JPS62202703A - セラミツクス成形方法 - Google Patents
セラミツクス成形方法Info
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- JPS62202703A JPS62202703A JP19968886A JP19968886A JPS62202703A JP S62202703 A JPS62202703 A JP S62202703A JP 19968886 A JP19968886 A JP 19968886A JP 19968886 A JP19968886 A JP 19968886A JP S62202703 A JPS62202703 A JP S62202703A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、高密度のセラミックス成形体の製造方法に関
する。
する。
[従来の技術]
セラミックス製品(セラミックス焼成体)の強度を向上
する事が、近時、益々要求されている。
する事が、近時、益々要求されている。
このセラミックス焼成体の高強度化を図るためには、セ
ラミックス焼成体の高密度化が要求される。
ラミックス焼成体の高密度化が要求される。
そのためには、セラミックス予備成形体(セラミックス
を一定形状に成形したもので、焼成前のものをいう。以
下同じ)の密度を高める事が有用である。
を一定形状に成形したもので、焼成前のものをいう。以
下同じ)の密度を高める事が有用である。
従来、上記高密度化を達成する方法として1」IP処理
(Hot [5ostatic PresS)やC
IP処理(Cold 1sostatic Pre
ss)が知られている。しかし、HIP処理やCIP処
理は、これを実施するための待別の装置が必要であり、
工程が複雑となり、かつ高価となる傾向がある。
(Hot [5ostatic PresS)やC
IP処理(Cold 1sostatic Pre
ss)が知られている。しかし、HIP処理やCIP処
理は、これを実施するための待別の装置が必要であり、
工程が複雑となり、かつ高価となる傾向がある。
また、従来、セラミックス予備成形体の成形方法として
、スリップキャスティング成形法が知られている。これ
はセラミックス原料粉末を溶媒中に分散させた泥漿を石
こうなどの吸収性のある型に注入して溶媒を吸収さき、
所定の形状物を得る方法である。この方法は、装置及び
型に、あまり費用がかからないものであるが、セラミッ
クス予備成形体の高密度化の達成という見地からは、十
分なものではなかった。
、スリップキャスティング成形法が知られている。これ
はセラミックス原料粉末を溶媒中に分散させた泥漿を石
こうなどの吸収性のある型に注入して溶媒を吸収さき、
所定の形状物を得る方法である。この方法は、装置及び
型に、あまり費用がかからないものであるが、セラミッ
クス予備成形体の高密度化の達成という見地からは、十
分なものではなかった。
し発明が解決しようとする間開1
本発明は、−F記事情に鑑みて完成されたものであって
、スリップキャスティング成形法において、セラミック
ス予備成形体の密度を高める方法を提供することにより
、高強度のセラミックス焼成体を(りることを目的とす
るものである。
、スリップキャスティング成形法において、セラミック
ス予備成形体の密度を高める方法を提供することにより
、高強度のセラミックス焼成体を(りることを目的とす
るものである。
し問題点を解決するための手段]
本発明に係るセラミックス成形方法は、型面部に陽電極
が形成され、該型面で囲まれる中心空間に陰電極が配置
された吸水性の鋳型に、セラミックス粉末を含む泥漿を
注入し、直流電圧を印加しながらスリップキャスティン
グ成形することを特徴とする。
が形成され、該型面で囲まれる中心空間に陰電極が配置
された吸水性の鋳型に、セラミックス粉末を含む泥漿を
注入し、直流電圧を印加しながらスリップキャスティン
グ成形することを特徴とする。
以下、構成要素を説明する。
鋳型は、吸水性のある材料で形成される。例えば、セラ
ミックス製品の形状に応じた形状の型面部を有し、液体
吸収性のある石こうなど、従来用いられているものを使
用する。
ミックス製品の形状に応じた形状の型面部を有し、液体
吸収性のある石こうなど、従来用いられているものを使
用する。
鋳型の型面部に形成する陽電極は、アルミニウム(A
I > 、銀(An、亜鉛(Zn)、ニッケル(N i
) 、鉛(Pb) 、金<ALJ)、白金(Pt)等
