JPS62205273A - 光導電体の製造方法 - Google Patents
光導電体の製造方法Info
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- JPS62205273A JPS62205273A JP61050056A JP5005686A JPS62205273A JP S62205273 A JPS62205273 A JP S62205273A JP 61050056 A JP61050056 A JP 61050056A JP 5005686 A JP5005686 A JP 5005686A JP S62205273 A JPS62205273 A JP S62205273A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は、複写機や光プリンタの感光体等として使用
される光導電体の製造方法に関する。
される光導電体の製造方法に関する。
〈発明の概要〉
この発明の光導電体の製造方法は、要約すれば、成膜前
に反応室内に酸素を導入し基体表面を加熱するとともに
グロー放電を行うことにより、この基体表面に付着した
ダストを酸化除去しアモル、ファスシリコン膜に欠陥が
生じるのを防止しようとするものである。
に反応室内に酸素を導入し基体表面を加熱するとともに
グロー放電を行うことにより、この基体表面に付着した
ダストを酸化除去しアモル、ファスシリコン膜に欠陥が
生じるのを防止しようとするものである。
〈従来技術とその欠点〉
アモルファスシリコンからなる光導電体は、高い光感度
、高耐久性および無公害等の優れた特徴を有し、優秀な
光導電材料として実用化が期待されている。ところが、
このようなアモルファスシリコンの光導電体も、電子写
真法の感光体として使用し画像を形成した場合に、特に
中間調の部分に白抜は現象が顕著に現れ画像品質が低下
するという欠点が生し大きな問題となっている。このよ
うな白抜は現象の原因は、アモルファスシリコンが従来
の光導電材料に比べ、基体の表面状態に特に影響を受は
易いためであり、基体表面に付着した異物によってアモ
ルファスシリコンの成長過程に異常が生じその部分が凸
状の欠陥となるからである。
、高耐久性および無公害等の優れた特徴を有し、優秀な
光導電材料として実用化が期待されている。ところが、
このようなアモルファスシリコンの光導電体も、電子写
真法の感光体として使用し画像を形成した場合に、特に
中間調の部分に白抜は現象が顕著に現れ画像品質が低下
するという欠点が生し大きな問題となっている。このよ
うな白抜は現象の原因は、アモルファスシリコンが従来
の光導電材料に比べ、基体の表面状態に特に影響を受は
易いためであり、基体表面に付着した異物によってアモ
ルファスシリコンの成長過程に異常が生じその部分が凸
状の欠陥となるからである。
したがって、アモルファスシリコンの光導電体を製造す
るに当たっては、基体表面をできるだけ清浄にしておく
必要がある。このため、成膜前に基体の表面を有ａ溶剤
や界面活性剤を用いて洗浄し、また、これらの洗浄液を
ジェット噴流にして吹き付けたり、基体を傷付けること
がないように調整されたブラシでこする等の方法により
、付着物を除去する作業が従来より行われている。
るに当たっては、基体表面をできるだけ清浄にしておく
必要がある。このため、成膜前に基体の表面を有ａ溶剤
や界面活性剤を用いて洗浄し、また、これらの洗浄液を
ジェット噴流にして吹き付けたり、基体を傷付けること
がないように調整されたブラシでこする等の方法により
、付着物を除去する作業が従来より行われている。
ところが、このような洗浄作業を行ってもなおかつ除去
することができない異物がある。また、基体を洗浄した
後反応室内に装着する際に、作業者の人体等から出た雰
囲気中のダストが基体表面に付着する場合がある。この
ため、従来の方法だけでは、これらの異物を基体表面か
ら完全に除去することは不可能であり、形成されるアモ
ルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを充分に防ぐこと
ができなかった。
することができない異物がある。また、基体を洗浄した
後反応室内に装着する際に、作業者の人体等から出た雰
囲気中のダストが基体表面に付着する場合がある。この
ため、従来の方法だけでは、これらの異物を基体表面か
ら完全に除去することは不可能であり、形成されるアモ
ルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを充分に防ぐこと
ができなかった。
