JPS62196368A - パ−マロイ膜の蒸着方法 - Google Patents
パ−マロイ膜の蒸着方法Info
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- JPS62196368A JPS62196368A JP3627386A JP3627386A JPS62196368A JP S62196368 A JPS62196368 A JP S62196368A JP 3627386 A JP3627386 A JP 3627386A JP 3627386 A JP3627386 A JP 3627386A JP S62196368 A JPS62196368 A JP S62196368A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要）
１個のインゴットを用いてパーマロイ膜の蒸着を行うと
蒸着の回数を重ねる毎にその組成が変化する。そこで蒸
着の回数に応じてビームスポット径を増大せしめ組成の
均一化を図ったものである。
蒸着の回数を重ねる毎にその組成が変化する。そこで蒸
着の回数に応じてビームスポット径を増大せしめ組成の
均一化を図ったものである。
本発明はバブルメモリチップの製造におけるパーマロイ
膜の蒸着方法に関する。
膜の蒸着方法に関する。
バブルメモリチップはガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ットからなる基板、基板上に生成された磁性ガーネット
の単結晶層、単結晶層の全面を覆い且つ眉間絶縁層、パ
ッシベーションとして使用されている二酸化シリコン層
、および二酸化シリコン層の上に形成された各種の金属
パターンで構成され、金属パターンはアルミニウムを主
体とする導体パターンと、パーマロイからなる磁性体パ
ターンとを具えている。
ットからなる基板、基板上に生成された磁性ガーネット
の単結晶層、単結晶層の全面を覆い且つ眉間絶縁層、パ
ッシベーションとして使用されている二酸化シリコン層
、および二酸化シリコン層の上に形成された各種の金属
パターンで構成され、金属パターンはアルミニウムを主
体とする導体パターンと、パーマロイからなる磁性体パ
ターンとを具えている。
かかるバブルメモリチップの動作特性は、磁気バブルを
検知する検知器や磁気バブルを転送するメジャーライン
、情報を記憶し、ているマイナーライン等の磁性体パタ
ーンを構成する、パーマロイの組成や膜厚によって大き
く左右される。
検知する検知器や磁気バブルを転送するメジャーライン
、情報を記憶し、ているマイナーライン等の磁性体パタ
ーンを構成する、パーマロイの組成や膜厚によって大き
く左右される。
そこでバブルメモリチップの製造に際して基板上に形成
された二酸化シリコン層の上に、膜厚や組成が均一なパ
ーマロイ膜を容易に蒸着できる蒸着方法の確立が望まれ
ている。
された二酸化シリコン層の上に、膜厚や組成が均一なパ
ーマロイ膜を容易に蒸着できる蒸着方法の確立が望まれ
ている。
第２図は電子ビーム蒸着装置の概要を示す模式図、第３
図はビームスポット径とＮｉの比率の関係を示す実験デ
ータ、第４図は通常の方法における組成の変化を示す図
である。
図はビームスポット径とＮｉの比率の関係を示す実験デ
ータ、第４図は通常の方法における組成の変化を示す図
である。
第２図において電子ビーム蒸着装置はＥ形電子銃１を具
えており、Ｅ形電子銃１において蒸発させた金属が基板
ホルダ２に固定された基板３に蒸着される。Ｅ形電子銃
１はインゴット１１を入れるるつぼ１２と、低圧電源に
よって加熱されたフィラメント１３と、電子を放出する
電子銃１４と、電子を加速し電子ビーム１５を形成する
高圧電源１６と、電子ビーム１５を偏向させるマグネッ
トまたはコイル１７を具えており、るつぼ１２は循環し
ている冷却水１８によって冷却されている。
えており、Ｅ形電子銃１において蒸発させた金属が基板
ホルダ２に固定された基板３に蒸着される。Ｅ形電子銃
１はインゴット１１を入れるるつぼ１２と、低圧電源に
よって加熱されたフィラメント１３と、電子を放出する
電子銃１４と、電子を加速し電子ビーム１５を形成する
高圧電源１６と、電子ビーム１５を偏向させるマグネッ
トまたはコイル１７を具えており、るつぼ１２は循環し
ている冷却水１８によって冷却されている。
なお高圧電源１６によって印加され電子を加速するため
の加速電圧は、高電圧の直流であるが電子ビーム１５を
スイープさせるために、高電圧の交流（スイープ電圧と
称する）で変調されており、スィーブ電圧の増大と共に
電子ビーム１５のスイープする振幅が大きくなり、それ
に樺って電子ビーム１５が照射する領域（ビームスポッ
ト径と称する）も拡大される。
の加速電圧は、高電圧の直流であるが電子ビーム１５を
スイープさせるために、高電圧の交流（スイープ電圧と
称する）で変調されており、スィーブ電圧の増大と共に
電子ビーム１５のスイープする振幅が大きくなり、それ
に樺って電子ビーム１５が照射する領域（ビームスポッ
ト径と称する）も拡大される。
かかる電子ビーム蒸着装置によるパーマロイ膜の蒸着に
おいて、生成されたパーマロイ膜に含まれるＮｉの比率
とビームスポット径との間には密接な関係がある。即ち
同一組成のインゴットを用い所定の膜厚を有するパーマ
ロイ膜を同一回数生成させた後、生成されたパーマロイ
膜に含まれるＮｉの比率は第３図の実験データに示す如
く、当初から小さいビームスポット径で蒸着した場合は
Ｎｉの比率が高く、当初から大きいビームスポット径で
蒸着した場合はＮｉの比率が低くなる傾向にある。
おいて、生成されたパーマロイ膜に含まれるＮｉの比率
とビームスポット径との間には密接な関係がある。即ち
同一組成のインゴットを用い所定の膜厚を有するパーマ
ロイ膜を同一回数生成させた後、生成されたパーマロイ
膜に含まれるＮｉの比率は第３図の実験データに示す如
く、当初から小さいビームスポット径で蒸着した場合は
Ｎｉの比率が高く、当初から大きいビームスポット径で
蒸着した場合はＮｉの比率が低くなる傾向にある。
この原因は蒸気圧等の差によりインゴット中に含まれて
いるＦｅが早く減少して、蒸着の回数を重ねるに従って
インゴット中に含まれているＮｉの比率が高まり、しか
もビームスポット径が小さい程その領域に含まれている
Ｆｅが早く減少するためと考えられる。
いるＦｅが早く減少して、蒸着の回数を重ねるに従って
インゴット中に含まれているＮｉの比率が高まり、しか
もビームスポット径が小さい程その領域に含まれている
Ｆｅが早く減少するためと考えられる。
しかるに通常の方法ではスイープ電圧を固定しビームス
ポット径を変化させないで蒸着を行っており、第４図に
示す如く当初は所望の組成を有するパーマロイ膜が生成
されるが、蒸着の回数を重ねるに伴ってパーマロイ膜に
含まれるＮｉの比率が上昇する。そこでパーマロイ膜に
含まれるＮｉの比率を所定の規格内に収めるために、実
験によって割り出した回数（第４図に示す特性の場合は
約５回以下）の蒸着を行うとインゴットを新しいものと
交換している。
ポット径を変化させないで蒸着を行っており、第４図に
示す如く当初は所望の組成を有するパーマロイ膜が生成
されるが、蒸着の回数を重ねるに伴ってパーマロイ膜に
含まれるＮｉの比率が上昇する。そこでパーマロイ膜に
含まれるＮｉの比率を所定の規格内に収めるために、実
験によって割り出した回数（第４図に示す特性の場合は
約５回以下）の蒸着を行うとインゴットを新しいものと
交換している。
しかしインゴ・ノドは突沸や脱ガス等による問題を回避
するために、電子ビームを照射するまえに完全に溶融し
ておく必要があり、インゴットを頻繁に交換するとそれ
を溶融するために長い時間を必要とし作業効率が低下す
るという問題があった。
するために、電子ビームを照射するまえに完全に溶融し
ておく必要があり、インゴットを頻繁に交換するとそれ
を溶融するために長い時間を必要とし作業効率が低下す
るという問題があった。
上記問題点は電子ビームのビームスポット径を第１回目
の蒸着時には小さく、以後蒸着の回数を重ねる毎に徐々
に増大させる本発明になるパーマロイ膜の蒸着方法によ
って解決される。
の蒸着時には小さく、以後蒸着の回数を重ねる毎に徐々
に増大させる本発明になるパーマロイ膜の蒸着方法によ
って解決される。
蒸着の回数を重ねるに伴って電子ビームのビームスポッ
ト径を徐々に増大させることによって、通常の方法では
蒸着の回数を重ねるに伴って増加する、パーマロイ膜に
含まれるＮｉの比率をほぼ一定に保つことが可能になり
、インゴットを頻繁に交換する必要が無くなって溶融す
るための時間を短縮することができる。
ト径を徐々に増大させることによって、通常の方法では
蒸着の回数を重ねるに伴って増加する、パーマロイ膜に
含まれるＮｉの比率をほぼ一定に保つことが可能になり
、インゴットを頻繁に交換する必要が無くなって溶融す
るための時間を短縮することができる。
以下添付図により本発明の実施例について説明する。第
１図は本発明の詳細な説明するための図である。
１図は本発明の詳細な説明するための図である。
図において電子ビームのビームスポット径を固定して蒸
着すると、蒸着の回数を重ねるに伴ってインゴット中に
含まれているＮｉの比率が高まり、破線で示す如く生成
されたパーマロイ膜に含まれるＮｉの比率が上昇する。
着すると、蒸着の回数を重ねるに伴ってインゴット中に
含まれているＮｉの比率が高まり、破線で示す如く生成
されたパーマロイ膜に含まれるＮｉの比率が上昇する。
一方インゴソト中に含まれているＮｉの比率が同一であ
っても一点鎖線で示す如く、ビームスポット径が増大す
るに伴ってパーマロイ膜に含まれるＮｉの比率が減少す
る。
っても一点鎖線で示す如く、ビームスポット径が増大す
るに伴ってパーマロイ膜に含まれるＮｉの比率が減少す
る。
したがって破線で示すＮｉの比率の上昇と一点鎖線で示
すＮｔの比率の減少の調和をとり、両方の比率のバラン
スを保つことによって実線で示す如（、生成されたパー
マロイ膜に含まれるＮｉの比率を蒸着の回数に関係無く
安定させることができる。
すＮｔの比率の減少の調和をとり、両方の比率のバラン
スを保つことによって実線で示す如（、生成されたパー
マロイ膜に含まれるＮｉの比率を蒸着の回数に関係無く
安定させることができる。
即ち第１回目の蒸着時にはビームスポット径を小さくし
ておくとその部分におけるＦｅが早く減少し、第１回目
の蒸着からＮｉの比率が高いパーマロイ膜が蒸着される
。
ておくとその部分におけるＦｅが早く減少し、第１回目
の蒸着からＮｉの比率が高いパーマロイ膜が蒸着される
。
また第２回目の蒸着時には第１回目の蒸着時に照射され
た領域では、インゴット中に含まれているＮｉの比率が
上昇しているが、ビームスポット径が増大されていてＮ
ｉの比率が低い領域も同時に照射される。したがって第
２回目の蒸着で生成されたパーマロイ膜に含まれるＮｉ
の比率は、第１回目の蒸着で生成されたパーマロイ膜に
比べ大きく変化することは無い。
た領域では、インゴット中に含まれているＮｉの比率が
上昇しているが、ビームスポット径が増大されていてＮ
ｉの比率が低い領域も同時に照射される。したがって第
２回目の蒸着で生成されたパーマロイ膜に含まれるＮｉ
の比率は、第１回目の蒸着で生成されたパーマロイ膜に
比べ大きく変化することは無い。
以後蒸着の回数を重ねるに伴って電子ビームのビームス
ポット径を徐々に増大させており、その都度Ｎｉの比率
が低い領域も同時に照射するため、生成されたパーマロ
イ膜に含まれるＮｉの比率は蒸着の回数に関係無く安定
している。
ポット径を徐々に増大させており、その都度Ｎｉの比率
が低い領域も同時に照射するため、生成されたパーマロ
イ膜に含まれるＮｉの比率は蒸着の回数に関係無く安定
している。
その結果、通常の方法では蒸着の回数を重ねるに伴って
増加する、パーマロイ膜に含まれるＮｉの比率をほぼ一
定に保つことが可能になり、インゴットを頻繁に交換す
る必要が無くなって熔融するための時間を短縮すること
ができる。
増加する、パーマロイ膜に含まれるＮｉの比率をほぼ一
定に保つことが可能になり、インゴットを頻繁に交換す
る必要が無くなって熔融するための時間を短縮すること
ができる。
上述の如く本発明によれば膜厚や組成が均一なパーマロ
イ膜を、容易に蒸着できる蒸着方法を提供することがで
きる。
イ膜を、容易に蒸着できる蒸着方法を提供することがで
きる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は電
子ビーム蒸着装置の概要を示す模式第３図はビームスポ
ット径とＮｉの比率の関係を示す実験データ、 第４図は通常の方法における組成の変化を示す図、 である。
子ビーム蒸着装置の概要を示す模式第３図はビームスポ
ット径とＮｉの比率の関係を示す実験データ、 第４図は通常の方法における組成の変化を示す図、 である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ニッケル（Ｎｉ）と鉄（Ｆｅ）からなるインゴットに
、予め設定された振幅でスイープする電子ビームを照射
し、基板上にパーマロイ膜を生成せしめる電子ビーム蒸
着において、 電子ビームのビームスポット径を第１回目の蒸着時には
小さく、以後蒸着の回数を重ねる毎に徐々に増大させる
ことを特徴とするパーマロイ膜の蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3627386A JPS62196368A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | パ−マロイ膜の蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3627386A JPS62196368A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | パ−マロイ膜の蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196368A true JPS62196368A (ja) | 1987-08-29 |
Family
ID=12465160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3627386A Pending JPS62196368A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | パ−マロイ膜の蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62196368A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02182876A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオンプレーティング装置 |
| JPH0463114U (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-29 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP3627386A patent/JPS62196368A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02182876A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオンプレーティング装置 |
| JPH0463114U (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-29 |
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