JPS62204560A - リ−ド付き電子部品 - Google Patents
リ−ド付き電子部品Info
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- JPS62204560A JPS62204560A JP61047856A JP4785686A JPS62204560A JP S62204560 A JPS62204560 A JP S62204560A JP 61047856 A JP61047856 A JP 61047856A JP 4785686 A JP4785686 A JP 4785686A JP S62204560 A JPS62204560 A JP S62204560A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は外部リード端子を有する電子部品、具体的には
半導体収納用セラミックパッケージ、ハイブリッドＩＣ
用配線基板等のリード付き電子部品の改良に関するもの
である。
半導体収納用セラミックパッケージ、ハイブリッドＩＣ
用配線基板等のリード付き電子部品の改良に関するもの
である。
（従来の技術）
従来、リード付き電子部品、例えば半４体集積回路素子
を収納するためのセラミックパッケージは第３図に示す
ようにセラミック、ガラス等の電気絶縁材料から成り、
その上面及び側面にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（讐）、マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末から成る
メタライズ金属層１２を有する絶縁基体１１と、半導体
集積回路素子を外部電気回路に電気的に接続するために
前記メタライズ金属層１２に銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ合金）
を介してロウ付けされた外部リード端子１３と蓋体１４
とから構成されており、その内部に半導体集積回路素子
１５が収納され、気密封止されて半導体装置となる。
を収納するためのセラミックパッケージは第３図に示す
ようにセラミック、ガラス等の電気絶縁材料から成り、
その上面及び側面にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（讐）、マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末から成る
メタライズ金属層１２を有する絶縁基体１１と、半導体
集積回路素子を外部電気回路に電気的に接続するために
前記メタライズ金属層１２に銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ合金）
を介してロウ付けされた外部リード端子１３と蓋体１４
とから構成されており、その内部に半導体集積回路素子
１５が収納され、気密封止されて半導体装置となる。
この従来のセラミックパッケージは外部リード端子１３
を絶縁基体１１側面のメタライズ金属層１２に強固にロ
ウ付けするために通常、該メタライズ金属層１２の外表
面にはロウ材と接合性がよいニッケル（Ｎｉ）がめっき
により被着されている。
を絶縁基体１１側面のメタライズ金属層１２に強固にロ
ウ付けするために通常、該メタライズ金属層１２の外表
面にはロウ材と接合性がよいニッケル（Ｎｉ）がめっき
により被着されている。
しかし乍ら、この従来のセラミックパッケージは外部リ
ード端子１３をメタライズ金属層１２ヘロウ付けするの
に銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ合金）を使用しており、該銀ロウ
はロウ付は後、大気中に含まれる水分が付着すると銀ロ
ウ中の銅が酸化され、銅の酸化物（錆）を形成して変色
することがある。この銅の酸化物は導電性で、かつ拡散
しやすいという性質を有しているため多数の外部リード
端子が近接してロウ付けされている場合には、前記錆の
拡散により隣接する外部リード端子が短絡し、その結果
、半導体装置としての機能に支障を来すという重大な欠
点を誘発する。
ード端子１３をメタライズ金属層１２ヘロウ付けするの
に銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ合金）を使用しており、該銀ロウ
はロウ付は後、大気中に含まれる水分が付着すると銀ロ
ウ中の銅が酸化され、銅の酸化物（錆）を形成して変色
することがある。この銅の酸化物は導電性で、かつ拡散
しやすいという性質を有しているため多数の外部リード
端子が近接してロウ付けされている場合には、前記錆の
拡散により隣接する外部リード端子が短絡し、その結果
、半導体装置としての機能に支障を来すという重大な欠
