JPS62199769A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPS62199769A JPS62199769A JP3922886A JP3922886A JPS62199769A JP S62199769 A JPS62199769 A JP S62199769A JP 3922886 A JP3922886 A JP 3922886A JP 3922886 A JP3922886 A JP 3922886A JP S62199769 A JPS62199769 A JP S62199769A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空蒸着装置に係り、特に室温以下の温度にお
いて薄膜を形成するに好適な真空蒸着装置に関する。
いて薄膜を形成するに好適な真空蒸着装置に関する。
従来の真空蒸着装置には、レビューオブ サイエンティ
ック インスッルメンッ、56巻9号(1985年)第
1799頁から第1803頁(Revj、ew ofS
cienfic InstrumentS、Volum
e 56 、 No 、 9(1985) P P 1
799〜1803)において示されものがある。
ック インスッルメンッ、56巻9号(1985年)第
1799頁から第1803頁(Revj、ew ofS
cienfic InstrumentS、Volum
e 56 、 No 、 9(1985) P P 1
799〜1803)において示されものがある。
また、実開昭59−91734号には半導体等の基板冷
却装置が示されている。
却装置が示されている。
上記従来の技術では、基板を交換するためにはいったん
真空環境を大気圧に戻して作業せざるを得ず、再度高真
空環境を作るには数時1111以上を要し1作業能率が
劣るという問題があった。また。
真空環境を大気圧に戻して作業せざるを得ず、再度高真
空環境を作るには数時1111以上を要し1作業能率が
劣るという問題があった。また。
真空容器力の装置主要部を大気圧にさらす時水分の付着
等がおこるのを避けるため、基板温度が室温以下の場合
、これを室温に回復させるための時間も必要であった。
等がおこるのを避けるため、基板温度が室温以下の場合
、これを室温に回復させるための時間も必要であった。
本発明の目的は、上記問題点を克服し、真空環境中で、
基板冷却手段を低温に保持したままで、基板交換が可能
な真空蒸着装置を提供することにある。
基板冷却手段を低温に保持したままで、基板交換が可能
な真空蒸着装置を提供することにある。
上記目的は、熱伝導性の第1の部材と第2の部材が少な
くとも基板方向に相対的に移動可能で、かつ両部材間に
形成される部屋を伸縮自在にシールする手段と、前記第
1の部材と第2の部材に熱を供給する手段と、前記部屋
に冷媒を供給する手段と、サセプタを前記第Jの部材に
着脱自在に保持する手段と、サセプタの他方の面と前記
第2の部材とを密着させるように第2の部材を移動させ
る手段と、真空容器と仕切り弁を介して接続される予備
真空室と、真空容器と予備真空室とを従来して基板の着
脱操作をするマニピューレータとを設けることにより達
成される。
くとも基板方向に相対的に移動可能で、かつ両部材間に
形成される部屋を伸縮自在にシールする手段と、前記第
1の部材と第2の部材に熱を供給する手段と、前記部屋
に冷媒を供給する手段と、サセプタを前記第Jの部材に
着脱自在に保持する手段と、サセプタの他方の面と前記
第2の部材とを密着させるように第2の部材を移動させ
