JPS62189435A

JPS62189435A - 駆動装置

Info

Publication number: JPS62189435A
Application number: JP3248086A
Authority: JP
Inventors: Yuji Inoue; 裕司井上; Yoshiyuki Osada; 芳幸長田; Yutaka Inaba; 豊稲葉
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-02-17
Filing date: 1986-02-17
Publication date: 1987-08-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の分野〕本発明は、光学変調素子、特に強誘電性液晶素子の駆動
装置に関するものである。

〔従来技術〕

フラット・パネル・ディスプレイ嗜デバイスの開発は、
現在欧界中で活発に行なわれている。その中でも、液晶
を用いたディスプレイは、小規模な分野では、完全に社
会に定着したと考えられるが、ＣＡＲＴに置き替わりう
るような高解像度をもち、しかも５大画面のものは、従
来の液晶方式（例えばＴＮやＤＳＭなど）では非常に困
難であった。

この様な、液晶素子の欠点を改善するものとして、双安
定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃｌ　ａ　
ｒ　ｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅ　ｒｗａ　ｌ　ｌ
）により提案されている（特開昭５６−１０７２１６号
公報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）、双安定
性を有する液晶としては、一般に、カイラルスメクチッ
クＣ相（Ｓ　ｍｃ　＊）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有する
強誘電性液晶が用いられる。この液晶は電界に対して第
１の光学的安定状態と第２の光学安定状態からなる双安
定状態を有し、従って、前述のＴＮ型の液晶素子とは異
なり１例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的
安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対して
は第２の光学的安定状態に液晶が配向される。またこの
型の液晶は、加えられる電界に応答して、極めて速やか
に、Ｅ記２つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の
印加のないときはその状態を維持する性質を有する。こ
のような性質を利用することにより、上述した従来のＴ
Ｎ型素子の問題点の多くに対して、かなり本質的な改善
が得られる。

〔発明が解決しようとする問題点３強誘電性液晶素子は、英国公開明細書第２１４１２７９
号公報などに開示されている様に。

１９４７分の画素を書込むためには、少なくとも２つの
タイミング位相を必要としている。すなわち、１ライン
分の強誘電性液晶を、書込み期間内で、第１の安定状態
に基づく表示状態（例えば、「白」の表示状態とする）
に書込む「白」のタイミング位相と、第２の安定状態に
基づく表示状態（例えば、「黒」の表示状態とする）に
書込む「黒」のタイミング位相とを必要としている。し
かも、前述した様に強誘電性液晶を第１の安定状態に配
向させる電圧信号と、第２の安定状態に配向させる電圧
信号とが互いに逆極性とすることが必要である。

従って、１ライン分の画素を選択的に「白」又は「黒」
に書込むためには、２つのタイミング位相に相当する２
つの走査信号位相を必要としている上、それぞれ２つの
走査信号が互いに逆極性（基準に対して）となっている
ことが必要である。

従来のＴＮ型液晶素子の駆動回路では、１ライン分の画
素の書込みが１つのタイミング位相で行なわれ、しかも
交流の実効値でＴＮ液晶が駆動するために、比較的に簡
単な回路で駆動させることが可能であった。

これに対して、前述した様に強誘電性液晶素子の駆動回
路は、ｌライフ分の画素の書込みに少なくとも２つのタ
イミング位相を必要としている上、「白」を書込む信号
と「黒」を書込む信号が互いに逆極性となっている必要
があることから、従来のＴＮ型液晶素子の駆動回路と比
較して複雑な回路構成となっていた。このため、数多く
のＩＣ回路を必要とし、さらに駆動用ＩＣ回路の数が多
くなることから、これと強誘電性液晶素子との接続点数
も多くなり、高価なものとなる傾向があった。

〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明の
目的は、前述の欠点を解消した駆動装置、特に強ＦＡ　
ｉｉ性性液要素子適した簡略な回路構成の駆動装置を提
供することにある。

すなわち、本発明は、電界に対して第１の安定状態と第
２の安定状態を示す光学変調物質を備えた素子に接続さ
れた走査側駆動回路と信号側駆動回路とを有する駆動装
置において、前記走査側駆動回路が走査選択信号波形を
第１のバス−ラインに出力する第１の信号波形発生回路
及び走査非選択信号波形を第２のバス・ラインに出力す
る第２の信号波形発生回路を有する駆動信号波形発生部
と、走査電極群への出力を、切り替えタイミング信号に
応じて、順次走査非選択信号波形から走査選択信号波形
に切り替える切り替え回路部とを有する駆動装置に特徴
を有している。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に従って説明する。