〈発明の目的〉
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、成膜を行う前に反応室内に酸素を導入し基体表面を
加熱するとともにグロー放電を行うことにより、この基
体表面に付着したダストを酸化分解して欠陥の原因とな
る貰物を完全に除去することができる光導電体の製造方
法を提供することを目的とする。
て、成膜を行う前に反応室内に酸素を導入し基体表面を
加熱するとともにグロー放電を行うことにより、この基
体表面に付着したダストを酸化分解して欠陥の原因とな
る貰物を完全に除去することができる光導電体の製造方
法を提供することを目的とする。
〈発明の構成および効果〉
この発明の光導電体の製造方法は、反応室内で’／ ’
） ７ （Ｓ ｊ’ ｎ Ｈ２１１，２）を主成分とし
た反応ガスを分解することにより、この反応室内に装着
した基体表面にアモルファスシリコン膜を形成する光導
電体の製造方法において、 基体を装着して反応室内を書間排気した後、反応ガスを
導入する前に、酸素または酸素を含むガスをこの反応室
内に導入するとともに、基体表面を介して形成された対
の電極間でグロー放電を行わせることにより基体表面に
付着したダストを酸化分解せしめることを特徴とする。
） ７ （Ｓ ｊ’ ｎ Ｈ２１１，２）を主成分とし
た反応ガスを分解することにより、この反応室内に装着
した基体表面にアモルファスシリコン膜を形成する光導
電体の製造方法において、 基体を装着して反応室内を書間排気した後、反応ガスを
導入する前に、酸素または酸素を含むガスをこの反応室
内に導入するとともに、基体表面を介して形成された対
の電極間でグロー放電を行わせることにより基体表面に
付着したダストを酸化分解せしめることを特徴とする。
この発明を上記のように構成すると、基体表面がプラズ
マ状態となり付着したダストが分解し、雰囲気中の酸素
と結合して酸化反応を起こす。このようなダストは、通
常の洗浄では除去できなかったものや作業者の人体等か
ら出たものなので主に有機物で構成されている。したが
って、ダストが酸化すると殆どが水蒸気や二酸化炭素等
となって霧敗し後には何も残らない。このため、この発
明は、反応室内を密閉した状態で基体表面のダストを完
全に除去することができるので、アモルファスシリコン
の異常成長をなくし画像品質の向上を図ることができる
。
マ状態となり付着したダストが分解し、雰囲気中の酸素
と結合して酸化反応を起こす。このようなダストは、通
常の洗浄では除去できなかったものや作業者の人体等か
ら出たものなので主に有機物で構成されている。したが
って、ダストが酸化すると殆どが水蒸気や二酸化炭素等
となって霧敗し後には何も残らない。このため、この発
明は、反応室内を密閉した状態で基体表面のダストを完
全に除去することができるので、アモルファスシリコン
の異常成長をなくし画像品質の向上を図ることができる
。
〈実施例〉
第１図はこの発明の実施に使用する光導電体の製造装置
の概略縦断面図である。
の概略縦断面図である。
この実施例では、複写機の感光体ドラムを製造するため
に、筒状のアルミニウムのドラム１を基体として、この
表面にアモルファスシリコン膜を形成する場合を説明す
る。
に、筒状のアルミニウムのドラム１を基体として、この
表面にアモルファスシリコン膜を形成する場合を説明す
る。
■ 製造装置の構成
この光導電体の製造装置は、円筒形の反応室２で構成さ
れている。反応室２は、内部を密閉され、下端部の排気
口３を真空装置４に接続することによりガス圧力を制御
できるようになっている。
れている。反応室２は、内部を密閉され、下端部の排気
口３を真空装置４に接続することによりガス圧力を制御
できるようになっている。
また、この反応室２の上端部は蓋５が設けられ、この蓋
５を外すことにより内部を開口することができる。反応
室２の外周壁は、導電体からなる電極６によって構成さ
れ、高周波型＃７に接続されている。反応室２の内部に
は、外部の駆動装置８と連結するドラム支持体９が中央
に配設されている。駆動装置８は、ドラム支持体９を反
応室２内で適宜回転させることができる。このドラム支
持体９内には、ヒータが埋め込まれ表面を加熱すること
ができる。また、このドラム支持体９は表面を導電体で
形成しかつ電気的に接地することにより電極６と対にな
るもう一方の電極を構成しているので、高周波電源７か
らの電圧は電極６とこのドラム支持体９との間に印加さ
れることになる。
５を外すことにより内部を開口することができる。反応
室２の外周壁は、導電体からなる電極６によって構成さ
れ、高周波型＃７に接続されている。反応室２の内部に