る手段と、真空容器と仕切り弁を介して接続される予備
真空室と、真空容器と予備真空室とを従来して基板の着
脱操作をするマニピューレータとを設けることにより達
成される。
基板装着の時は、予備真空室で基板を固着したサセプタ
をマニピュレータによって正装置に案内する。第1の部
材、第2の部材及びシール手段で形成された部屋は真空
状態にしておき、サセプタを保持手段で第1の部材に装
着した後、部屋に冷媒を供給する6冷媒の供給によって
部屋は内圧を受はシール手段が伸びて第2の部材とサセ
プタは密着し、第2の部材をサセプタ間の接触熱抵抗が
低下する。このため、基板は冷媒によって冷却される。
をマニピュレータによって正装置に案内する。第1の部
材、第2の部材及びシール手段で形成された部屋は真空
状態にしておき、サセプタを保持手段で第1の部材に装
着した後、部屋に冷媒を供給する6冷媒の供給によって
部屋は内圧を受はシール手段が伸びて第2の部材とサセ
プタは密着し、第2の部材をサセプタ間の接触熱抵抗が
低下する。このため、基板は冷媒によって冷却される。
又、基板の冷却湿度は熱を供給する手段の供給熱量によ
り任意の温度に変更できる。次に、基板をサセプタから
雌親させる時は、冷媒を排出して部屋を真空にし、第2
の部材とサセプタ間の接触圧をなくすことによってサセ
プタを保持手段から容易にはずれるようにし、マニピュ
レータによってサセプタを予備真空室に移送するもので
ある。
り任意の温度に変更できる。次に、基板をサセプタから
雌親させる時は、冷媒を排出して部屋を真空にし、第2
の部材とサセプタ間の接触圧をなくすことによってサセ
プタを保持手段から容易にはずれるようにし、マニピュ
レータによってサセプタを予備真空室に移送するもので
ある。
以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図により説明
する。第1図は真空蒸着装置の概略図で、】、は真空容
器で、弁2を経由して真空排気系3に接続し、真空容器
内部4を高真空に維持する。5は真空容器1に設けられ
た仕切り弁で、予備真空室6と真空容器内部4とを区分
している。予備真空室6には別の真空排気系7及び基板
導入機@8(マニピュレータ)が設けてあり、大気中と
の基板の出し入れが可能である。9は装置主要部その詳
細は第2図にて説明する。10は基板(後述する)を一
方の面に貼りつけたサセプタで蒸発源11から異なる物
質を蒸発させ、シャッター12により蒸着量の制御を行
う。装置主要部9は、第1、の冷媒13を貯蔵する室1
4及び第2図の冷媒15を貯蔵する室16(図示せず)
、冷媒用のフレキシブル配管17,18,19,20.
及び室16の回転機W21と上下動機構22より構成さ
れている。なお、23は、液体窒素等で冷却されたシュ
ラウドで、真空維持の一役を担う。
する。第1図は真空蒸着装置の概略図で、】、は真空容
器で、弁2を経由して真空排気系3に接続し、真空容器
内部4を高真空に維持する。5は真空容器1に設けられ
た仕切り弁で、予備真空室6と真空容器内部4とを区分
している。予備真空室6には別の真空排気系7及び基板
導入機@8(マニピュレータ)が設けてあり、大気中と
の基板の出し入れが可能である。9は装置主要部その詳
細は第2図にて説明する。10は基板(後述する)を一
方の面に貼りつけたサセプタで蒸発源11から異なる物
質を蒸発させ、シャッター12により蒸着量の制御を行
う。装置主要部9は、第1、の冷媒13を貯蔵する室1
4及び第2図の冷媒15を貯蔵する室16(図示せず)
、冷媒用のフレキシブル配管17,18,19,20.