本発明の駆動法で用いる光学変調物質としては、加えら
れる電界に応じて少なくとも第１の光学的安定状態（例
えば明状態を形成するものとする）と第２の光学的安定
状態（例えば暗状態を形成するものとする）とのいずれ
かを取る、すなわち電界に対する双安定状態を有する物
質、特にこのような性質を有する液晶が用いられる。

本発明の駆動法で用いる事ができる双安定性を有する液
晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック液
晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ＊）、Ｈ相（ＳｍＨ＊）、Ｉ相（ＳｍＩ）＋Ｃ
）、Ｆ相（ＳｍＦ）ｋ）、やＧ相（ＳｍＧ＊）（７）液
晶が適している。この強誘電性液晶については、゛ル書
ジュルナールφド・フイジイク会ルーチル”（”ＬＥ　
　ＪＯＵＲＮＡＬ　　ＤＥ　　ＰＨＹＳＺＱＵＥ　　Ｌ
ＥＴＴＥＲ’）第３６巻（Ｌ−６９）１９７５年の「フ
ェロエレクトリック書すキッドφクリスタルスＪ　　（
ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　　Ｌｉｇｕｉｄ　　Ｃ
ｒｙｓｔａｌｓ」）；”アプライド争フイジイツクス・
レターズ°’　　（”Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓＬｅｔｔｅｒｓ″）第３６巻、第１１号、１９８０年
の「サブミクロ−セカンド・バイスティプル・エレクト
ロオプティック拳スイッチング−イン・リキッドゆクリ
スタルス」（「Ｓｕｂｍｉｃｒｏ　　５ｅｃｏｎｄ　　
Ｂ１５ｔａｂｌｅ　　ＥｌｅｃＬｒｏｏｐｔｉｃ　　Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ　　ｉｎ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙ
ｓｔａ１５Ｊ）；　“固体物理′°上６　（１４１）１
９８１「液晶」等に記載されており、本発明ではこれら
に開始された強誘電性液晶を用いることができる。

より具体的には１本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシへンジリデンーｙ−アミ
ノー２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）
、ヘキシルオキシベンジリデン−ｙ−アミノ−クロロプ
ロビルシンナｌ−ト　（ＨＯＢＡＣＰＣ）　および４−
〇−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−４′−オ
クチルアニリン（ＭＢ　ＲＡ　８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳｍＣ）＋Ｃ、ＳｍＨ＊　、ＳｍＩ＊、ＳｍＦ＊、
ＳｍＧ＊となるような温度状態に保持する為、必要に応
じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等により
支持することができる。

第ｔｉ図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたも
のである。１ｌｌａと１ｌｌｂは、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓ　ｎ
０２やＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）等の
透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その
間に液晶分子層１１２がガラス面に垂直になるよう配向
したＳｍＣ＊相の液晶が封入されている。太線で示した
１１３が液晶分子を表わしており、この液晶分子１１３
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ工
）１１４を有している。基板１１１ａと１ｌｌｂ上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子１
１３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）
１１４はすべて電界方向に向くよう、液晶分子１１３の
配向方向を変えることができる。液晶分子１１３は細長
い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率
異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電圧
印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子と
なることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚さ
を充分に薄くした場合（例えばｉｐ）には、第１２図に
示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のら
せん構造はほどけ（非らせん構造）、その双極子モーメ
ントＰａ又はｐｂは上向き（１２４ａ）又は下向き（１
２４ｂ）のどちらかの配向状態をとる。このようなセル
に第１２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界
ＥａはＥｂを付与すると、双極子モーメント電界Ｅａ又
はＥｂの電界ベクトルに対応して上向き１２４ａ又は下
向き１２４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第
１の安定状態１２３ａ（明状態）か或いは第２の安定状
態１２３ｂ　（暗状態）の何れか一方に配向する。

この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いること
の利点を２つある。第１に応答速度が極めて速いこと、
第２に液晶分子の配向が双安定性を有することである。

第２の点を例えば第１２図によって説明すると、電界Ｅ
ａを印加すると液晶分子は第１の安定状態１２３　ａに
配向するが、この状態は電界を切ってもこの第１の安定
状態１２３ａが維持され、又、逆向きの電界Ｅｂを印加
すると、液晶分子は第２の安定状態１２３　ｂに配向し
てその分子の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこ
の状態に保ち、それぞれの安定状態でメモリー機能を有
してい。

