JPS6218773A - 光検出回路 - Google Patents
光検出回路Info
- Publication number
- JPS6218773A JPS6218773A JP60157562A JP15756285A JPS6218773A JP S6218773 A JPS6218773 A JP S6218773A JP 60157562 A JP60157562 A JP 60157562A JP 15756285 A JP15756285 A JP 15756285A JP S6218773 A JPS6218773 A JP S6218773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photocurrent
- voltage
- bias voltage
- photodiode
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光学式の記録再生装置等に用いられる光検
出回路に関するものである。
出回路に関するものである。
第3図は従来から一般的に用いられてきた光検出回路の
一例である。
一例である。
また、第4図は第3図で示した回路を用いた場合の光電
変換特性を示す。
変換特性を示す。
第3図において、1は逆バイアス電圧端子、2は光の入
射量に応じて光電流を発生する光電流発生手段としての
ホトダイオード、3はホトダイオード2に直列に接続さ
れていてホトダイオード2に発生する光電流を電圧に変
換する電流電圧変換手段としての負荷抵抗、4は負荷抵
抗の両端北発生する電圧を増幅する増幅器、5は増幅器
4の出力端子である。
射量に応じて光電流を発生する光電流発生手段としての
ホトダイオード、3はホトダイオード2に直列に接続さ
れていてホトダイオード2に発生する光電流を電圧に変
換する電流電圧変換手段としての負荷抵抗、4は負荷抵
抗の両端北発生する電圧を増幅する増幅器、5は増幅器
4の出力端子である。
また、第4図において、特性曲線Iはホトダイオード2
に光が入射しないときのホトダイオード2のI−V特性
、特性曲線■はホトダイオード2に光が入射したときの
ホトダイオード2のl −V特性、特性曲線■は同じく
ホトダイオード2に光が入射したときのホトダイオード
2のl−V特性、負荷曲線■はホトダイオード2に逆バ
イアス電圧1の電圧をV3としたときの負荷抵抗3によ
り得られる負荷曲線を示す。
に光が入射しないときのホトダイオード2のI−V特性
、特性曲線■はホトダイオード2に光が入射したときの
ホトダイオード2のl −V特性、特性曲線■は同じく
ホトダイオード2に光が入射したときのホトダイオード
2のl−V特性、負荷曲線■はホトダイオード2に逆バ
イアス電圧1の電圧をV3としたときの負荷抵抗3によ
り得られる負荷曲線を示す。
以下、動作について説明する。
第3図において、バイアス電圧端子1に逆バイアス電圧
VBを印加したホトダイオード2には、その入射光量に
応じて光電流が発生する。この光電流により負荷抵抗3
の両端には信号電圧が発生し、この信号電圧を増幅器4
により増幅し、この増幅器により増幅した信号電圧を出
力端子5より出力する。
VBを印加したホトダイオード2には、その入射光量に
応じて光電流が発生する。この光電流により負荷抵抗3
の両端には信号電圧が発生し、この信号電圧を増幅器4
により増幅し、この増幅器により増幅した信号電圧を出
力端子5より出力する。
次に、この回路における光電変換の様子を第4図に従っ
て説明する。
て説明する。
ホトダイオード2に光が入射しない場合には、ホトダイ
オード2は特性曲線IのようなI−V特性を持つが、ホ
トダイオード2に入射する入射光量が増えるに従ってI
−V特性は特性曲線■及び特性曲線■のよう番ご変化す
る。
オード2は特性曲線IのようなI−V特性を持つが、ホ
トダイオード2に入射する入射光量が増えるに従ってI
−V特性は特性曲線■及び特性曲線■のよう番ご変化す
る。
ここにおいて、ホトダイオード2に逆バイアス電圧とし
て電圧■3を印加すると負荷抵抗3の負荷曲線は負荷曲
線■のようになる。
て電圧■3を印加すると負荷抵抗3の負荷曲線は負荷曲
線■のようになる。
従来の光検出回路は以上のように構成されているので、
入射光量に対し出力電圧は良い直線性があるが、入射光
量が大きくなると、その負荷線の制限により非線形とな
る欠点があった。
入射光量に対し出力電圧は良い直線性があるが、入射光
量が大きくなると、その負荷線の制限により非線形とな
る欠点があった。
この発明は上記のような欠点を解消するためになされた
もので、簡単な回路構成で、光検出回路の出力信号レベ
ルの大きさに従って必要なだけの直線を得ることを目的
とする。
もので、簡単な回路構成で、光検出回路の出力信号レベ
ルの大きさに従って必要なだけの直線を得ることを目的
とする。
このため、この発明にかかる光検出回路は電流電圧変換
手段から出力される出力信号の大きさにもとづいて光電
流発生手段にかかる逆バイアス電圧を制御する制御手段
とを備えたことを特徴とするものである。
手段から出力される出力信号の大きさにもとづいて光電
流発生手段にかかる逆バイアス電圧を制御する制御手段
とを備えたことを特徴とするものである。
前記制御手段は前記電流電圧変換手段から出力される出
力信号にもとづいて光電流発生手段にかかる逆バイアス
電圧を調整し、電流電圧変換手段の負荷曲線を変化させ
、光電流発生手段の光電流変換特性の直線性を確保する
。
力信号にもとづいて光電流発生手段にかかる逆バイアス
電圧を調整し、電流電圧変換手段の負荷曲線を変化させ
、光電流発生手段の光電流変換特性の直線性を確保する
。