は、外部の駆動装置８と連結するドラム支持体９が中央
に配設されている。駆動装置８は、ドラム支持体９を反
応室２内で適宜回転させることができる。このドラム支
持体９内には、ヒータが埋め込まれ表面を加熱すること
ができる。また、このドラム支持体９は表面を導電体で
形成しかつ電気的に接地することにより電極６と対にな
るもう一方の電極を構成しているので、高周波電源７か
らの電圧は電極６とこのドラム支持体９との間に印加さ
れることになる。
このドラム支持体９の周囲には、多数のノズルを有する
反応ガス導入管１０が複数本立設されている。この反応
ガス導入管１０は、コントロールボックス１１を介して
各種ガスボンベを収納したボンベボックス１２に接続さ
れている。
反応ガス導入管１０が複数本立設されている。この反応
ガス導入管１０は、コントロールボックス１１を介して
各種ガスボンベを収納したボンベボックス１２に接続さ
れている。
この製造装置へのドラム１の装着は、反応室２の蓋５を
外しこのドラム１をドラム支持体９に嵌め込み固定する
ことにより行う。
外しこのドラム１をドラム支持体９に嵌め込み固定する
ことにより行う。
■ ダスＩ・の除去（本発明の実施）
ドラム１表面に付着したダストの除去作業の手順を説明
する。
する。
ドラム１は、従来と同様の洗浄工程を終了した後、反応
室２内に装着され駆動装置８の駆動により回転する。反
応室２内は、蓋５を閉じて密閉し、真空装置４を動作さ
せて内部の空気を排出する。反応室２内が充分に真空状
態になると、コントロールボックス１１の制御によりボ
ンベボックス１２内の酸素ボンベから１００ＳＣＣＨの
流量の酸素ガスを送り込む。この酸素ガスは、反応ガス
導入管ｌＯの多数のノズルを介して反応室２内に導入さ
れる。また同時に、真空装Ｍ４を動作させて反応室２内
のガス圧力が１．５Ｔｏｒｒの一定圧となるように制御
される。なお、酸素ガスの代わりに、酸素と不活性気体
とからなる例えば空気等のガスを用いてもよい。また、
反応室２内のガス圧力は、０．１〜１０Ｔｏｒｒの範囲
が適当である。この酸素ガスの導入とともに、ドラム支
持体９内のヒータでドラム１を加熱し表面温度が２００
〜３００℃になるように制御する。このように雰囲気が
設定されると、高周波電源７からの電圧を電極６に印加
しドラム支持体９との間でグロー放電を行わせる。この
ときの高周波出力は３００Ｗに制御する。そして、この
状態を３０分間維持すると、ドラム１表面がプラズマ状
態となり付着した有機物で構成されるダストが分解する
ので、酸素ガスと結合して酸化され水蒸気や二酸化炭素
等となって排出口３から排出される。なお、このときの
ドラム１の表面温度。
室２内に装着され駆動装置８の駆動により回転する。反
応室２内は、蓋５を閉じて密閉し、真空装置４を動作さ
せて内部の空気を排出する。反応室２内が充分に真空状
態になると、コントロールボックス１１の制御によりボ
ンベボックス１２内の酸素ボンベから１００ＳＣＣＨの
流量の酸素ガスを送り込む。この酸素ガスは、反応ガス
導入管ｌＯの多数のノズルを介して反応室２内に導入さ
れる。また同時に、真空装Ｍ４を動作させて反応室２内
のガス圧力が１．５Ｔｏｒｒの一定圧となるように制御
される。なお、酸素ガスの代わりに、酸素と不活性気体
とからなる例えば空気等のガスを用いてもよい。また、
反応室２内のガス圧力は、０．１〜１０Ｔｏｒｒの範囲
が適当である。この酸素ガスの導入とともに、ドラム支
持体９内のヒータでドラム１を加熱し表面温度が２００
〜３００℃になるように制御する。このように雰囲気が
設定されると、高周波電源７からの電圧を電極６に印加
しドラム支持体９との間でグロー放電を行わせる。この
ときの高周波出力は３００Ｗに制御する。そして、この
状態を３０分間維持すると、ドラム１表面がプラズマ状
態となり付着した有機物で構成されるダストが分解する
ので、酸素ガスと結合して酸化され水蒸気や二酸化炭素
等となって排出口３から排出される。なお、このときの
ドラム１の表面温度。
温度維持時間、高周波出力および放電時間は、ダストが
充分に分解・酸化され、かつ、ドラム１の素材に悪影響
を与えない程度の範囲に止める必要があり、表面温度は
２００〜６００℃、温度維持時間は１〜６０分間、高周
波電力は１０〜５００Ｗ、放電時間は１〜６０分間の範
囲が適当である。
充分に分解・酸化され、かつ、ドラム１の素材に悪影響
を与えない程度の範囲に止める必要があり、表面温度は
２００〜６００℃、温度維持時間は１〜６０分間、高周
波電力は１０〜５００Ｗ、放電時間は１〜６０分間の範
囲が適当である。
このようにしてダストの除去作業を終了すると、コント
