JP2601313B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JP2601313B2 JP2601313B2 JP10498888A JP10498888A JP2601313B2 JP 2601313 B2 JP2601313 B2 JP 2601313B2 JP 10498888 A JP10498888 A JP 10498888A JP 10498888 A JP10498888 A JP 10498888A JP 2601313 B2 JP2601313 B2 JP 2601313B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子を収容するための半導体素子収納
用パッケージの改良に関するものである。
用パッケージの改良に関するものである。
従来、半導体素子、特に半導体集積回路素子を収容す
るための半導体素子収納用パッケージは、一般にアルミ
ナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、その上面略
中央部に半導体素子を収容するための空所を有し、かつ
上面にモリブデン（Mo）、タングステン（Ｗ）等の高融
点金属粉末から成るメタライズ金属層を有する絶縁基体
と、半導体素子を外部回路に電気的に接続するために前
記メタライズ金属層に銀ロウ等のロウ材を介し取着され
たコバール（鉄−ニッケル−コバルト）等の鉄合金から
成る外部リード端子と蓋体とから構成されており、絶縁
基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子が収容さ
れ、気密封止されて半導体装置となる。
るための半導体素子収納用パッケージは、一般にアルミ
ナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、その上面略
中央部に半導体素子を収容するための空所を有し、かつ
上面にモリブデン（Mo）、タングステン（Ｗ）等の高融
点金属粉末から成るメタライズ金属層を有する絶縁基体
と、半導体素子を外部回路に電気的に接続するために前
記メタライズ金属層に銀ロウ等のロウ材を介し取着され
たコバール（鉄−ニッケル−コバルト）等の鉄合金から
成る外部リード端子と蓋体とから構成されており、絶縁
基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子が収容さ
れ、気密封止されて半導体装置となる。
しかし乍ら、近時、半導体素子の大型化、信号の伝播
速度の高速化が急激に進み、該半導体素子を上記従来の
半導体素子収納用パッケージに収容した場合、以下に述
べる欠点を有したものとなる。即ち、 半導体素子を構成するシリコンとパッケージの絶縁基
体を構成するアルミナセラミックスの熱膨張係数がそれ
ぞれ3.0〜3.5×10-6／℃、6.0〜7.5×10-6／℃であり大
きく相違することから両者に半導体素子を作動させた際
等に発生する熱が印加されると両者間に大きな熱応力が
発生し、該熱応力によって半導体素子が破損したり、絶
縁基体より剥離して半導体装置としての機能を喪失させ
てしまう パッケージの絶縁基体を構成するアルミナセラミック
スはその誘電率が９乃至10（室温1MHz）と高いため絶縁
基体に設けたメタライズ金属層を伝わる信号の伝播速度
が遅く、そのため信号の高速伝播を要求する半導体素子
はその搭載収容が不可となる 等の欠点を有していた。
速度の高速化が急激に進み、該半導体素子を上記従来の
半導体素子収納用パッケージに収容した場合、以下に述
べる欠点を有したものとなる。即ち、 半導体素子を構成するシリコンとパッケージの絶縁基
体を構成するアルミナセラミックスの熱膨張係数がそれ
ぞれ3.0〜3.5×10-6／℃、6.0〜7.5×10-6／℃であり大
きく相違することから両者に半導体素子を作動させた際
等に発生する熱が印加されると両者間に大きな熱応力が
発生し、該熱応力によって半導体素子が破損したり、絶
縁基体より剥離して半導体装置としての機能を喪失させ
てしまう パッケージの絶縁基体を構成するアルミナセラミック
スはその誘電率が９乃至10（室温1MHz）と高いため絶縁
基体に設けたメタライズ金属層を伝わる信号の伝播速度
が遅く、そのため信号の高速伝播を要求する半導体素子
はその搭載収容が不可となる 等の欠点を有していた。
そこで上記欠点を解消するために半導体素子収容用パ
ッケージの絶縁基体をアルミナセラミックスに代えて半
導体素子を構成するシリコンの熱膨張係数（3.0〜3.5×
10-6／℃）と近似した熱膨張係数4.0〜4.5×10-6／℃を