の導電材料を単独で又は組合せて用い、該材料のペース
トの塗布、銀鏡法、真空ffi肴法等により、網状、格
子状あるいは多孔質状に形成する。
I > 、銀(An、亜鉛(Zn)、ニッケル(N i
) 、鉛(Pb) 、金<ALJ)、白金(Pt)等
の導電材料を単独で又は組合せて用い、該材料のペース
トの塗布、銀鏡法、真空ffi肴法等により、網状、格
子状あるいは多孔質状に形成する。
「型面部に形成する」とは、型面の表面に形成する場合
ばかりでなく、型面の表面から所定深さの位置に埋設す
る場合も含む概念である。
ばかりでなく、型面の表面から所定深さの位置に埋設す
る場合も含む概念である。
鋳型に注入する泥漿は、従来より行われているスリップ
キャスティング法と同様に、セラミックス粉末を分散媒
に分散させたものを用いる。なおセラミックス粉末とし
ては通常用いられる酸化物系、窒化物系、炭化物系等の
セラミックス粉末を用いることができる。例えば窒化珪
素(Si3N4)、炭化珪素(S i C) 、酸化チ
’l>(Ti02)、窒化アルミニウム(AIN)、ア
ルミナ(A交203)、マグネシア<MQO)、シリカ
< S i Ot )等を用いることができる。また、
セラミックス粉末の平均粒径としては、0.05μm〜
50μm程度でよい。
キャスティング法と同様に、セラミックス粉末を分散媒
に分散させたものを用いる。なおセラミックス粉末とし
ては通常用いられる酸化物系、窒化物系、炭化物系等の
セラミックス粉末を用いることができる。例えば窒化珪
素(Si3N4)、炭化珪素(S i C) 、酸化チ
’l>(Ti02)、窒化アルミニウム(AIN)、ア
ルミナ(A交203)、マグネシア<MQO)、シリカ
< S i Ot )等を用いることができる。また、
セラミックス粉末の平均粒径としては、0.05μm〜
50μm程度でよい。
セラミックス粉末を泥漿化するための分散媒としては、
従来と同様のものを用いる事ができ、一般には、水が使
用されるが、無水アルコール、グリセリン等を用いても
よい。
従来と同様のものを用いる事ができ、一般には、水が使
用されるが、無水アルコール、グリセリン等を用いても
よい。
焼結助剤としても、従来と同様にアルミナ(A又zO3
)、マグネシア (fvlo) 、イツトリア(Y2O
2)、シリカ(SiO2)、酸化ランタン(1−azo
3>、二酸化ヒリウム(Cenz)、酸化カルシウム(
Cab) 、ボロン(B)等を用いることができる。
)、マグネシア (fvlo) 、イツトリア(Y2O
2)、シリカ(SiO2)、酸化ランタン(1−azo
3>、二酸化ヒリウム(Cenz)、酸化カルシウム(
Cab) 、ボロン(B)等を用いることができる。
なお必要に応じて、かせいソーダ、しゅう酸アンモノ、
炭酸リチウム、ジエチルアミン、モノアミルアミン、ピ
リジン、エチルアミン等の解膠剤あるいはポリビニルア
ルコール、グルコース、デキストリン、エチル廿ルロー
ス、流動パラフィン等の結合剤を泥漿に添加する。
炭酸リチウム、ジエチルアミン、モノアミルアミン、ピ
リジン、エチルアミン等の解膠剤あるいはポリビニルア
ルコール、グルコース、デキストリン、エチル廿ルロー
ス、流動パラフィン等の結合剤を泥漿に添加する。
尚、泥漿の注入に際して加圧し、鋳型による液体吸収を
促進させてもよい。また、必要に応じて、カチオン系界
面活性剤等を添加してもよい。
促進させてもよい。また、必要に応じて、カチオン系界
面活性剤等を添加してもよい。
[実施例]
以下、本発明を具体的実施例に基づいて説明する。
(第1実施例)
本実施例は、ガスタービンのロータを製作する場合であ
る。
る。
粒径0.3μm〜3μmの針状結晶の窒化珪素粉末(S
I 3N4 )100(J、焼結助剤として酸化イツ
トリウム(Y2O2)29、粒径o、iμm〜5μmの
アルミナ(A又203)2Q、解膠剤としてしゅう酸ア
ンモニウム((NH4)zC204)、結合剤として3
gのポリビニルアルコールを水19.に入れ分散させて
泥漿1を調製した。
I 3N4 )100(J、焼結助剤として酸化イツ
トリウム(Y2O2)29、粒径o、iμm〜5μmの
アルミナ(A又203)2Q、解膠剤としてしゅう酸ア
ンモニウム((NH4)zC204)、結合剤として3
gのポリビニルアルコールを水19.に入れ分散させて
泥漿1を調製した。
第1図は本実施例に用いる鋳型の模式的な縦断面図であ
る。第1図に示すように、石こうで作った多孔質鋳型2
の型面部6には、鋳型2による吸水を妨げないようにし
て、銀電極3が陽極として形成されている。
