JPS62200784A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS62200784A
JPS62200784A JP4194786A JP4194786A JPS62200784A JP S62200784 A JPS62200784 A JP S62200784A JP 4194786 A JP4194786 A JP 4194786A JP 4194786 A JP4194786 A JP 4194786A JP S62200784 A JPS62200784 A JP S62200784A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は動作電圧が低く、高信頼性を有する半導体レー
ザに（■する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
ダブルへテロ構造を有する半導体レーザは光通借用の光
源や元情報処理用の光源として注目され。
エピタキシャル成長法によりＩｎＰを基板とするＩ　ｎ
ＧａＡ　ｓ　Ｐ系及びＧａＡ　ｓを基板とするＧａＡ　
ＩＡ　ｓ系の■−ｖ族化合物半導体混晶を材料とする半
導体レーザが実用化されている。また近年ＧａＡ　ｓを
基板としこれに格子整合するＩｎＧａＡＪＰ系半導体レ
ーザの開発が進められている。
ＧａＡ　ｓに格子整合するＩｎＧａＡＪＰはバンドギャ
ップエネルギーが１．９〜２．３５ｅＶ程度とｍ−ｖ族
化合物半導体混晶として比較的大きな値を持つ、このた
めこれをクラッド層材料として用いることにより、活性
層材料としてバンドギャップの大きなものを用いても十
分なキャリア閉じ込め、光の閉じ込めを行なうことが可
能でありこれによりこれまで実用化されていた材料系で
は実用し得なかった短波長での発振が可能と７：１′っ
ている。このような半導体レーザでは、従来のものに比
べ多くの利点を有し、−列として光ディスク、オーディ
オ／ビデオディスク用の光源として用いた場合より高密
度な記録が可能になることが拳げられる。
またＧ　ａ　Ａ　ｓ基板上に作成されるＺ　ｎ　ＳＳ　
ｅ＋ＣｕＧａ５゜等の■−■族、ｌ−１１１−Ｗ族の化
合物半導体を用いることにより、半導体レーザのより一
層の短波長化が可能である。
しかしながらこの種の半導体レーザにおいては次のよう
な問題があることをここではＩｎＧａＡＩＰをクラッド
１−とする半導体レーザを一列として説明する。
発振成長を短波長化するためには、活性層のバンドギャ
ップおよびクラッド層のバンドギャップを十分大きくと
ることが必要である。低しきい値゛成流、高石頼といっ
た実用的な見地から一列を上げると１発振波長を６２０
ｎｍとするには活性層にバンドギャップエネルギーが２
．ＯｅＶのエロＧｅＡＩＰクラッド層にバンドギャップ
エネルギーが２．３５ｅＶのＩｎＧａＡＪＰを用いたが
ダブルへテロ構造とすることが望ましい。
このようなダブルへテロ構造は金属熱分解法（Ｍｅｔａ
ｌｏｒｇａｎｉｃｃ　　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　　Ｖａｐ
ｏｒ　　　Ｄｅｐｏｓｉ　ｔｉｏｎ　　：　　以下ＭＯ
ＣＶＤ　）あるいは分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕ
−Ｉａｒ旦ｅａｍ　ｙｊ！ｐ装置ａｘｉｙ　：　Ｍ　Ｂ
　Ｅ）［よりＧａＡｓ基板上にエピタキシャルに成長す
ることにより得られる。
またこのようなダブルへテロ構造に電流注入を行なう際
には一方は基板を導電性とし、オーミック電極を設ける
ことにより、基板を！他コンタクト１１ｉとして用いる
ことにより行なう。活性層について基板と反対側からの
電流注入は基板と反対の導電性を有するＧａＡｓギャッ
プ層をクラッドｌ−上に設け、これにオーミック電極を
形成することにより、これを電極コンタクト層として用
いることにより行なう。ここでＧａＡｓ％１を他コンタ
クト−として用いる利点として次のようなことが挙げら
れる。すなわちＧａＡｓは結晶性のより基板結晶が安価
に得られること、高＃に度のドーピングが可能であり、
低比抵抗の層を得ることが可能であることオー主１夕抵
抗の低い電極コンタクトを形成することが容易であるこ
と、熱抵抗が小さく、活性層付近で発生する熱の放散を
すみやかに行なえることなどである。
しかしながらＧａＡｓのバンドギャップエネルギーは１
．４２ｅＶ程度でありクラッド層のバンドギャップエネ
ルギーとの間に大きな隔差が存在する。
一般に同じ導電形を有しバンドギャップが異なる２つの
半導体層の界面にはバンドの不連続により、ポテンシャ
ルバリアが形成される。このようなバリアの高さはバン
ドの不連続の大きなものほど大きい。一般にバンドギャ
ップの差が大きいほど２つの半導体のバンドの不連続の
大きさは太きいと考えられる。従って、バンドギャップ
差の大きな２つの半導体層の界面には大きなポテンシャ
ルバリアが形成される。またこのようなバリアの厚さは
主にバンドギャップの太きｆｉ％のキャリア濃度によっ
て決定し、キャリアｎ度の高いものほど薄くなることが
知られている。バリアの存在する界面を経由して電流を
注入するためには旨いｍ圧をかけることによってバ１１
アの高さを低減するか高ｍ度のドーピングを行なうこと
によりバリアを薄＜シ、ト／ネル効果による電流が支配
的とすることが必要である。
本発明者らが鋭意実験を繰返したところ第３図にしたよ
うｑＩｎＧａＰを活性！　、　　Ｉ　ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　
Ｉ　Ｐ；ｊＰりランド層としＧａＡｓを基板及びキャッ
プ層として用いた従来構造の半導体レーザにおいて、ク
ラッド層のバンドギャップエネルギーが２．１５ｅＶ８
ｆ。
以下であれば電流注入に大きな支障はなく動作電圧は２
．０ｖ程度と低い値を示した。しかしながらＩｎＧａＡ
ＡＩＰ　　クラッド！−のバンドギャップを２．工５ｅ