る。又、与える電界Ｅａが一定の閾値を越えない限りそ
れぞれの配向状態にやはり維持されている。このような
応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、
セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には
０．５　ＪＬ〜２０終、特に１終〜５ルが適している。

この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有
する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバル
により、米国特許第４３６７９２４号明細書で提案され
ている。

第１図は、強誘電性液晶素子の駆動装置を示すブロック
図である。すなわち、強誘電性液晶パネル１１の駆動部
は、走査側駆動回路１２と信号側駆動回路１３が設けら
れ、走査側駆動回路１２は第３図に示す走査信号ｓ１．
ｓ２゜−−一−を出力し、信号側駆動回路１３は第３図
に示す情報信号Ｄｌ、Ｄｊ、−−−一を出力することが
できる。この走査側駆動回路１２と信号側駆動回路１３
は、それぞれアドレス・デコーダ１４によってそのアド
レスが決定される。又、コラム番データ１６はＣＰＵ１
５によって制御されて、信号側駆動回路１３に出力する
。

第２図は中間に光学変調物質として強誘電性液晶化合物
が挟まれたマトリクス電極構造を塙するパネル２１の模
式図である。２２は走査電極群であり５１からＳｍまで
のｍ木、２３は信号電極群でありＤＩからＤｎまでのｎ
本のマトリクスとなっている。走査電極群２２はＳｌか
ら３２．Ｓ３．−−−−、Ｓｍと順次選択される。

また、各走査信号が選択されたとき、信号電極群２３′
のＤｌからＤｎには映像情報に応じた信号が出力される
。今例として第２図であＳｌとＤｉの交点の画素を強誘
電性液晶の第２の安定状態に基づく表示状態である「黒
」　（図中ＩＩ　Ｂ　ＩＩに相当）、ＳｌとＤ２の交点
の画素を強誘電性液晶の第１の安定状態に基づく表示状
態である「白」　（図中の“Ｗ　”に相当）、またＳ２
−Ｄｉ交点及びＳ２−Ｄ２交点を共に「黒」とした場合
のＳｌ　、５２．Ｄｉ、Ｄ２の信号を第３図に示す、第
３図から明らかな様に１選択された走査線Ｓ１上の画素
に時間１−２−３の内１時間２で黒信号Ｂと白信号Ｗが
信号電極群２３から選択的に印加されて、１走査ｍｓｘ
上の画素への書込みが完了する０時間１では、走査線Ｓ
ｌ上の全画素に第１の閾値電圧Ｖｅｈ１を越える３ｖが
印加されて、全画素が強誘電性液晶の第１の安定状態に
基づく「白」の表示状態とされ１時間２で黒信号Ｂが印
加された画素には第２の閾値電圧ｖｔ　ｈ２を越える一
３■が印加されて強誘電性液晶の第２の安定状態に基づ
く「黒」の表示状態に反転し、−裏白信号Ｗが印加され
た画素には第２の閾値電圧ｖｔ　ｈ２以下の一■が印加
されて１時間ｌでの「白」の表示状態がそのまま保持さ
れる。又、時間３で印加される±Ｖの信号は、時間２で
書込まれた画素の表示状態を換えない信号で、１つの画
素に連続して印加された情報信号（例えば１つの画素に
信号電極から連続して白信号Ｗが印加される場合）によ
って惹起こるクロストーク発生を防止することができる
９、この際、時間３で印加する信号は、時間２で印加す
る信号の逆極性信号（基準電位に対して）とすることが
好ましい。

従って、前述した時間２で１ラインの画素の書込み状態
が決定され、この時間２を含む時間１−２−３を行毎に
順次行なうことによって１画面の書込みを行なうことが
できる。又、強誘電性液晶の第１の安定状態（白）を与
える第１の閾値電圧Ｖｔｈｌと■との間で３Ｖ＞Ｖｔｈ
ｌ＞Ｖの関係があり、第２の安定状態（黒）を与える第
２の閾値電圧ｖｔｈ２との間で一３Ｖ＜Ｖ　ｔ　ｈ　２
＜−ｖの関係がある。

この様に１強誘電性液晶パネル２１では、ｌライフ分の
画素の書込み期間内に、時間１の走査信号位相と時間２
の走査信号位相を有しており、時間１の走査信号と時間
２の走査信号の極性が基準電位に対して逆極性となって
いる。