点を誘発する。
そこで、かかる欠点を解消するために本願出願人は先に
銀ロウの銅に代えてゲルマニウムを含有させた銀−ゲル
マニウムから成るロウ材を提案した。
銀ロウの銅に代えてゲルマニウムを含有させた銀−ゲル
マニウムから成るロウ材を提案した。
この銀とゲルマニウムから成るロウ材は大気中に含まれ
る水分等が付着したとしても導電性の錆を発生すること
はなく、隣接する外部リード端子間を短絡させることを
皆無とするもののロウ付けの時間が長いとロウ材中のゲ
ルマニウムがメタライズ金属層表面に被着させたニッケ
ルめっき層内に拡散し、脆弱なニッケルーゲルマニウム
の化合物を生成して、接合強度を大きく低下させてしま
うという課題を有していた。
る水分等が付着したとしても導電性の錆を発生すること
はなく、隣接する外部リード端子間を短絡させることを
皆無とするもののロウ付けの時間が長いとロウ材中のゲ
ルマニウムがメタライズ金属層表面に被着させたニッケ
ルめっき層内に拡散し、脆弱なニッケルーゲルマニウム
の化合物を生成して、接合強度を大きく低下させてしま
うという課題を有していた。
（発明の目的）
本発明者等は上記欠点に鑑み種々の実験の結果、絶縁基
体表面のタングステン（誓）、モリブデン（Ｍｏ） 。
体表面のタングステン（誓）、モリブデン（Ｍｏ） 。
マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属から成るメタライズ金
属層上に、化学的に安定な白金（ＰＬ）、パラジウム（
’Ｐｄ）、 ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）もしくはそ
れらの合金を主成分とする金属層を形成し、該金属層上
にＳＥｔ（Ａｇ）おホびゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分
とするロウ材を用いて外部リード端子をロウ付けすると
導電性の錆の発生を防止して、かつ外部リード端子をメ
タライズ金ｒｆｆ４層上に強固にロウ付けし得ることを
知見した。
属層上に、化学的に安定な白金（ＰＬ）、パラジウム（
’Ｐｄ）、 ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）もしくはそ
れらの合金を主成分とする金属層を形成し、該金属層上
にＳＥｔ（Ａｇ）おホびゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分
とするロウ材を用いて外部リード端子をロウ付けすると
導電性の錆の発生を防止して、かつ外部リード端子をメ
タライズ金ｒｆｆ４層上に強固にロウ付けし得ることを
知見した。
本発明は上記知見に基づき、変色や電子部品としての機
能に支障を来すような導電性の錆の発生を防止し、かつ
外部リード端子のロウ付は強度が極めて強固なリード付
き電子部品を提供することをその目的とするものである
。
能に支障を来すような導電性の錆の発生を防止し、かつ
外部リード端子のロウ付は強度が極めて強固なリード付
き電子部品を提供することをその目的とするものである
。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明は絶縁基体表面のメタライズ金属層上に白金（Ｐ
ｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａ
Ｕ）もしくはそれらの合金を主成分とする金属層を設け
、該金属層上に恨（Ａｇ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）
を主成分とするロウ材を使用して外部リード端子を取着
したことを特徴とするものである。
ｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａ
Ｕ）もしくはそれらの合金を主成分とする金属層を設け
、該金属層上に恨（Ａｇ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）
を主成分とするロウ材を使用して外部リード端子を取着
したことを特徴とするものである。
本発明は半導体収納用セラミックパッケージ。
ハイブリッドＩＣ用配線基板等のように絶縁基体のメタ
ライズ金属層上に外部リード端子が取着される電子部品
のすべてに適用される。
ライズ金属層上に外部リード端子が取着される電子部品
のすべてに適用される。
（実施例）
次に本発明を第１図及び第２図に示す実施例に基づき詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明のリード付き電子部品を半４体収納用セ
ラミソクパ・７ケージを例に採って示した断面図であり
、第２図は第１図の要部拡大断面図である。