る。第1図に示すように、石こうで作った多孔質鋳型2
の型面部6には、鋳型2による吸水を妨げないようにし
て、銀電極3が陽極として形成されている。
又、鋳型2の内側空間の中心部には、カーボンで製造さ
れた、棒状のl!8?I極4が吊設されている。
れた、棒状のl!8?I極4が吊設されている。
今、前記泥漿を鋳型2に流し込みつつ、陽極3、陰極4
にバッテリー電源5によって35Vの直流電圧を印加し
た。この時、泥漿の水分は型に吸収されて着肉が進行す
る。このため、型に吸収されて液面が下がった分だ番プ
泥漿を補充する。
にバッテリー電源5によって35Vの直流電圧を印加し
た。この時、泥漿の水分は型に吸収されて着肉が進行す
る。このため、型に吸収されて液面が下がった分だ番プ
泥漿を補充する。
セラミックス粒子は、電界の向きによって密に充填され
るため形成されるセラミックll!16の空隙は小さく
なる。
るため形成されるセラミックll!16の空隙は小さく
なる。
かかるセラミックス層6が所定の厚みになったとき、陰
極4を引き抜き、排泥して、離型した。
極4を引き抜き、排泥して、離型した。
離型は、具体的には、鋳型2の脱着可能な上部2aをと
りはずし、天地を逆にして、適当な振動又は、セラミッ
クス層6の自重によって行なう。離型俊、乾燥さV1解
膠剤、結合剤を除去し、1500℃窒素ガス雰囲気で3
時間加熱して焼成した。
りはずし、天地を逆にして、適当な振動又は、セラミッ
クス層6の自重によって行なう。離型俊、乾燥さV1解
膠剤、結合剤を除去し、1500℃窒素ガス雰囲気で3
時間加熱して焼成した。
(試験及び評価)
上記第1実施例と同様の方法及び材料によって試験片△
を製作した。試験片Aの大きさは、厚み3I1m1長さ
4Qn+w+、幅4msとした。そしてこの試験片Aの
3点曲げ強度を調べた。3点曲げ強度は、具体的にはJ
l5−R−1601rファインセラミックスの曲げ強
さ試験方法」によって行なった。
を製作した。試験片Aの大きさは、厚み3I1m1長さ
4Qn+w+、幅4msとした。そしてこの試験片Aの
3点曲げ強度を調べた。3点曲げ強度は、具体的にはJ
l5−R−1601rファインセラミックスの曲げ強
さ試験方法」によって行なった。
試験の結果、3点曲げ強度は120kQ/lla+2で
あった。
あった。
製造に際して電界を印加しない伯は、第1実施例と同様
の製造方法及び材料によって試験片Aと同じ形状の試験
片Bを製作した。試験片Bについて試験片Aと同じ試験
を行なった所、3点曲げ強度は80 k g /I1m
’であり、明らかに、試験片Aの方が強度が高かった。
の製造方法及び材料によって試験片Aと同じ形状の試験
片Bを製作した。試験片Bについて試験片Aと同じ試験
を行なった所、3点曲げ強度は80 k g /I1m
’であり、明らかに、試験片Aの方が強度が高かった。
次に、製造に際して電界を印加しない他は、第1実旅例
と同様の方法及び材料で製造した従来のセラミックス焼
成体の密度をアルキメデス法によって測定した。複数個
のセラミックス焼成体を測定したところ、本実施例によ
って製造したセラミックス焼成体の密度は、理論密度の
99%以上であったのに対し、従来の方法によって製造
したセラミックス焼成体の密度は95%〜98%であっ
た。
と同様の方法及び材料で製造した従来のセラミックス焼
成体の密度をアルキメデス法によって測定した。複数個
のセラミックス焼成体を測定したところ、本実施例によ
って製造したセラミックス焼成体の密度は、理論密度の
99%以上であったのに対し、従来の方法によって製造
したセラミックス焼成体の密度は95%〜98%であっ
た。
即ち、本実施例によって製造した製品に見られる強度の
向上は、電界によって結晶粒が密に充填されるため、セ
ラミックス予備成形体の密度が高くなるからであると考
えられる。
向上は、電界によって結晶粒が密に充填されるため、セ
ラミックス予備成形体の密度が高くなるからであると考
えられる。
(第2実施例)
本実施例では、タービンシュラウドを製作した。
セラミックス原料として粒径0,2〜3μmの炭化硅素
を100g、焼結助剤としてボロンを3Q1解膠剤とし
てジエチルアミンを(j、50、結合剤としてエチルセ
ルロース1を3g、を水1又に分散させて泥漿10を調
製した。
を100g、焼結助剤としてボロンを3Q1解膠剤とし
てジエチルアミンを(j、50、結合剤としてエチルセ
ルロース1を3g、を水1又に分散させて泥漿10を調
製した。
第2図は、本実施例に用いる鋳型20の模式的な縦断面
