JPS62191826A - 可逆的光学的にデ−タを記憶する装置および可逆的光学的に情報を記憶させる方法 - Google Patents

可逆的光学的にデ−タを記憶する装置および可逆的光学的に情報を記憶させる方法

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JPS62191826A
JPS62191826A JP62022646A JP2264687A JPS62191826A JP S62191826 A JPS62191826 A JP S62191826A JP 62022646 A JP62022646 A JP 62022646A JP 2264687 A JP2264687 A JP 2264687A JP S62191826 A JPS62191826 A JP S62191826A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、重合体液晶を使用しながら可逆的光学的にデ
ータを記憶する装置および可逆的光学的に情報を記憶さ
せる方法に関する。
従来の技術 サーモトロピック液晶は、一般に固体相と等方性液晶と
の間に存在する看しく異方性の液相と見なされている。
相が異方性であることは、分子単位の配向秩序が長い有
効距離を有することから生じる。液晶相を有する物質の
分子単位の幾伺学的形は、既に看しく異方性である。分
子は、例えば３を越える長さ対厚さの比を有し、かつ部
分的に剛直性の小棒と見なすことができる。この構造異
方性は、一般に領域内で無軸の分子配向を生せしめる。
固体の結晶には三次元の秩序鳳理が当てはまるが、液晶
の分子単位は二次元または一次元の秩序をもつ。構造的
な相違から液晶相は、ａ）スメクテイツク相、ｂ）ネマ
ティック相、Ｃ）コレステリック相およびｄ）ディスコ
ティック相に分けることができる。
（１ウルマンス・エンツイクロペディー・デア・テシエ
ツシエン・ヒエミイ−（υｌ１ｍａｎｎｓＢｎａｙｋｌ
ｏｐａｅｄｉｏ　ｄａｒ　Ｔｅｃｈｎ、Ｃｈｅｍｉｅ　
）”、第４版、第１１部参照）。
スメクテイツク相ａ）は、二次元の層構造を示し、この
場合この相は、容易に相互移動することができる。ネマ
ティック相ｂ）は、分子長軸が平行に配向されているこ
とを示し、この場合分子間の側面１１６＠は僅かであり
、シタがって分子は、自由に相接して通過滑動すること
ができる。ネマティック相中で分子がより大きい領域以
上に平行に配向されることにより（例えは、表示セグメ
ント中で）、例えは磁界’Ｊｔは電界の形での付加的な
エネルギー消費が必要とされる。実際に、コレステリッ
ク中間相Ｃ）の場合には、分子長軸は、ネマティック相
の場合と同様に互いに平行に配置されており、シタがっ
て分子の単一の優先方向を有する層は、層平面と平行に
存在する。しかし、分子長軸の方向は、層から層へ螺旋
状に変化する。液晶相の熱力学的安定度を特徴づける文
めには、屡々透明点、すなわち異方性液相が等方性液相
に転移する温度が挙げられる。屡々、液晶は同質異像を
示しすなわち液晶は、多くの場合、例えばリオトロぎツ
ク系の場合、例えば温度、組成および／ま友は使用され
る溶剤に応じて１種の中間形態の構造と見なすことがで
きる。この技術は、一連の使用に対して低分子量液晶の
性質金利用しｔｏ特に重要なことは、表示装置（腕時計
、ボケツタデル計算機、デジタル測定装置、大型表示装
置）の分野に電気光学効果上使用することであつｍ。多
くの場合液晶は、ＩＡ部の影響に対して極めて敏感であ
シ、したがってそれは一般に環境から遮断され、すなわ
ちクールされなければならない。
最近、特定の型の重合体も液晶の性質を有しかつサーモ
トロぎツク中間形態を有することができることが認めら
れた。この場合、ａ）中間単位は、重合体主鎖の成分で
あることができるかまたはｂ）中間基は、間隔を保持す
る可撓性の構造要素（スペーサー）を介して側鎖として
重合体結合に属する。液晶基が不動態化することによっ
て多くの場合に中間相を安定化することが達成され（高
い透明温度）；他面適当な重合体のガラス状態で異方性
布は凍結されることができる。
低分子量系と同様に、液晶重合体は、温度に依存してネ
マティック中間相、コレステリック中間相、スメクティ
ソク中間相まｔはディスコティック信金形成する。冷却
の際に液晶状態から結晶状態に転移する低分子量液晶と
は異なり、多くの場合液晶重合体は、ガラス状態への中
間相の転移を示す。結晶状態へ転移する場合、液晶の秩
序状態は破棄され、この場合これに対してガラス状態で
液晶の配置は本質的に維持される。（異方性ガラス）。
ガラス状態は、通常のようにガラス転位温度［：　Ｔｇ
；プラントループ−インマーダート（Ｂｒａｎａｒｕｐ
　−Ｉｍｍｅｒｇｕｔ）　；”ポリマー−ハンドブック
（Ｐｏｘｙｍａｒ　−Ｈａｎｄ’ｂｏｏｋ　）　”　、
フイーペーク−−ｃッｔ−（Ｖｔａｗｅｇ　−Ｅａｇｅ
ｒ　）　’、クンストシュトッフーハ／トデーフ（Ｋｕ
ｎｓｔｓｔｏｆｆ　−Ｂａｎａｂｕｃｈ）”、ｇ［巻、
ｆｓ３３３頁〜第３４０Ｊｊ、／’７ｆ−社（Ｃ，Ｈａ
ｎｇｅｒ　）刊（１９７５）］によって確定される。
これまで、主として主鎖中に液昌基を有する重合体が工
業的に１吏用された。この場合には、この基金平行に配
置することにより、極めて高い強度お工び高い熱安定度
上Ｍする、長手方向に強く配向された繊維、例えば芳香
族ポリアミド繊維が導かれる。〔カークーオズブ（［１
ｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ　）　、”エンプイクロベヂイア・
オシ・ケミカル・テクノロジー（Ｅｎａｙｃｌ−ｏｐｅ
ｃｌｉａ　ｏｆＣｈｅｍｉｃａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ　）　”、第３版、第１４巻、第４１４頁〜第４２１
頁（１９８１）参照〕。
！した、中間側基を有する重合体は、最近者しく注目さ
れｍ〔クラ−ｙ　（Ｓ、Ｂ、　Ｃｌｏｕｇｈ　）、プル
ムスタイン（Ａ、　Ｂｌｕｒｑｅｔｓｔｎ　）およびフ
ス（Ｅ、Ｃ。
Ｈｓｕ　）、″マクロモンキュールズ （Ｍａｃｒｃｍｏｌａｃｕｌｅｓ　）　’　、　第９巻
、第１２６頁（１９７６）；チェコツ（Ｖ、Ｎ、　Ｔｓ
ｅｋｏｖ　）他”、Ｅｕｒｏｐ、　ｐｏ１ｙｍθｒＩ？
ｉ９巻、第４８１頁（１９７３）：ストルゼレ＃−（Ｌ
、５ｔｒｚｅｌｅｃｋｙ）およびリベル（Ｌ、Ｌｉｂｅ
ｒｔ　）　、“プリタン・ドウ・う・ンシエテ・キミケ
・ドウ・フランス（Ｂｕｌ、１゜Ｓｏｃ、　Ｃｈｉｍ、
　Ｆｒａｎｃｅ　）　”、２９７（１９７３）；フィン
ケルマン（Ｈ，Ｆｉｎｋｅｌｍａｎｎ　）、“ポリマー
、す＊　）＊　、クリスタルズ（Ｐｏ１ｙｔｏｓｒ　Ｌ
ｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ　）　”、アカデミツク・
プｔ、ｚス社（Ａｃａｄｅｔｎｉａ　Ｐｒｅｓｓ　）、
１９８２；フレンツェル（Ｊ、　Ｆｒｉｎｇｅｄ　）、
レーアデ（Ｇ、Ｒａｈａｇｅ　）、１デイーマクロモレ
クラーレ・ヒエミー（Ｍａｋｒｏｍｏｌ、　Ｃｈａｍ、
　）　’　、第１８４巻、第１６８９）［〜第１７０３
頁（１９８３）；”　Ｍａｋｒｏｍｏｌ、　Ｃｈｅｗ、
　Ｒａｐｉｄ　Ｃｏｍｍｕｎ、”、第１巻、第１２９］
１ｊ（１９８０）；ホツプナー（Ｄ。
Ｈｏｐｐｎ＠ｒ　）、ペンドルフ（Ｊ、Ｈ，Ｗｅｎｄｏ
ｒｆｆ　）、”ディ・アンプパンチ・マクロモレクラー
レ・ヒエミー（ｐｉｅ　Ａｎｇｅｗａｎａｔ、ｅ　Ｍａ
ｋｒｏｍｏｌｅｋｕ：ＬａｒｅＣｈａｍｉｅ　）　”　
、第１２５巻、第６７頁〜第５１頁（１９８４）参照〕
。
米国特許第４２９３４３５号明細書の記載から、ガラス
状態への転位と関係している、液晶重合体の特異的挙動
全工業的に利用することは′公知でおる。この場合、液
晶重合体の配置および配向を定義され穴ように変える（
例えば、電界および磁界ないしは圧力）条件全使用する
ことによって情報は記憶される。この公知技術は、英国
特許第２１４６７８７号明細書中に述べられている。前
記米国特許明細書中に設けられた、装置を固定状態でガ
ラス転位温度（Ｔｇ）よりも低い温度で貯蔵することは
、Ｔｇが普通の室温（Ｔａ）よりも高い温度であり、す
なわち重合体系がＴ、ｔ−越える二〇〇℃程度の温度で
使用されることを意味し、妥当な時間内で情報が入力さ
れることが指摘されている。このような温度は、不便で
あり、かつ重合体の分解を必然的に長時間伴なうであろ
う。この困難は、前記英国特許明細書の記載によれば、
特定の重合体側鎖一液晶を使用することにより阻止する
ことができる。更に、装置を貯蔵する友めにＴ　よりも
低い温度範囲を長時間維持することは不必要であり、数
年間を越え−Ｃ安定な貯蔵は、Ｔｇよりも高い温度の場
合および重合体材料が液状になυ始める温度（Ｔｆ）よ
りも低い温度の場合に可能である。
Ｔ、　ｉ−測定することは、２個の交叉しｔ偏光フィル
ター間の液晶重合体全通じての光通過によシガラス転位
温度から上昇する温度全追跡することによって行なうこ
とができる。スメクテイツクー等方性相転位点よりも２
．６度低いと、光透過性は突然に上昇する。この上昇は
、異方性ではあるが殆んど透過性でない領域状態から高
度に複屈折する透過性の領域状態へ転位することに由来
する。この温度Ｔ、よりも高い温度範囲は、”液状範囲
″（液状領域）と呼称される。ま交、温度が上昇すると
、光透過性は、それがＴｒｎＯ際に最大を達成するまで
上昇する。
Ｔ、は、等方性（透明−）相が最初に生起する点會表わ
す。
交叉しｍ偏光子の場合に等方性相が生起することにより
光が消光することが生じるので、他の温度上昇は、複屈
折に役に立つ構造の最後の残分が消滅する際の所謂透明
温度（Ｔｏ）が達成されるまで等方性領域を増大させる
程度に光通過の減少を必然的に伴なう。
英国特許第２１４６７８７号明細書には、中間側釦を有
する液晶重合体全含有する物質層、ならびに物質の少な
くとも一部を物質の温度がＴ６〜Ｔｆの範囲内に存在す
る粘稠状態から液状範囲に熱変換する構成部材および物
質の少な（とも一部を液状範囲で調節する構成部材を有
する装置が特許請求されており、それによって物質中の
分子組織が選択的に変化することが惹起され、シ九がっ
て液状領域を冷却しかつ粘稠な状態に戻した後にも保持
されたままである情報が入力される。従って、前記英国
特許明細書に対して本質的な的提条件は、Ｔ、＞Ｔａ＞
Ｔｇに当てはまる重合体物質を使用することである。
更に、物質層が誠メクテイツク側ａｔ−有する液晶重合
体を含有する装置が記載されている。特に有利なのは、
ジフェニルシアン−側鎖または安息香酸エステル−側＠
に＊するポリシロギサンータイプの重合体液晶である。
発明が解決しようとする問題点： 高い記録密度とともにり逆的に記憶することもできる光
学的記録媒体は、依然として大いに重要である。光学的
にデータを記憶するという問題の前記に説明した解決は
、比較的狭く制限された工業的解決である。すなわち、
前記英国特許明細書に記載の装置は、重合体物質が粘稠