ラミソクパ・７ケージを例に採って示した断面図であり
、第２図は第１図の要部拡大断面図である。
図において、１はセラミック、ガラス等の電気絶縁材料
から成る絶縁基体であり、その上面中央に半導体素子を
収納するための空所を形成する段状の凹部が設けである
。
から成る絶縁基体であり、その上面中央に半導体素子を
収納するための空所を形成する段状の凹部が設けである
。
前記基体１凹部底面には半導体集積回路素子５が接着材
を介し取着されている。
を介し取着されている。
前記絶縁基体１には凹部段状上面から側面にかけて導出
しているメタライズ金属層２が形成されており、メタラ
イズ金属層２の凹部段状上面部には集積回路素子５の電
極がワイヤ８を介し電気的に接続され、またメタライズ
金属層２の基体１側面部には外部電気回路と接続される
外部リード端子３がＳＮ（Ａｇ）およびゲルマニウム（
Ｇｅ）を主成分とするロウ材６を介しロウ付けされてい
る（第２図参照）。
しているメタライズ金属層２が形成されており、メタラ
イズ金属層２の凹部段状上面部には集積回路素子５の電
極がワイヤ８を介し電気的に接続され、またメタライズ
金属層２の基体１側面部には外部電気回路と接続される
外部リード端子３がＳＮ（Ａｇ）およびゲルマニウム（
Ｇｅ）を主成分とするロウ材６を介しロウ付けされてい
る（第２図参照）。
前記メタライズ金属層２は夕、ングステシ（−）、モリ
ブデン（Ｍｏ）もしくはマンガン（Ｍｎ）等の高融点金
属粉末から成り、従来周知のスクリーン印刷等の厚膜手
法を採用することにより絶縁基体１の上面及び側面に形
成される。
ブデン（Ｍｏ）もしくはマンガン（Ｍｎ）等の高融点金
属粉末から成り、従来周知のスクリーン印刷等の厚膜手
法を採用することにより絶縁基体１の上面及び側面に形
成される。
また、前記メタライズ金属層２の基体１側面部には白金
（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）。
（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）。
金（Ａｕ）もしくはそれらの合金を主成分とする金属層
４がめつき、真空蒸着、スパッタリング等の手法により
被着形成されており、金属層４は化学的に極めて安定で
あることから後述する銀−ゲルマニウムから成るロウ材
を介し外部リード端子３をロウ付けする際、ゲルマニウ
ムが拡散したとしても脆弱な化合物を生成することは一
切なく、外部リード端子の接合強度を極めて大となすこ
とができる。
４がめつき、真空蒸着、スパッタリング等の手法により
被着形成されており、金属層４は化学的に極めて安定で
あることから後述する銀−ゲルマニウムから成るロウ材
を介し外部リード端子３をロウ付けする際、ゲルマニウ
ムが拡散したとしても脆弱な化合物を生成することは一
切なく、外部リード端子の接合強度を極めて大となすこ
とができる。
また、金属層４は銀−ゲルマニウムを主成分とするロウ
材と反応性（濡れ性）がよく、外部リード端子３をメタ
ライズ金属層２に極めて強固にロウ付けすることも可能
となる。
材と反応性（濡れ性）がよく、外部リード端子３をメタ
ライズ金属層２に極めて強固にロウ付けすることも可能
となる。
前記メタライズ金属層２（実際には表面に金属層４が被
着形成されている）上に外部リード端子３をロウイ寸け
するロウ（オはｉ艮（八ｇ）にゲルマニウム（Ｇｅ）を
例えば０．０５乃至１０訂χ含有させたものであり、酸
ロウ材は耐腐蝕性に極めて優れ、大気中に含まれる水分
等が付着したとしても導電性の錆を発生することはなく
近接する外部リード端子３間を短絡させることもない。
着形成されている）上に外部リード端子３をロウイ寸け
するロウ（オはｉ艮（八ｇ）にゲルマニウム（Ｇｅ）を
例えば０．０５乃至１０訂χ含有させたものであり、酸
ロウ材は耐腐蝕性に極めて優れ、大気中に含まれる水分
等が付着したとしても導電性の錆を発生することはなく
近接する外部リード端子３間を短絡させることもない。
また前記絶縁基体１の上面にはセラミック、ガラス等の
電気絶縁材料から成る蓋体７がガラス、樹脂等の封止部
材を介して取着されており、これにより半導体収納用セ
ラミックパッケージ内部の空所は外気から完全に気密に
封止され、最終製品である半４体装置となる。
電気絶縁材料から成る蓋体７がガラス、樹脂等の封止部
材を介して取着されており、これにより半導体収納用セ
ラミックパッケージ内部の空所は外気から完全に気密に
封止され、最終製品である半４体装置となる。
かくして本発明のリード付き電子部品によれば外部リー
ド端子が取着されるメタライズ金属層上にロウ材と濡れ
性が良く、かつ化学的に安定な白金（ＰＬ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）、 ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）もしくは
