JPS62188774A - 蒸着装置 - Google Patents
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は真空槽内で物質の蒸気のクラスタと反応性ガ
スの遊離基とを射突させ、上記の物質と反応性ガスの化
合物を被蒸着材の表面に蒸着する蒸着装置に関するもの
である。
スの遊離基とを射突させ、上記の物質と反応性ガスの化
合物を被蒸着材の表面に蒸着する蒸着装置に関するもの
である。
第２図は、例えば特願昭５９−１１６９０８号特許願に
示された従来の化合物薄膜の蒸着装置を模式的に示す概
念図である。図において、（１）は真空槽、（２）はこ
の真空槽内に配置され、表面に化合物薄膜を蒸着する被
蒸着材、（３）は導電性材料からなり、ノズルを有する
密閉型の坩堝、（４）はこの坩堝に充填され、上記化合
物薄膜を組成する物質、Ｃ３）（Ｉ′ｉ上記坩堝（３）
を放射電子の衝撃により加熱する坩堝加熱フィラメント
、（６）は上記物質（４）の蒸気を上記坩堝（３）のノ
ズルから噴出させて形成したクラスタ（塊状原子集団）
Ｎ （７）はこのクラスタに放射電子を衝突させ、そ
の一部をイオン化するイオン化フィラメント、（８）は
このイオン化フィラメントから電子を引き出し、加速す
る電子引き出し電極、（９）は上記クラスタ（６）に上
記イオン化フィラメント（７）から放射し念電子を衝突
させ、その構成原子の１個だけをイオン化し念クラスタ
・イオン、αＯはこのクラスタ、イオンを電界で加速し
、運動エネルギを付与する加速電極、０は上記坩堝加熱
フィラメント（５）で発生する熱を遮蔽する熱遮蔽板、
■は上記イオン化フィラメント（７）で発生する熱を遮
蔽する熱遮蔽板、（至）は上記真空槽（１）を排気する
真空排気装置、（２）は上記真空槽（１）を所定の真空
度に自動的に保持するためのゲート・パルプ、（イ）は
上記化合物薄膜を組成する分子状態の反応性ガス、勾は
この反応性ガスの分子をイオン化し、ノズルからイオン
、ビームとして噴出させるイオン、ビーム発生器であっ
て、この従来装置では、高濁波放電型のものを使用して
いる。めは上記イオン・ビーム発生器により、上記反応
性ガスωをイオン化したガス・イオン、（ハ）はこのガ
ス・イオンを集束する静電レンズ系、（ハ）は上記ガス
・イオンのを偏向する偏向電極、（至）は上記真空槽（
１）の外に配置され、上記反応性ガスのを圧縮充填した
ガス・ボンベ、翰はこのガス・ボンベの圧縮ガスを減圧
するリーク・バルブ、（財）は上記反応性ガス翰を上記
被蒸着材（２）の表面に向けて噴出するノズルを有する
ガス噴出器である。
示された従来の化合物薄膜の蒸着装置を模式的に示す概
念図である。図において、（１）は真空槽、（２）はこ
の真空槽内に配置され、表面に化合物薄膜を蒸着する被
蒸着材、（３）は導電性材料からなり、ノズルを有する
密閉型の坩堝、（４）はこの坩堝に充填され、上記化合
物薄膜を組成する物質、Ｃ３）（Ｉ′ｉ上記坩堝（３）
を放射電子の衝撃により加熱する坩堝加熱フィラメント
、（６）は上記物質（４）の蒸気を上記坩堝（３）のノ
ズルから噴出させて形成したクラスタ（塊状原子集団）
Ｎ （７）はこのクラスタに放射電子を衝突させ、そ
の一部をイオン化するイオン化フィラメント、（８）は
このイオン化フィラメントから電子を引き出し、加速す
る電子引き出し電極、（９）は上記クラスタ（６）に上
記イオン化フィラメント（７）から放射し念電子を衝突
させ、その構成原子の１個だけをイオン化し念クラスタ
・イオン、αＯはこのクラスタ、イオンを電界で加速し
、運動エネルギを付与する加速電極、０は上記坩堝加熱
フィラメント（５）で発生する熱を遮蔽する熱遮蔽板、
■は上記イオン化フィラメント（７）で発生する熱を遮
蔽する熱遮蔽板、（至）は上記真空槽（１）を排気する
真空排気装置、（２）は上記真空槽（１）を所定の真空
度に自動的に保持するためのゲート・パルプ、（イ）は
上記化合物薄膜を組成する分子状態の反応性ガス、勾は
この反応性ガスの分子をイオン化し、ノズルからイオン
、ビームとして噴出させるイオン、ビーム発生器であっ
