置の提供を目的とするも
のである。
プラズマの発生と収縮との二つの機能を別個に持たせて
、Ｘ線発生効率を向上させ、かつ機械的なバルブを必要
としない高信頼度のＸ線発生装置の提供を目的とするも
のである。
（ｅ〕 発明の構成
かかる目的を達成するための本発明のＸ線発生方法は、
真空に排気したＸ線発生室内に円柱状の第１の一極を該
第１の一極の周囲に該第１の一極と同一の中心軸を有し
、内部が中空の円筒状の第２のｔＭ極を設け、更に前記
第１．第２の一極よりＸ線照射方向に隔った位置に前記
第１．第２の一極と同一の中心軸を有し、中央が円形に
くり抜かれた円板状の第３の一極を配設し、前記Ｘ線発
生室内にプラズマ発生用ガスを導入して、第１の一極と
第２の′電極間に高圧を印加してプラズマを発生させ、
更に第１の成極と第３のＩ４ｃ極間に高圧を目！柳する
ことで発生したプラズマを収縮し“Ｃ１該プラズマの高
密度化、高温度化を図ることを特徴とするものである。
真空に排気したＸ線発生室内に円柱状の第１の一極を該
第１の一極の周囲に該第１の一極と同一の中心軸を有し
、内部が中空の円筒状の第２のｔＭ極を設け、更に前記
第１．第２の一極よりＸ線照射方向に隔った位置に前記
第１．第２の一極と同一の中心軸を有し、中央が円形に
くり抜かれた円板状の第３の一極を配設し、前記Ｘ線発
生室内にプラズマ発生用ガスを導入して、第１の一極と
第２の′電極間に高圧を印加してプラズマを発生させ、
更に第１の成極と第３のＩ４ｃ極間に高圧を目！柳する
ことで発生したプラズマを収縮し“Ｃ１該プラズマの高
密度化、高温度化を図ることを特徴とするものである。
（ｆ）発明の実施例
以下本発明の一実施例につき図面を用いて詳細に説明す
る。図は本発明のＸ線発生方法を行うための装置の断面
図で内部が中空の円筒状のステンレスより形成されてい
るＸ線発生室内においてセラミック等よりなる絶縁基板
２−Ｌに円柱状のステンレスよりなる第１の＋ｌｉ：ｉ
Ｕ３を設ける。そして該１１Ｓ１の一極３の周囲に該第
１の１１Ｌ極と同一の中心軸を有し、内部が中空の円筒
状のステンレスよりなる第２の１４Ｌ極４を設ける。そ
して該第１の一極３および第２の電極４よりＸ線が照射
される方向へ所定の間隔を距でて、前記第１の一極３お
よび第２のＩｔＬ極４と同一の中心軸を有いかつ中央部
が円形にくり抜かれた円板状のステンレスよりなる第３
の成極５を設ける。勿論この第３の屯罹５とＸ線発生室
１との間にはセラミックよりなる円板状の絶縁部材６が
設けられている。
る。図は本発明のＸ線発生方法を行うための装置の断面
図で内部が中空の円筒状のステンレスより形成されてい
るＸ線発生室内においてセラミック等よりなる絶縁基板
２−Ｌに円柱状のステンレスよりなる第１の＋ｌｉ：ｉ
Ｕ３を設ける。そして該１１Ｓ１の一極３の周囲に該第
１の１１Ｌ極と同一の中心軸を有し、内部が中空の円筒
状のステンレスよりなる第２の１４Ｌ極４を設ける。そ
して該第１の一極３および第２の電極４よりＸ線が照射
される方向へ所定の間隔を距でて、前記第１の一極３お
よび第２のＩｔＬ極４と同一の中心軸を有いかつ中央部
が円形にくり抜かれた円板状のステンレスよりなる第３
の成極５を設ける。勿論この第３の屯罹５とＸ線発生室
１との間にはセラミックよりなる円板状の絶縁部材６が
設けられている。
このようなＸ線室１内を真空に排気したのちガス導入孔
７より室内が１Ｔｏｒｒ程度の圧力となるまでアルゴン
（Ａｒ ）ガスを導入する。そしてコンデンサ８には抵
抗９によって高′屯圧を蓄積させておき、Ａ＋ガスの導
入後スイッチ１０を閉じる。このようにすると絶縁基板
２上に層」二に放電によって電流が生じ、この電流によ
って磁場が生じる。このスイッチ１２を閉じる。すると
低紙１３によってコンデンサ１４に貯えられている電荷
によってＡ点に収束したプラズマが中心軸１１上に収縮
されるようになる。
７より室内が１Ｔｏｒｒ程度の圧力となるまでアルゴン
（Ａｒ ）ガスを導入する。そしてコンデンサ８には抵
抗９によって高′屯圧を蓄積させておき、Ａ＋ガスの導
入後スイッチ１０を閉じる。このようにすると絶縁基板
２上に層」二に放電によって電流が生じ、この電流によ
って磁場が生じる。このスイッチ１２を閉じる。すると
低紙１３によってコンデンサ１４に貯えられている電荷
によってＡ点に収束したプラズマが中心軸１１上に収縮
されるようになる。
このように中心軸１１上にプラズマが収縮されると、従
来の方法よりプラズマが畠密度かつ高温度になりＸ線の
づｅ生を容易に促進することになりＸ線の発生効率が高
まることになる。
来の方法よりプラズマが畠密度かつ高温度になりＸ線の
づｅ生を容易に促進することになりＸ線の発生効率が高
まることになる。
また第１を第２のＩｌ！、極を用いてプラズマの発生お
よび収束を行い、第１．第３の１４Ｌ極を月１いて発生
したプラズマの収縮を行わせる等、同一のＸ線発生室内
において機能を分担させて持たせでいるので、プラズマ
の発生収束と、プラズマの収縮とをそれぞれ別個に最適
条件で実施することができ、Ｘ線発生効率が向上する。
よび収束を行い、第１．第３の１４Ｌ極を月１いて発生
したプラズマの収縮を行わせる等、同一のＸ線発生室内
において機能を分担させて持たせでいるので、プラズマ
の発生収束と、プラズマの収縮とをそれぞれ別個に最適
条件で実施することができ、Ｘ線発生効率が向上する。
また従来のガス噴出型のＸ線発生装置における高速バル
ブのような機械的操作を用いないのでＸ腺発生装置の信
頼度が向上する利点を生じる。
ブのような機械的操作を用いないのでＸ腺発生装置の信
頼度が向上する利点を生じる。
（ｎ 発明の効果
以−１−述べたように本発明のＸ線発生方法によれば、
高温度、高密度のグラズマの発生が容易となり、このよ
うな方法を用いると高効率、高（ｉ７頼度のＸ線発生装