それらの合金を主成分とする金属層を設け、該金属層上
に恨（Ａｇ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分とする
ロウ材を使用して外部リード端子を取着したことにより
、変色や電子部品としての機能に支障を来すような導電
性の錆の発生を防止し、かつ外部リード端子のロウ付は
強度も極めて強固となすことができる。
ド端子が取着されるメタライズ金属層上にロウ材と濡れ
性が良く、かつ化学的に安定な白金（ＰＬ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）、 ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）もしくは
それらの合金を主成分とする金属層を設け、該金属層上
に恨（Ａｇ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分とする
ロウ材を使用して外部リード端子を取着したことにより
、変色や電子部品としての機能に支障を来すような導電
性の錆の発生を防止し、かつ外部リード端子のロウ付は
強度も極めて強固となすことができる。
（実験例）
次に本発明の作用効果を実験例に基づき説明する。
（１）評価試料
アルミナ質セラミンクスから成るセラミック基板にタン
グステン四）、モリブデン（Ｍｏ） 、 マンガン（Ｍ
ｎ）等から成るメタライズ用ペーストを使用して長さ２
．０ｍｍ 、幅２．０ｍｍ 、厚み３０μｍのパターン
を５０個及び１００個をそれぞれ印刷するとともにこれ
を還元性雰囲気（窒素−水素雰囲気）中、約１４００〜
１６００”ｃの温度で焼成してセラミック体表面にメタ
ライズ金属層を被着させる。次に該メタライズ金属層上
に第１表に示す如く白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）
、 ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）もしくはそれらの
合金及びニッケル（Ｎｉ）をめっきにより被着させる。
グステン四）、モリブデン（Ｍｏ） 、 マンガン（Ｍ
ｎ）等から成るメタライズ用ペーストを使用して長さ２
．０ｍｍ 、幅２．０ｍｍ 、厚み３０μｍのパターン
を５０個及び１００個をそれぞれ印刷するとともにこれ
を還元性雰囲気（窒素−水素雰囲気）中、約１４００〜
１６００”ｃの温度で焼成してセラミック体表面にメタ
ライズ金属層を被着させる。次に該メタライズ金属層上
に第１表に示す如く白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）
、 ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）もしくはそれらの
合金及びニッケル（Ｎｉ）をめっきにより被着させる。
次いで、長さ３．０ｍｍ 、幅１．５ｍｍ 、 ｒ￥み
０ 、２５ｍｍのロウ付部を有し、長さ方向に該ロウ件
部端部中央から延在した幅０．４ｍｍ 、厚み０．２５
ｍｍのリード端子部を有するコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ）や４２ＡＩＩｏｙ等から成る金属片を、前記めっき
金属層上にそれぞれ２ｍｇのロウ材（Ａ［９４χ−Ｇｅ
６χ合金及びＡｇ７２χ−Ｃｕ２Ｂ％合金）を使用して
ロウ付けしたものを準備した。
０ 、２５ｍｍのロウ付部を有し、長さ方向に該ロウ件
部端部中央から延在した幅０．４ｍｍ 、厚み０．２５
ｍｍのリード端子部を有するコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ）や４２ＡＩＩｏｙ等から成る金属片を、前記めっき
金属層上にそれぞれ２ｍｇのロウ材（Ａ［９４χ−Ｇｅ
６χ合金及びＡｇ７２χ−Ｃｕ２Ｂ％合金）を使用して
ロウ付けしたものを準備した。
尚、比較試料１及び２は本発明品と比較するための比較
試料であり、比較試料１はメタライズ金属層上にニッケ
ルのめっきを行い従来の銀口う（ＡｇＣ１１合金）を用
いてリード端子をロウ付けしたものであり、比較試料２
はメタライズ金属層上にニッケルめっきを行い銀−ゲル
マニウムから成るロウ材を用いてリード端子をロウ付け
したものである。
試料であり、比較試料１はメタライズ金属層上にニッケ
ルのめっきを行い従来の銀口う（ＡｇＣ１１合金）を用
いてリード端子をロウ付けしたものであり、比較試料２
はメタライズ金属層上にニッケルめっきを行い銀−ゲル
マニウムから成るロウ材を用いてリード端子をロウ付け
したものである。
そしてこれらの評価試料を使用して下記の評価テストを