て、この従来装置では、高濁波放電型のものを使用して
いる。めは上記イオン・ビーム発生器により、上記反応
性ガスωをイオン化したガス・イオン、（ハ）はこのガ
ス・イオンを集束する静電レンズ系、（ハ）は上記ガス
・イオンのを偏向する偏向電極、（至）は上記真空槽（
１）の外に配置され、上記反応性ガスのを圧縮充填した
ガス・ボンベ、翰はこのガス・ボンベの圧縮ガスを減圧
するリーク・バルブ、（財）は上記反応性ガス翰を上記
被蒸着材（２）の表面に向けて噴出するノズルを有する
ガス噴出器である。
従来の化合物薄膜の蒸着装置は上記のように構成されて
おり、まず、真空排気装置α９により真空槽（１）の真
空度が１０−’Ｔｏｒｒ程度になるまで排気する。その
後、イオン・ビーム発生器（２）を作動させて、反応性
ガス（イ）が例えば、酸素の場合、そのガス・イオンの
、すなわち０λ＋をガス噴出器（財）のノズルから噴出
させて、被蒸着材（２）の表面に射突させる〇一方、坩
堝（３）内の物質（４）の蒸気圧が数Ｔ。ｒｒになる温
度、例えば、物質（４）がアルミニウムの場合、１６０
０℃位まで、坩堝加熱フィラメント（５）からの放射電
子の衝撃により坩堝（３）を加熱し、物質（４）の蒸気
を坩堝（３）のノズルから真空槽（１）内に噴出させる
。噴出された物質（４）の蒸気は坩堝（３）のノズルの
近傍において、断熱膨張による過冷却のため過飽和状態
となって凝縮し、クラスタ（６）が形成される。次いで
、このクラスタ（６）にイオン化フィラメント（７）か
ら放射され、電子引き出し電極（８）で加速された電子
を衝突させ、その一部をイオン化して、クラスタ・イオ
ン（９）を形成する０このクラスタ・イオン（９）を加
速電極α０の電界で加速して運動エネルギを付与し、イ
オン化しない中性のクラスタ（６）と共に被蒸着材（２
）の表面に射突させる０被蒸着材（２）の表面では、物
質（４）の蒸気のクラスタ（６）及びクラスタ・イオン
（９）と反応性ガス（１）及びガス。
おり、まず、真空排気装置α９により真空槽（１）の真
空度が１０−’Ｔｏｒｒ程度になるまで排気する。その
後、イオン・ビーム発生器（２）を作動させて、反応性
ガス（イ）が例えば、酸素の場合、そのガス・イオンの
、すなわち０λ＋をガス噴出器（財）のノズルから噴出
させて、被蒸着材（２）の表面に射突させる〇一方、坩
堝（３）内の物質（４）の蒸気圧が数Ｔ。ｒｒになる温
度、例えば、物質（４）がアルミニウムの場合、１６０
０℃位まで、坩堝加熱フィラメント（５）からの放射電
子の衝撃により坩堝（３）を加熱し、物質（４）の蒸気
を坩堝（３）のノズルから真空槽（１）内に噴出させる
。噴出された物質（４）の蒸気は坩堝（３）のノズルの
近傍において、断熱膨張による過冷却のため過飽和状態
となって凝縮し、クラスタ（６）が形成される。次いで
、このクラスタ（６）にイオン化フィラメント（７）か
ら放射され、電子引き出し電極（８）で加速された電子
を衝突させ、その一部をイオン化して、クラスタ・イオ
ン（９）を形成する０このクラスタ・イオン（９）を加
速電極α０の電界で加速して運動エネルギを付与し、イ
オン化しない中性のクラスタ（６）と共に被蒸着材（２
）の表面に射突させる０被蒸着材（２）の表面では、物
質（４）の蒸気のクラスタ（６）及びクラスタ・イオン
（９）と反応性ガス（１）及びガス。
イオン（至）との化学反応が進行し、例えば、物質（４
）がアルミニウムで、反応性ガス翰が酸素の場合、被蒸
着材（２）の表面には化合物である酸化アルミニウムＡ
ＩＪＯＪの薄膜が形成される。
）がアルミニウムで、反応性ガス翰が酸素の場合、被蒸
着材（２）の表面には化合物である酸化アルミニウムＡ
ＩＪＯＪの薄膜が形成される。
なお、上記従来装置の説明ではガス噴出器■のノズルか
ら噴出するガス・イオン＠け静電レンズ系＠と偏向電極
Ｑ４を用いて集束・偏向を行なっていないが、これらを
用いると、被蒸着材（２）の表面におけるガス、イオン
＠のビームの射突位置を制御することにより、局部的な
膜の形成や膜質を制御することができる。
ら噴出するガス・イオン＠け静電レンズ系＠と偏向電極