又、時間２の走査信号位相で、それぞれ極性の異なる「
白」信号Ｗ（−Ｖ）と「黒」信号Ｂ（＋Ｖ）が選択的に
信号電極群２３に印加されることになる。

第４図は、前述した走査信号Ｓｔ、３２゜−ｍ−−を発
生する駆動装置のブロック図である。

この駆動装置は、走査選択信号波形（Ａ）と走査非選択
信号波形（察）を発生する駆動信号発生部４１と、切り
替えのタイミング信号を発生するタイミング信号発生部
４２と、タイミング信号に応じて周期的に順次走査選択
信号を走査電極群に出力する切り替え回路４３が設けら
れている。

駆動信号発生部４１は、第７図の（Ａ）に示す走査選択
波形（Ａ）を発生する走査選択信号発生回路４１３と第
７図の（Ｅ）に示す走査非選択波形（Ｅ）を発生する走
査非選択信号発生回路４１４が配置され、それぞれ走査
選択信号バス・ライン４１１と走査非選択信号バス・ラ
イン４１２に接続されている。この２木のバス−ライン
４１１と４１２は、それぞれ切り替え回路部４３に接続
されている。第５図は、前述の走査選択信号発生回路４
１３と走査非選択信号発生回路４１４の具体的な回路を
表わしている。クロック４０からの基本クロックが分周
器５１を通してシフトレジスタ５２に入力される。この
時のタイミングチャートを第６図に示す。

切り替えのタイミング信号を発生するタイミング信号発
生部は、シフトレジスタ４２１とインバータ■ｎ１　＋
　Ｉ　ｎ２．−−−一が接続されている。シフトレジス
タ４２１の好ましい具体例を第８図に示す、第８図に示
すシフトレジスタは、インバータを組込んだダイナミッ
クφシフトレジスタであって、入力信号としてタイミン
グ信号Ｖｉｎが入力され、この入力信号Ｖｉｎに対する
クロックφｌ、クロックφ２．１点。

■点（初段出力；”１ｓｔ　　ｂｉｔ　　ｏｕｔ”に相
当）、■点と■点（二段目の出力゛２ｎｄｂｉｔ　　ｏ
ｕｔ”に相当）の各タイミングを第９図に示す、第９図
によれば、入力されたパルスがクロックφｌの１周期毎
に次段ヘシフトしていることが判る１図中のクロックφ
ｌは。

第４図のクロック４０に相当し、クロックφ２１ずは第、９図から判る様にインヘートしたものである０本
発明では、このダイナミックψシフトレジスタの動作周
波数がパネル２１の走査周波数（フレーム周波数）と画
素数によって一義的に決まるため、素子数の多いスタテ
ィック・シフトレジスタを用いるよりも、少ない素子数
で。

しかも高速動作に適したダイナミック・シフトレジスタ
を用いることが望ましい。

第８図に示すシフトレジスタの点線の枠内がシフトレジ
スタの第１ブロツク８１を表わし、ｖＤは電源電圧、ｖ
ｓはＯポルト（グランド状８５は、それぞれ半導体とし
てアモルファスシリコン、ポリシリコン、ＣｄＳｅやＺ
ｎＳｅなどの薄膜半導体を用いることができる。

第１０図（Ａ）は、タイミング信号発生部４２で用いる
インバータＩ　ｎ　１．　Ｉ　ｎ　２　、−−−−の等
価回路を表わしており、第１０図（Ｂ）はそのレイアウ
トを示す平面図で、第１０図（Ｃ）はこの回路の入力に
対する出力を表わしている。第１０図（Ａ）におけるＶ
ＳＳはＯポ付加（ｊＬｏａｄ））ランジスタ１．０１と
駆動用（ｄｒｉｖｅ））ランジスタ１０２で制御ランジ
スタｌｏｔは、ゲートｔｏｔｔとソース１０１２がコン
タクトホール１０１３を通してショート状態となってお
り、又そのドレイン１０１４はコンタクトホール１０１
５を通して駆動用トランジスタ１０２のソース１０２１
と接続状態となている。駆動用トランジスタ１０２は、
そのゲート１０２２に信号（Ｃ）が印加され、ドレイン
１０２３とソース１０２１が導通状態となる。この際、
ドレイン１０２３はＶＳＳに接続されている。尚、第１
Ｏ図（Ｂ）中の斜線部は、アモルファス・シリコン、ポ
リシリコン、ＣｄＳ　ｅやＺｎＳｅなどの薄膜半導体部
を表わしている。