置が得られる利点を生じる。
高温度、高密度のグラズマの発生が容易となり、このよ
うな方法を用いると高効率、高（ｉ７頼度のＸ線発生装
置が得られる利点を生じる。
１゛シ１は本発明のＸ線発生方法に用いる装置の断面（
べ１である。 １；７１において、■はＸ線発生室、２，６は絶縁基板
、；）は第１の′屯Ｊｊ％ス、４は第２の’ｉｌにドｉ
、５は第３の屯（・１ｌＨ１７はガスシフ人孔、８．１
４はコンデンサ、！ｌ、 １３は抵抗、］（１，１２は
スイッチ、１］は中心−１１、を示ず７、
べ１である。 １；７１において、■はＸ線発生室、２，６は絶縁基板
、；）は第１の′屯Ｊｊ％ス、４は第２の’ｉｌにドｉ
、５は第３の屯（・１ｌＨ１７はガスシフ人孔、８．１
４はコンデンサ、！ｌ、 １３は抵抗、］（１，１２は
スイッチ、１］は中心−１１、を示ず７、
Claims (1)
- 真空に排気したＸ線発生室内に円柱状の第１の１１ｉ、
棒と該第１の電極の周囲に該第１の′ｉ１１極と同一の
中心軸を有し、内部が中空の円筒状の第２の電極を設け
、更に前記第１．第２のｒ４３．極よりＸ線照射方向に
隔った位置に前記第１．第２の１１棹と同一の中心軸を
有し、中央が円形にくり抜かれた円板状の第３の電極を
配設し、前記Ｘ線発生室内にプラズマ発生用ガスを導入
して、第１の電極と第２の市侑間に高圧を印加してプラ
ズマを発生させ、更に第１の電極と第３の電極間に高圧
を印加することで発生したプラズマを収縮して、該プラ
ズマの高密度化、高温化を図ることを特徴とするＸ線発
生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21900782A JPS59108249A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | Ｘ線発生方法及びｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21900782A JPS59108249A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | Ｘ線発生方法及びｘ線発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108249A true JPS59108249A (ja) | 1984-06-22 |
| JPH0373982B2 JPH0373982B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=16728795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21900782A Granted JPS59108249A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | Ｘ線発生方法及びｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59108249A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198598A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-02 | Hitachi Ltd | Ｘ線発生装置 |
| JPS62177842A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Hitachi Ltd | Ｘ線発生装置 |
| US5068884A (en) * | 1988-12-30 | 1991-11-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | X-ray generation system for an ultra fine lithography and a method therefor |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP21900782A patent/JPS59108249A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198598A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-02 | Hitachi Ltd | Ｘ線発生装置 |
| JPH0453080B2 (ja) * | 1985-02-28 | 1992-08-25 | Hitachi Ltd | |
| JPS62177842A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Hitachi Ltd | Ｘ線発生装置 |
| JPH0580783B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1993-11-10 | Hitachi Ltd | |
| US5068884A (en) * | 1988-12-30 | 1991-11-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | X-ray generation system for an ultra fine lithography and a method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373982B2 (ja) | 1991-11-25 |
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