ロールボックス１１により酸素ガスの導入を止め、真空
装置４を動作させて再び真空状態（１０−’〜１Ｏ−ｂ
Ｔｏｒｒ）に戻す。
ロールボックス１１により酸素ガスの導入を止め、真空
装置４を動作させて再び真空状態（１０−’〜１Ｏ−ｂ
Ｔｏｒｒ）に戻す。
■ 酸化膜の還元
上記のようなダストの除去作業を行うと、ドラム１の表
面もある程度酸化され実施例の場合ではアルマイトの層
が形成される。このアルマイト層を還元する作業の手順
を説明する。ただし、後工程であるアモルファスシリコ
ンの成膜条件によってはこの酸化膜の還元工程を省略す
ることもできる。
面もある程度酸化され実施例の場合ではアルマイトの層
が形成される。このアルマイト層を還元する作業の手順
を説明する。ただし、後工程であるアモルファスシリコ
ンの成膜条件によってはこの酸化膜の還元工程を省略す
ることもできる。
まず、コントロールボックス１１の制御によりボンベボ
ックス１２内の水素ボンベまたは一酸化炭素ボンベから
水素ガスまたは一酸化炭素ガスを送り込む。このガスは
、流量が２００ＳＣＣＭとなるよう制御されて反応ガス
導入管１０から反応室２内に導入される。また同時に、
真空装置４を動作させて、反応室２内のガス圧力が１．
５Ｔｏｒｒとなるように制御する。このようにして反応
室２内の雰囲気を設定した後に、高周波電源７からの電
圧を電極６に印加しドラム支持体９との間でグロー放電
を行わせる。このときの高周波出力は、水素ガスを使用
する場合には５００ Ｗ 、−酸化炭素ガスを使用する
場合には３００Ｗとし、この状態で放電を３０分間続け
る。すると、ドラム１表面に形成されたアルマイトが水
素または一酸化炭素によって還元され、分離した酸素は
水または二酸化炭素となって排出口３より排出される。
ックス１２内の水素ボンベまたは一酸化炭素ボンベから
水素ガスまたは一酸化炭素ガスを送り込む。このガスは
、流量が２００ＳＣＣＭとなるよう制御されて反応ガス
導入管１０から反応室２内に導入される。また同時に、
真空装置４を動作させて、反応室２内のガス圧力が１．
５Ｔｏｒｒとなるように制御する。このようにして反応
室２内の雰囲気を設定した後に、高周波電源７からの電
圧を電極６に印加しドラム支持体９との間でグロー放電
を行わせる。このときの高周波出力は、水素ガスを使用
する場合には５００ Ｗ 、−酸化炭素ガスを使用する
場合には３００Ｗとし、この状態で放電を３０分間続け
る。すると、ドラム１表面に形成されたアルマイトが水
素または一酸化炭素によって還元され、分離した酸素は
水または二酸化炭素となって排出口３より排出される。
なお、ガス圧力、高周波出力および放電時間は、上記実
施例に示す条件に限らず、ガス圧力が０．１〜１０Ｔｏ
ｒｒ、高周波出力が・１０〜１００ＯＷ、放電時間が１
〜６０分間の範囲が適当である。
施例に示す条件に限らず、ガス圧力が０．１〜１０Ｔｏ
ｒｒ、高周波出力が・１０〜１００ＯＷ、放電時間が１
〜６０分間の範囲が適当である。
■ アモルファスシリコン膜の形成
上記酸化膜の還元工程を終えるとアモルファスシリコン
膜の形成を行う。
膜の形成を行う。
アモルファスシリコン膜の形成は、まず、反応室２内を
真空状態とし水素や一酸化炭素等を排出した後、コント
ロールボックス１１によってボンベボックス１２に収納
された主原料ガスであるモノシラン（ＳｉＨｌ）および
その他の原料ガスを混合し反応ガスとして反応室２内に
導入する。そして、真空装置４を動作させて所定のガス
圧力とした後に高周波電源７によるグロー放電を行わせ
る。すると、反応ガスが分解し、加熱され回転するドラ
ム１表面にシリコン（Ｓｉ）が堆積しアモルファスシリ
コン膜が形成される。
真空状態とし水素や一酸化炭素等を排出した後、コント
ロールボックス１１によってボンベボックス１２に収納
された主原料ガスであるモノシラン（ＳｉＨｌ）および
その他の原料ガスを混合し反応ガスとして反応室２内に
導入する。そして、真空装置４を動作させて所定のガス
圧力とした後に高周波電源７によるグロー放電を行わせ
る。すると、反応ガスが分解し、加熱され回転するドラ
ム１表面にシリコン（Ｓｉ）が堆積しアモルファスシリ
コン膜が形成される。
〈実施例の効果〉
上記のようにダストの除去作業を行ってから成膜工程に
移ると、ダストによる異常成長が無くなるので形成され
たアモルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを防止する
ことができる。このため、実施例によって製造した感光
体ドラムを複写戚にセットしコピーを取った場合には、
白斑等が生じることがなくなるので画像高置の向上を図