前述したシフトレジスタ４２１からの出力段（ＩＩ点、
■点、−−−−＞信号（Ｃ）がＨ”（ハイ中レベル１　
“１”を表わす）の時、切り替え回路部４３のトランジ
スタＴｒｙ。

Ｔ　ｒ　３　＋　−−−−Ｔ　ｒ　２　ｍ−１（ｍ　；
走査線数）が選択され、走査選択信号バス・ライン４１
１からの信号波形（Ａ）が走査電極群に出力される。一
方、シフトレジスタ４２１からの出力段（■点、■点、
−−−−＞信号（Ｃ）が°’Ｌ”（ロウ争レベル；　“
０”を表わす）の時、切り替え回路部４３のトランジス
タＴｒ２．Ｔｒ４゜−−−−Ｔ　ｒ　２　ｍが選択され
、走査非選択信号バス・ライン４１２からの信号波形（
Ｅ）が走査電極群に出力される。上述のトランジスタＴ
　ｒ　１　、　Ｔ　ｒ　２、−−ｍ−も、やはり、半導
体としてアモルファス豐シリコン、ポリシリコン、Ｃｄ
ＳｅやＺｎＳｅなどの薄膜半導体を用いることができる
。この時の走査線Ｓ　ｌ　、　Ｓ　２−−−−に印加さ
れる時系列波形を第７図に示す。

第７図から判る様に、シフト・レジスタ４２ｌからの出
力信号（Ｃ１）　、　（Ｃ２）　、　−−−−がＨ”レ
ベルの時に時１１Ｊｉ１−２−３の信号波形（Ａ）の走
査選択信号が順次走査線に出力され、走査非選択時に当
る走査線にはシフトレジスタ４２１からの出力信号（Ｃ
Ｉ）。

（Ｃ２）　、−−−一が゛Ｌ°°レベルとなっているの
で１時間１−２−３の信号波形（Ｅ）が出力されること
になる。

この様に、切り替えタイミング信号発生部４２は、タイ
ミング信号Ｖｆｎをシフトレジスタ４２１にシリアル入
力し、このシフトレジスタ４２１１クロツク４０のパル
スで制御することによって、−走査ライン分のタイミン
グパルスに替え、且つ一走査期間（例えば、時間１−２
−３）に相出する時間毎に上述のタイミングパルスをシ
フトさせることができる。従って、時間的に順次シフト
する上述の°“ＨＩＩレベルにあるパルスに応じてイン
バータＩｎ１．Ｉｎ２＋−−ｍ−が切り替え回路部４３
のトランジスタＴｒ　１　＋　Ｔｒ２　＋−一−−を順
次走査選択信号バス・ライン４１１の側に切り替えるこ
とができる。従って走査選択信号が順次走査電極群２２
に出力されることになる。

本発明の駆動装置では、前述した切り替え回路部４３で
用いたトランジスタＴｒｘ。

Ｔ　ｒ　２、−−−−、タイミング信号発生部４２で用
いたインバータＩｎ１．Ｉｎ２．−−−一やシフトレジ
スタ４２１のトランジスタは、ＭＯＳ又はＭＩ　５−Ｆ
ＥＴ　）ランジスタで構成されることができるため、こ
れらのトランジスタをアモルファス−シリコン、ポリシ
リコン、ＣｄＳｅやＺｎＳｅなどの半導体材料を１枚の
ガラス基板上ニｆｉＩｌ１５１　）ランジスタとして形
成することができる。従って、本発明では強誘電性液晶
パネル２１を構成している１枚のガラス基板上に切り替
え回路部４３、切り替え信号発生部４２．走査選択信号
バスライン４１１と走査非選択信号バスライン４１２を
形成し、外部回路として走査選択信号発生回路４１３、
走査非選択信号発生回路４１４とクロック４０を用いる
ことによって、部品点数や結線点数の少ない表示装置を
作成することが可能である。