有し、かつ誘電率が6.3と低いムライト質焼結体を用い
ることが検討されている。
ッケージの絶縁基体をアルミナセラミックスに代えて半
導体素子を構成するシリコンの熱膨張係数（3.0〜3.5×
10-6／℃）と近似した熱膨張係数4.0〜4.5×10-6／℃を
有し、かつ誘電率が6.3と低いムライト質焼結体を用い
ることが検討されている。
しかし乍ら、このムライト質焼結体をパッケージの絶
縁基体として使用した場合、絶縁基体に設けたメタライ
ズ金属層に外部リード端子を銀ロウ（BAg-8）を介しロ
ウ付けすると絶縁基体（ムライト質焼結体）と外部リー
ド端子（コバール等の鉄合金）の熱膨張係数がそれぞれ
4.0〜4.5×10-6／℃、11.5〜13.0×10-6／℃で大きく相
違すること及び銀ロウのビッカース硬度（Hv）が82〜90
と硬いこと等からロウ付け部に大きな応力が内在し、そ
の結果、外部リード端子に小さな外力が印加されても該
外力は前記内在応力と相俟って大きくなり外部リード端
子を絶縁基体より剥離させてしまうという問題を有して
いた。
縁基体として使用した場合、絶縁基体に設けたメタライ
ズ金属層に外部リード端子を銀ロウ（BAg-8）を介しロ
ウ付けすると絶縁基体（ムライト質焼結体）と外部リー
ド端子（コバール等の鉄合金）の熱膨張係数がそれぞれ
4.0〜4.5×10-6／℃、11.5〜13.0×10-6／℃で大きく相
違すること及び銀ロウのビッカース硬度（Hv）が82〜90
と硬いこと等からロウ付け部に大きな応力が内在し、そ
の結果、外部リード端子に小さな外力が印加されても該
外力は前記内在応力と相俟って大きくなり外部リード端
子を絶縁基体より剥離させてしまうという問題を有して
いた。
本発明は上記欠点に鑑み案出されたものでその目的は
絶縁基体に設けたメタライズ金属層に外部リード端子を
強固にロウ付けするのを可能とし極めて信頼性の高い半
導体素子収納用パッケージを提供することにある。
絶縁基体に設けたメタライズ金属層に外部リード端子を
強固にロウ付けするのを可能とし極めて信頼性の高い半
導体素子収納用パッケージを提供することにある。
本発明はムライト質焼結体から成る絶縁容器にメタラ
イズ金属層を被着形成するとともに該メタライズ金属層
に鉄合金製の外部リード端子をロウ材を介し取着して成
る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記ロウ材の
ビッカース硬度（Hv）をHv≦67としたことを特徴とする
ものである。
イズ金属層を被着形成するとともに該メタライズ金属層
に鉄合金製の外部リード端子をロウ材を介し取着して成
る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記ロウ材の
ビッカース硬度（Hv）をHv≦67としたことを特徴とする
ものである。
次に本発明を添付図面に示す実施例に基づき説明す
る。
る。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示し、１はムライト質焼結体から成る絶縁基体、
２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで絶縁容器
３が構成される。
施例を示し、１はムライト質焼結体から成る絶縁基体、
２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで絶縁容器
３が構成される。
前記絶縁基体１はその上面中央部に半導体素子を収容
するための空所を形成する段状の凹部が設けてあり、凹
部底面には半導体素子４が接着材を介し取着される。
するための空所を形成する段状の凹部が設けてあり、凹
部底面には半導体素子４が接着材を介し取着される。
前記絶縁基体１はムライト（3Al2O3・2SiO2）、シリ
カ（SiO2），マグネシア（MgO），カルシア（CaO）等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状
となすとともにこれをドクターブレード法を採用するこ
とによってグリーンシート（生シート）を形成し、しか
る後、前記グリーンシートに適当な打抜き加工を施すと
ともに複数枚積層し、高温（1400〜1800℃）で焼成する
ことによって製作される。
カ（SiO2），マグネシア（MgO），カルシア（CaO）等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状
となすとともにこれをドクターブレード法を採用するこ
とによってグリーンシート（生シート）を形成し、しか
る後、前記グリーンシートに適当な打抜き加工を施すと
ともに複数枚積層し、高温（1400〜1800℃）で焼成する
ことによって製作される。
前記絶縁基体１には凹部段状上面から容器３の外部に
導出するメタライズ金属層５が形成されており、該メタ
ライズ金属層５の凹部段状上面部には半導体素子４の電
極がワイヤ６を介し電気的に接続され、また容器３の外
部に導出させた部位には外部回路と接続される外部リー
ド端子７がロウ材８を介し取着されている。
導出するメタライズ金属層５が形成されており、該メタ
ライズ金属層５の凹部段状上面部には半導体素子４の電
極がワイヤ６を介し電気的に接続され、また容器３の外
部に導出させた部位には外部回路と接続される外部リー
ド端子７がロウ材８を介し取着されている。
尚、前記絶縁基体１はムライト質焼結体より成ってい
ることから誘電率が6.3と低く、該絶縁基体１に設けた
メタライズ金属層５を伝わる電気信号の伝播速度を速い
ものと成すことができる。
ることから誘電率が6.3と低く、該絶縁基体１に設けた
メタライズ金属層５を伝わる電気信号の伝播速度を速い
ものと成すことができる。
また前記メタライズ金属層５はタングステン（Ｗ）等
の金属粉末から成り、従来周知のスクリーン印刷法等の
厚膜手法を採用することによって絶縁基体１の凹部段状
上面から容器３の外部に導出するよう被着形成される。
の金属粉末から成り、従来周知のスクリーン印刷法等の
厚膜手法を採用することによって絶縁基体１の凹部段状
上面から容器３の外部に導出するよう被着形成される。
前記メタライズ金属層５にロウ付けされる外部リード
端子７は内部に収容する半導体素子４を外部回路に接続
する作用を為し、外部リード端子７を外部回路に接続す
ることによって内部に収容される半導体素子４はメタラ
イズ金属層５及び外部リード端子７を介し外部回路に電
気的に接続されることとなる。
端子７は内部に収容する半導体素子４を外部回路に接続
する作用を為し、外部リード端子７を外部回路に接続す
ることによって内部に収容される半導体素子４はメタラ
イズ金属層５及び外部リード端子７を介し外部回路に電
気的に接続されることとなる。
前記外部リード端子７はコバール（鉄−ニッケル−コ
バルト合金）や42Alloy（鉄−ニッケル合金）等の鉄合
金から成り、コバール等のインゴットを従来周知の圧延
加工法にて任意の厚みを得た後、打抜き加工法等によっ
て所定形状に形成される。
バルト合金）や42Alloy（鉄−ニッケル合金）等の鉄合
金から成り、コバール等のインゴットを従来周知の圧延
加工法にて任意の厚みを得た後、打抜き加工法等によっ
て所定形状に形成される。
また、前記外部リード端子７を絶縁基体１に設けたメ
タライズ金属層５に取着するロウ材８は例えば主成分と
しての銀（Ag）にインジウム（In）を0.1乃至15.0重量
％、銅（Cu）を2.0重量％以下、ゲルマニウム（Ge），
アンチモン（Sb）の少なくとも１種を1.0重量％以下含
有させたものから成り、そのビッカース硬度（Hv）がHv
≦67のものである。
タライズ金属層５に取着するロウ材８は例えば主成分と
しての銀（Ag）にインジウム（In）を0.1乃至15.0重量
％、銅（Cu）を2.0重量％以下、ゲルマニウム（Ge），
アンチモン（Sb）の少なくとも１種を1.0重量％以下含
有させたものから成り、そのビッカース硬度（Hv）がHv
≦67のものである。
前記ロウ材８はそのビッカース硬度（Hv）がHv≦67で
軟質なものであることから絶縁基体１に設けたメタライ
ズ層５に外部リード端子７をロウ付け取着する際、絶縁
基体１と外部リード端子７との熱膨張係数が相違し、両
者間に大きな熱応力を発生したとしても該応力はロウ材
８を変形させることによって吸収され、両者のロウ付け
部に大きな応力が内在することは一切ない。したがって
ロウ付け後、外部リード端子７に外力が印加されたとし
ても該外力がロウ付け部に内在する応力と相俟って大と
なり外部リード端子７を剥離させることもない。
軟質なものであることから絶縁基体１に設けたメタライ
ズ層５に外部リード端子７をロウ付け取着する際、絶縁
基体１と外部リード端子７との熱膨張係数が相違し、両
者間に大きな熱応力を発生したとしても該応力はロウ材
８を変形させることによって吸収され、両者のロウ付け
部に大きな応力が内在することは一切ない。したがって
ロウ付け後、外部リード端子７に外力が印加されたとし
ても該外力がロウ付け部に内在する応力と相俟って大と
なり外部リード端子７を剥離させることもない。
尚、前記メタライズ金属層５にロウ材８を介してロウ
付けされた外部リード端子７にはその外表面に耐蝕性に
優れたニッケル（Ni）や金（Au）等から成る被覆層９が
メッキにより被着されており、該被覆層９によってメタ
ライズ金属層５、ろう材８及び外部リード端子７は酸化
腐蝕するのが防止されている。
付けされた外部リード端子７にはその外表面に耐蝕性に
優れたニッケル（Ni）や金（Au）等から成る被覆層９が
メッキにより被着されており、該被覆層９によってメタ
ライズ金属層５、ろう材８及び外部リード端子７は酸化
腐蝕するのが防止されている。
かくして前記絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を
接着材を介し取着するとともに、半導体素子４の各電極
をメタライズ金属層５にワイヤ６を介し電気的に接続
し、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２をガラス、樹
脂等の封止部材で取着し、絶縁容器３を気密に封止する
ことによって製品としての半導体装置となる。
接着材を介し取着するとともに、半導体素子４の各電極
をメタライズ金属層５にワイヤ６を介し電気的に接続
し、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２をガラス、樹
脂等の封止部材で取着し、絶縁容器３を気密に封止する
ことによって製品としての半導体装置となる。
次に本発明の作用効果を以下に示す実験例に基づき説
明する。
明する。
まず、銀（Ag）、インジウム（In）、銅（Cu）、アン
チモン（Sb）及びゲルマニウム（Ge）を第１表に示すよ
うに秤量し、これを合金化させてロウ材試料を得る。
チモン（Sb）及びゲルマニウム（Ge）を第１表に示すよ
うに秤量し、これを合金化させてロウ材試料を得る。
尚、試料14は本発明品と比較するための比較試料であ
り従来一般に使用されている銀ロウ（BAg8:銀72重量
％、銅28重量％）である。
り従来一般に使用されている銀ロウ（BAg8:銀72重量
％、銅28重量％）である。
次に得られた各ロウ材試料を使用し、ムライト質焼結
体から成る基板の表面に設けた5mm×2mm（面積10mm2）
のタングステンメタライズ金属層20個に幅0.4mm、長さ2
0mm、厚さ0.15mmのコバールから成る外部リード端子の
一端をロウ付けするとともに外部リード端子の他端（ロ
ウ付けした側の端部とは反対の端部）にロウ付け面に対
し垂直方向の外力を加えて引っ張りテストを行い外部リ
ード端子がムライト質焼結体から成る基板より剥がれた
個数を調らべ、これを外部リード端子のロウ付け強度と
した。
体から成る基板の表面に設けた5mm×2mm（面積10mm2）
のタングステンメタライズ金属層20個に幅0.4mm、長さ2
0mm、厚さ0.15mmのコバールから成る外部リード端子の
一端をロウ付けするとともに外部リード端子の他端（ロ
ウ付けした側の端部とは反対の端部）にロウ付け面に対
し垂直方向の外力を加えて引っ張りテストを行い外部リ
ード端子がムライト質焼結体から成る基板より剥がれた
個数を調らべ、これを外部リード端子のロウ付け強度と
した。
尚、前記外部リード端子のロウ付け面積は幅0.4mm、
長さ2.5mmの1.0mm2とし、タングステンメタライズ金属
層の外表面にはニッケル（Ni）がめっきにより被着させ
てある。
長さ2.5mmの1.0mm2とし、タングステンメタライズ金属
層の外表面にはニッケル（Ni）がめっきにより被着させ
てある。
上記の結果を第１表に示す。
上記実験結果からも判るように従来の銀ロウを使用し
て外部リード端子をロウ付けしたものは3Kg引っ張りテ
ストで外部リード端子のすべてが剥がれてしまいロウ付
けの強度が極めて低いものであるのに対し、本発明の硬
度（Hv）がHv≦67であるロウ材を用いたものは4Kgの引
っ張りテストでも外部リード端子の剥がれはまったくな
くロウ付けの強度が極めて高いものである。
て外部リード端子をロウ付けしたものは3Kg引っ張りテ
ストで外部リード端子のすべてが剥がれてしまいロウ付
けの強度が極めて低いものであるのに対し、本発明の硬
度（Hv）がHv≦67であるロウ材を用いたものは4Kgの引
っ張りテストでも外部リード端子の剥がれはまったくな
くロウ付けの強度が極めて高いものである。
特にロウ材の硬度（Hv）がHv≦60であるものを使用し
た場合には、5Kgの引っ張りテストでも外部リード端子
の剥がれはほとんどなく、外部リード端子を強固にロウ
付けするにはロウ材の硬度（Hv）Hv≦60とすることが好
ましい。
た場合には、5Kgの引っ張りテストでも外部リード端子
の剥がれはほとんどなく、外部リード端子を強固にロウ