状態の範囲内に保持されるように温度を解決するとい５
水室的な前提条件下で液晶側鎖重合体を使用することに
基づく。この細分化されて開示されているものは、特に
ジフェニルシアン−側鎖ま友は安叡香酸エステルー側鎖
を有するポリシロキサン−液晶に及ぶ。記憶され＾情報
の安定性は、存在する分子移動性および有限の緩和時間
によっても系に影響を及ぼす可能性、例えば雑音場によ
っても明らかに保証されていない。更に、狭すぎない遊
び空間内で実現させることができる工業的解決が望まれ
るであろう。
ところで、光学的にデータを記憶する特に有利な形は、
本発明による装置を使用することによって得ることがで
きることが見い出された〇間頂点を解決するための手段
： 本発明による装置は、中間側基を有する重合体液晶から
なる記憶媒体を有し、〃１つ重合体液晶の空間的秩序お
よび／または配向を選択的に変えることにより情報全記
憶するように向けられており、この場合重合体液晶を含
有する、巨視的に配向された皮膜は、情報を記憶するよ
うに草備された状態で、すなわち情報を記憶させる際に
重合体液晶のガラス転移温度Ｔｇよりも低い温度の形状
安定な範囲内に存在し、重合体液晶の空間的配置および
／まｔは配向を選択的に変えることは、特にレーザー照
射により行なわれ、し友がって情報を有する局部的な秩
序状態は、レーザービームの遮断後に重合体液晶のＴ８
よシも低い温度範囲内で凍結されたままである。
従って、本発明の場合には、重合体液晶を含有する、如
何なる時でも形状安定な記憶媒体から出発される。
種々の配向方法に対しての液晶重合体の構造についての
要件は、刊行物に記載されている。
すなわち、例えばホメオトロピック配列は、電外内で使
用される周波数範囲に対してプラスの誘電異方性を必要
とする。これとは異なり、ホモジニアス配列は、屡々構
成され７？：ポリイミドからなる制限表面によって生起
させることができる。このためには、異方性の形を有す
る中間基が必要とされる。
ケルカー（Ｒ，Ｋｅｌｌｃｅｒ　）、ハック（Ｒ，Ｈａ
ｔｚ）、瞠ハンｖブック・オデ・リキッド・クリスタル
ズ（Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｌｉｑｕｌ　Ｃｒｙｓｔ
ａｌｇ　）”、ヒエミー社（Ｃｈａ！０１ｅ　）刊１９
８１年参照。
プラット（Ｐｒａｎｏｔｏ　）、ハース（Ｗ、　Ｈａａ
ｉｉｏ　）、”　Ｍｏｌ　Ｃｒｙｅｔ、　Ｌｉｑ、　Ｃ
ｒｙｓｔ、　”、第９８巻、第２９９頁〜第６０８頁（
１９８３）、ツエンチル（Ｒ，ｚｅｎｔｓｌ）、リング
ストルフ（Ｒ，Ｒｌｎｇｓｄｏｒｆ　）、”ディ・マク
ａモレクラーレ・ヒエミー（Ｍａｋｒｏｔｏｏｌ、　Ｃ
ｈｅｔｏ、）″、第１８２巻、第１２４５頁〜第１２５
６頁（１９８２）参照。
“リキッド・クリスタルズ・アンｒ・オーダーＶ−フル
ツズ（Ｌｉｑｕｉａ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　ａｎａ○ｒｄ
ｅｒａｄ　Ｆｌｕｉｄｓ　）　”、グリッツイン（Ａ、
　Ｇｒｉｆｆｉｎ　）　、ジョンセン（Ｊ　、Ｆ、Ｊｏ
ｈｎｅｅｎ）第４巻、プレナム・プレス社（Ｐｌｅｎｕ
ｍｐｒｅｓｓ　）社、ニューヨーク１９８４年参照。
本発明によれば、使用可能な重合体液晶ＰＦＫは、一般
式Ｉニ −Ｙ 〔式中、Ａ−Ｂは１ｍ合体の主鎖の要素を表わし、Ｘは
間隔を保持する単位（”スペーサー″）金表わし、Ｙは
中間側基を表わす〕によって概略的に記載することがで
きる繰り返し単位から全体的１次は部分的になる。
この場合、中間側基は、液晶特性で得るのに役に立つ。
特に重要なのは、スメクテイツク型の側鎖である。
この場合、要素Ａ−Ｂは、特にラジカル重合可能な単位
Ａ’＝Ｅ’に相当する（相当する単鴬体：Ａ’＝Ｂ’−
Ｘ−Ｙ）。
単位ＡＩ　−Ｂ／は、ラジカル重合可能な♂ニル化合物
中に存在するようなビニル基、例えば単位Ｈ２Ｃ＝　Ｃ
−ｏ　−Ｃ但し、Ｂ１は水素原子ま几はメチル基？Ｉｌ
−表わし、Ｑは基 −Ｃ−０−：　−Ｃ−Ｎ　−；　−Ｃ−：　Ｃ６Ｈ５−
（但し、Ｒ２は水素原子を表わすかま几は１〜６個の炭
素原子を有するアルキル基を表わす）のように二重結合
を活性化する官能基を表わす〕である。
スペーサー基Ｘは、１〜１４個の鎖員を有する（可撓性
）鑓、特にアルギレン基−（ＣＨ２）ｎ−（但し、ｎは
１〜１４ｔ−表わす）であシ、この場合に場合によって
は個々の鎖員は置換されていてもよく、例えば塩素原子
のようなハロゲン原子またはエーテル橋によって代えら
れていてもよい。
中間側基Ｙは、場合によっては例えば−〇−：Ｒ２Ｒ２ （但し、”２は前記のものを表わす）のようにスペーサ
ー基ｘｔ−固有の中間基Ｍと結合させる官能基ＶＦを有
する。
更に、中間側基Ｙには、次のものが当てはまる： 適当な中間基を設けることは、ケルカー（Ｋａｌｋｅｒ
　）およびハック（Ｆｌａｔｚ　）、“ハンｒデック・
オデ・リキツＰ、クリスタルズ（日ａｎｃｌｂｏｏｋ　
ｏｆ　Ｌｉｑｕｉａ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　）　’、ヒエ
ミー社（Ｃｈｅｍｌｅ　）刊、１９８０、第６７頁〜第
１１３頁に見い出される。
特に、式■： ８　　　　　　　　Ｂ −闘＝ｅ　＋、−ＣＡＮ　−１−ＣＨ＝ＣＥ−からなる
橋を表わすρ為または基−ＣＢ＝Ｎ−ＣＨ−１ＣＨ３ −ＣミＣ−を表わし、 ｍはＯま友は１ｔ−表わし、かつ 全表わすか１ｍはｍが０を表わす場合には、ＢＬもしく
はｍと同じものｔ−表わし、Ｒ３は水素原子、（０）ｒ