及び室16の回転機W21と上下動機構22より構成さ
れている。なお、23は、液体窒素等で冷却されたシュ
ラウドで、真空維持の一役を担う。
24は液体窒素などの第2の冷媒を供給する貯槽、25
は液体窒素などの第1の冷媒を供給するためのガス又は
液体の容器、26は容器25とは別種のガス又は液体の
容器、27は真空排気ポンプ、28は流量計、29は圧
力計、30,31゜32.33は弁である。
は液体窒素などの第1の冷媒を供給するためのガス又は
液体の容器、26は容器25とは別種のガス又は液体の
容器、27は真空排気ポンプ、28は流量計、29は圧
力計、30,31゜32.33は弁である。
次に装置要部9を第2@によって詳述する。シリコンや
ガリウムひ素、石英等からなる基板35はインジウム、
ガリウム、半田等で鋼製のサセプタ10に貼り付けであ
る。サセプタ10には外周上に溝36が彫ってあり、バ
ヨネット37(保持手段)によりブロック37(第1の
部材)に連結される。ブロック38の下部には室14を
形成するためサセプタ10と対接する冷却ステージ39
(第2部材)がベローズ40を(伸縮自在なシール手段
)を介して気密に取り付けである。ブロック38及び冷
却ステージ39は銅、アルミニラ11、しんちゅう、ス
テンレス鋼等がよい。またブロック38には、電気的に
絶縁されたヒータ41(熱を供給する手段)が熱的に接
続しである。42はヒータ41のリード線で、電気的な
絶縁が施されている。ヒータ41及びリード線42とし
て、外側をステンレス鋼のケースで完全に被覆して真空
容器1の外へ引き出せば、ヒータ線や絶縁材からの放出
ガスを問題にしなくてよい、ヒータ41と38との熱的
接続は冷やしぼめ、焼ばめ、ろう付、溶接などで行う。
ガリウムひ素、石英等からなる基板35はインジウム、
ガリウム、半田等で鋼製のサセプタ10に貼り付けであ
る。サセプタ10には外周上に溝36が彫ってあり、バ
ヨネット37(保持手段)によりブロック37(第1の
部材)に連結される。ブロック38の下部には室14を
形成するためサセプタ10と対接する冷却ステージ39
(第2部材)がベローズ40を(伸縮自在なシール手段
)を介して気密に取り付けである。ブロック38及び冷
却ステージ39は銅、アルミニラ11、しんちゅう、ス
テンレス鋼等がよい。またブロック38には、電気的に
絶縁されたヒータ41(熱を供給する手段)が熱的に接
続しである。42はヒータ41のリード線で、電気的な
絶縁が施されている。ヒータ41及びリード線42とし
て、外側をステンレス鋼のケースで完全に被覆して真空
容器1の外へ引き出せば、ヒータ線や絶縁材からの放出
ガスを問題にしなくてよい、ヒータ41と38との熱的
接続は冷やしぼめ、焼ばめ、ろう付、溶接などで行う。
第1の冷媒13の供給配管19は第2の冷媒15を貯め
た室16中には導きらせん管43を経て室14に至る。
た室16中には導きらせん管43を経て室14に至る。
冷却ステージ39の室14側の表面には溝44を加工し
て放熱面積を増やす、あるいは、この溝44のかわりに
、沸騰熱伝達を促進するような多孔状表面を形成しても
よい、排出配管20は望ましくは第2の冷媒15熱交換
しないようにして外へ出した方がよい。45は室16、
室14の中心軸上に設けた軸で、外部より回転又は上下
動を加えるのに使う。
て放熱面積を増やす、あるいは、この溝44のかわりに
、沸騰熱伝達を促進するような多孔状表面を形成しても
よい、排出配管20は望ましくは第2の冷媒15熱交換
しないようにして外へ出した方がよい。45は室16、
室14の中心軸上に設けた軸で、外部より回転又は上下
動を加えるのに使う。
第3は、第2図とほとんど同一構成であるが、希土類元
素などを主成分とした永久磁石46をブロック38に貼
り付けた点が異なる。なお、ヒータ41としてはセラミ
ック基板にヒータ材をコートしたものを示しである。
素などを主成分とした永久磁石46をブロック38に貼
り付けた点が異なる。なお、ヒータ41としてはセラミ
ック基板にヒータ材をコートしたものを示しである。
第2図及び第3図には、室14とブロック38を固定す
る手段として配管19と20のみを示したが1強度確保
のため、複数本の支持棒を付加してもよい、ただし、こ