行った。その結果を第１表に示す。
行った。その結果を第１表に示す。
（ｎ）実験方法
（ａ）耐腐蝕性テスト
上記パターン１００個を有する評価試料を表面温度が４
５０℃に制御された熱板上に１分間裁置した後、温度６
５℃、湿度９５Ｘの恒温恒湿槽中にて各リード端子に交
互に＋、−の極性にて５ｖの直流電圧を所定時間印加し
た後、顕微鏡にて腐蝕または変色を観察し、腐蝕または
変色したリード端子、メタライズパターン及びロウ材部
の数を数え、リード端子、メタライズパターン及びロウ
材部の総個数に対する腐蝕発生率を求めた。
５０℃に制御された熱板上に１分間裁置した後、温度６
５℃、湿度９５Ｘの恒温恒湿槽中にて各リード端子に交
互に＋、−の極性にて５ｖの直流電圧を所定時間印加し
た後、顕微鏡にて腐蝕または変色を観察し、腐蝕または
変色したリード端子、メタライズパターン及びロウ材部
の数を数え、リード端子、メタライズパターン及びロウ
材部の総個数に対する腐蝕発生率を求めた。
（ｂ）外部リード端子ロウ材り・強度テスト上記パター
ン５０制を有する評価試料のリード端子部をロウ付は面
と垂直方向に毎秒１００ｇで張力を増加させながら引っ
張り、リード端子部がロウ付は部より剥離、またはリー
ド端子部が破断した時の引っ張りの全荷重を測定し、該
全荷重のランク別に剥離または破断箇所を区分した。
ン５０制を有する評価試料のリード端子部をロウ付は面
と垂直方向に毎秒１００ｇで張力を増加させながら引っ
張り、リード端子部がロウ付は部より剥離、またはリー
ド端子部が破断した時の引っ張りの全荷重を測定し、該
全荷重のランク別に剥離または破断箇所を区分した。
尚、第１表中の破壊モード欄のＡはメタライズ金属屑と
メタライズ金属層表面に被着した金属層の表面より剥離
したもの、Ｂはメタライズ金属層表面に被着した金属層
中より剥離したもの、Ｃはリード端子より破断したもの
を示す。
メタライズ金属層表面に被着した金属層の表面より剥離
したもの、Ｂはメタライズ金属層表面に被着した金属層
中より剥離したもの、Ｃはリード端子より破断したもの
を示す。
第１表から明らかなように、メタライズ金属層表面にニ
ッケル（旧）の金属層を設け、ロウ材として銀ロウ（八
ｇ−Ｃｕ）合金を使用した比較試料１は耐腐蝕性が極め
て悪い。
ッケル（旧）の金属層を設け、ロウ材として銀ロウ（八
ｇ−Ｃｕ）合金を使用した比較試料１は耐腐蝕性が極め
て悪い。
またメタライズ金属層表面にニッケル（Ｎｉ）の金属層
を設け、ロウ材として銀−ゲルマニウム（Ａｇ−Ｇｅ）
合金を使用した比較試料２はニッケル金属層に腐蝕を発
生するとともにほとんどのリード端子が５ Ｋｇ未満の
張力で剥離してしまいり一端子のロウ材は強度が著しく
低い。
を設け、ロウ材として銀−ゲルマニウム（Ａｇ−Ｇｅ）
合金を使用した比較試料２はニッケル金属層に腐蝕を発
生するとともにほとんどのリード端子が５ Ｋｇ未満の
張力で剥離してしまいり一端子のロウ材は強度が著しく
低い。
これに対し本発明品は耐腐蝕性に極めて優れ、かつリー
ド端子を５ Ｋｇ以上の張力で引っ張ったとしてもほと
んど剥がれることはなくリード端子のロウ材は強度が極
めて大きい。
ド端子を５ Ｋｇ以上の張力で引っ張ったとしてもほと
んど剥がれることはなくリード端子のロウ材は強度が極
めて大きい。
特にメタライズ金属層上に被着される白金（Ｐｔ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（八Ｕ）もし
くはそれらの合金を主成分としだ金属層の厚みを０．１
０乃至１．Ｏ１１ｍとしておくと５Ｋｇの張力で剥がれ
るリード端子は一本もなく、リード端子のロウ材は強度
を大となすことからメタライズ金属層上に被着される前
記金属から成る金属層はその厚みを０．１乃至１．０μ
ｍとしておくことが好ましい。
ラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（八Ｕ）もし
くはそれらの合金を主成分としだ金属層の厚みを０．１
０乃至１．Ｏ１１ｍとしておくと５Ｋｇの張力で剥がれ
るリード端子は一本もなく、リード端子のロウ材は強度
を大となすことからメタライズ金属層上に被着される前
記金属から成る金属層はその厚みを０．１乃至１．０μ
ｍとしておくことが好ましい。
（発明の効果）
畝上の如く、本発明においては絶縁基体表面のメタライ
ズ金属層表面に白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロ
ジウム（Ｒｈ）、金（八Ｕ）もしくはそれらの合金を主
成分とする金属層を設け、該金属層上に銀（Ａｇ）およ
びゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分とするロウ材を使用し
て外部リード端子を取着することにより、変色や電子部