−（ＣＨ２）ｐＨ％　−ＣＯＯ（ＣＨ２）ｐ／ＩＩ　ｓ
　−ＣＮ　ｔｔはハロゲン原子、殊に弗素原子、塩素原
子または臭素原子を表わし、ｐおよびヅは１〜８の截、
殊に１〜６の数を表わし、ｒは０まｋは１を表わす〕に
よって記載することができる、例えは芳香族基を有する
中間基Ｍ、は、特に記載しｍ結合官能基ＶＦ　’３！１
−介して結合されている。
特に、Ｍが次の中間基を表わすような式■の重合体が挙
げられる： （式ＩＢ） （式１Ｃ）　　　　　　Ｃ式ＩＤ） （式１Ｂ）　　　　　　　（式ＩＦ） （式１） （式１）１） 更に、（メト）アクリル酸の誘導体（この場合、Ａ′＝
Ｂ′−はＣＥ！２＝Ｃ−Ｃｏ−０もしくはＩ ＩＲ２ Ｘが−（ＣＢ２）、−基（但し、ｎは１〜１４である）
を表わすような誘導体は有利である。
ま九、本発明により使用可能な重合体液晶は、重縮合に
よる生成物でおることができる。
殊に式■： 罫 〔式中、Ｑは（ジオール日０−Ｑ−ＯＨから誘導されｆ
ｃ、）１ａ状アルキル基マタはパラ位でアルキル化され
たアリール基、殊にフェニル基金表わす〕で示されるポ
リエステルが挙げられる〔例えば、レッジ（Ｂ、Ｒｅｃ
ｋ）、リングスドルフ（）１．　ＲｌｎｇｓｄＯｒｆ　
）、”　Ｍａｋｒｏ！ＩＩｏ１．　Ｃｈｅｍ、　Ｒａｐ
ｉｄＣｏｍｍｕｎ　、”、第６巻、第２９１頁〜第２９
９頁（１９８５）参照〕。ｉｉ要なものは、中間基スペ
ーサーＸとして−（ＣＨ２）６−基を有する重合体であ
る。！ｉ！ｉＱとしては、例えば基−（Ｃ）１２）９−
　　　　”一般に、重合体液晶ＰＦＫの分子士はＪ〜＝
１０３〜１０５の〔回内、一般に５０００〜２００００
０の範囲内にあり、特に１０００００たけである（ゲル
透過クロマトグラフィーによって測定）。
等方性相の粘度は、係数として１０４ボアズの範囲内に
ある。
本発明により使用される液晶重合体のがラス転位温度１
’Ｔｇ）　Ｈｌ一般に一４０°Ｃ〜１１０°Ｃの罷回内
、殊に一り０℃〜８０００の範囲内にある。〔ガラス転
位温度Ｔｇについてニブランドラップ（１，Ｂｒａｎｄ
ｒｕｐ　）およびインマーゲート（Ｅ、Ｈ，Ｉｎ＋ｍｅ
ｒｇｕｔ　）、“ポリマー−ハンドブック（Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ　Ｈａｎｄｌ：ｏｏｋ　）”、第２版Ｎ−１３９、
ウィリー社（Ｊ　、　Ｗｉｔｔｙ　）刊、１９７５参照
〕。
実施・列 次に、本発明を実施例につき詳説する。
装　　置 ８伎置は、最初に特許請求の範囲第１項および前記（発
明が解決しようとする問題点および間顕点金解決する丸
めの手段参照）に設けられた特徴に相当する。情報記憶
処理に対して提案された液晶重合体は、その吸収挙動に
おいて書込みレーザーの波長：、て適倉させることがで
きる。
このことは、例えば適当な染料を混入させることによっ
て行なうことができるがまｔは適当な染料全重合体鎖中
に重合させることによって行なうことができる。この場
合、染料分子それ自体は、中間的性質？有することがで
きる。特に、重合体液晶全使用することができ、この重
合体液晶の中間基それ自体は、必要とされる波長範囲内
で吸収し、すなわちこの波長範囲は、中間染料の１０”
０％が重合され几極端な場合に相当する。記憶媒体の必
要とされる真吸光度に、染料濃度により請節される。
適当な染料は、刊行物から公知である。液晶相中に混入
するための適当な染料としては、一連の条件を充たすよ
うなものが挙げられる。
（例えば、コンスタント（Ｊ、ｅｏｎθｔａｎｔ　）他
、Ｋ、　Ｐｈｙ、　Ｄ　：　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　
”、第１１巻、第４７９頁以降（１９７８）；ジョーン
ズ（Ｆ、　Ｊｏｎｅｓ　）他、”　ＭｏＬ　Ｃｒｙｅｔ
、　Ｌｉｑ。
Ｃｒｙｓｔａｌ　”、第６Ｃ）％、第９９頁以降、１９
８０年；欧州特許出願公開第４３９０４号明細書、同第
５５８３８号明細書、同 第６５８６９号明細書参照）。染料は、電界のの作用下
でイオン化せず、できるだけ高い分子吸光係敬および同
時に良好な溶解性を使用し次液晶マトリックス（すなわ
ち、記憶媒体）中に有し、かつ化学的／光化学的に安定
でなければならない。相当する性’＊’ｉ有する染料は
、例えばアントラキノンの種類に見い出される（欧州特
許出願公開第５６４９２号明細書、同第４４８９３号明
細書、同第５９０３６号明細書、同第５４２１７号明細
書参照）。
適当なアゾ染料は、例えば西Ｐイッ国特許出願公開第３
４０６２０９号明細書に記載されている。記憶媒体に対
する染料の含量は、１〜５０重ｉ％の範囲内にあるのが
好ましい。
側鎖中に中間基および染料基を有する重合体は、欧州特
許出願公開第７５７４号明細書、同第９０２８２号明細
書、同第１４０１３３号明細書の対象である。ｉ九、リ
ングスドルフ（Ｆｌ、　Ｒｌｎｇｓｄｎｒｆ　）、シュ
ミット（Ｈ，Ｗ、Ｓｃｈｍｉａｔ）、”ディ・マクロモ
レクラーレ・ヒエミー（Ｍａｋｒｏｍｏｌ、Ｃｈｓｍ、
　）″、第１８５巻、第１６２７頁〜第１６６４頁（１
９８４）；レッグ（ＥＬ　Ｂｅａｋ　）、リングスドル
フ（Ｈ，Ｒｌｎｇｓｄｏｒｆ　）、”　Ｍａｋｒｏｍｏ
ｌ　Ｃｈｅｍ。
ｆｌａｐｉｄ、　Ｃｏｍｍｕｎ、　”、上記引用文中を
も参照。
式Ｉの前記に説明しｆｔＭ合体液晶ＰＦＫと同様へ繰返
し単位−Ａ−Ｂ−は、染料含有単量体単位の主鎖要素を
形成することができる。従って、相当する単量体Ａ’＝
Ｂ’−Ｘ−Ｙ’は、基τ中に染料基を有する。
同時に染料基金表わす中間基Ｍの例としては、しいのは