れらはすべてステンレス鋼などの低熱伝導性の材料を使
用し、かつ断面積を小さくして熱リークを少なくする。
る手段として配管19と20のみを示したが1強度確保
のため、複数本の支持棒を付加してもよい、ただし、こ
れらはすべてステンレス鋼などの低熱伝導性の材料を使
用し、かつ断面積を小さくして熱リークを少なくする。
冷却ステージ39とサセプタ10の接触する表面(他方
の面)には両面とも金をメッキしておく。
の面)には両面とも金をメッキしておく。
接触面の酸化を防ぎかつ接触熱抵抗を小さくするためで
ある。
ある。
第4図は第2図に示したバヨネット37の付近を分解し
て示す斜視図である。冷却ステージ39はベローズ40
に溶接して一体化しである。バヨネット37には下部に
つめ47が内周上に複数個設けてあり、サセプタ10の
外周上の一11記つめ47と対応した位置に溝48が彫
っである。
て示す斜視図である。冷却ステージ39はベローズ40
に溶接して一体化しである。バヨネット37には下部に
つめ47が内周上に複数個設けてあり、サセプタ10の
外周上の一11記つめ47と対応した位置に溝48が彫
っである。
この動作はつぎのようになる。まず、予備真空室6で装
置したサセプタ10は基板導入機構8の先端に設けた保
持器49に溝50の部分で支持され、冷却ステージ39
の下部まで搬送される。この状態で回転機構21及び上
下動機構22を操作してバヨネットのつめ47とサセプ
タの溝48を合致させ、はめこむ。その後、バヨネット
側を回転させ、つめ47をサセプタの溝36に入れ、サ
セプタ10が落下しないようにする。この操作を行う間
は、室14は真空に排気しておく。冷却ス4テージ39
とサセプタ10は室14の内外の圧力“j 差がない場合、適当な間隙を有して回転に対して相互に
自由なようにあらかじめ製作しておく。サセプタ10の
設定が終ったら、保持器49を引き抜き、室14にガス
を導入する。導入によって室14の内外に圧力差が生じ
、こりれによる力が冷却ステージ39をサセプタ10に
押しつける。基板35を液体窒素温度近辺にまで冷却す
る必要があるときは、第1の冷媒13及び第2の冷媒1
5を液体窒素とし、容器25より窒素ガスを一定流量で
供給する。図示していないが、冷却ステージ39に取り
付けられた温度計の指示を監視して流量を調節する6ヒ
ータ41を使って温度調節を行うこともできる。とくに
温度レベルを高くする場合は、第1の冷媒13の供給を
停止する。あるいは第2の冷却15の温度レベルを上げ
、不凝縮性のガスを容器26より一定流量で供給しても
よい。
置したサセプタ10は基板導入機構8の先端に設けた保
持器49に溝50の部分で支持され、冷却ステージ39
の下部まで搬送される。この状態で回転機構21及び上
下動機構22を操作してバヨネットのつめ47とサセプ
タの溝48を合致させ、はめこむ。その後、バヨネット
側を回転させ、つめ47をサセプタの溝36に入れ、サ
セプタ10が落下しないようにする。この操作を行う間
は、室14は真空に排気しておく。冷却ス4テージ39
とサセプタ10は室14の内外の圧力“j 差がない場合、適当な間隙を有して回転に対して相互に
自由なようにあらかじめ製作しておく。サセプタ10の
設定が終ったら、保持器49を引き抜き、室14にガス
を導入する。導入によって室14の内外に圧力差が生じ
、こりれによる力が冷却ステージ39をサセプタ10に
押しつける。基板35を液体窒素温度近辺にまで冷却す
る必要があるときは、第1の冷媒13及び第2の冷媒1
5を液体窒素とし、容器25より窒素ガスを一定流量で
供給する。図示していないが、冷却ステージ39に取り
付けられた温度計の指示を監視して流量を調節する6ヒ
ータ41を使って温度調節を行うこともできる。とくに
温度レベルを高くする場合は、第1の冷媒13の供給を
停止する。あるいは第2の冷却15の温度レベルを上げ
、不凝縮性のガスを容器26より一定流量で供給しても
よい。
原着作業を終えて、基板35を交換する場合は、室14
を真空排気して、保持器49をサセプタ10にセットし
、回転機構21と上下動機構22によりサセプタ1oを
バヨネット37からはずし、保持器49を予備真空室6
に引き込み弁5を閉じて予備真空室6を大気開放してサ
セプタ10を取り出し、基板35を交換すればよい。真
空容器1の内部4は大気にさらされることがないので、
新しい基板を導入して一時的に真空度が劣化しても短時
間で高真空に回復する。
を真空排気して、保持器49をサセプタ10にセットし
、回転機構21と上下動機構22によりサセプタ1oを
バヨネット37からはずし、保持器49を予備真空室6
に引き込み弁5を閉じて予備真空室6を大気開放してサ
セプタ10を取り出し、基板35を交換すればよい。真
空容器1の内部4は大気にさらされることがないので、
新しい基板を導入して一時的に真空度が劣化しても短時
間で高真空に回復する。
第5図は、第2図に示した実施例の変形例である。特徴
は第1の冷媒と第2の冷媒を同一としたことである。す
なわち、供給配管19を冷媒15を貯蔵する室16の底
に開口させ、室16の圧力を上げて冷媒15を室14に
供給することができる。室14で気化し、温度上昇した
冷媒は、管51の中を通り断熱した排出配管20より外
へ放出される。冷媒15の補給は供給配管17より常時
又は間欠的に行われる。室16と室14を固定するため
に複数本の低熱導性の支持体52が用いである。又、第
2図と異なり、冷却ステージ39とサセプタ10は平板
状をなしている。
は第1の冷媒と第2の冷媒を同一としたことである。す
なわち、供給配管19を冷媒15を貯蔵する室16の底
に開口させ、室16の圧力を上げて冷媒15を室14に
供給することができる。室14で気化し、温度上昇した
冷媒は、管51の中を通り断熱した排出配管20より外
へ放出される。冷媒15の補給は供給配管17より常時
又は間欠的に行われる。室16と室14を固定するため
に複数本の低熱導性の支持体52が用いである。又、第
2図と異なり、冷却ステージ39とサセプタ10は平板
状をなしている。
第6図は、第5図に示した実施例の別の実施例である6
外部とつながる供給配管19、排出配管20のかわりに
、冷媒15を貯蔵する室16の底部に開口をもつ複数本
の細管52.53を設ける。
外部とつながる供給配管19、排出配管20のかわりに
、冷媒15を貯蔵する室16の底部に開口をもつ複数本
の細管52.53を設ける。
冷却ステージ39とベローズ40のかわりに、たわみ部
54を有するダイヤフラム55を用いている。又、ヒー
タ41のかわりに、タングステン線等から゛なる加熱用
のフィラメント56を用い、セラミックの基板57に固
定された電流端子58に取り付けられている659はキ
ャップで、電流導線60は絶縁して引き出され、絶縁端
子61を通して外部へ引き出される。この実施例では、
冷媒】5は室14中へ自然循環で供給される。試料の温
度を上げるときは、フィラメント55に通電してその軸
射熱でブロック38を加熱し、細管52゜53を冷媒1
5の蒸気でブロックする。又は、冷媒15を供給配管1
7の底から抜きとってもよい。
54を有するダイヤフラム55を用いている。又、ヒー
タ41のかわりに、タングステン線等から゛なる加熱用
のフィラメント56を用い、セラミックの基板57に固
定された電流端子58に取り付けられている659はキ
ャップで、電流導線60は絶縁して引き出され、絶縁端
子61を通して外部へ引き出される。この実施例では、
冷媒】5は室14中へ自然循環で供給される。試料の温
度を上げるときは、フィラメント55に通電してその軸
射熱でブロック38を加熱し、細管52゜53を冷媒1
5の蒸気でブロックする。又は、冷媒15を供給配管1
7の底から抜きとってもよい。
ダイアフラム55は銅やステンレス鋼の薄肉0 、 I
n11〜1 m)の板で形成しているので、室14に
圧力が加わった状態ではサセプタ10への密着性が良く
なり、接触による熱抵抗が少ない。
n11〜1 m)の板で形成しているので、室14に
圧力が加わった状態ではサセプタ10への密着性が良く
なり、接触による熱抵抗が少ない。
第7図は、第2図に示す実施例とは別の実施例を示す。
特徴は、室16と室14とが、連結部61で熱的に接続
されていて、更に室14中には冷媒15で凝縮すること
のないガスを細管60より導入し、くし歯状にかみ合っ
たブロック38と冷却ステージ39が狭い間隙62より
熱的につながれている。この場合、ブロック38及び冷
