JPS62190845A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62190845A JPS62190845A JP3466886A JP3466886A JPS62190845A JP S62190845 A JPS62190845 A JP S62190845A JP 3466886 A JP3466886 A JP 3466886A JP 3466886 A JP3466886 A JP 3466886A JP S62190845 A JPS62190845 A JP S62190845A
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- Japan
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- resistor
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- holes
- contact
- contact holes
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路における拡散層あるいは配線層
上のコンタクトホールの寸法を電気的に測定する手段を
そなえた半導体装置に関するものである。
上のコンタクトホールの寸法を電気的に測定する手段を
そなえた半導体装置に関するものである。
従来の技術
半導体集積回路における拡散層あるいは配線層測定する
従来から１手段としては、走査電子顕微鏡観察が上げら
れるが、測定用資料を破壊しなければならず、用意する
のに時間がかかり、大量のサンプルを短時間に評価する
事は困難であり、半導体装置の生産現場で採用する事は
容易ではない。
従来から１手段としては、走査電子顕微鏡観察が上げら
れるが、測定用資料を破壊しなければならず、用意する
のに時間がかかり、大量のサンプルを短時間に評価する
事は困難であり、半導体装置の生産現場で採用する事は
容易ではない。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は半導体集積回路における拡散層あるいは
配線層上のコンタクトホールの寸法を、非破壊的にしか
も集積回路製造後の製品上の状態を大量に短時間で電気
的に評価することが可能な手段をそなえた半導体装置を
提供することである。
配線層上のコンタクトホールの寸法を、非破壊的にしか
も集積回路製造後の製品上の状態を大量に短時間で電気
的に評価することが可能な手段をそなえた半導体装置を
提供することである。
問題点を解決するための手段
半導体集積回路に於ける半導体基板内の拡散層あるいは
半導体配線層上に形成されたコンタクトホールの寸法を
電気品に計るための手段として幅Ｗとそれより充分に長
い長さＬを有する拡散層の両端に配した金属電極とのコ
ンタクトホール間で決まる抵抗値を有する第１の抵抗体
と、その抵抗体の近傍に、同形の拡散層でなり、その中
間付近に寸法測定を目的とする金属配線層で覆われたコ
ンタクトホールを追加した第２の抵抗体とをそなえ、両
抵抗体間の抵抗値の差を検出することができるようにし
たものである。
半導体配線層上に形成されたコンタクトホールの寸法を
電気品に計るための手段として幅Ｗとそれより充分に長
い長さＬを有する拡散層の両端に配した金属電極とのコ
ンタクトホール間で決まる抵抗値を有する第１の抵抗体
と、その抵抗体の近傍に、同形の拡散層でなり、その中
間付近に寸法測定を目的とする金属配線層で覆われたコ
ンタクトホールを追加した第２の抵抗体とをそなえ、両
抵抗体間の抵抗値の差を検出することができるようにし
たものである。
作 用
本発明によると、第２の抵抗体の中間付近に配した寸法
測定を目的とするコンタクトホール上にはそのコンタク
トホールのみをカバーする金属配線層を設けたことによ
り、第２の抵抗体の抵抗値は第１の抵抗体の抵抗値より
もコンタクトホールの長さ分だけ抵抗が下がることにな
るので、これを利用して、コンタクトホールの寸法を第
１の抵抗体と第２の抵抗体との抵抗値の差分から求める
事が可能となる。
測定を目的とするコンタクトホール上にはそのコンタク
トホールのみをカバーする金属配線層を設けたことによ
り、第２の抵抗体の抵抗値は第１の抵抗体の抵抗値より
もコンタクトホールの長さ分だけ抵抗が下がることにな
るので、これを利用して、コンタクトホールの寸法を第
１の抵抗体と第２の抵抗体との抵抗値の差分から求める
事が可能となる。
実施例
図は本発明の一実施例の平面図を示したものである。
この実施例では、同一工程で形成される２つの抵抗体１
．ｔｌを有する。すなわち、一方の抵抗体Ｉは半導体基
板中に形成された幅Ｗを有する拡散層１が両端のコンタ
クトホール２，３を通じで電極パッド午、４′に接続さ
れた構成である。抵抗体Ｉの抵抗値をＲｔ とすると
（１）式で表わされる。
．ｔｌを有する。すなわち、一方の抵抗体Ｉは半導体基
板中に形成された幅Ｗを有する拡散層１が両端のコンタ
クトホール２，３を通じで電極パッド午、４′に接続さ
れた構成である。抵抗体Ｉの抵抗値をＲｔ とすると
（１）式で表わされる。
ＲＩ＝Ｒ８ｘＬ／Ｗ＋２ＲＣ・・・・・・・・・（１）
ＲＢ：拡散層１の層抵抗 Ｌ：コンタクトホール２，３間の距離 ＲＣ：各電極パッドへ接続される金属電極と拡散層１と
のコンタクト抵抗 そして、他方の抵抗体■は拡散層１と同一の形状、層抵
抗を有する拡散層６で構成され、コンタクトホール２，