以下図面にもとづいて本発明の一実施例を説明する。な
お、従来技術と同一構成については同一番号を付してそ
の説明を省略する。
お、従来技術と同一構成については同一番号を付してそ
の説明を省略する。
第1図において、6は増幅器4から出力される出力信号
のピーク値を保持するピークホールド手段としてのピー
クホールド回路、61はダイオード、62はコンデンサ
、63は抵抗、7は増幅と電圧シフトの機能を持つ調整
手段としての増幅器である。
のピーク値を保持するピークホールド手段としてのピー
クホールド回路、61はダイオード、62はコンデンサ
、63は抵抗、7は増幅と電圧シフトの機能を持つ調整
手段としての増幅器である。
ここに、ダイオード61.コンデンサ62.抵抗63は
ピークホールド回路6を構成し、コンデンサ62と抵抗
63を並列接続した並列回路は増幅器4からの出力信号
を保持する。
ピークホールド回路6を構成し、コンデンサ62と抵抗
63を並列接続した並列回路は増幅器4からの出力信号
を保持する。
また、ピークホールド回路6と増幅器7によりホトダイ
オード2にかかる逆バイアス電圧を制御する制御手段と
しての制御回路8を構成している。 次に、このように
構成された光検出回路の動作を第2図にもとづいて説明
する。
オード2にかかる逆バイアス電圧を制御する制御手段と
しての制御回路8を構成している。 次に、このように
構成された光検出回路の動作を第2図にもとづいて説明
する。
ホトダイオード2に光が入射していない場合にはホトダ
イオード2の電流I−電圧Vの特性は特性曲線■のよう
になっている。
イオード2の電流I−電圧Vの特性は特性曲線■のよう
になっている。
ここで、ホトダイオード2に光が入射すると、電流■−
電圧■の特性は特性曲線■のようになり、更に光の入射
量が多くなると、電流I−電圧■の特性は特性曲線■の
ように変化する。
電圧■の特性は特性曲線■のようになり、更に光の入射
量が多くなると、電流I−電圧■の特性は特性曲線■の
ように変化する。
一方、ホトダイオード2に入射される入射光量に応じて
変化する増幅器4の出力信号によって制御回路8はホト
ダイオード2にかかる逆バイアス電圧を調整する。
変化する増幅器4の出力信号によって制御回路8はホト
ダイオード2にかかる逆バイアス電圧を調整する。
これにより、ホトダイオード2にかかる逆バイアス電圧
を電圧VAから電圧■8に変化させると負荷抵抗3の負
荷特性は負荷曲線■から負荷曲線■のように変化し、大
きな信号入力の場合においても、良い直線性が得られる
ことになる。
を電圧VAから電圧■8に変化させると負荷抵抗3の負
荷特性は負荷曲線■から負荷曲線■のように変化し、大
きな信号入力の場合においても、良い直線性が得られる
ことになる。
このように、出力信号レベルの大きさに従って、必要な
だけ直線性が得られるようにホトダイオードの逆バイア
ス電圧が制御されている。
だけ直線性が得られるようにホトダイオードの逆バイア
ス電圧が制御されている。
以上の実施例では、出力信号レベルの検出要素としてピ
ークホールド回路を例に示したが、同様の機能を有する
ものならば他の方法であっても良い。
ークホールド回路を例に示したが、同様の機能を有する
ものならば他の方法であっても良い。
以上説明したように、この発明にかかる光検出回路は電
流電圧変換手段から出力される出力信号の大きさにもと
づいて光電流発生手段にかかる逆バイアス電圧を制御す
る制御手段とを備えたので光電流発生手段の逆バイアス
電圧を制御することができ、光電流発生手段の光電変換
特性の直線性を改善することができる。
流電圧変換手段から出力される出力信号の大きさにもと
づいて光電流発生手段にかかる逆バイアス電圧を制御す
る制御手段とを備えたので光電流発生手段の逆バイアス
電圧を制御することができ、光電流発生手段の光電変換
特性の直線性を改善することができる。
第1図は、この発明の光検出回路の一実施例を示す回路
図、第2図は、その光電変換特性を示す特性図、第3図
は従来の光検出回路を示す回路図、第4図は、その光電
変換特性を示す特性図である。 2・・・光電流発生手段としてのホトダイオード、3・
・・電流電圧変換手段としての負荷抵抗、6・・・ピー
クホールド回路、7・・・調整手段としての増幅器、8
・・・制御手段としての制御回路。 なお、図中同一番号は同一構成要素を示す。
図、第2図は、その光電変換特性を示す特性図、第3図
は従来の光検出回路を示す回路図、第4図は、その光電
変換特性を示す特性図である。 2・・・光電流発生手段としてのホトダイオード、3・
・・電流電圧変換手段としての負荷抵抗、6・・・ピー
クホールド回路、7・・・調整手段としての増幅器、8
・・・制御手段としての制御回路。 なお、図中同一番号は同一構成要素を示す。
Claims (3)
- (1)入射光量に応じて光電流を発生する光電流発生手
段と、該光電流を電圧に変換する電流電圧変換手段と、
該電流電圧変換手段から出力される出力信号の大きさに
もとづいて前記光電流発生手段にかかる逆バイアス電圧
を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする光検出
回路。 - (2)光電流発生手段はホトダイオードから成ることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光検出回路。 - (3)前記制御手段は前記電流電圧変換手段から出力さ
れる出力信号のピーク値を保持するピークホールド手段
と、このピークホールド手段から出力される保持信号に
より電流電圧変換手段の負荷曲線を変化させて前記光電
流発生手段の光電流変換特性の直線性を確保するように
前記光電流発生手段にかかる逆バイアス電圧を調整する
調整手段とからなることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の光検出回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60157562A JPS6218773A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 光検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60157562A JPS6218773A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 光検出回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6218773A true JPS6218773A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15652391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60157562A Pending JPS6218773A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 光検出回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6218773A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5744106Y2 (ja) * | 1978-09-01 | 1982-09-29 | ||
JPS59179453A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | Toyota Motor Corp | 車両用テイルトステアリング装置 |
JPS59153708U (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | 株式会社東芝 | 物体の結合構造 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP60157562A patent/JPS6218773A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5744106Y2 (ja) * | 1978-09-01 | 1982-09-29 | ||
JPS59179453A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | Toyota Motor Corp | 車両用テイルトステアリング装置 |
JPS59153708U (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | 株式会社東芝 | 物体の結合構造 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20000015620A (ko) | 샘플 앤드 홀드방식을 이용한 광변조기의 바이어스 안정화 회로 | |
KR100515078B1 (ko) | 전류 검출에 의한 리미터 회로를 채용한 전류-전압 변환및 증폭 회로 | |
GB1587280A (en) | Photo responsive devices | |
JPS6234169B2 (ja) | ||
JPS6218773A (ja) | 光検出回路 | |
KR20050032369A (ko) | 이득 스위칭 회로를 채용한 pdic용 전류 전압 변환 회로 | |
JPH0257740B2 (ja) | ||
US5821528A (en) | Two light intensities difference convert into frequency modulator for parallel photodiodes | |
JP2674110B2 (ja) | アバランシエホトダイオードのバイアス回路の温度補償回路 | |
JPS58168343A (ja) | 光agc回路 | |
JPH02205086A (ja) | 半導体レーザ制御装置 | |
JPS6276329A (ja) | 光受信回路 | |
JPH0451774B2 (ja) | ||
JPS6218772A (ja) | 光検出回路 | |
JPS61250527A (ja) | 光検出回路 | |
JPH04247761A (ja) | 同期検出回路 | |
JPS639167B2 (ja) | ||
US5025146A (en) | Optical sensor line of amorphous or polycrystalline photoelectric material having a plurality of sensor elements | |
JP2928616B2 (ja) | 光検出装置 | |
GB2163317A (en) | Detection display matrix control circuit | |
JPH0220918A (ja) | 光パワー検出回路 | |
JPS61198934A (ja) | 光送信器 | |
JPS60259917A (ja) | 受光回路 | |
JPH066308A (ja) | 光受信用agc回路 | |
RU1788569C (ru) | Оптоэлектронный усилитель |