図である。鋳型20は、ニッケル線を用いて、目的とす
る焼結体の形状より若干大きい篩状の陽極30を製作し
、該陽極3oを石膏製の鋳型20の型面部60に5〜1
oI1m程度の深さに埋設して造形した。鋳型の内部空
間の中心部には、第1実施例と同様に棒状炭素電極を陰
極40として吊設した。
図である。鋳型20は、ニッケル線を用いて、目的とす
る焼結体の形状より若干大きい篩状の陽極30を製作し
、該陽極3oを石膏製の鋳型20の型面部60に5〜1
oI1m程度の深さに埋設して造形した。鋳型の内部空
間の中心部には、第1実施例と同様に棒状炭素電極を陰
極40として吊設した。
次に、陽極30.陰極40の間にバッテリー電源50に
よって50Vの直流電圧を印加しつつ、該泥漿10を鋳
型20に流し込み、着肉を進行させた。セラミックス層
が肉厚7〜10IIIIll程度になった時、陰極40
を引き複き、排泥後、第1実施例と同様に離型した。そ
の後、得られたセラミックス成形体を乾燥させ、解膠剤
、結合剤を除去し、1800℃窒素ガス雰囲気で4時間
加熱焼成した。
よって50Vの直流電圧を印加しつつ、該泥漿10を鋳
型20に流し込み、着肉を進行させた。セラミックス層
が肉厚7〜10IIIIll程度になった時、陰極40
を引き複き、排泥後、第1実施例と同様に離型した。そ
の後、得られたセラミックス成形体を乾燥させ、解膠剤
、結合剤を除去し、1800℃窒素ガス雰囲気で4時間
加熱焼成した。
(試験及び評価)
上記第2実施例と同様の方法及び材料で試験片Cを、ま
た電圧を印加しない他は、第2実施例と同様の方法及び
材料で試験片りを、それぞれ製作した。試験片の大きさ
は厚さ3 nv、長さ40IIllI11幅4IIIl
とした。試験片C及びDについて、前記第試験片りの強
度は50kOf/mm2であり、明らかに試験片Cの方
が優れた強度を有していることが認められた。
た電圧を印加しない他は、第2実施例と同様の方法及び
材料で試験片りを、それぞれ製作した。試験片の大きさ
は厚さ3 nv、長さ40IIllI11幅4IIIl
とした。試験片C及びDについて、前記第試験片りの強
度は50kOf/mm2であり、明らかに試験片Cの方
が優れた強度を有していることが認められた。
[発明の効果]
本発明は、鋳型の型面部に形成された電極と鋳型の中心
空間に設置された電極によって直流電圧を印加しながら
、セラミックス成形体を鋳込成形するものである。
空間に設置された電極によって直流電圧を印加しながら
、セラミックス成形体を鋳込成形するものである。
このようにして成形されたセラミックス成形体は、成形
過程において、セラミックス粒が電界の方向に配列され
るため、セラミックスの結晶粒は、電界の向きに配向性
を有する。従って、空隙は小さくなり、高密度となる。
過程において、セラミックス粒が電界の方向に配列され
るため、セラミックスの結晶粒は、電界の向きに配向性
を有する。従って、空隙は小さくなり、高密度となる。
このために、焼成時のセラミックス結晶粒の成長方向が
制御されるものと考えられ、高密度、^硬度のセラミッ
クス焼結体を得る事ができる。
制御されるものと考えられ、高密度、^硬度のセラミッ
クス焼結体を得る事ができる。
具体的にいえば、本発明によって製造したセラミックス
焼結体の密度は、理論密度の99%以上であり、従来の
製造方法によるセラミックス焼結体の密度、95%〜9
8%に比し高い。
焼結体の密度は、理論密度の99%以上であり、従来の
製造方法によるセラミックス焼結体の密度、95%〜9
8%に比し高い。
又、実施例にのべた3点曲げ強度かられかるように、本
発明に係るセラミックス焼結体の強度は著しく高い。さ
らに、HIP処理やCIP処理等従来の技術による場合
に比し、設備等が簡単であり、極めて低コストに高密度
のセラミックス成形体を製造できる。
発明に係るセラミックス焼結体の強度は著しく高い。さ
らに、HIP処理やCIP処理等従来の技術による場合
に比し、設備等が簡単であり、極めて低コストに高密度
のセラミックス成形体を製造できる。
又、直流電圧の印加により、セラミックス原料中に存在
するl:6 t +、Ca2 +、Z(12+等の不純
物金鳳イオンが陰極に引きよせられ成形体中に残らない
という利点も認められる。
するl:6 t +、Ca2 +、Z(12+等の不純
物金鳳イオンが陰極に引きよせられ成形体中に残らない
という利点も認められる。
以上のように、本発明の製造方法によると、複雑な形状
を有するものでも、肉厚が均一で強度の優れたセラミッ
クス成形体を提供することが可能となる。
