JPS62184516A - 電流源 - Google Patents
電流源Info
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- JPS62184516A JPS62184516A JP62020357A JP2035787A JPS62184516A JP S62184516 A JPS62184516 A JP S62184516A JP 62020357 A JP62020357 A JP 62020357A JP 2035787 A JP2035787 A JP 2035787A JP S62184516 A JPS62184516 A JP S62184516A
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- Japan
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- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electronic Switches (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カスコード接続された少なくとも2つのMO
Sトランジスタを有する静止形電流源と、スイッチとし
て駆動される少なくとも1つのMOSトラ〉ジヌタとを
備えた電流源に関する。
Sトランジスタを有する静止形電流源と、スイッチとし
て駆動される少なくとも1つのMOSトラ〉ジヌタとを
備えた電流源に関する。
この種の電流源は、例えば文献[IEEE国際固体回路
会議+ 1985 1BEB Internatio
nalSolid−8tate C1rcuits C
onference l 13゜1985年2月、第3
2頁」から公知である。
会議+ 1985 1BEB Internatio
nalSolid−8tate C1rcuits C
onference l 13゜1985年2月、第3
2頁」から公知である。
この種の公知の電流源の一例が第4図1:緑理図で示さ
れている。これは、カスコード接続された2つのMOS
トランジスタT1、T2と、各分岐にそれぞれ7つのM
QSスイッチングトランジスタT3.T4を持つ。両型
流源トランジスタT]、T2は固定のゲート電圧VG1
、VG2によって飽和範囲で運転される。スイッチング
トランジスタT3.T4はゲート電圧VGS3.VGS
4Cよりスイッチとして運転され、しかもこれらのトラ
ンジスタは導通状態(二おいてトライオード範囲で動作
する。スイッチングトランジスタT3が導通しているか
、またはスイッチングトランジスタT4が導通している
かに応じて、相応のトランジスタおよび電流源トランジ
スタT1、T2を介して、等しい大きさを持つ電流11
もしくは電流■2が流れる。先C二述べた様式の回路装
置はカスコード接続された2つの電流源トランジスタT
1、T2によって1つのみの電流源トランジスタに比べ
て著しく高い内部インピーダンスが実現されているとい
う利点を持つ。
れている。これは、カスコード接続された2つのMOS
トランジスタT1、T2と、各分岐にそれぞれ7つのM
QSスイッチングトランジスタT3.T4を持つ。両型
流源トランジスタT]、T2は固定のゲート電圧VG1
、VG2によって飽和範囲で運転される。スイッチング
トランジスタT3.T4はゲート電圧VGS3.VGS
4Cよりスイッチとして運転され、しかもこれらのトラ
ンジスタは導通状態(二おいてトライオード範囲で動作
する。スイッチングトランジスタT3が導通しているか
、またはスイッチングトランジスタT4が導通している
かに応じて、相応のトランジスタおよび電流源トランジ
スタT1、T2を介して、等しい大きさを持つ電流11
もしくは電流■2が流れる。先C二述べた様式の回路装
置はカスコード接続された2つの電流源トランジスタT
1、T2によって1つのみの電流源トランジスタに比べ
て著しく高い内部インピーダンスが実現されているとい
う利点を持つ。
しかしながら、この回路装置は電流源トランジスタTl
、T2とスイッチングトランジスタT3、T4との接続
点に存在する破線で図示された寄生静電容量CPがスイ
ッチングトランジスタT3、T4のドレイン電圧(二依
存して各スイッチング過程で充放電されるという欠点を
有する。これ(二よって各切換過程の開始位相において
目標電流■1もしくはT2からずれた電流が流れる。
、T2とスイッチングトランジスタT3、T4との接続
点に存在する破線で図示された寄生静電容量CPがスイ
ッチングトランジスタT3、T4のドレイン電圧(二依
存して各スイッチング過程で充放電されるという欠点を
有する。これ(二よって各切換過程の開始位相において
目標電流■1もしくはT2からずれた電流が流れる。
本発明の目的は、冒頭に述べた電流源において、目標電
流からの上述の如きずれを避けることができるようC二
することにある。
流からの上述の如きずれを避けることができるようC二
することにある。
上記の目的は、本発明によれば、冒頭に述べたようなM
OSトランジスタにおいて、少なくとも2つの分岐を有
し、それらの分岐に少なくとも1つの電流源トランジス
タが共通であり、両分岐が同時(=池の電流源トランジ
スタをなす少なくとも1つのスイッチングトランジスタ
を含むことによって達成される。
OSトランジスタにおいて、少なくとも2つの分岐を有
し、それらの分岐に少なくとも1つの電流源トランジス
タが共通であり、両分岐が同時(=池の電流源トランジ
スタをなす少なくとも1つのスイッチングトランジスタ
を含むことによって達成される。
以下1図面の第1図ないし第3図に示された実施例を参
照しながら、本発明を更(二詳細に説明する。
照しながら、本発明を更(二詳細に説明する。
第1図は本発明による電流源の実施例の原理回路図、第
2図は本発明による電流源の他の実施例の原理回路図、
第3図は本発明(二よる電流源のスイッチングトランジ
スタもしくは電流源トランジスタのゲート電圧を発生す
る回路装置の実施例の原理回路図である。
2図は本発明による電流源の他の実施例の原理回路図、
第3図は本発明(二よる電流源のスイッチングトランジ
スタもしくは電流源トランジスタのゲート電圧を発生す
る回路装置の実施例の原理回路図である。
第1図の本発明による電流源の実施例では、電流源トラ
ンジスタをなすMOSトランジスタT+2が設けられ、
各分岐には別のMOSトランジスタT]3もしくはT1
4が設けられている。この場合に、電流源トランジスタ
T12は第4図による従来の回路装置の電流源トランジ
スタT】に相当する。
ンジスタをなすMOSトランジスタT+2が設けられ、
各分岐には別のMOSトランジスタT]3もしくはT1
4が設けられている。この場合に、電流源トランジスタ
T12は第4図による従来の回路装置の電流源トランジ
スタT】に相当する。
第4図による従来の電流源とは違って、第4図による電
流源のトランジスタT3もしくはT4に対応する形式の
トランジスタTI3もしくはT目がスイッチングトラン
ジスタのみならず、同時(二重流源トランジスタも形成
している。即ち、トランジスタT12.T13もしくは
T]2.T14が、それぞれカスコード接続された電流
源トランジスタ対として、第4図(二よる従来の電流源
のトランジスタTl、T2の意味で形成されている。
流源のトランジスタT3もしくはT4に対応する形式の
トランジスタTI3もしくはT目がスイッチングトラン
ジスタのみならず、同時(二重流源トランジスタも形成
している。即ち、トランジスタT12.T13もしくは
T]2.T14が、それぞれカスコード接続された電流
源トランジスタ対として、第4図(二よる従来の電流源
のトランジスタTl、T2の意味で形成されている。
したがって、本発明(二よれは、両トランジスタT13
.T]4が同時C二重流源トランジスタの機能とスイッ
チングトランジスタの機能とを果たすことが重要である
。これは、トランジスタT]3、T14が飽和領域で運
転され、そのためにその都度両トランジスタのうちの一
方が導通するように両トランジスタT]3.T14のゲ
ート電圧が2つの適当な一定電圧の間で切換えられるこ
と(二によって行われる。第1図による電流源における
トランジスタのそれぞれのゲート電圧はV(H2もしく
はVGS]3もしくはVGS ] 4にて示されている
。
.T]4が同時C二重流源トランジスタの機能とスイッ
チングトランジスタの機能とを果たすことが重要である
。これは、トランジスタT]3、T14が飽和領域で運
転され、そのためにその都度両トランジスタのうちの一
方が導通するように両トランジスタT]3.T14のゲ
ート電圧が2つの適当な一定電圧の間で切換えられるこ
と(二によって行われる。第1図による電流源における
トランジスタのそれぞれのゲート電圧はV(H2もしく
はVGS]3もしくはVGS ] 4にて示されている
。
電流源トランジスタとしてと同時にスイッチングトラン
ジスタとして動作する両トランジスタT]3およびT1
4が飽和領域で運転されることによって、これらの両ト
ランジスタのソース結節点をなす共通結節点におけるド
レイン電圧に関係なく1.電圧が一定C二保たれ、それ
(二より寄生の静電容量Cpの有害な充放電が回避され
る。
ジスタとして動作する両トランジスタT]3およびT1
4が飽和領域で運転されることによって、これらの両ト
ランジスタのソース結節点をなす共通結節点におけるド
レイン電圧に関係なく1.電圧が一定C二保たれ、それ
(二より寄生の静電容量Cpの有害な充放電が回避され
る。
第1図(二よる電流源の分岐の少なくとも一方は、特(
二は図示されていない容叶性負荷に接続されることがで
き、この負荷を介して例えば電流■]が基準電位in向
けて流れる。
二は図示されていない容叶性負荷に接続されることがで
き、この負荷を介して例えば電流■]が基準電位in向
けて流れる。
第2図は、原理的には第1図(二よる実施例に対応する
が、しかし双方向性の電流源を実現するために第1図≦
二対応する2つの相補形の回路部分が設けられている本
発明による電流源の実施例を示す。その場合(二対窓す
るトランジスタはT]2〜T14もしくはT22〜T2
4にて、対応するゲート電圧はVG]2 ; VGS]
3. VGS14もしくはVG22 ; Vに823
,VGS24 にて示されている。
が、しかし双方向性の電流源を実現するために第1図≦
二対応する2つの相補形の回路部分が設けられている本
発明による電流源の実施例を示す。その場合(二対窓す
るトランジスタはT]2〜T14もしくはT22〜T2
4にて、対応するゲート電圧はVG]2 ; VGS]
3. VGS14もしくはVG22 ; Vに823
,VGS24 にて示されている。
図示されている出力端に生じる電流はI]]、I]2も
しくは12]、122にて示され、その場合に接続され
た電流源の相補形の構成により矢印で示さてた反対向き
の電流が生じる。
しくは12]、122にて示され、その場合に接続され
た電流源の相補形の構成により矢印で示さてた反対向き
の電流が生じる。
第3図には第1図による実施例C二対窓する(第2図に
よる実施例(二も類似する)電流源のためのゲート電圧
発生回路装置が示されている。この実施例では、ダイオ
ードとして接続されている直列の2つのMOSトランジ
スタTD1、TD2が設けられ、これらのMOSトラン
ジスタには基準電流IRefが供給される。電流源トラ
ンジスタとしてと同時にスイッチングトランジスタとし
て動作するトランジスタT13、T14を農述のように
飽和領域における運転のために2つの適当な一定のゲー
ト電圧を供給するためC二、スイッチSが設けられ、こ
のスイッチによって、ダイオードとして接続されたトラ
ンジスタTD1、TD2の間でゲートが次のように切換
可能になっている。即ち、トランジスタのゲートに一方
の場合(看ま両ダイオードの合成電圧がかかシ、他方の
場合には下側のダイオードTDIの電圧がかかるように
切換可能C二なっている。この結果その都度一方のトラ
ンジスタ(例えばトランジスタT]3)に両ダイオード
の電圧がかかシ、他方のトランジスタ(例えばトランジ
スタTJ4)i1下側のダイオードTDIの電圧がかか
るよう(二なる。この場合に、同時に下側のダイオード
TDIの電圧は、同様に飽和領域で運転される電流源ト
ランジスタT12のためのゲート電圧にもなシ得る。
よる実施例(二も類似する)電流源のためのゲート電圧
発生回路装置が示されている。この実施例では、ダイオ
ードとして接続されている直列の2つのMOSトランジ
スタTD1、TD2が設けられ、これらのMOSトラン
ジスタには基準電流IRefが供給される。電流源トラ
ンジスタとしてと同時にスイッチングトランジスタとし
て動作するトランジスタT13、T14を農述のように
飽和領域における運転のために2つの適当な一定のゲー
ト電圧を供給するためC二、スイッチSが設けられ、こ
のスイッチによって、ダイオードとして接続されたトラ
ンジスタTD1、TD2の間でゲートが次のように切換
可能になっている。即ち、トランジスタのゲートに一方
の場合(看ま両ダイオードの合成電圧がかかシ、他方の
場合には下側のダイオードTDIの電圧がかかるように
切換可能C二なっている。この結果その都度一方のトラ
ンジスタ(例えばトランジスタT]3)に両ダイオード
の電圧がかかシ、他方のトランジスタ(例えばトランジ
スタTJ4)i1下側のダイオードTDIの電圧がかか
るよう(二なる。この場合に、同時に下側のダイオード
TDIの電圧は、同様に飽和領域で運転される電流源ト
ランジスタT12のためのゲート電圧にもなシ得る。
ダイオード区間TD1、TD2の電圧を保持するためC
二、特にコンデンサC1、C2が設(すられている。
二、特にコンデンサC1、C2が設(すられている。
ダイオードとして接続されている両トランジスタ’I”
D]、TD2およびトランジスタT12.TI3は一つ
の電流ミラーをなしているが、図を簡単(二するためト
ランジスタT]4を備えた他方の分岐に対する相応の構
成は特には図示されていない。
D]、TD2およびトランジスタT12.TI3は一つ
の電流ミラーをなしているが、図を簡単(二するためト
ランジスタT]4を備えた他方の分岐に対する相応の構
成は特には図示されていない。
もちろんその場合(二は、ダイオードとして接続された
トランジスタTD1、’rD2の直列回路はトランジス
タT14のゲート電圧の発生にも使用することができる
。
トランジスタTD1、’rD2の直列回路はトランジス
タT14のゲート電圧の発生にも使用することができる
。
以上のように本発明によれば、少なくとも2つの分岐を
有し、それらの分岐(ニルなくとも1つの電流源トラン
ジスタが共通であり1両分岐が同時に他の電流源トラン
ジスタをなす少なくとも1つのスイッチングトランジス
タを含むことによって、各切換過程の開始位相において
目標電流からのずれを避けることができる。
有し、それらの分岐(ニルなくとも1つの電流源トラン
ジスタが共通であり1両分岐が同時に他の電流源トラン
ジスタをなす少なくとも1つのスイッチングトランジス
タを含むことによって、各切換過程の開始位相において
目標電流からのずれを避けることができる。
第1図は本発明(二よる電流源の実施例の原理回路図、
第2図は本発明C二よる電流源の他の実施例の原理回路
図、第3図は本発明による電流源のスイッチングトラン
ジスタもしくは電流源トランジスタのゲート電圧を発生
する回路装置の実施例の原理回路図、第4図は従来の電
流源の一例を示す回路図である。 T12.T22・・・電流源トランジスタ、 T13゜
T14.T23.T24・・・スイッチングトランジス
久TD1、TD2・・・ダイオードとして接続されたM
OSトランジスタ。 IG 4 IG 1 IG3
第2図は本発明C二よる電流源の他の実施例の原理回路
図、第3図は本発明による電流源のスイッチングトラン
ジスタもしくは電流源トランジスタのゲート電圧を発生
する回路装置の実施例の原理回路図、第4図は従来の電
流源の一例を示す回路図である。 T12.T22・・・電流源トランジスタ、 T13゜
T14.T23.T24・・・スイッチングトランジス
久TD1、TD2・・・ダイオードとして接続されたM
OSトランジスタ。 IG 4 IG 1 IG3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)カスコード接続された少なくとも2つのMOSトラ
ンジスタを有する静止形電流源と、スイッチとして運転
される少なくとも1つのMOSトランジスタとを備えた
電流源において、少なくとも2つの分岐を有し、両分岐
に少なくとも1つの電流源トランジスタ(T12;T1
2、T22)が共通であり、両分岐は同時に他の電流源
トランジスタをなす少なくとも1つのスイッチングトラ
ンジスタ(T13、T14;T13、T14もしくはT
23、T24)を含むことを特徴とする電流源。 2)双方向性の電流源を実現するために少なくとも1つ
の別の相補形の分岐を有することを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の電流源。 3)分岐の少なくとも1つに容量性負荷が接続れている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記
載の電流源。 4)スイッチングトランジスタ(T13、T14;T1
3、T14もしくはT23、T24)の回路電圧供給の
ため、もしくは電流源トランジスタ(T12;T12、
T22)の回路電圧供給のために、少なくとも2つの直
列になっているダイオードとして接続されたMOSトラ
ンジスタ(TD_1、TD_2)が設けられ、これらの
MOSトランジスタはスイッチングトランジスタおよび
電流源トランジスタと共に電流ミラーを構成し、ダイオ
ードとして接続されたMOSトランジスタの一つから各
電流源トランジスタのゲート電圧が取り出され、各スイ
ッチングトランジスタのゲート電圧はダイオードとして
接続されたMOSトランジスタによって切換可能に取り
出せることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
3項のいずれか1項に記載の電流源。 5)ダイオードとして接続されたMOSトランジスタ(
TD_1、TD_2)にそれぞれ保持コンデンサ(C_
1、C_2)が接続されていることを特徴とする特許請
求の範囲第4項記載の電流源。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3603241,7 | 1986-02-03 | ||
DE3603241 | 1986-02-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62184516A true JPS62184516A (ja) | 1987-08-12 |
JP2782436B2 JP2782436B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=6293251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62020357A Expired - Lifetime JP2782436B2 (ja) | 1986-02-03 | 1987-01-30 | 電流源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4841222A (ja) |
EP (1) | EP0231872B1 (ja) |
JP (1) | JP2782436B2 (ja) |
KR (1) | KR950010132B1 (ja) |
AT (1) | ATE77180T1 (ja) |
DE (1) | DE3779666D1 (ja) |
Cited By (1)
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JP2006031596A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Renesas Technology Corp | 電流源回路及び差動増幅器 |
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GB9404013D0 (en) * | 1994-03-02 | 1994-04-20 | Inmos Ltd | Current generating unit |
DE69514090T2 (de) * | 1995-03-31 | 2000-05-25 | St Microelectronics Srl | Oszillatorschaltung mit einer versorgungsspannungsunabhängigen Oszillatorfrequenz |
US5990753A (en) * | 1996-01-29 | 1999-11-23 | Stmicroelectronics, Inc. | Precision oscillator circuit having a controllable duty cycle and related methods |
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-
1987
- 1987-01-28 EP EP87101174A patent/EP0231872B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-28 AT AT87101174T patent/ATE77180T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-01-28 DE DE8787101174T patent/DE3779666D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-30 JP JP62020357A patent/JP2782436B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-30 US US07/009,251 patent/US4841222A/en not_active Expired - Lifetime
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