付けするにはロウ材の硬度（Hv）Hv≦60とすることが好
ましい。
以上の通り、本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、ムライト質焼結体から成る絶縁容器に設けたメ
タライズ金属層に、ビッカース硬度（Hv）がHv≦67であ
るロウ材を介して鉄合金から成る外部リード端子をロウ
付けしたことからロウ付け時、絶縁容器と外部リード端
子との間に発生する熱応力は前記ロウ材を変形させるこ
とによって吸収され、その結果、絶縁容器に設けたメタ
ライズ金属層への外部リード端子のロウ付けを強固とな
すことができ極めて高信頼性の半導体素子収納用パッケ
ージを提供することが可能となる。
よれば、ムライト質焼結体から成る絶縁容器に設けたメ
タライズ金属層に、ビッカース硬度（Hv）がHv≦67であ
るロウ材を介して鉄合金から成る外部リード端子をロウ
付けしたことからロウ付け時、絶縁容器と外部リード端
子との間に発生する熱応力は前記ロウ材を変形させるこ
とによって吸収され、その結果、絶縁容器に設けたメタ
ライズ金属層への外部リード端子のロウ付けを強固とな
すことができ極めて高信頼性の半導体素子収納用パッケ
ージを提供することが可能となる。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。 1:絶縁基体、2:蓋体 3:絶縁容器、5:メタライズ金属層 7:外部リード端子、8:ロウ材
例を示す断面図である。 1:絶縁基体、2:蓋体 3:絶縁容器、5:メタライズ金属層 7:外部リード端子、8:ロウ材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−136390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−161649（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−217649（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】ムライト質焼結体から成る絶縁容器にメタ
ライズ金属層を被着形成するとともに該メタライズ金属
層に鉄合金製の外部リード端子をロウ材を介し取着して
成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記ロウ材
のビッカース硬度（Hv）をHv≦67としたことを特徴とす
る半導体素子収納用パッケージ。 - 【請求項２】前記ロウ材が主成分としての銀にインジウ
ムを0.1乃至15.0重量％、銅を2.0重量％以下、ゲルマニ
ウム、アンチモンの少なくとも１種を1.0重量％以下含
有させたものから成ることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10498888A JP2601313B2 (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10498888A JP2601313B2 (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276658A JPH01276658A (ja) | 1989-11-07 |
| JP2601313B2 true JP2601313B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=14395475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10498888A Expired - Fee Related JP2601313B2 (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2601313B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4605932B2 (ja) * | 2001-04-11 | 2011-01-05 | 京セラ株式会社 | 接触加熱装置 |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP10498888A patent/JP2601313B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01276658A (ja) | 1989-11-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |