JPS6219706B2 - - Google Patents
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- JPS6219706B2 JPS6219706B2 JP54022911A JP2291179A JPS6219706B2 JP S6219706 B2 JPS6219706 B2 JP S6219706B2 JP 54022911 A JP54022911 A JP 54022911A JP 2291179 A JP2291179 A JP 2291179A JP S6219706 B2 JPS6219706 B2 JP S6219706B2
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Landscapes
- Testing Relating To Insulation (AREA)
- Locating Faults (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高電圧導体を密閉金属容器内に収納
した例えばSF6ガス絶縁電気機器などにおいて、
内部に生じた局部放電光を検出することによつ
て、大事故を未然に防ぐ異常検出装置に関するも
のである。
した例えばSF6ガス絶縁電気機器などにおいて、
内部に生じた局部放電光を検出することによつ
て、大事故を未然に防ぐ異常検出装置に関するも
のである。
一般にガス絶縁機器は、夫々が所定の単位でガ
ス区分された多数の密閉金属容器で構成され、外
部に対しては、完全に該金属容器で包囲されてい
る。
ス区分された多数の密閉金属容器で構成され、外
部に対しては、完全に該金属容器で包囲されてい
る。
しかして、密閉金属容器内の絶縁劣化等の異常
が発生した場合、従来は密閉金属容器内で放電事
故が完全に発生した後でなければ事故箇所を検知
することができず、事故を未然に防ぐことができ
なかつた。
が発生した場合、従来は密閉金属容器内で放電事
故が完全に発生した後でなければ事故箇所を検知
することができず、事故を未然に防ぐことができ
なかつた。
この発明は、このような点に鑑みてなされたも
ので、電気機器内の局部放電に伴う光を高感度で
検出するために密閉容器内壁の光学的反射率を高
くし、受光素子への入射光を増大せしめ、内部に
生じた異常をいち早く検出し、引いては大事故を
未然に防ぐことを目的とする。
ので、電気機器内の局部放電に伴う光を高感度で
検出するために密閉容器内壁の光学的反射率を高
くし、受光素子への入射光を増大せしめ、内部に
生じた異常をいち早く検出し、引いては大事故を
未然に防ぐことを目的とする。
以下この発明の一実施例を図にもとづいて説明
する。すなわち図は一般的な管状SF6ガス絶縁電
気機器の断面図で、図中1は高電圧導体、2は管
状密閉金属容器、3は管状金属容器2の内壁一面
に塗布された光学的反射率の高い例えばニス等の
光沢性のある物質、4は金属容器2面に設けられ
たフランジ、5は座でフランジ4にガスケツト
(図示せず)を介して気密を保つて取付けられて
いる。6は受光素子、7は受光素子6を保護する
ための透明カバーで気密を保つて座5に取付けら
れている。8は受光素子6の出力ケーブル、9は
増幅回路で受光素子6の出力を増幅する。10は
表示回路で、ある一定レベル以上の入力で警報を
出すように構成されている。なお、この種電気機
器は、密閉金属容器2内に絶縁性流体であるSF6
ガスが封入されており、またこの図では省略され
ているが、密閉金属容器2が多数個ガス区分して
連結されていると共に高電圧導体1はガス区分を
兼ねた絶縁スペーサ等で密閉金属容器2に絶縁支
持されている。
する。すなわち図は一般的な管状SF6ガス絶縁電
気機器の断面図で、図中1は高電圧導体、2は管
状密閉金属容器、3は管状金属容器2の内壁一面
に塗布された光学的反射率の高い例えばニス等の
光沢性のある物質、4は金属容器2面に設けられ
たフランジ、5は座でフランジ4にガスケツト
(図示せず)を介して気密を保つて取付けられて
いる。6は受光素子、7は受光素子6を保護する
ための透明カバーで気密を保つて座5に取付けら
れている。8は受光素子6の出力ケーブル、9は
増幅回路で受光素子6の出力を増幅する。10は
表示回路で、ある一定レベル以上の入力で警報を
出すように構成されている。なお、この種電気機
器は、密閉金属容器2内に絶縁性流体であるSF6
ガスが封入されており、またこの図では省略され
ているが、密閉金属容器2が多数個ガス区分して
連結されていると共に高電圧導体1はガス区分を
兼ねた絶縁スペーサ等で密閉金属容器2に絶縁支
持されている。
このように構成されたものにおいて、何らかの
原因により高電圧導体1と管状密閉金属容器2の
間で絶縁劣化に伴う局部放電、例えば高電圧導体
1を支持するための絶縁物(図示せず)の沿面コ
ロナ放電が生じると、光を伴う。この光は異常の
初期段階では非常に小さく局部的である。従つ
て、密閉容器2の内壁の施された光学的反射率の
高い物質3で種々の反射を起こし、透明の保護カ
バー6を透して受光素子6に入射する割合が著る
しく増加する。即ち直接光が入射しない位置での
光をも検出が可能となる。受光素子6としては非
常に高感度である光電子増倍管を使用することで
異常をいち早く検出できる。受光素子6の出力を
増幅器9で増幅し、表示回路で所定の一定レベル
以上で響報を出すことで異常を予知もしくは発見
することができる。
原因により高電圧導体1と管状密閉金属容器2の
間で絶縁劣化に伴う局部放電、例えば高電圧導体
1を支持するための絶縁物(図示せず)の沿面コ
ロナ放電が生じると、光を伴う。この光は異常の
初期段階では非常に小さく局部的である。従つ
て、密閉容器2の内壁の施された光学的反射率の
高い物質3で種々の反射を起こし、透明の保護カ
バー6を透して受光素子6に入射する割合が著る
しく増加する。即ち直接光が入射しない位置での
光をも検出が可能となる。受光素子6としては非
常に高感度である光電子増倍管を使用することで
異常をいち早く検出できる。受光素子6の出力を
増幅器9で増幅し、表示回路で所定の一定レベル
以上で響報を出すことで異常を予知もしくは発見
することができる。
以上の実施例では密閉金属容器内壁に光学的反
射率の高い物質を塗布した場合であるが次のよう
にしても同様の効果を奏する。
射率の高い物質を塗布した場合であるが次のよう
にしても同様の効果を奏する。
(1) 密閉金属容器内壁に光学的反射率の高い金
属、例えば金、銀、アルミ等を蒸着する。
属、例えば金、銀、アルミ等を蒸着する。
(2) 密閉金属容器内壁の光沢がでるように研摩す
る。
る。
また密閉金属容器内壁のみならず、高電圧導体
の表面にも同様の処置をすることでより効果を奏
する。
の表面にも同様の処置をすることでより効果を奏
する。
以上のようにこの発明は一つの検出装置で、こ
の検出装置が設置された密閉容器内のどこで異常
が生じてもそれを高感度に検出でき、事故を未然
に予知することができる。
の検出装置が設置された密閉容器内のどこで異常
が生じてもそれを高感度に検出でき、事故を未然
に予知することができる。
図はこの発明の一実施例を示す断面図である。
図中、1は高電圧導体、2は密閉金属容器、3
は光学的反射率の高い物質、6は受光素子であ
る。
は光学的反射率の高い物質、6は受光素子であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電気機器の導電体を収納する高い光学的反射
率の内壁部を有する密閉容器と、この密閉容器内
に取り付けられた1つの受光素子と、この受光素
子を保護する透明カバーと、前記密閉容器外に導
かれた前記受光素子の出力信号を増幅する増幅器
と、この増幅器の出力が所定レベルを越えた時に
警報を発生する表示回路とを備え、前記密閉容器
内に生じた局部放電光を検出するようにしたこと
を特徴とする電気機器の異常検出装置。 2 密閉容器の内壁に光学的反射率の高い金属が
蒸着されていることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の電気機器の異常検出装置。 3 密閉容器の内壁が光沢がでるように研摩され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の電気機器の異常検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2291179A JPS55114965A (en) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | Anomaly detection unit of electrical apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2291179A JPS55114965A (en) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | Anomaly detection unit of electrical apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55114965A JPS55114965A (en) | 1980-09-04 |
JPS6219706B2 true JPS6219706B2 (ja) | 1987-04-30 |
Family
ID=12095814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2291179A Granted JPS55114965A (en) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | Anomaly detection unit of electrical apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS55114965A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010204067A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Ehime Univ | 部分放電発生回数測定装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52110678A (en) * | 1976-03-15 | 1977-09-16 | Fuji Electric Co Ltd | Troubled point detector of gaseous insulators |
-
1979
- 1979-02-28 JP JP2291179A patent/JPS55114965A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52110678A (en) * | 1976-03-15 | 1977-09-16 | Fuji Electric Co Ltd | Troubled point detector of gaseous insulators |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55114965A (en) | 1980-09-04 |
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