又、本発明では、一枚のガラス基板上に前述した切り替
え回路部４３とタイミング信号発生部４２を薄膜トラン
ジスタで形成し、これと液晶パネルとをワイヤポンディ
ング法や異方性導電接着剤を用いる方法などで接続させ
ることも可能である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、少なくとも２つの走査信号位相をもち
、しかも各位相での走査信号が基準電位に対して互いに
逆極性となている走査側駆動回路に対して、簡単な回路
構成の駆動装置を提供することができ、このため駆動装
置に使用するＩＣ回路の数を低減させることができ１表
示装置の低コスト化を可能にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の駆動装置の概略を示すブロック図で
ある。第２図は、本発明で用いたマトリクス電極構造を
示す平面図である。第３図は、本発明で用いた駆動波形
を示す説明図である。第４図は、本発明の走査側駆動装
置を示すブロック図である。第５図は、駆動波形発生回
路を示す説明図で、第６図はそのタイミングチャー・ト
を示す説明図である。第７図は、本発明の駆動装置のタ
イミングチャートを示す説明図である。第８図は本発明
で用いたダイナミックシフトレジスタの回路を示す説明
図で、第９図はそのタイミングチャートを示す説明図で
ある。第１０図（Ａ）はインバータの等価回路を示す説
明図で、第１０図（Ｂ）はそのレイ・アウトを示す平面
図で、第１０図（Ｃ）はインバータの入力と出力特性を示す説明図である。第１１図及び
第１２図は、本発明で用いた強誘電性液晶素子を模式的
に示す斜視図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）電界に対して第１の安定状態と第２の安定状態を
示す光学変調物質を備えた素子に接続された走査側駆動
回路と信号側駆動回路とを有する駆動装置において、前
記走査側駆動回路が走査選択信号波形を第１のバス・ラ
インに出力する第１の信号波形発生回路及び走査非選択
信号波形を第２のバス・ラインに出力する第２の信号波
形発生回路を有する駆動信号波形発生部と、走査電極群
への出力を、切り替えタイミング信号に応じて、順次走
査非選択信号波形から走査選択信号波形に切り替える切
り替え回路部とを有することを特徴とする駆動装置。
（２）前記切り替え回路部のトランジスタが電界効果型
トランジスタである特許請求の範囲第１項記載の駆動装
置。
（３）前記電界効果型トランジスタが薄膜トランジスタ
である特許請求の範囲第２項記載の駆動装置。
（４）前記薄膜トランジスタが半導体膜としてアモルフ
ァスシリコン、ポリシリコン、ＣｄＳｅ又はＺｎＳｅの
薄膜を備えている特許請求の範囲第３項記載の駆動装置
。
（５）前記切り替えのタイミング信号を発生する回路が
シフトレジスタとインバータとを有している特許請求の
範囲第１項記載の駆動装置。
（６）前記シフトレジスタがダイナミックシフトレジス
タである特許請求の範囲第５項記載の駆動装置。
（７）前記切り替えタイミング信号を発生する回路のト
ランジスタが電界効果型トランジスタである特許請求の
範囲第５項記載の駆動装置。
（８）前記電界効果型トランジスタが薄膜トランジスタ
である特許請求の範囲第７項記載の駆動装置。
（９）前記薄膜トランジスタが半導体膜としてアモルフ
ァスシリコン、ポリシリコン、ＣｄＳｅ又はＺｎＳｅの
薄膜を備えている特許請求の範囲第８項記載の駆動装置
。
（１０）前記切り替え回路部のトランジスタが電界効果
型トランジスタである特許請求の範囲第１項記載の駆動
装置。
（１１）前記電界効果型トランジスタが薄膜トランジス
タである特許請求の範囲第１０項記載の駆動装置。
（１２）前記電界効果型トランジスタが薄膜トランジス
タである特許請求の範囲第１１項記載の駆動装置。
（１３）前記薄膜トランジスタがアモルファスシリコン
、ポリシリコン、ＣｄＳｅ又はＺｎＳｅの薄膜を備えて
いる特許請求の範囲第１２項記載の駆動装置。
（１４）前記素子を構成している少なくとも一方の基板
上に前記切り替え回路部、切り替えタイミング信号を発
生する回路と前記駆動信号発生部からのバスラインとが
設けられている特許請求の範囲第１項ないし第１３項記
載の駆動装置。
（１５）前記光学変調物質が強誘電性液晶である特許請
求の範囲第１項記載の駆動装置。
（１６）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶
である特許請求の範囲第１５項記載の駆動装置。
（１７）前記強誘電性液晶がらせん構造を消失させたカ
イラルスメクチツク液晶である特許請求の範囲第１５項
記載の駆動装置。