を有するものでも、肉厚が均一で強度の優れたセラミッ
クス成形体を提供することが可能となる。
第1図は、本発明の第1実施例に係る鋳型の模式的な縦
断面図である。 第2図は、本発明の第2実施例に係る鋳型の模式的な縦
断面図である。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫 第1図
断面図である。 第2図は、本発明の第2実施例に係る鋳型の模式的な縦
断面図である。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫 第1図
Claims (6)
- (1)型面部に陽電極が形成され、該型面で囲まれる中
心空間に陰電極が配置された吸水性の鋳型に、セラミッ
クス粉末を含む泥漿を注入し、直流電圧を印加しながら
スリップキャスティング成形するセラミックス成形方法
。 - (2)前記鋳型は石こう型である特許請求の範囲第1項
記載のセラミックス成形方法。 - (3)印加する前記直流電圧は、3V〜350Vであり
、前記直流電圧の印加時間は、1分〜30分間である特
許請求の範囲第1項記載のセラミックス成形方法。 - (4)前記陽電極は、網状の金属電極である特許請求の
範囲第1項記載のセラミックス成形方法。 - (5)前記陽電極は、格子状の金属電極である特許請求
の範囲第1項記載のセラミックス成形方法。 - (6)前記陽電極は、多孔質状の金属電極である特許請
求の範囲第1項記載のセラミックス成形方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25839385 | 1985-11-18 | ||
JP60-258393 | 1985-11-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62202703A true JPS62202703A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=17319613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19968886A Pending JPS62202703A (ja) | 1985-11-18 | 1986-08-26 | セラミツクス成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62202703A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01182003A (ja) * | 1988-01-16 | 1989-07-19 | Nagasaki Pref Gov | セラミックスの電気泳動成形方法 |
JP2005325058A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Tokuyama Corp | セラミックス製の歯科用修復物の製造方法 |
JP2006248876A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高密度粉末成形体及び焼結体とその製造方法 |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP19968886A patent/JPS62202703A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01182003A (ja) * | 1988-01-16 | 1989-07-19 | Nagasaki Pref Gov | セラミックスの電気泳動成形方法 |
JP2005325058A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Tokuyama Corp | セラミックス製の歯科用修復物の製造方法 |
JP4554985B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2010-09-29 | 株式会社トクヤマ | セラミックス製の歯科用修復物の製造方法 |
JP2006248876A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高密度粉末成形体及び焼結体とその製造方法 |
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