却ステージ39は熱伝導率の良い材料、例えば鋼などが
好ましく連結部61は中程度の熱伝導性を有するステン
レス鋼やしんちゅうが良い。間VX62の大きさは約1
0μm〜100μmとしつ室14中に導入するガスはヘ
リウムが好ましい。こうすれば、基板35を冷却すると
きは、ヒータ41.を切り、連結部61及びブロック3
8中の熱伝導、並びに間隙62でのヘリウムの熱伝導に
より、冷却ステージ39を冷却する。加熱する場合は、
連結61が熱抵抗となって室16と室14間に温度差を
つける。サセプタ10を着脱するときは、室14内を真
空にして、ベローズ40の復元力により冷却ステージ3
9をサセプタ10から離せばよい。
されていて、更に室14中には冷媒15で凝縮すること
のないガスを細管60より導入し、くし歯状にかみ合っ
たブロック38と冷却ステージ39が狭い間隙62より
熱的につながれている。この場合、ブロック38及び冷
却ステージ39は熱伝導率の良い材料、例えば鋼などが
好ましく連結部61は中程度の熱伝導性を有するステン
レス鋼やしんちゅうが良い。間VX62の大きさは約1
0μm〜100μmとしつ室14中に導入するガスはヘ
リウムが好ましい。こうすれば、基板35を冷却すると
きは、ヒータ41.を切り、連結部61及びブロック3
8中の熱伝導、並びに間隙62でのヘリウムの熱伝導に
より、冷却ステージ39を冷却する。加熱する場合は、
連結61が熱抵抗となって室16と室14間に温度差を
つける。サセプタ10を着脱するときは、室14内を真
空にして、ベローズ40の復元力により冷却ステージ3
9をサセプタ10から離せばよい。
本発明によれば、高真空環境下で基板を着脱することが
可能となり、作業能率が著しく改善されるという効果が
ある。
可能となり、作業能率が著しく改善されるという効果が
ある。
第1図から第7図は本発明に係る真空蒸着装置の説明図
で、第1図は実施例の概略図、第2図は装置主要部の断
面図、第3図は他の実施例の装置主要部の断面図、第4
図は保持手段の分解斜視図、第5図は更に他の実施例の
装置主要部の断面図、第6図は更に他の実施例の装置主
要部の断面図、17図は更に他の実施例の装置主要部の
断面図である。 1・・・真空容器、8・・・基板導入機構(マニピュレ
ータ)9・・・装置主要部、10・・・サセプタ、38
・・・ブロック(第1の部材)、39・・・冷却ステー
ジ(第2の部材)、40・・・ベローズ(伸縮自在なシ
ール手段)、19.20・・・細管、37・・・バヨネ
ット(保持手段)、46・・・永久磁石、54・・・ダ
イアフ不)図 冨2図 ¥J 3 図 ■ 4 図 冨5図 1σ−−−ず仁7′7 3g−−−フ”a
γ7(′fJ/の釣り天〕15−−− ンン煤
M−;令吏7スデーンGd/7舒4
35−Jしa、 4θ−−−X
O−ス′(シール乎μ襞う3’L−/(3Jプl−<4
WH+lk) 4l−−−c−1<%4叉54;41
”tノ纂 乙 図
で、第1図は実施例の概略図、第2図は装置主要部の断
面図、第3図は他の実施例の装置主要部の断面図、第4
図は保持手段の分解斜視図、第5図は更に他の実施例の
装置主要部の断面図、第6図は更に他の実施例の装置主
要部の断面図、17図は更に他の実施例の装置主要部の
断面図である。 1・・・真空容器、8・・・基板導入機構(マニピュレ
ータ)9・・・装置主要部、10・・・サセプタ、38
・・・ブロック(第1の部材)、39・・・冷却ステー
ジ(第2の部材)、40・・・ベローズ(伸縮自在なシ
ール手段)、19.20・・・細管、37・・・バヨネ
ット(保持手段)、46・・・永久磁石、54・・・ダ
イアフ不)図 冨2図 ¥J 3 図 ■ 4 図 冨5図 1σ−−−ず仁7′7 3g−−−フ”a
γ7(′fJ/の釣り天〕15−−− ンン煤
M−;令吏7スデーンGd/7舒4
35−Jしa、 4θ−−−X
O−ス′(シール乎μ襞う3’L−/(3Jプl−<4
WH+lk) 4l−−−c−1<%4叉54;41
”tノ纂 乙 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空容器、真空容器内部を真空にする手段、基板を
一方の面に塔載するサセプタ、蒸着源又は分子線源を有