、同時にスペーサー基−（ＣＨ２）６−である。
重合体は、原理的に薄層（皮膜）または積層品の形で固
体または撓性のマトリックス層の核種として使用するこ
とができる。重合体液晶を含有するかないしは重合体液
晶からなる皮膜の厚さは、１０−３〜１０″″６ｍの範
囲内にあるのが好ましい、本明細書中に記載した構成の
場合（第１図参照）、本発明による装置は、２つの平ら
に平行に配置された透明板２、特に一般に１朋よりも低
く、特に約１０μの適当な距離をもつｍ２つのガラス板
からなる記録セル１全包含する。底面積は数傭２〜数ｄ
ｍ”である。ガラス板２の２つの内面は、ＩｎＯ２／　
８ｎ０２で導電性に蒸着され、導電性の接続部５は、外
向きに製造されてい７ｔ、このように調製されたガラス
板２は、温度安定性の接着剤、例えばシリコーン接着剤
を用いて、それぞれ数目幅の入口および出口のみを有す
るセル状の空の内部空間を形成するように並んで固定さ
れたｏ この場合、２つのガラス板２の所望の距離は、特にポリ
イミｒ−プラスチックからなる適度の寸法の２つの適当
な間隔支持体３によって確実に調節される。更に、記録
セルは、電極４ｔ−有する。接着剤の乾燥後、このセル
は、加熱可能な構成部材上で等方性の状態で存在する、
特に式（Ｉ）の液晶重合体で充填される。毛管作用に応
じて、こうしてなお自白のセル空間は、完全に重合体溶
融液で充填される。
彦お部分的に開い友セルを使用することに比較して前記
手段の利点は、特に気泡が閉じ込められることが確実に
阻止されることにある。更に、こうして僅かな費用で一
定の限界内で変動しうる形状寸法（外側寸法、間隔）を
有する像型化されｍ噂ルー未製品を得ることができ、さ
らにこのセルー未製品（第１図参照）は、必要に応じて
第２の過穆で記載し九方法で相当する液晶重合体で充填
させることができる。配向は、自体公知の方法で殊に磁
界および特に電界の配向された場（整列場（ａｌｉｇｎ
ｍｅｎｔ　ｆｉｅｌｄ）　）　ｆ印加することによって
行なわれるかまたは表面効果により行なわれる。電界１
−（有利に）使用する場合には、こうして充填された記
録セル１にＴｇ（上記に定義された）よりも高い温度で
交流電圧（係数Ｖ　＝　５００　Ｖ　：　＝　Ｉ　Ｋｈ
ｚ　）　′（ｆ−印加し、印加し九電圧を維持しながら
室温に冷却する。絶対に透明な液晶皮膜が生じ、この液
晶皮膜は、純粋に目で見ることができ等方性状態で存在
する物質と類似している。液晶重合体のガラス温度Ｔｇ
は、室温Ｔａ上越える温度にある。
室温としては、２０°Ｃの温度がとられる。情報を読み
取ることは、重合体皮膜を単色コヒーレント光で照明す
ることによって行なうことができる。情報上記憶する文
めには、本発明による装置（第１図参照）中で液晶重合
体皮膜の種々の配向方法が可能である： １）中間基は、重合皮膜層の法平面と平行に単一に配列
される。このことは、交流電界を（透明）電極で被覆さ
れ皮板２に印加することによって行なうことができ、こ
の場合電界は、重合皮膜層の法線と平行にあシ、さらに
磁界を印加するかまたは表面処理によって行なうことが
できる。
２）中間基は、皮膜平面と平行に配向され、かつ巨視的
に所定の方向と平行に配向される。
このことは、板２をポリアミドのような適当な物質を用
いて被覆し力）つこの被膜を所望の優先配向に沿って構
成させることによって行な５ことができるかまたは基板
を例えば酸化珪素で適当に斜方蒸着することによって行
なうことができる。
１）訃よび２）の双方の場合、配向は液晶状態で行なわ
れる。
配向は、ガラス状態に冷却することによって凍結される
。上記のように得られ皮記碌セル１は、光学的情報を記
憶するのに固有の記憶媒体を形成する。
情報記憶処理 情報全書き込む透水簡単な方法は、原理的にピント合せ
されたレーザービームを用いて散乱中心を発生させるこ
とにあり、このレーザービームは、配向された、温度調
節された液晶重合層を局部的に等方性相に変換する。局
部的に生起され皮目視的な等方性領域は、ガラス転移温
度よりも低い温度で凍結される。
この場合、有利には次のように実施される二本発明によ
れば、液晶重合体から形成されｍ皮膜は、結像系の焦点
範囲内で室温から出発して等方性相中にまで局部的に加
熱される。ぎント合せされたレーザービームは、例えば
アルビンレーザーの波長５１４．５０ｍ　′ｆ１：＊す
る光が使用される。
レーザービームｔ−ａ断しかつ次に冷却することにより
、配向が乱れ文（巨視的に等方性の）領域が生じる。そ
れによって得られｍ散乱中心は、光学的情報として読み
取ることができる。
実験的構成は、アイヒ（Ｍ、　Ｅｉｃｈ　）　、ペンｒ
ルフ（Ｊ、　Ｈ，ＷｅＭｏｒｆｆ　）、”ディＳマクロ
モレクラーレ・ヒエミー（Ｄｉｅ　ＭａｋｒＯｍｏｌｅ
ｋｕｌａｒｓＣｂＪｍｉｅ　）”、第１８６巻、腐１２
．１９８５の記載により行なうことができる。
記憶された情報の消去 原則的に記憶された情報は、温度上昇（Ｔｇを越える）
および冷却によって電界または磁界内で再び消去させる
ことができる。この場合、有利には次のように実施され
る： 第１の書き込み過程に対する準備と同様に、液晶重合体
中に記憶された情報は、記録セル１をＴｇを越えて、特
にＴｆヲ越えて加熱しかつ次に冷却することによって印
加された交流電圧（係数５０ＱＶ、ｖ＝　１Ｋｈｚ　）
で消去される。
書き込み過程および消去過程を数回繰り返しｔ後、実施
された過糧では記録セルの不可逆的な変化は起こらない
ことが確認された。
液晶重合体の製造 本発明によれば、使用可能な、殊に式■の重合体は、自