Ｖ以上とすると動作電圧は徐々に増加しバンドギャップ
２．３５ｅＶのＩｎＧａＡＩＰをクラッド層として用い
たときその動作電圧は３．５■以上の高い値を示し良好
な特性を示すものは得られなかった。
これはＧａＡｓとのバンドギャップ差が大きいこと及び
バンドギャップの太きｑＩｎＧａＡＩＰにおいては高キ
ャリア濃度の曙を得難いため上述のバリアがＧａＡｓ　
ＩｎＧａＡＡｔＰ界面に形成されたことによると考えら
れる。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情を考慮してなされたもので。
その目的とするところはクラッド層と電極コンタクト１
ｉｊ５の間に大きなバンドギャップ差が存在するＤＨレ
ーザにおいても動作富、圧を高めることなくしいでは高
信頼性を有する半導体レーザ装置を提供することにある
。
〔発明の概要〕
本発明の骨子はバンドギャップの大きなクラッド層バン
ドギャップの小さ７．ｉ：ｉｍコンタクト層の間に両者
のバンドギャップの中間的を値を持つ中間バンドギャッ
プ層を設けることにより界面に生ずるバリアの影響を低
減し動作電圧を低減し強いては高信頼な半導体レーザ装
置を得ることにある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、クラッド層と電極コンタクト層の間に
大きなバンドギャップ差を有する半導体レーザ装置にお
いても低動作電圧強いては高洒頼性を有する半導体レー
ザ素子を実現することが可能となりその有用性は絶大で
ある。
〔発明の実施例〕
以下本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体レーザの概略構
造を示す断面図である。図中１１はＮ−ＧａＡｓ基板で
あり、この基板ｌｌ上にはＮ　−Ｉ　ｎ。、。
（Ｇａ　１−ｘＡ　ｌｘ　）　ｏ、５　Ｐ　Ｎ−中間バ
ンドギャップ厚１２、Ｎ−Ｉｎｃｓ（Ｇａｌ−ｙＡＪｙ
）ａ、５ＰＮ−クララ　ド層１３、Ｉｎｏ、５（Ｇａ１
−ｚＡ７ｚ）０．５Ｐ活性噛１４　、Ｐ−Ｉｎｏ、５（
Ｇａ１−ｙＡＪｙ）ｏ、５Ｐ　Ｆ−クララ　ド層１５　
　、Ｐ−１ｎｏ、５（Ｇａｔ−ｘＡ／ｘ）ｏ、５Ｐ　　
Ｆ−中間バンドギャップ厚ｌｉｄ　１６　、　Ｐ−Ｇａ
Ａｓ　　Ｐ　−電極コンタクｌ−１＃１７が順次成長形
成されている。
ｆ’−ｘｍコンタクト層１７上には、ＳｔＯ，等の絶縁
膜１８が形成され、この絶縁膜１８はストライプ状に除
去されている。そして、絶縁膜１８およびＰ−電極コン
タクト層１７の上面にＰ側電極１９が形成されている。
また基板１１はロー電極コンタクト層としての役割を有
し、基板１１の下面にＮ側電極２０が形成されている。
上記？ｉ造において各層のバンドギャップ厚さキャリア
濃度は以下のとおりに設定さルる。Ｎ−ＧａＡｓ基板１
１　（１，４２ｅＶ、７０μｍ、３Ｘ１０”ｃｍ−”）
。
Ｎ−中間ハンｌ’ギヤｙｌ１ｍ１２　（２，１ｅＶ、０
．２μｍ。
３Ｘ１０”ｃｍ”−３）、Ｎ−クララ　ドＮ　１３　（
２，３５ｅＶ。
１．５　ｆｉｍ、　ｌＸ１８”ｃｍ　”）　ｒ活性ｍ　
１４　（２，０ＯｅＶ。
０．１μｍ＋アンドープ）、Ｐ−クラッドｉ＃１５（２
，３５”’　＋　１．５　ｆｉｍ　Ｈ５Ｘ１０”Ｃｍ１
）　＋　Ｐ−中間ハントギ＋’ｙプ壱１６　（２，１ｅ
ＶＩ０．２μｍ１３Ｘ１０”ＣＩ！１−１）、Ｐ−Ｇａ
Ａｓ基板極：Ｉ７タクト１ｍ　１７　（１，４２ｅＶ、
０．２μｍ。
３Ｘ１０謁ｃｍ−っである。
上記構造が従来の構造と異なる点はＮ−クラッド１Ｗ１
３とＮ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板１１の間ＫＮ−中間バン
ドギャップ層工２を設けたことおよびＰ−クラッドＮ１
１５とＰ−ＧａＡｓ’ｌｌ極コ７り’））１１７（７）
間にＰ−中間バンドギャップｒｇＪ１６を設けたことに
ある。また中間バンドギャップ層１２ｆ１６のキャリア
＃に度はクラッド層１３　＋　１５に比べて大きくしで
ある。
このような構造の優位性についてはｎ　ｌｌｉ　、　Ｐ
側とも同様と考えられるので、ここではＰ−クラツド層
１５．Ｐ−中 電極コンタクト層のポテンシャル分布を第２図に示しこ
れを例として以下に詳しく説明する。
大きなバンドギャップ差を有するＰ−タラッド層１５と
ｐ−’ａｍコンタクト層を直接接合すると第４図に示す
ような大きなバリアが形成され、且つＰ−クラッド層で
ある広いバンドギャップを有するＰ−ＩｎＧａＡＩＰＧ
Ｃ高濃度のドーピングを行なうことが極めて困難であり
、したがってバリアの幅は広く、レーザを発根させるた
めに注入するキャリアをすべてトンネル効果によりバリ
アを透過させるのは困難である。
これに対し鼾２図に示すようにＰ−クラッド層１５とＰ
、−電極コンタクト層１７の間にＰ−中間バンドギャッ
プ層を形成することにより、１つの界面でのバリアの高
さを低減できる。またＰ−電極コンタクト層１６には高
濃度のドーピングが可能であるためパＩ５アの厚さを低
減することが可能である。
このように本実施列によればクラッド層とｔｆｆｌコン
タクト層の間に大きなバンドギャップ差が存在するＤＨ
レーザにおいても動作電圧を高めることなく、強いては
高信頼性を有する半導体レーザ装置を実現することがで
きその有用性は絶大である。
尚１本発明は上述した実施列に述べた材料を用いたレー
ザに限定さｎるものではない。例えば基板としてＧａＡ
ｓを用いクラッド層としてｚｎＳｔ−ｘＳｅｘＣｕＧａ
３．等を用い電極コンタクト層としてＧａＡｓを用いた
半導体レーザにおいてもその有用性は非常に絶大である
。またその他本発明の妥旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る半導体レーザの概略構
造を示す断面図、箒２図は第１図に示す半導体レーザの
ポテンシャル分布を示す特性図、嘉３図は従来の半導体
レーザの概略構造を示す断面図、第４図は従来例のレー
ザのポテンシャル分布を示す特性図である。 １１−−−　Ｎ−ＧａＡ　ｓ基板、ｌ　２−・−Ｎ　−
