JPS62198223A - 原子発振器用発光装置 - Google Patents
原子発振器用発光装置Info
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- JPS62198223A JPS62198223A JP4109086A JP4109086A JPS62198223A JP S62198223 A JPS62198223 A JP S62198223A JP 4109086 A JP4109086 A JP 4109086A JP 4109086 A JP4109086 A JP 4109086A JP S62198223 A JPS62198223 A JP S62198223A
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- rubidium
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- metal
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- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 239000003973 paint Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は原子発振器用発光装置に関し、特にルビジウム
ランプを用いる原子発振器用発光装置に関する。
ランプを用いる原子発振器用発光装置に関する。
１′従来の技術〕
従来、この種の原子発振器用発光装置では、ルビジウム
ランプ内にルビジウム光スペクトルを発生するためのル
ビジウム金属が封入されており、この金属のランプ励振
への影響除去のため、金属量を少くしたりルビジウムラ
ンプの一部に金属溜りを設けていた。
ランプ内にルビジウム光スペクトルを発生するためのル
ビジウム金属が封入されており、この金属のランプ励振
への影響除去のため、金属量を少くしたりルビジウムラ
ンプの一部に金属溜りを設けていた。
１述した従来の原子発振器用発光装置は、ルビジウムラ
ンプ内のルビジウム金属のランプ励振ノ＼の影響（発光
停止及び発光不安定）を除去するため、ルビジウム金属
量の制限や、金属溜りを設けているが、ルビジウム金属
量の制御は、製造上困難であるので、ある程度のばらつ
き以−Ｆにすることは不可能である。
ンプ内のルビジウム金属のランプ励振ノ＼の影響（発光
停止及び発光不安定）を除去するため、ルビジウム金属
量の制限や、金属溜りを設けているが、ルビジウム金属
量の制御は、製造上困難であるので、ある程度のばらつ
き以−Ｆにすることは不可能である。
又、別に金属溜りを設けそこにルビジウム金属をとじこ
める場合も、金属が温度の低い所に移動する性質がある
ので、ケース全体の熱構造の設計がむつかしいという問
題点がある。
める場合も、金属が温度の低い所に移動する性質がある
ので、ケース全体の熱構造の設計がむつかしいという問
題点がある。
本発明の目的は、ルビジウム金属による影響を除去して
安定した発光を得られる原子発振器用発光装置を提供す
ることにある。
安定した発光を得られる原子発振器用発光装置を提供す
ることにある。
本発明の原子発振器用発光装置は、円筒状のルビジウム
ランプと、該ルビジウムランプの外周に設けた励振コイ
ルと、前記ルビジウムランプの円筒状の底面に形成した
第１の金属蒸着膜と、該第１の金属蒸着膜と対向して設
けた耐熱性の絶縁板と、該絶縁板の前記第１の金属蒸着
膜側に形成した第２の金属蒸着膜と、前記第１の金属蒸
着膜と第２の金属蒸着膜との間に導電性塗料を介して固
定される半導体冷却素子と、前記絶縁板の前記第２の金
属蒸着膜を形成した面と反対の面に接して配置される取
付用キャップに固定した加熱用Ｉ・ランジスタと、前記
した各素子を一体に収納し前記ルビジウムランプの円筒
状の上面方向に開口を有するケースとを含んで構成され
る。
ランプと、該ルビジウムランプの外周に設けた励振コイ
ルと、前記ルビジウムランプの円筒状の底面に形成した
第１の金属蒸着膜と、該第１の金属蒸着膜と対向して設
けた耐熱性の絶縁板と、該絶縁板の前記第１の金属蒸着
膜側に形成した第２の金属蒸着膜と、前記第１の金属蒸
着膜と第２の金属蒸着膜との間に導電性塗料を介して固
定される半導体冷却素子と、前記絶縁板の前記第２の金
属蒸着膜を形成した面と反対の面に接して配置される取
付用キャップに固定した加熱用Ｉ・ランジスタと、前記
した各素子を一体に収納し前記ルビジウムランプの円筒
状の上面方向に開口を有するケースとを含んで構成され
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第・１図
のＡ−Ａ’線断面図である。
のＡ−Ａ’線断面図である。
第１図及び第２図に示すように、円筒状のルビジウムラ
ンプ１はその外周に励振コイル２がまかれ、中空円筒状
のケース８に固定される。ルビジウムランプ１の円筒状
の上面の光発射面９に対する反対側の底面には、金又は
銀等の第１の金属蒸着１１！５が形成される。
ンプ１はその外周に励振コイル２がまかれ、中空円筒状
のケース８に固定される。ルビジウムランプ１の円筒状
の上面の光発射面９に対する反対側の底面には、金又は
銀等の第１の金属蒸着１１！５が形成される。
金属蒸着膜５と対面して耐熱性の絶縁板としてのセラミ
ック円板（厚さ約１ｍ５）７が固定され、セラミック円
板７の金属蒸着膜５の側の面には、金属蒸着膜５と同一
金属の第２の金属蒸着膜５゛が形成される。
ック円板（厚さ約１ｍ５）７が固定され、セラミック円
板７の金属蒸着膜５の側の面には、金属蒸着膜５と同一
金属の第２の金属蒸着膜５゛が形成される。
金属蒸着膜５と５′との間にはルビジウムランプ１の底
面の円周に沿って、複数個の半導体冷却素子６が導電性
塗料で固着される。半導体冷却素子６に電流を流すと、
ルビジウムランプ１が冷却され反対側が加熱される。
面の円周に沿って、複数個の半導体冷却素子６が導電性
塗料で固着される。半導体冷却素子６に電流を流すと、
ルビジウムランプ１が冷却され反対側が加熱される。