体公知の方法で得ることができる：西Ｐイツ国特許出願
公開第２７２２５８９号明細書、同第２８３１９０９号
明細書、同第３０２０６４５号明細書、同第５０２７７
５７号明細書、同第３２１１４００号明細書、欧州特許
出願公開第９０２８２号明細書が指摘される。
型：直接結合スペーサー−中間基 例としては、型ＩＡの化合物を製造することが記載され
る。〔シバエフ（Ｖ、Ｐ、　５ｈｉｂａｅｖ　）他、。
ヨーロツビアン・ポリマー・ジャーナル（Ｅｕｒ、　Ｐ
ｏｌｙｍ、　Ｊ、　）　’、第１８巻、第６５１頁（１
９８２）参照〕。他の符号を使用する場合、この符号は
前記のものに相当する。この場合、式■： Ｂ　ｒ　−（ＣＨ２）　ｏｐ−ＣＯＯＨＩ〔式中　ｎ／
はｎ−１ｔ−表わす〕で示される化合物は、ＳＯｃ！２
のような無機酸塩化物と一緒に、特にＤＭＦ中で化合物
ＩＶに変換されることができる。
Ｂｒ　−（ＣＨ２）　　−Ｃ０ＣＪ　　　　Ｎこの化合
物は、フリーデル−クラフッ反応で、例エバニトロペン
ゾール中でジフェニルと一緒に式Ｖ： Ｂｒ−（ＣＨ２）ｎ−Ｇｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ５Ｖで示
される化合物に変換され、この化合物は、例えば水素化
アルミニウムリチウムで還元され、化合物■ Ｂｒ−（ＣＨ３）ｎ−Ｃ６Ｈ，−０５８５ＶＴに変わる
。この化合物は、ｃＪ、２ｃＨｏｃ４Ｈ９および四塩化
チタンで変換され、化合物■に変えることができる。化
合物■は、ヒドロキシルアミン塩で、有利にｆ　ＩＪジ
ンのような塩基の存在で変換され、オキシムに変わシ、
このオキシムは、脱水によって、例えば無水酢酸のよう
な無水物によりニトリル■： に変換されることができる。
（メト）アクリル酸の塩を、例えばＤＭＦ中で化合物■
で変換させることによって型ＩＡａ〔但し、Ｂ工は水素
原子ま友はメチル基金表わす〕で示される化合物が得ら
れる。
同様に、例えば化合物■および（メト）アクリル酸の塩
から化合物ＩＡｂ Ｒ１ ０Ｈ２＝　−ｃ−ｃｏｏ−（ｃａ２）ｎ−ｅ６Ｈ，−ｃ
、Ｈ５１／ｂは得ることができる。
型：エーテル橋を介しての結合スペーサー−中間基。
例としては、型■Ａの化合物を得ることが記載される〔
シバｘ、　７　（Ｖ、　Ｐ、　５ｈｉｂａａｖ　）、上
記引用文中；プレート（Ｎ、　Ａ、　Ｐｌａｔｅ　）、
シバエフ（Ｖ、　Ｐ、　８ｈｉｂａａｕ　）、”　Ｊ、
　Ｐｏｌｙｍ、　Ｓｃｉ。
Ｐｏｌｙｍ、　Ｓｙｍｐｏｓ　”、（ＩＵＰＡＣ１９７
Ｂ　）第６７巻、第１頁（１９８０）参照〕。
化合物■は、例えば水素化アルミニウムリチウムと、エ
ーテル中で還元され、化合物■Ｂ−（Ｃｔ（ａ）ｎ−Ｏ
Ｈ［ に変わり、この化合物は、化合物■ ＫＯ−Ｃ６Ｈ，−Ｃ６Ｂ、−ＣＮ　　　　　　　刈で、
例えばメタノール中で変換され、化合物■ｍ−（ｃｎｚ
）ｎ−ｏ−ｃ６ｎ、−ｃ６Ｈ，−ｃＮ　　　　　■に変
わる。
ヒドロキシ化合物店は、（メト）アクリル酸の塩化物で
、例えば第三アミンのような酸受容体の存在で化合物１
Ａｃ ｃ）１．、　＝　（：’−（、’０Ｏ−（Ｃｔ２）ｎ−
０−Ｃ，Ｅ（、−Ｃ，Ｈ，−ＣＮＡｃ に変えられる。
構造式ＩＡおよびＩＥ〜Ｉ、Ｔに関連しての大き一変動
性は、次の合成法により可能である〔ポルドウガル（Ｍ
、　Ｐｏｒｔｕｇａｌ　）　、リングスドルフ（ＦＩ　
Ｒｌｎｇａａｏｒｆ　）　、ｙ　ｘ　ｙチル（ＲｏＺｅ
ｎｔｅｌ　）、。ディａ−ｒクロモルクラ一一ヒエミー
（Ｍａｋｒｏｍｏｌ　Ｃｈａｍ、　）　”　、第１８３
巻第２３１１頁（１９８２）；リンゲスｒルフ（Ｉ’ｉ
、　Ｒｌｎｇｓａｏｒｆ　）　、シュネラー（Ａ、５ｃ
ｈｎｅｌｌａｒ）、Ｂｒ１ｔ、　ＰＯｌｙｍ、Ｊ、”、
第１３巻、第４３頁（１９８１）参照〕。
この場合、化合物ＸＩ から塩基の存在で化合物Ｘｆｆとの変換によって酸Ｘｖ は得られる。この酸は、（メト）アクリル酸で、例えば
ｐ−ドルオールスルホン酸での酸触媒反応下にクロロホ
ルム中で（メト）アクリル酸エステルＸ■ に変換される。化合物ＸＶＩは、例えば■と同様に酸塩
化物に変換され、この酸塩化物は、フエ／　−＃　すい
しはｐ位で置換されたフェノールで化合物ＩＥ ないしは化合物ＩＩ　　ＩＦ、ＩＧ、Ｉｎ、ＩＪに変換
される。
型：エステル基を介しての結合スペーサー−中間基： 例としては、型ＩＡの化合物を製造することが記載され
る〔プレー）　（ｐ１ａｔθ）他、上記引用文中；シバ
エフ（８ｈｉｂａａｕ　）他、上記引用文中参照〕が、
この方法は、中間基！Ａ〜ＩＪに対して一般に使用する
ことができる。この場合には、化合物■から出発して、
特に酸受容体の存在でＴＥＦのような不活性溶剤中で、
中間基に相当するパラ−フェノールと反応させ、例えば
化合物Ｘ■ に変えることができる。
更に、反応は、（メト）アクリル酸の塩を用いて行なわ
れる。掌性中心Ｆｌｔ−有する化合物の例としては、次
の酋成が挙げられる： 式Ｘ■： で示される♂フェニルジフェノールは、式Ｘ■；Ｂｒ−
ＣＨ２−ＣＢ−Ｃ２８５ ＣＨ３）（［ で示される臭素化物と、アルカリ金属アルコラードの存
在で反応され、フェノールＸＸＨ３ に変わる。
化合物ＸＩＶと、エタノール中で塩基の添加下に反応さ
せることによって、アルコールｘＩＣＥ３　　　ＸＸ［ は得られ、このアルコールは、（メト）アクリル酸でエ
ステル化される。
ＸＩＶ　〜Ｘ■の変換と同様に、化合物ＸＩＶから、例
えば炭峻カリのような塩基の存在でアセトン中で式ＸＸ
［［： で示されるフェノールと反応させることによって、式Ｘ