ＩｎＧａＡ７！Ｐ中間バンドギャップ層、１３・・・Ｎ
−Ｉ口Ｇ　ａ　Ａ　Ｉ　Ｆクラッド層、１４　・−Ｐ−
ＩｎＧａＡＪＰ活性層、　　１５−・・Ｐ　−ＩｎＧａ
ＡＪＰクラッドＲ，１６・・　Ｐ−ＩｎＧａＡｊ？Ｐ中
間バンドギャップ層、１７・・・Ｐ−ＧａＡｓ戒確コン
タク）ｉｎ、１８・・・絶敞膜、１９．２０・・・電極
層。 代理人　弁理士　　　則　近　９１　　右同　　　　　
竹　花　喜久男 第１図 第２図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）活性層と、この活性層を上下より挟み、前記活性
    層よりバンドギャップが大きく且つ屈折率が小さいクラ
    ッド層とこの少なくとも一方のクラッド層の前記活性層
    と反対側に前記クラッド層よりもバンドギャップが小さ
    く且つ前記クラッド層と同一の導電形を有する電極コン
    タクト層と、前記クラッド層と前記電極コンタクト層の
    間にバンドギャップが前記クラッド層のバンドギャップ
    以下で且つ前記電極コンタクト層のバンドギャップ以上
    である中間バンドギャップ層を少なくとも一層以上有す
    ることを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. （２）前記中間バンドギャップ層のバンドギャップ層の
    バンドギャップが、上記クラッド層に近い部分で大きく
    、上記電極コンタクト層に近い部分で小さく、その間で
    徐々に変化する或いは一定であることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
  3. （３）前記活性層を上下より挟むクラッド層は、Ｐクラ
    ッド層とｎクラッド層であることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
  4. （４）前記中間バンドギャップ層のうち前記電極コンタ
    クト層に隣接する層のキャリア濃度が、上記クラッド層
    キャリア濃度よりも高いことを特徴とする特許請求の範
    囲第１項若しくは第２項記載の半導体レーザ装置。
  5. （５）前記クラッド層及び中間バンドギャップ層がＩｎ
    ＧａＡｌＰであり、電極コンタクト層がＧａＡｓである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項若しくは第２項
    記載の半導体レーザ装置。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62296582A (ja) * 1986-06-17 1987-12-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置
JPH01184972A (ja) * 1988-01-20 1989-07-24 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
EP0328393A2 (en) * 1988-02-09 1989-08-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser device and the manufacturing method thereof
JPH02148785A (ja) * 1988-11-29 1990-06-07 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 半導体発光素子
JPH02181485A (ja) * 1989-01-06 1990-07-16 Hitachi Ltd 化合物半導体の形成方法および該化合物半導体を用いた半導体装置
EP0378919A2 (en) * 1989-01-19 1990-07-25 Hewlett-Packard Company High band-gap opto-electronic device and method for making same
JPH033386A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
EP0454476A2 (en) 1990-04-26 1991-10-30 Fujitsu Limited Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing the same
JPH0432288A (ja) * 1990-05-29 1992-02-04 Toshiba Corp 集積型半導体レーザ装置
US5138404A (en) * 1988-03-25 1992-08-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device for passing current between a GaAs layer and an InGaAlP layer
JPH04333298A (ja) * 1991-05-08 1992-11-20 Sharp Corp ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子
US5202285A (en) * 1990-04-26 1993-04-13 Fujitsu Limited Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same
US5204284A (en) * 1989-01-19 1993-04-20 Hewlett-Packard Company Method of making a high band-gap opto-electronic device
US5255281A (en) * 1990-04-26 1993-10-19 Fujitsu Limited Semiconductor laser having double heterostructure