し、基板に薄膜を形成する真空蒸着装置において、熱伝
導性の第1の部材と第2の部材とが少なくとも基板方向
に相対的に移動可能で、かつ両部材間に形成される部屋
を伸縮自在にシールする手段と、前記第1の部材は第2
の部材に熱を供給する手段と、前記部材に冷媒を供給す
る手段と、サセプタを前記第1の部材に着脱自在に保持
する手段と、サセプタの他方の面と前記第2の部材とを
密着させるように第2の部材を移動させる手段と、真空
容器と仕切り弁を介して接続する予備真空室と、真空容
器と前記予備真空室とを往来して基板の着脱操作をする
。マニピュレータを設けることを特徴とする真空蒸着装
置。 2、第2の部材に永久磁石を設けることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3922886A JPH0739630B2 (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3922886A JPH0739630B2 (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 真空蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62199769A true JPS62199769A (ja) | 1987-09-03 |
JPH0739630B2 JPH0739630B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=12547268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3922886A Expired - Lifetime JPH0739630B2 (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0739630B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0499770A2 (de) * | 1991-02-21 | 1992-08-26 | Hauzer Holding B.V. | Indirekt gekühltes Target mit Schnellwechselsystem |
KR100263136B1 (ko) * | 1991-05-08 | 2000-08-01 | 하에펠리 에리흐, 베그만 어스 | 진공 프로세스 챔버내에서 냉각되는 타게트 플레이트의 장착방법과 타게트 플레이트장치 및 타게트 플레이트와 진공챔버 |
-
1986
- 1986-02-26 JP JP3922886A patent/JPH0739630B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0499770A2 (de) * | 1991-02-21 | 1992-08-26 | Hauzer Holding B.V. | Indirekt gekühltes Target mit Schnellwechselsystem |
EP0499770A3 (en) * | 1991-02-21 | 1994-12-28 | Hauzer Holding | Indirectly cooled target with quick-change system |
KR100263136B1 (ko) * | 1991-05-08 | 2000-08-01 | 하에펠리 에리흐, 베그만 어스 | 진공 프로세스 챔버내에서 냉각되는 타게트 플레이트의 장착방법과 타게트 플레이트장치 및 타게트 플레이트와 진공챔버 |
KR100403567B1 (ko) * | 1991-05-08 | 2003-11-01 | 어낵시스 발처스 악티엔게젤샤프트 | 진공 코팅 프로세스용 타게트 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0739630B2 (ja) | 1995-05-01 |
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