ＸＩ　： で示されるアルコールは得ることができ、このアルコー
ルは、（メト）アクリル酸塩化物と反応させることによ
って型ＩＢの化合物に変換する。
式Ｉの酸アミドによシ（メト）アクリル酸塩化物を式Ｘ
ＸＩＶ　： ８Ｎ　−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ０ＯＨ で示されるアミンと反応させることによって（メト）ア
クリル醒アミドＸＸＶ　： ＣＨ２＝Ｃ−Ｃｏ−Ｎ−（Ｃ）１２）ｎ−（：’○ｏＨ
ＸＸＶが得られ、このアミドは、例えば不活性塩基の存
在でＣｆｆ１−　Ｃ−０ＣＲ３と反応させることによシ
、例えばＸＸＶＩ　： のように中間基を有するフェノールでＭＩＤの化合物に
変換させることができる。
単量体の重合 例えば、型■の単量体全重合させる場合には、公知枝術
水醜の重合法により実施させることができる。〔フーベ
ンーワイＡ／　（Ｈｏｕｂｓｎ　−Ｗａｙｌ）、第４版
、第１４／１巻、デオルグ・テイーメ社（Ｇｅｏｒｇ　
Ｔｈｉａｍｅ　）刊、１９６１；ラウホーゾンテイガム
（Ｌ　Ｅｌａｕｃｈ　−Ｐｕｎｔｌｇａｍ　）、フェル
カー　（Ｔｈ、　ｖｏｅｎｃｅｒ　）、１アクリル−・
ウントーメタクリルフエアピ／ｒウンｒン（Ａｃｒｙｌ
　−ｕｎｄ　Ｍａｒ、ｈａｃｒｙ１ｖｅｒ’ｂｉｎ４　
ｕｎｇｅｎ　）　’、シュゾリンが一社（Ｓｐｒｉｎｇ
ａｒ　、ベルリン在）刊、１９６７；カークーオズマ（
Ｋｉｒｋ−〇ｔｈｍｅｒ）、第６版、第１８巻、ウィリ
ー社（、Ｔ、Ｗｉｌｅｙ　）１１１９８２；シルトクネ
ヒト（５ｃｈｉｌｋｎａｃｈｔ　）、スカイスト（Ｓｋ
θ１ｓｔ）、’ポリメライゼーション・プロセシーズ（
ＰｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎＰｒｏｃｅｓｓｅｓ　）
　”、第２９巻、第１３６頁ｏ”ハイ・ポリマーズ（）
Ｉｉｇｈ　Ｐｏｌｙｍａｓｓ　）　（ウィリー・インタ
ーサイエンス（Ｗｉｌｅｙ　−Ｉｎｔａｒｓｃｉｅｎｃ
ｅ　）１９７７参照〕。
式１の化合物を重合させる九めには、ラジカル重合が当
てはまる。例えば、溶液重合、懸濁／乳化重合が挙げら
れるかま几はパール重合としての重合が挙げられる。例
えば、常用のラジカル開始剤、例えばアゾ化合物または
ペルオキシ化合物〔ラウホープンテイガム（Ｒａｕｃｈ
　−Ｐｕｎｔｉｇａｍ　）　、フェルカー（Ｖｏｅｌｋ
ａｒ　）、上記引用文中、またはズシンドラツプーイン
マーグー　）　　　（ＢｒａｎｃＬｒｕｐ　　−Ｉｔａ
ｍｏｒｇｕｔ　　）　　、　　　′　ボ　リ　マーーハ
／ドブツク（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ　）　
’、上記制用文中、参照〕は、その九めに設けられｆｃ
量、例えば単量体に約して０．１〜１重を係で使用され
る。（原型ニア・アイソブチルニトリル、ジペンゾイル
ベルオヤシド、ジラウロイルペルオキシＶ）。場合によ
っては、重合は、例えば常用の硫黄、／３整剤のような
調整剤金、一般に単量体に対して０．０５〜約２重量％
の含量で使用することによって制御することができる（
西Ｐイツ国特許出願公開第１０８３５４８号明細書をも
参照）。
全く同様に、常用の温度の導入および後処理法が当では
まる。
この方法は、式ｌの（メト）アクリル化合物Ｂエ　Ｏ １０Ｒ２ につき詳説される。
溶液重合法： 式■の単量体約０．５５モルをドルオール８５０麻に溶
角早する。そのｔめに、１．８ミリモルの７ゾインゾチ
ルニトリル七加え、かつ不活性ガス下に約３３３°にで
約８時間加熱する。
生成された電合体を、例えは１２００モルのメタノール
のような沈殿剤で沈殿させることによって得、分離し、
かつ例えばジクロルメタンのような適当な浴剤に俗解し
かつメタノールで再び沈殿させることによって精製する
。
引続き、一般に粉床コンシスチンシーのこうして得られ
た物置を、水流ボンデによるｇ空中で約３０３°にで１
童が一定になるまで乾燥きせる。
ガラス転位温度および透明点の温度上熱分析によって測
定する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明によるｉ寛の１人施別金示す略図であ
る。 １・・・記録セル、２・・・透明板、３・・・間隔叉付
体、４・・・電極、５・・・４電性接触部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、重合体液晶の秩序を熱源を用いて選択的に変えるこ
    とにより情報を記憶させるために配向された記憶媒体と
    しての中間側基を有する重合体液晶を使用しながら可逆
    的光学的にデータを記憶する装置において、液晶重合体
    からなる巨視的に配向された皮膜が情報を記憶させる目
    的のためにガラス転位温度Ｔ＿ｇ＞Ｔ＿ａ（室温）より
    も低い温度範囲内で液晶重合体の固体の形状安定な状態
    で存在し、熱源を用いて選択的局部的に等方性液体状態
    に加熱され、熱源を遮断した後に局部的に情報が重合体
    のガラス状態中に固定されていることを特徴とする、可
    逆的光学的にデータを記憶する装置。 ２、重合体液晶が式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・ I 〔式中、Ａ−Ｂは重合体の主鎖の要素を表わし、Ｘはス
    ペーサー単位を表わし、Ｙは中間側基を表わす〕で示さ
    れる繰り返し単位を有する、特許請求の範囲第１項記載
    の装置。 ３、記憶された情報を消去することは選択的局部的に温