Ｑ４を用いて集束・偏向を行なっていないが、これらを
用いると、被蒸着材（２）の表面におけるガス、イオン
＠のビームの射突位置を制御することにより、局部的な
膜の形成や膜質を制御することができる。
上記のような従来の化合物薄膜の蒸着装置では、イオン
、ビーム発生器（２）で反応性ガスωをイオン化するが
、ガス噴出器（ロ）内の反応性ガス翰の圧力が低いため
、平均自由行程が大きく、反応性ガスωの分子と電子と
の衝突確率が低くてイオン化が困難である。従って、真
空槽（１）内には反応性ガスυの大部分が分子の状態で
噴出して活性度が低く、被蒸着材（２）の表面に化合物
薄膜が蒸着しにくいという問題点があった。
、ビーム発生器（２）で反応性ガスωをイオン化するが
、ガス噴出器（ロ）内の反応性ガス翰の圧力が低いため
、平均自由行程が大きく、反応性ガスωの分子と電子と
の衝突確率が低くてイオン化が困難である。従って、真
空槽（１）内には反応性ガスυの大部分が分子の状態で
噴出して活性度が低く、被蒸着材（２）の表面に化合物
薄膜が蒸着しにくいという問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、被蒸着材の表面に能率よく、安定して質のよい化合
物薄膜を蒸着することができる蒸着装置を得ることを目
的とする。
で、被蒸着材の表面に能率よく、安定して質のよい化合
物薄膜を蒸着することができる蒸着装置を得ることを目
的とする。
この発明に係る蒸着装置は真空槽内において、被蒸着材
の表面に射突する物質蒸気のクラスタを発生する蒸気発
生器と、上記被蒸着材の表面に向けて反応性ガスを噴出
するガス噴出器とこの噴出した反応性ガスの遊離基を発
生する遊離基発生手段とを設は上記被蒸着材の表面に上
記の物質と反応性ガスとの化合物を蒸着するようにし念
ものである。
の表面に射突する物質蒸気のクラスタを発生する蒸気発
生器と、上記被蒸着材の表面に向けて反応性ガスを噴出
するガス噴出器とこの噴出した反応性ガスの遊離基を発
生する遊離基発生手段とを設は上記被蒸着材の表面に上
記の物質と反応性ガスとの化合物を蒸着するようにし念
ものである。
この発明においては、被蒸着材の表面に蒸着すべき化合
物を組成する物質蒸気のクラスタと上記化合物を組成す
る反応性ガスの分子を解離した極めて活性度の高い遊離
基とが上記被蒸着材の表面に向けて射突するので、上記
物質蒸着のクラスタと反応性ガスの遊離基との化学反応
が能率よく、安定して行なわれる。
物を組成する物質蒸気のクラスタと上記化合物を組成す
る反応性ガスの分子を解離した極めて活性度の高い遊離
基とが上記被蒸着材の表面に向けて射突するので、上記
物質蒸着のクラスタと反応性ガスの遊離基との化学反応
が能率よく、安定して行なわれる。
第１図はこの発明の一実施例を模式的に示す概念図であ
り、（１）〜（２）、 （ｌＢ、（至）、ω、（至）、
□□□、（６）け上記従来装置と同一−またけ相当のも
のである。いけ反応性ガスｊの分子を解離した極めて活
性度の高い遊離基、０℃は上記真空槽（１）の側面に設
けた窓ガラス、＠２は上記ガス噴出器（財）から噴出し
た上記反応性ガス翰の分子を解離し、極めて活性度の高
い遊離基筒を発生するレーザ装置であって、短波長のレ
ーザ光線をだし、上記真空槽（１）の外から上記惣ガラ
スＧＤを通して、上記度応性ガス勾に照射する。（財）
は上記レーザ装置（６）からのレーザ光線を透過する部
分と反射面とを有するハーフ・ミラー、＠４は上記レー
ザ装置（６）からのレーザ光線を反射するミラーである
。なお、上記の坩堝（３）、坩堝加熱フィラメント（５
）、イオン化フィラメント（７） 、 ｔ 子引き出し
電極（８）及び加速電極ｎｏにより蒸気発生器が構成さ
れ、また、上記のレーザ装置（６）、ハーフ、ミラー（
財）、ミラー（ロ）により遊離基発生手段−が構成され
ている。
り、（１）〜（２）、 （ｌＢ、（至）、ω、（至）、
□□□、（６）け上記従来装置と同一−またけ相当のも
のである。いけ反応性ガスｊの分子を解離した極めて活
性度の高い遊離基、０℃は上記真空槽（１）の側面に設
けた窓ガラス、＠２は上記ガス噴出器（財）から噴出し
た上記反応性ガス翰の分子を解離し、極めて活性度の高
い遊離基筒を発生するレーザ装置であって、短波長のレ
ーザ光線をだし、上記真空槽（１）の外から上記惣ガラ
スＧＤを通して、上記度応性ガス勾に照射する。（財）
は上記レーザ装置（６）からのレーザ光線を透過する部
分と反射面とを有するハーフ・ミラー、＠４は上記レー
ザ装置（６）からのレーザ光線を反射するミラーである
。なお、上記の坩堝（３）、坩堝加熱フィラメント（５
）、イオン化フィラメント（７） 、 ｔ 子引き出し
電極（８）及び加速電極ｎｏにより蒸気発生器が構成さ
れ、また、上記のレーザ装置（６）、ハーフ、ミラー（
財）、ミラー（ロ）により遊離基発生手段−が構成され
ている。
上記のように構成された化合物の蒸着装置において、真
空槽（１）を１０−’ 〜１０−’ Ｔｏｒｒの高い真
空度になるまで排気した後、反応性ガスｊ１例えば、酸
素をガス噴出器（ロ）のノズルから被蒸着材（２）の表
面に向けて噴出する。この噴出した酸素ガスに遊離基発
生手段員のレーザ装置（６）からハーフ・ミラー（財）
、ミラー■を介して短波長のレーザ光線を照射して、酸
素の分子ｏ２を解離して活性度の高い遊離基０°とし、
解離しなかった酸素の分子０λと共に被蒸着材（２）の
表面に射突させる。この際、ハーフ・ミラー■とミラー
■はそれぞれの反射面がガス噴出器（６）の噴出方向の
中心軸と平行になるよう配置され、レーザ装置□□□は
レーザ光１Ｍがハーフ・ミラー（財）の反射面に直角よ
りや＼小さい角度で入射し、ミラー軸とハーフ・ミラー
軸との間で反射を繰返すように配置される。一方、従来
装置と同じく、蒸気発生器軸を構成する坩堝（３）と坩
堝加熱フィラメント（５）により、坩堝（３）内の物質
（４）の蒸気圧が数ＴＯｒｒになる温度、例えば、物質
（４）がアルミニウムの場合、約１６００″Ｃまで加熱
され、アルミニウムの蒸気を坩堝（３）のノズルから１
０−６〜１０−”ＴＯｒｒの真空度に維持され之真空槽
（１）内に噴出させる。噴出したアルミニウムの蒸気は
断熱膨張によろ過冷却で過飽和状態となって、凝縮され
クラスタ（６）となる。次いで、このクラスタ（６）に
イオン化フィラメント（７）からの電子を衝突させて、
クラスタ・イオン（９）を形成する。このクラスタ・イ
オン（９）は加速電極Ｑ（Ｉの電界で加速され、イオン
化しない中性のクラスタ（６）と共に被蒸着材（２）の
表面に射突され、上記活性度の高い遊離基ｏ９との化学
反応が進行し、これらの化合物である酸化アルミニウム
ＡＸ、２０７が上記被蒸着材（２）の表面に能率よく安
定して蒸着する＠ なお、上記実施例では、遊離基発生手段−はレーザ装置
（至）とハーフ・ミラー（財）、ミラー■とから構成さ
れるものとしたが、所定の高い真空領域で反応性ガスω
の分子を解離し、活性化した遊離基−が得られるもので
あれば、他の方式の遊離基発生手段、例えは、電子ビー
ム装置であってもよい。
空槽（１）を１０−’ 〜１０−’ Ｔｏｒｒの高い真
空度になるまで排気した後、反応性ガスｊ１例えば、酸
素をガス噴出器（ロ）のノズルから被蒸着材（２）の表
面に向けて噴出する。この噴出した酸素ガスに遊離基発
生手段員のレーザ装置（６）からハーフ・ミラー（財）
、ミラー■を介して短波長のレーザ光線を照射して、酸
素の分子ｏ２を解離して活性度の高い遊離基０°とし、
解離しなかった酸素の分子０λと共に被蒸着材（２）の
表面に射突させる。この際、ハーフ・ミラー■とミラー
■はそれぞれの反射面がガス噴出器（６）の噴出方向の
中心軸と平行になるよう配置され、レーザ装置□□□は
レーザ光１Ｍがハーフ・ミラー（財）の反射面に直角よ
りや＼小さい角度で入射し、ミラー軸とハーフ・ミラー
軸との間で反射を繰返すように配置される。一方、従来
装置と同じく、蒸気発生器軸を構成する坩堝（３）と坩
堝加熱フィラメント（５）により、坩堝（３）内の物質
（４）の蒸気圧が数ＴＯｒｒになる温度、例えば、物質
（４）がアルミニウムの場合、約１６００″Ｃまで加熱
され、アルミニウムの蒸気を坩堝（３）のノズルから１
０−６〜１０−”ＴＯｒｒの真空度に維持され之真空槽
（１）内に噴出させる。噴出したアルミニウムの蒸気は
断熱膨張によろ過冷却で過飽和状態となって、凝縮され
クラスタ（６）となる。次いで、このクラスタ（６）に
イオン化フィラメント（７）からの電子を衝突させて、
クラスタ・イオン（９）を形成する。このクラスタ・イ
オン（９）は加速電極Ｑ（Ｉの電界で加速され、イオン
化しない中性のクラスタ（６）と共に被蒸着材（２）の
表面に射突され、上記活性度の高い遊離基ｏ９との化学
反応が進行し、これらの化合物である酸化アルミニウム
ＡＸ、２０７が上記被蒸着材（２）の表面に能率よく安
定して蒸着する＠ なお、上記実施例では、遊離基発生手段−はレーザ装置
（至）とハーフ・ミラー（財）、ミラー■とから構成さ
れるものとしたが、所定の高い真空領域で反応性ガスω
の分子を解離し、活性化した遊離基−が得られるもので
あれば、他の方式の遊離基発生手段、例えは、電子ビー
ム装置であってもよい。
また、蒸気発生器（至）のイオン化フィラメント（７）
、′１！子引き出し電極（８）、加速電極αＧを省略し
、クラスタ・イオン（９）を形成せずに、クラスタ（６
）を直接、被蒸着材（２）に射突させてもよい。
、′１！子引き出し電極（８）、加速電極αＧを省略し
、クラスタ・イオン（９）を形成せずに、クラスタ（６
）を直接、被蒸着材（２）に射突させてもよい。
さらに、上記実施例では、被蒸着材（２）の表面に対し
、坩堝（３）、電子引き出し電極（８）、加速電極ｎ。
、坩堝（３）、電子引き出し電極（８）、加速電極ｎ。
は対向し、ガス噴出器（財）、ハーフ・ミラーθ浄、ミ
ラー３→け傾斜配置させたものを示したが、被蒸着材（
２）の表面にクラスタ（６）及びクラスタ・イオン（９
）と反応性ガス（至）及びその遊離基勿とが重層して射
突するのであれば、坩堝（３）、電子引き出し電極（８
）、加速電極α０とガス噴出器０９．ハーフ、ミラー（
財）、ミラー（ロ）の配置は他の形式のものであっても
よいＯ 〔発明の効果〕 この発明は以上説明したとおり、所定の真空度に保持さ
れた真空槽内において、被蒸着材の表面に蒸着すべき化
合物を組成する物質蒸気のクラスタと上記化合物を組成
する反応性ガスの分子を解離した極めて活性度の高１遊
離基とを上記被蒸着材の表面に射突させるので、上記被
蒸薄材の表面には上記の物質と反応性ガスとの化合物が
能率よく、安定して蒸着するという効果がある０
ラー３→け傾斜配置させたものを示したが、被蒸着材（
２）の表面にクラスタ（６）及びクラスタ・イオン（９
）と反応性ガス（至）及びその遊離基勿とが重層して射
突するのであれば、坩堝（３）、電子引き出し電極（８
）、加速電極α０とガス噴出器０９．ハーフ、ミラー（
財）、ミラー（ロ）の配置は他の形式のものであっても
よいＯ 〔発明の効果〕 この発明は以上説明したとおり、所定の真空度に保持さ
れた真空槽内において、被蒸着材の表面に蒸着すべき化
合物を組成する物質蒸気のクラスタと上記化合物を組成
する反応性ガスの分子を解離した極めて活性度の高１遊
離基とを上記被蒸着材の表面に射突させるので、上記被
蒸薄材の表面には上記の物質と反応性ガスとの化合物が
能率よく、安定して蒸着するという効果がある０
第１図はこの発明の一実施例を模式的に示す概念図、第
２図は従来の化合物薄膜の蒸着装置を模式的に示す概念
図である。 図において、（１）は真空槽、（２）は被蒸着材、（３
）は坩堝、（４）は物質、（５）は坩堝加熱フィラメン
ト、（６）はクラスタ、（７）はイオン化フィラメント
、（８）は電子引き出し電極、（９）はクラスタ・イオ
ン、００は加速電極、（至）は真空排気装置、翰は反応
性ガス、いは遊離基、（１）は蒸気発生器、ｃｌＤは窓
ガラス、（財）はガス噴出器、（財）はレーザ装置、卿
はハーフ・ミラー、−はミラー、輪は遊離基発生手段で
ある。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
２図は従来の化合物薄膜の蒸着装置を模式的に示す概念
図である。 図において、（１）は真空槽、（２）は被蒸着材、（３
）は坩堝、（４）は物質、（５）は坩堝加熱フィラメン
ト、（６）はクラスタ、（７）はイオン化フィラメント
、（８）は電子引き出し電極、（９）はクラスタ・イオ
ン、００は加速電極、（至）は真空排気装置、翰は反応
性ガス、いは遊離基、（１）は蒸気発生器、ｃｌＤは窓
ガラス、（財）はガス噴出器、（財）はレーザ装置、卿
はハーフ・ミラー、−はミラー、輪は遊離基発生手段で
ある。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）所定の真空度を有し、被蒸着材を収容する真空槽
、この真空槽内に設けられ、上記被蒸着材の表面に射突
される物質の蒸気をクラスタ状に発生させる蒸気発生器
、上記被蒸着材の表面に射突される反応性ガスの遊離基
を発生する遊離基発生手段を備え、上記被蒸着材の表面
に上記の物質と反応性ガスとの化合物を蒸着させること
を特徴とする蒸着装置。 - （２）遊離基発生手段は反応性ガスに照射されるレーザ
光線を出すレーザ装置であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の蒸着装置。 - （３）レーザ装置はレーザ光線を反応性ガスに複数回照
射させる反射ミラーを有することを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の蒸着装置。 - （４）遊離基発生手段は反応性ガスに照射される電子ビ
ームを発生する電子ビーム装置であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の蒸着装置。 - （５）蒸気発生器はクラスタ状の物質蒸気をイオン化装
置とイオン化したクラスタ・イオンを加速する加速電極
を有することを特徴とする第１項ないし第４項のいずれ
かに記載の蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111886A JPS62188774A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111886A JPS62188774A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188774A true JPS62188774A (ja) | 1987-08-18 |
| JPH0535217B2 JPH0535217B2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=12322489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3111886A Granted JPS62188774A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188774A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185287A (en) * | 1990-02-22 | 1993-02-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a quantum well structure |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP3111886A patent/JPS62188774A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185287A (en) * | 1990-02-22 | 1993-02-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a quantum well structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0535217B2 (ja) | 1993-05-26 |
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