ることができる。
移ると、ダストによる異常成長が無くなるので形成され
たアモルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを防止する
ことができる。このため、実施例によって製造した感光
体ドラムを複写戚にセットしコピーを取った場合には、
白斑等が生じることがなくなるので画像高置の向上を図
ることができる。
第１図はこの発明の実施に使用する光導電体の製造装置
の概略縦断面図である。 ■−ドラム（基体）、２−反応室、 ６−電極。
の概略縦断面図である。 ■−ドラム（基体）、２−反応室、 ６−電極。
Claims (5)
- （１）反応室内でシランを主成分とした反応ガスを分解
することにより、この反応室内に装着した基体表面にア
モルファスシリコン膜を形成する光導電体の製造方法に
おいて、 基体を装着して反応室内を密閉排気した後、反応ガスを
導入する前に、酸素または酸素を含むガスをこの反応室
内に導入するとともに、基体表面を介して形成された対
の電極間でグロー放電を行わせることにより基体表面に
付着したダストを酸化分解せしめることを特徴とする光
導電体の製造方法。 - （２）前記酸素または酸素を含むガスの反応室内でのガ
ス圧力を０．１〜１０Ｔｏｒｒとした特許請求の範囲第
１項記載の光導電体の製造方法。 - （３）前記基体表面の温度を加熱により２００〜６００
℃とした特許請求の範囲第１項または第２項記載の光導
電体の製造方法。 - （４）前記基体表面を加熱した状態を１〜６０分間維持
する特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の
光導電体の製造方法。 - （５）前記グロー放電の出力を１０〜５００Ｗとし、か
つ、放電時間を１〜６０分間とする特許請求の範囲第１
項〜第４項のいずれかに記載の光導電体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61050056A JPS62205273A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 光導電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61050056A JPS62205273A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 光導電体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62205273A true JPS62205273A (ja) | 1987-09-09 |
Family
ID=12848340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61050056A Pending JPS62205273A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 光導電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62205273A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0291658A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53120802U (ja) * | 1977-03-04 | 1978-09-26 | ||
| JPS57146619U (ja) * | 1981-03-12 | 1982-09-14 |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP61050056A patent/JPS62205273A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53120802U (ja) * | 1977-03-04 | 1978-09-26 | ||
| JPS57146619U (ja) * | 1981-03-12 | 1982-09-14 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0291658A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
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