３と同一形状のコンタクトホール６．７が距離りをおい
て電極パッド牛および電極パッド８に接続されている。
ＲＢ：拡散層１の層抵抗 Ｌ：コンタクトホール２，３間の距離 ＲＣ：各電極パッドへ接続される金属電極と拡散層１と
のコンタクト抵抗 そして、他方の抵抗体■は拡散層１と同一の形状、層抵
抗を有する拡散層６で構成され、コンタクトホール２，
３と同一形状のコンタクトホール６．７が距離りをおい
て電極パッド牛および電極パッド８に接続されている。
さらにコンタクトホール６．７の中間には、測定を目的
とするｎ個の同一形状のコンタクトホール９．〜９ｎが
付設され各々のコンタクトホール上には独立した金属電
極１０１〜１ｏｎが付けられている。
とするｎ個の同一形状のコンタクトホール９．〜９ｎが
付設され各々のコンタクトホール上には独立した金属電
極１０１〜１ｏｎが付けられている。
抵抗体■は幅Ｗ２長さＬの拡散層５で形成されているが
、金属電極１０１〜１ｏｎで覆われたｎ個のコンタクト
ホール９１〜９ｎが存在するため、コンタクトホールの
長手方向の長さ分ＣＷＸｎに相当する拡散層６の一部分
がショートされたのと同様になるため、抵抗値は抵抗体
■の抵抗値Ｒ１より小さくなる。
、金属電極１０１〜１ｏｎで覆われたｎ個のコンタクト
ホール９１〜９ｎが存在するため、コンタクトホールの
長手方向の長さ分ＣＷＸｎに相当する拡散層６の一部分
がショートされたのと同様になるため、抵抗値は抵抗体
■の抵抗値Ｒ１より小さくなる。
すなわち、抵抗体■の抵抗値をＲｎ とすると、その
値は（噂式のように表わされる。
値は（噂式のように表わされる。
Ｒ■＝Ｒｓ Ｘ （Ｌ −ｎ ＸＣＷ）／Ｗ＋２Ｒｃ−
（ＪＲｓ＝拡散層６０層抵抗 ＣＷ：測定を目的とするコンタクトホールの寸法 ｎ：測定を目的とするコンタクトホールの個数 Ｗ：拡散層５の幅 ＲＣ：各電極パッドへ接続される金属電極と拡散層６と
のコンタクト抵抗 （１）式と（噂式とにより、コンタクトホールの寸法Ｃ
Ｗは、 となる。
（ＪＲｓ＝拡散層６０層抵抗 ＣＷ：測定を目的とするコンタクトホールの寸法 ｎ：測定を目的とするコンタクトホールの個数 Ｗ：拡散層５の幅 ＲＣ：各電極パッドへ接続される金属電極と拡散層６と
のコンタクト抵抗 （１）式と（噂式とにより、コンタクトホールの寸法Ｃ
Ｗは、 となる。
以上の様に、（場式から、コンタクトホールの寸法ＣＷ
は抵抗体Ｉと抵抗体■の抵抗値の差Ｒｔ −Ｒｎを検出
し、拡散層１，６の幅Ｗと層抵抗Ｒ８とから容易に求め
られる０ 発明の詳細 な説明してきた様に、本発明によると、コンタクトホー
ルの寸法が半導体集積回路素子を破壊する事なく、電気
的に測定可能であり、半導体集積回路素子の最終工程終
了後の実質的なコンタクトホールの寸法を、大量に短時
間に自動測定され、その測定値を直ちに製造工程へのフ
ィードバックし、生産性の効率化をはかることもできる
。
は抵抗体Ｉと抵抗体■の抵抗値の差Ｒｔ −Ｒｎを検出
し、拡散層１，６の幅Ｗと層抵抗Ｒ８とから容易に求め
られる０ 発明の詳細 な説明してきた様に、本発明によると、コンタクトホー
ルの寸法が半導体集積回路素子を破壊する事なく、電気
的に測定可能であり、半導体集積回路素子の最終工程終
了後の実質的なコンタクトホールの寸法を、大量に短時
間に自動測定され、その測定値を直ちに製造工程へのフ
ィードバックし、生産性の効率化をはかることもできる
。
図は本発明実施例の平面図である。
１．６・・・・・・拡散層、２ 、 ａ 、 ６ 、７
、９１〜９ｎ・・・・・・コンタクトホール、４−．
４’、８・・・・・・電極ハツト、１０１〜１ｏｎ・・
・・・・金属電極。
、９１〜９ｎ・・・・・・コンタクトホール、４−．
４’、８・・・・・・電極ハツト、１０１〜１ｏｎ・・
・・・・金属電極。
Claims (1)
- （１）ある一定の幅Ｗとそれより充分に長い長さＬを有
する第１の拡散層の両端に配したコンタクトホール間で
決まる所定抵抗値を有する第１の抵抗体と、前記第１の
拡散層と同一の形状で、かつ、その中間位置に、複数の
同形コンタクトホールおよびそれらの個々をおおって接
触した金属電極を配した第２の拡散層でなる第２の抵抗
体とをそなえた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3466886A JPS62190845A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3466886A JPS62190845A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190845A true JPS62190845A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12420810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3466886A Pending JPS62190845A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190845A (ja) |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP3466886A patent/JPS62190845A/ja active Pending
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