セラミック円板７の金属蒸着膜５”を施した面の反対の
面にはセラミック円板７と同寸法の取付用キャップ４が
固定され、取付用キャップ４にはルビジウムランプｌの
加熱用トランジスタ３が固定される。
面にはセラミック円板７と同寸法の取付用キャップ４が
固定され、取付用キャップ４にはルビジウムランプｌの
加熱用トランジスタ３が固定される。
ルビジウムランプ１と同様に、セラミック円板７及び加
熱用トランジスタ３を固定した取付用キャップ４もケー
ス８内に収納される。
熱用トランジスタ３を固定した取付用キャップ４もケー
ス８内に収納される。
このような構成で、半導体冷却素子６に通電することに
より、ルビジウムランプ１の底面部が冷され取付用キヤ
・ツブ４側が加熱される。
より、ルビジウムランプ１の底面部が冷され取付用キヤ
・ツブ４側が加熱される。
従って、ルビジウムランプ１内のルビジウム金属は半導
体冷却素子６の周囲に集まり、他への移動を防止できる
。
体冷却素子６の周囲に集まり、他への移動を防止できる
。
なお、ケース１のルビジウムランプ１の光発射面９側は
開口されている。
開口されている。
以上説明したように本発明の原子発振器用発光装置は、
ルビジウムランプと加熱用トランジスタの取付用キャッ
プ間に設けた半導体冷却素子により、ルビジウムランプ
内のルビジウム金属を半導体冷却素子周辺に固定化でき
るので、ルビジウム金属の移動によるランプ励振の不安
定性を除去できるという効果がある。
ルビジウムランプと加熱用トランジスタの取付用キャッ
プ間に設けた半導体冷却素子により、ルビジウムランプ
内のルビジウム金属を半導体冷却素子周辺に固定化でき
るので、ルビジウム金属の移動によるランプ励振の不安
定性を除去できるという効果がある。
更に、加熱用トランジスタの取付用キヤ・ツブ側では半
導体冷却素子の発熱機能により、ルビジウムランプ加熱
電力がその分小さくなるので熱効率が向上し、かつ、ル
ビジウムランプ側の金属蒸着膜はランプ発光側を鏡面化
することにより、発射光を効率よく光発射面に集中でき
るという副次的効果がある。
導体冷却素子の発熱機能により、ルビジウムランプ加熱
電力がその分小さくなるので熱効率が向上し、かつ、ル
ビジウムランプ側の金属蒸着膜はランプ発光側を鏡面化
することにより、発射光を効率よく光発射面に集中でき
るという副次的効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図の
実施例のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・ルビジウムランプ、２・・・励振コイル、３・
・・加熱用トランジスタ、４・・・取付用キャップ、５
．５°・・・金属蒸着膜、６・・・半導体冷却素子、７
・・・セラミック円板、８・・・ケース。
実施例のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・ルビジウムランプ、２・・・励振コイル、３・
・・加熱用トランジスタ、４・・・取付用キャップ、５
．５°・・・金属蒸着膜、６・・・半導体冷却素子、７
・・・セラミック円板、８・・・ケース。
Claims (1)
- 円筒状のルビジウムランプと、該ルビジウムランプの外
周に設けた励振コイルと、前記ルビジウムランプの円筒
状の底面に形成した第１の金属蒸着膜と、該第１の金属
蒸着膜と対向して設けた耐熱性の絶縁板と、該絶縁板の
前記第１の金属蒸着膜側に形勢した第２の金属蒸着膜と
、前記第１の金属蒸着膜と第２の金属蒸着膜との間に導
電性塗料を介して固定される半導体冷却素子と、前記絶
縁板の前記第２の金属蒸着膜を形成した面と反対の面に
接して配置される取付用キャップに固定した加熱用トラ
ンジスタと、前記した各素子を一体に収納し前記ルビジ
ウムランプの円筒状の上面方向に開口を有するケースと
を含むことを特徴とする原子発振器用発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4109086A JPS62198223A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 原子発振器用発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4109086A JPS62198223A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 原子発振器用発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198223A true JPS62198223A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12598772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4109086A Pending JPS62198223A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 原子発振器用発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62198223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7131449B2 (en) | 2005-01-27 | 2006-11-07 | Aderans Co., Ltd. | Wig |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP4109086A patent/JPS62198223A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7131449B2 (en) | 2005-01-27 | 2006-11-07 | Aderans Co., Ltd. | Wig |
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