US7436870B2 (en) 2004-06-08 2008-10-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method for manufacturing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50153592A (ja) * 1974-05-29 1975-12-10

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50153592A (ja) * 1974-05-29 1975-12-10

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62296582A (ja) * 1986-06-17 1987-12-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置
JPH0746745B2 (ja) * 1986-06-17 1995-05-17 松下電器産業株式会社 半導体レ−ザ装置
JPH01184972A (ja) * 1988-01-20 1989-07-24 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
EP0328393A2 (en) * 1988-02-09 1989-08-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser device and the manufacturing method thereof
EP0328393A3 (en) * 1988-02-09 1989-11-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser device and the manufacturing method thereof
US4922499A (en) * 1988-02-09 1990-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser device and the manufacturing method thereof
US4987097A (en) * 1988-02-09 1991-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor laser device
US5138404A (en) * 1988-03-25 1992-08-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device for passing current between a GaAs layer and an InGaAlP layer
JPH02148785A (ja) * 1988-11-29 1990-06-07 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 半導体発光素子
JPH02181485A (ja) * 1989-01-06 1990-07-16 Hitachi Ltd 化合物半導体の形成方法および該化合物半導体を用いた半導体装置
US5060028A (en) * 1989-01-19 1991-10-22 Hewlett-Packard Company High band-gap opto-electronic device
US5204284A (en) * 1989-01-19 1993-04-20 Hewlett-Packard Company Method of making a high band-gap opto-electronic device
EP0378919A2 (en) * 1989-01-19 1990-07-25 Hewlett-Packard Company High band-gap opto-electronic device and method for making same
JPH033386A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
EP0454476A2 (en) 1990-04-26 1991-10-30 Fujitsu Limited Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing the same
US5202285A (en) * 1990-04-26 1993-04-13 Fujitsu Limited Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same
US5255281A (en) * 1990-04-26 1993-10-19 Fujitsu Limited Semiconductor laser having double heterostructure
JPH0432288A (ja) * 1990-05-29 1992-02-04 Toshiba Corp 集積型半導体レーザ装置
JPH04333298A (ja) * 1991-05-08 1992-11-20 Sharp Corp ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子
US7436870B2 (en) 2004-06-08 2008-10-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and method for manufacturing the same

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