    度上昇および冷却により電界または磁界内で行なわれ、
    それによつて元来の配向状態は局部的範囲内で復元され
    る、特許請求の範囲第１項または第２項に記憶の装置。 ４、全部の記憶された情報を消去しかつ出発状態を復元
    することは記憶媒体の温度上昇および冷却により電界ま
    たは磁界内で行なわれる、特許請求の範囲第１項または
    第２項に記載の装置。 ５、装置が熱源としてのレーザーを相互配置している、
    特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか１項に
    記載の装置。 ６、記憶媒体の吸収挙動は情報を適当な波長および適当
    な強度のレーザービームで記憶させかつ情報を損なうこ
    となしに別の波長の別のレーザービームで読み取ること
    ができるように選択されている、特許請求の範囲第１項
    から第５項までのいずれか１項に記載の装置。 ７、液晶重合体の中間側鎖がスメクテイツク型のもので
    ある、特許請求の範囲第１項から第５項までのいずれか
    １項に記載の装置。 ８、液晶重合体がアクリレート型および／またはメタク
    リレート型に属する単量体から構成されている、特許請
    求の範囲第１項から第５項までのいずれか１項に記載の
    装置。 ９、液晶重合体がポリエステル型に属する単量体から構
    成されている、特許請求の範囲第１項から第６項までの
    いずれか１項に記載の装置。 １０、秩序状態を変えることは電界を印加することによ
    つて得られている、特許請求の範囲第１項から第９項ま
    でのいずれか１項に記載の装置。 １１、巨視的に配向された皮膜が２つの重ねて配置され
    た板または皮膜の間に存在する、特許請求の範囲第１項
    から第１０項までのいずれか１項に記載の装置。 １２、液晶重合体がガラス転位温度Ｔ＿ｇ＞Ｔ＿ａを有
    する、特許請求の範囲第１項から第１１項までのいずれ
    か１項に記載の装置。 １３、液晶重合体が１０＾３〜１０＾５範囲内の分子量
    を有する、特許請求の範囲第１項から第 １２項までのいずれか１項に記載の装置。 １４、記憶媒体はその吸収挙動が書込みレーザーの発光
    波長に適合されている、特許請求の範囲第１項から第１
    ３項までのいずれか１項に記載の装置。 １５、記憶媒体はその吸収挙動が書込みレーザーの発光
    波長に適合された染料を含有する、特許請求の範囲第１
    ４項記載の装置。 １６、液晶重合体はその吸収挙動が染料含有コモノマー
    単位を重合させることによつて書込きレーザーの発光波
    長に適合されている、特許請求の範囲第１４項記載の装
    置。 １７、記憶媒体の必要とされる吸光度は染料濃度によつ
    て調節されている、特許請求の範囲第１３項から第１５
    項までのいずれか１項に記載の装置。 １８、読取り波長は染料の書込み過程にとつて適切な吸
    収最大の外にある、特許請求の範囲第１項から第１７項
    までのいずれか１項に記載の装置。 １９、可逆的光学的に情報を記憶させる方法において、
    図示可能な物質的構造体から出発して記憶すべき構造体
    を単色コヒーレント光源により照射し、記憶すべき構造
    体から散乱された光の方向、振幅および位相によつて同
    じ光源に由来する参照光波と相対的に定められる干渉縞
    を、重合体液晶の秩序を熱源により選択的に変えること
    により情報を記憶させるために配向された記憶媒体とし
    ての液晶側鎖重合体からなる巨視的に配向された皮膜を
    有する装置中でホログラフイーにより記録し、かつ記憶
    させることを特徴とする、可逆的光学的に情報を記憶さ
    せる方法。 ２０、アナログで光学的に記憶された情報を読取ること
    は巨視的に配向された皮膜を単色コヒーレント光で照明
    することによつて行なわれる、特許請求の範囲第１９項
    記載の方法。 ２１、レーザーにより記憶させるためにデジタル位相構
    造を可逆的光学的にデータを記憶する装置の記憶媒体と
    しての巨視的に配向された皮膜中で生起させる、特許請
    求の範囲第１９項記載の方法。 ２２、レーザービームおよび記憶媒体を情報の記憶の場
    合にも情報の読取りの場合にも定義された方法で互いに
    相対的に運動させる、特許請求の範囲第２１項記載の方
    法。 ２３、記憶させる場合運動の間にレーザービームの強度
    を適当な方法で変調させる、特許請求の範囲第２２項記
    載の方法。 ２４、記憶過程の場合デジタル法で所定の強度変調で位
    相構造を記憶媒体中で生起させ、再生を得られた合成ホ
    ログラムを参照波で照明することによつて行なう、特許
    請求の範囲第 ２３項記載の方法。 ２５、位相構造を生起させるのに必要とされる強度変調
    を計算により確かめる、特許請求の範囲第２４項記載の
    方法。 ２６、生起された情報密度（単位長さあたりの線で表わ
    された）を全部で３つの座標軸に対して、一面で記憶媒
    体の線寸法によつて制限し、他面で１ｍｍあたり最大２
    ０００の線によつて制限する、特許請求の範囲第１９項
    から第 ２４項までのいずれか１項に記載の方法。
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