品としての機能に支障を来すような導電性の錆の発生を
有効に防止し、かつ外部リード端子のロウ材は強度を極
めて強固として高信頼性のリード付き電子部品を得るこ
とができる。
ズ金属層表面に白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロ
ジウム（Ｒｈ）、金（八Ｕ）もしくはそれらの合金を主
成分とする金属層を設け、該金属層上に銀（Ａｇ）およ
びゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分とするロウ材を使用し
て外部リード端子を取着することにより、変色や電子部
品としての機能に支障を来すような導電性の錆の発生を
有効に防止し、かつ外部リード端子のロウ材は強度を極
めて強固として高信頼性のリード付き電子部品を得るこ
とができる。
第１図は本発明を半感体収納用セラミックパッケージに
適用した場合の断面図、第２図は第１図の要部拡大断面
図、茅３図は従来の半導体収納用セラミックパッケージ
の断面図である。 ｌ ・ ・ ・ Ｘ１色縁基体 ２・・・メタライズ金属屑 ３・・・外部リード端子 ４・・・金属層
適用した場合の断面図、第２図は第１図の要部拡大断面
図、茅３図は従来の半導体収納用セラミックパッケージ
の断面図である。 ｌ ・ ・ ・ Ｘ１色縁基体 ２・・・メタライズ金属屑 ３・・・外部リード端子 ４・・・金属層
Claims (1)
- 絶縁基体表面のメタライズ金属層上に白金（Ｐｔ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）もし
くはそれらの合金を主成分とする金属層を設け、該金属
層上に銀（Ａｇ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分
とするロウ材を使用して外部リード端子を取着したこと
を特徴とするリード付き電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047856A JPH071789B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | リ−ド付き電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047856A JPH071789B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | リ−ド付き電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204560A true JPS62204560A (ja) | 1987-09-09 |
| JPH071789B2 JPH071789B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=12787011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61047856A Expired - Lifetime JPH071789B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | リ−ド付き電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071789B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011157171A3 (zh) * | 2011-06-03 | 2012-05-03 | 华为技术有限公司 | 一种封装用绝缘环、绝缘环组合件和封装体 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6151784B2 (ja) * | 2013-07-29 | 2017-06-21 | 京セラ株式会社 | 配線基板、リード付き配線基板および電子装置 |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP61047856A patent/JPH071789B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011157171A3 (zh) * | 2011-06-03 | 2012-05-03 | 华为技术有限公司 | 一种封装用绝缘环、绝缘环组合件和封装体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071789B2 (ja) | 1995-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |