JPS62195109A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
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- JPS62195109A JPS62195109A JP3692686A JP3692686A JPS62195109A JP S62195109 A JPS62195109 A JP S62195109A JP 3692686 A JP3692686 A JP 3692686A JP 3692686 A JP3692686 A JP 3692686A JP S62195109 A JPS62195109 A JP S62195109A
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- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッド用コア材料、磁気的感知デバ
イス等に用いるのに好適な磁性薄；模を形成するスパッ
タ装置に関する。
イス等に用いるのに好適な磁性薄；模を形成するスパッ
タ装置に関する。
近年、磁気デバイスの材料には約８１１【量パーセント
Ｎｊ−Ｆｅ合金（パーマロイ）が主に使用されている。
Ｎｊ−Ｆｅ合金（パーマロイ）が主に使用されている。
従来、パーマロイ等の磁性薄膜の磁気特性は、主に磁気
弾性効果に左右されているため、薄膜形成において磁歪
定数を１０−′オーダの精度で制御し、磁気弾性効果を
無視できるようにする事が試みられてきた。磁性薄膜の
形成法として他にメッキ法、蒸着法があるが、磁歪定数
を精度よく制御できる手法としてスパッタリング法がす
ぐれている。
弾性効果に左右されているため、薄膜形成において磁歪
定数を１０−′オーダの精度で制御し、磁気弾性効果を
無視できるようにする事が試みられてきた。磁性薄膜の
形成法として他にメッキ法、蒸着法があるが、磁歪定数
を精度よく制御できる手法としてスパッタリング法がす
ぐれている。
従来のスパッタ装置として特開昭５５−５４５７０号公
報、特開昭５６−２５９６７号公報等に記載のものがあ
る。これらは、マグネ１−ロン磁界な利用して高速に薄
膜を形成できるようにしたものである。
報、特開昭５６−２５９６７号公報等に記載のものがあ
る。これらは、マグネ１−ロン磁界な利用して高速に薄
膜を形成できるようにしたものである。
ところが、従来のスパッタ装置は磁気装置からスパッタ
リングされる被スパッタ部材側への漏洩磁界の分布につ
いては考慮されていないため、形成された薄膜には一軸
異方性を安定に付与できないと共に膜厚にバラツキを生
じやすいという問題があった。
リングされる被スパッタ部材側への漏洩磁界の分布につ
いては考慮されていないため、形成された薄膜には一軸
異方性を安定に付与できないと共に膜厚にバラツキを生
じやすいという問題があった。
本発明の目的は、薄膜に一軸異方性を安定して付与でき
旧っ膜厚にバラツキの生じにくいスパッタ装置を提供せ
んとするものである。
旧っ膜厚にバラツキの生じにくいスパッタ装置を提供せ
んとするものである。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は、タ
ーゲットを被スパッタ部材より大径に形成すると共に、
磁気装置から被スパッタ部材側への漏洩磁界の最大値位
置を被スパッタ部材の外周外位置とすることにより、ス
パッタされる被スパッタ部材に対する漏洩磁界の影響を
小さくし、これにより薄膜の一軸異方性の付与を安定化
すると共に膜厚の均一化を図ったものである。
ーゲットを被スパッタ部材より大径に形成すると共に、
磁気装置から被スパッタ部材側への漏洩磁界の最大値位
置を被スパッタ部材の外周外位置とすることにより、ス
パッタされる被スパッタ部材に対する漏洩磁界の影響を
小さくし、これにより薄膜の一軸異方性の付与を安定化
すると共に膜厚の均一化を図ったものである。
第１図は本発明に係るスパッタ電極と漏洩磁界の分布を
示す概略図である。磁気装置Ｉはマグネトロン磁石２，
３により形成されている。一方のマグネトロン磁石２が
内側磁極、他方のマグネ１へロン磁石３が外側磁極とな
っている。この磁気装置］の」−面に陰極電位の磁性体
ターゲット４が設置されている。磁気装置１とターゲッ
ト４はアースシールド板５により側面が離間して囲われ
ており、更にターゲラ１〜４」二面の周縁部を被うよう
に被い部６が折曲形成されている。磁気装置４１は冷却
のため水中に設けられている。ターゲラ１へ４の−Ｉ一
方にはスパッタされる被スパッタ部材７が配設されてい
る。本発明におけるターゲラ１〜４は、この被スパッタ
部材７より大径に形成されている。
示す概略図である。磁気装置Ｉはマグネトロン磁石２，
３により形成されている。一方のマグネトロン磁石２が
内側磁極、他方のマグネ１へロン磁石３が外側磁極とな
っている。この磁気装置］の」−面に陰極電位の磁性体
ターゲット４が設置されている。磁気装置１とターゲッ
ト４はアースシールド板５により側面が離間して囲われ
ており、更にターゲラ１〜４」二面の周縁部を被うよう
に被い部６が折曲形成されている。磁気装置４１は冷却
のため水中に設けられている。ターゲラ１へ４の−Ｉ一
方にはスパッタされる被スパッタ部材７が配設されてい
る。本発明におけるターゲラ１〜４は、この被スパッタ
部材７より大径に形成されている。
そして、磁気装置１から被スパッタ部材７側への漏洩磁
界の最大値位置が被スパッタ部材７の外周８より外側位
置となるように形成されている。漏洩磁界の最大値をＨ
ｍａｘ、その中心からの距離をＷとすると、Ｈｍａｘは
磁気装置１の両マグネッｈロン磁石２，３の中間となる
ため、Ｗが被スパン夕部材７の外周８外となる位置に両
マグネッ１〜ロン磁石２，３が設置されている。具体的
なＨｍａｘの大きさ、磁界分布曲線の形は両マグネッ１
−ロン磁石２，３の形状、その離間距離さらにターゲッ
ト４の材料、その厚さ等により定まる。尚、前記磁気装
置１、ターゲット４及び被スパッタ部材７等は真空室（
図示せず）に配設されている。
界の最大値位置が被スパッタ部材７の外周８より外側位
置となるように形成されている。漏洩磁界の最大値をＨ
ｍａｘ、その中心からの距離をＷとすると、Ｈｍａｘは
磁気装置１の両マグネッｈロン磁石２，３の中間となる
ため、Ｗが被スパン夕部材７の外周８外となる位置に両
マグネッ１〜ロン磁石２，３が設置されている。具体的
なＨｍａｘの大きさ、磁界分布曲線の形は両マグネッ１
−ロン磁石２，３の形状、その離間距離さらにターゲッ
ト４の材料、その厚さ等により定まる。尚、前記磁気装
置１、ターゲット４及び被スパッタ部材７等は真空室（
図示せず）に配設されている。
Ｈｍａｘの値は４００Ｏｅ以上にするのが望ましい。一
般に磁性膜の磁気特性は組成、膜厚、膜形成条件（被ス
パッタ材の温度、膜形成速度、真空度等）、下地及び膜
形成後の熱処理によって変わる事が知られている。保磁
力は一軸異方性が付与された磁性膜の中でも磁気異方性
に大いに依存している。この磁気異方性は磁気弾性効果
、方向性規則格子による効果、結晶磁気異方性の効果、
形状異方性の効果等が関係する。一般に膜の異方性は前
記各効果の総和として与えられる。ところで、磁性膜の
低保磁力化には異方性を全て小さくする必要がある。ス
パッタリング法で形成したパーマロイ膜の異方性は、ス
パッタリング時のアルゴンカス圧に依存することを見出
した。第２図はスパッタリング法で形成したパーマロイ
膜の保磁力とアルゴンガス圧との関係を示す。この結果
より、スパッタリング時のアルゴンガス圧が５Ｘ１０−
４Ｔ ｏｒｒ以下の高真空側で形成すると、得られるパ
ーマロイ膜の保磁力は０．６Ｏｅ以下と小さくなる。た
だし、アルゴンガス圧が１０−！′Ｔｏｒｒ以上の高真
空側では保磁力は小さいが放電が不安定なため安定して
膜を得にくい。以」−のことから、Ｈｍａｘを４００Ｏ
ｅ以上とすることにより１０’−’Ｔ。
般に磁性膜の磁気特性は組成、膜厚、膜形成条件（被ス
パッタ材の温度、膜形成速度、真空度等）、下地及び膜
形成後の熱処理によって変わる事が知られている。保磁
力は一軸異方性が付与された磁性膜の中でも磁気異方性
に大いに依存している。この磁気異方性は磁気弾性効果
、方向性規則格子による効果、結晶磁気異方性の効果、
形状異方性の効果等が関係する。一般に膜の異方性は前
記各効果の総和として与えられる。ところで、磁性膜の
低保磁力化には異方性を全て小さくする必要がある。ス
パッタリング法で形成したパーマロイ膜の異方性は、ス
パッタリング時のアルゴンカス圧に依存することを見出
した。第２図はスパッタリング法で形成したパーマロイ
膜の保磁力とアルゴンガス圧との関係を示す。この結果
より、スパッタリング時のアルゴンガス圧が５Ｘ１０−
４Ｔ ｏｒｒ以下の高真空側で形成すると、得られるパ
ーマロイ膜の保磁力は０．６Ｏｅ以下と小さくなる。た
だし、アルゴンガス圧が１０−！′Ｔｏｒｒ以上の高真
空側では保磁力は小さいが放電が不安定なため安定して
膜を得にくい。以」−のことから、Ｈｍａｘを４００Ｏ
ｅ以上とすることにより１０’−’Ｔ。
ｒｒ台のアルゴンガス圧力下で安定した放電を得ること
ができる。
ができる。
第１図において、ターゲット４の端部における漏洩磁界
の強さをＨｅｓとすると、このＨｅｓは５０Ｏｅ以下と
なるように磁気装置１、ターゲラ１〜の材料及び板厚等
を選定するのが望ましい。これにより放電の安定性を高
めることができる。前記被い部６のターゲット４を被う
長さをＱｅ、この被い部６とターゲラ１〜４との間隔を
Ｑｇとすると、Ｑｅを５−．１．５ ｍｍ、Ｑｅを２−
６ ＋ｎｍとすることにより放電の安定性をより一層高
めることかできる。
の強さをＨｅｓとすると、このＨｅｓは５０Ｏｅ以下と
なるように磁気装置１、ターゲラ１〜の材料及び板厚等
を選定するのが望ましい。これにより放電の安定性を高
めることができる。前記被い部６のターゲット４を被う
長さをＱｅ、この被い部６とターゲラ１〜４との間隔を
Ｑｇとすると、Ｑｅを５−．１．５ ｍｍ、Ｑｅを２−
６ ＋ｎｍとすることにより放電の安定性をより一層高
めることかできる。
また、漏洩磁界が２００Ｏｅ以−１−となる範囲をＱ
２１１１１とすると、このＱ２１１（１を２０ｎｖｎ以
−ににするとターゲット４の利用効率を高めることがで
きる。
２１１１１とすると、このＱ２１１（１を２０ｎｖｎ以
−ににするとターゲット４の利用効率を高めることがで
きる。
すな才）ち、マグネトロン型スパッタリングではターゲ
ット表面から漏洩する磁界の最大値位置にプラズマか集
中し、ターゲラ１〜かより−・層スパッタされ堀り削ら
れる。従って、使用していくうちに掘り込み斌が多くな
りターゲラ１へ寿命が低下する。
ット表面から漏洩する磁界の最大値位置にプラズマか集
中し、ターゲラ１〜かより−・層スパッタされ堀り削ら
れる。従って、使用していくうちに掘り込み斌が多くな
りターゲラ１へ寿命が低下する。
そこで、Ｑ ２００を２０ｎｗｎ以上にしておけば、タ
ーゲラ１〜使用前後での漏洩磁界の差が小さくなり、タ
ーゲラ１〜の寿命を長くすることができる。
ーゲラ１〜使用前後での漏洩磁界の差が小さくなり、タ
ーゲラ１〜の寿命を長くすることができる。
（実施例１）
第３図示した如く、ＩＩｍａｘ＝ ７００ Ｏｅ、Ｈｅ
５＝１．ＯＯｅ、 Ｑ２ｏｏ＝３５ｎｗｎ、マクネト
ロン磁石３とターゲラ１〜４の端面との距離をＬとする
と、とのＴ、 ＝ ３２ ｍｍ、 ’Ｗ−６８＋ｎｍと
した場合、２×１０−４〜１．０ ” Ｔ ｏｒｒ台の
ガス圧で放電を安定して行なえ、形成されたパーマロイ
膜には一軸異方性が付与できた。第５図はターゲット４
の利用効率を示す図で、ターゲット使用内ｉｆに苅し、
使用後の漏洩磁界のＨｍａＸが約１．５倍程度におさえ
られている。
５＝１．ＯＯｅ、 Ｑ２ｏｏ＝３５ｎｗｎ、マクネト
ロン磁石３とターゲラ１〜４の端面との距離をＬとする
と、とのＴ、 ＝ ３２ ｍｍ、 ’Ｗ−６８＋ｎｍと
した場合、２×１０−４〜１．０ ” Ｔ ｏｒｒ台の
ガス圧で放電を安定して行なえ、形成されたパーマロイ
膜には一軸異方性が付与できた。第５図はターゲット４
の利用効率を示す図で、ターゲット使用内ｉｆに苅し、
使用後の漏洩磁界のＨｍａＸが約１．５倍程度におさえ
られている。
（実施例２）
第４図に示した如く、Ｈｍａｘ＝ ５５０ Ｏｅ。
Ｈｅ５＝１００Ｏｅ、Ｑ２ｏｏ＝２５ｎｗｎ、Ｌ＝＝９
ｎｗｎ、Ｗ＝９５ｎｗｎとする場合、Ｉ Ｘ １０−４
−１． Ｏ−”Ｔｏｒｒ台のガス圧で放電を安定して行
なえ、形成された！ＩＱに一軸異方性を付与できた。第
６図は本実施例の場合のターゲット利用効率を示す図で
、本実施例ではターゲラ１−使用前後で漏洩磁界のＩｌ
ｍａｘが約２．５倍程度となっている。前記実施例１の
０２１１０（＝３５ｎｗｎ）より小さいため、ターゲッ
ト使用Ｍｉｆ後における漏洩磁界の差が大きくなってい
る。
ｎｗｎ、Ｗ＝９５ｎｗｎとする場合、Ｉ Ｘ １０−４
−１． Ｏ−”Ｔｏｒｒ台のガス圧で放電を安定して行
なえ、形成された！ＩＱに一軸異方性を付与できた。第
６図は本実施例の場合のターゲット利用効率を示す図で
、本実施例ではターゲラ１−使用前後で漏洩磁界のＩｌ
ｍａｘが約２．５倍程度となっている。前記実施例１の
０２１１０（＝３５ｎｗｎ）より小さいため、ターゲッ
ト使用Ｍｉｆ後における漏洩磁界の差が大きくなってい
る。
（比較例）
第７図に示した如く、Ｈｍａｘ＝ ７０ Ｏｅ、Ｈｅ５
＝１５０ Ｏｅ＋ ｌ１２＋１１１＝ ０１＠、Ｌ＝
１０ｍｍ、Ｗ＝ ２３＋ｎｍとした場合、放電可能ガス
圧は８ Ｘ ’１． Ｏ−”〜５Ｘ１、０−” Ｔｏｒ
ｒであり、形成されたパーマロイ膜に一軸異方性を付与
することはできなかった。更に、ターゲラｌ−へ印加す
る高周波電力の反射波Ｐｒが進行波Ｐｆに比べて１５％
も生じ、電力効率も低かった。
＝１５０ Ｏｅ＋ ｌ１２＋１１１＝ ０１＠、Ｌ＝
１０ｍｍ、Ｗ＝ ２３＋ｎｍとした場合、放電可能ガス
圧は８ Ｘ ’１． Ｏ−”〜５Ｘ１、０−” Ｔｏｒ
ｒであり、形成されたパーマロイ膜に一軸異方性を付与
することはできなかった。更に、ターゲラｌ−へ印加す
る高周波電力の反射波Ｐｒが進行波Ｐｆに比べて１５％
も生じ、電力効率も低かった。
本発明によれば、ターゲットを被スパッタ部材より大径
に形成すると共に、磁気装置から被スパッタ部材側への
漏洩磁界の最大値位置を被スパッタ部材の外周外位置と
なるようにしたので、スパッタされる被スパッタ部材に
対する漏洩磁界の影響を小さくすることができる。従っ
て、形成される薄膜の一軸異方性を安定的に付与するこ
とができると共に、膜厚の均一化を図ることができる。
に形成すると共に、磁気装置から被スパッタ部材側への
漏洩磁界の最大値位置を被スパッタ部材の外周外位置と
なるようにしたので、スパッタされる被スパッタ部材に
対する漏洩磁界の影響を小さくすることができる。従っ
て、形成される薄膜の一軸異方性を安定的に付与するこ
とができると共に、膜厚の均一化を図ることができる。
第１図は本発明に係るスパッタ電極と漏洩磁界の分布を
示す概略図、第２図は厚さ２μｍのパーマロイ膜での困
難軸方向の保磁力とスパッタリング時のアルゴンガス圧
力との関係を示す図、第３図と第４図はそれぞれ異なる
実施例における漏洩磁界の分布図、第５図は第３図の実
施例のターゲット利用効率を説明するための漏洩磁界分
布図、第６図は第４図の実施例のターゲラ１〜利川効率
を説明するための漏洩磁界分布図、第７図は比較例とし
て従来例の漏洩磁界分布図を示す。 １・・・磁気装置、４・・・ターゲット、７・・被スパ
ッタ部材。
示す概略図、第２図は厚さ２μｍのパーマロイ膜での困
難軸方向の保磁力とスパッタリング時のアルゴンガス圧
力との関係を示す図、第３図と第４図はそれぞれ異なる
実施例における漏洩磁界の分布図、第５図は第３図の実
施例のターゲット利用効率を説明するための漏洩磁界分
布図、第６図は第４図の実施例のターゲラ１〜利川効率
を説明するための漏洩磁界分布図、第７図は比較例とし
て従来例の漏洩磁界分布図を示す。 １・・・磁気装置、４・・・ターゲット、７・・被スパ
ッタ部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空室と、該真空室内に配設されたターゲットと、
該ターゲットの被スパッタ部材と反対側に設けられた磁
気装置とからなるスパッタ装置において、前記ターゲッ
トを前記被スパッタ部材より大径に形成すると共に、前
記磁気装置から被スパッタ部材側への漏洩磁界の最大値
位置を被スパッタ部材の外周外位置としたことを特徴と
するスパッタ装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、漏洩磁界の最大値
を４００Ｏｅ以上としたスパッタ装置。 ３、特許請求の範囲第１項又は第２項において、ターゲ
ット端部における漏洩磁界の強さを５０Ｏｅ以下とした
スパッタ装置。 ４、特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項におい
て、漏洩磁界が２００Ｏｅ以上となる範囲が２０ｍｍ以
上としたスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3692686A JPS62195109A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3692686A JPS62195109A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195109A true JPS62195109A (ja) | 1987-08-27 |
Family
ID=12483360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3692686A Pending JPS62195109A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62195109A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0584768A1 (en) * | 1992-08-24 | 1994-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making soft magnetic film |
| US6309515B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Nec Corporation | Sputtering apparatus for sputtering high melting point metal and method for manufacturing semiconductor device having high melting point metal |
| JP2013082961A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139616A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | 磁性薄膜の製造方法 |
| JPS60224775A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-09 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPS62119907A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Hitachi Ltd | 磁性薄膜作製用スパツタリング装置 |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP3692686A patent/JPS62195109A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139616A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | 磁性薄膜の製造方法 |
| JPS60224775A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-09 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPS62119907A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Hitachi Ltd | 磁性薄膜作製用スパツタリング装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0584768A1 (en) * | 1992-08-24 | 1994-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making soft magnetic film |
| US5403457A (en) * | 1992-08-24 | 1995-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making soft magnetic film |
| US6309515B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Nec Corporation | Sputtering apparatus for sputtering high melting point metal and method for manufacturing semiconductor device having high melting point metal |
| JP2013082961A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置 |
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