JPS6218072Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6218072Y2 JPS6218072Y2 JP17152681U JP17152681U JPS6218072Y2 JP S6218072 Y2 JPS6218072 Y2 JP S6218072Y2 JP 17152681 U JP17152681 U JP 17152681U JP 17152681 U JP17152681 U JP 17152681U JP S6218072 Y2 JPS6218072 Y2 JP S6218072Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- light emitting
- emitting diode
- circuit board
- printed circuit
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は安価なフエノール樹脂系のプリント基
板を用い発光ダイオードと回路用の半導体素子と
を同一の基板上に載置した発光ダイオード表示器
に関する。
板を用い発光ダイオードと回路用の半導体素子と
を同一の基板上に載置した発光ダイオード表示器
に関する。
従来発光ダイオード表示器にその発光ダイオー
ドを駆動するためのドライバ又は演算回路を取り
つける場合にはフラツトパツケージ又はデユアル
インラインパツケージにモールドされた半導体素
子を用いていたが、近年、第１図に示すように半
導体素子１５を基板１１に直接取り付ける事によ
り、小型化する商品が出されはじめた。これらの
表示器には基板１１にセラミツク基板又は白色エ
ポキシ基板を用いているが、これは一般のエポキ
シ基板又はフエノール基板を用いると半導体素子
１５が誤動作を生じるためである。しかしセラミ
ツク基板や白色エポキシ基板は基板の中では高価
な為、表示器全体の価格を高くしていた。そこで
特に安価なフエノール基板について種々検討した
所、半導体素子１５の誤動作は基板１５からの光
の侵入による光エネルギーに起因していると判断
した。この光は半導体素子１５のま裏から強い光
をあてた時に最も影響が大きいが、表示器の取付
具が板金であつた場合、同一基板上の発光ダイオ
ード１８，１８からの光も影響を受ける事が判つ
た。
ドを駆動するためのドライバ又は演算回路を取り
つける場合にはフラツトパツケージ又はデユアル
インラインパツケージにモールドされた半導体素
子を用いていたが、近年、第１図に示すように半
導体素子１５を基板１１に直接取り付ける事によ
り、小型化する商品が出されはじめた。これらの
表示器には基板１１にセラミツク基板又は白色エ
ポキシ基板を用いているが、これは一般のエポキ
シ基板又はフエノール基板を用いると半導体素子
１５が誤動作を生じるためである。しかしセラミ
ツク基板や白色エポキシ基板は基板の中では高価
な為、表示器全体の価格を高くしていた。そこで
特に安価なフエノール基板について種々検討した
所、半導体素子１５の誤動作は基板１５からの光
の侵入による光エネルギーに起因していると判断
した。この光は半導体素子１５のま裏から強い光
をあてた時に最も影響が大きいが、表示器の取付
具が板金であつた場合、同一基板上の発光ダイオ
ード１８，１８からの光も影響を受ける事が判つ
た。
本考案は上述の実験結果に基づいてなされたも
ので、さらにフエノール基板の製造を容易ならし
めかつ表示輝度も向上させる事の出来る発光ダイ
オード表示器を提供できる。以下実施例に基づい
て本考案を詳細に説明する。
ので、さらにフエノール基板の製造を容易ならし
めかつ表示輝度も向上させる事の出来る発光ダイ
オード表示器を提供できる。以下実施例に基づい
て本考案を詳細に説明する。
第２図は本考案実施例の発光ダイオード表示器
の断面図で１はプリント基板である。このプリン
ト基板１は紙材にフエノール樹脂を含浸させた樹
脂基台２の一面に白色エポキシ樹脂から成る不透
明な絶縁層３を積層し、さらにその上に銅等から
なる導伝箔層４を積層し、その後エツチング等に
より導電箔層４を所望のパターンに形成したもの
である。５はシリコン等の集積回路素子即ち半導
体素子であり、導電箔層４上に載置固着され金属
細線６，６で配線が施こしてある。さらに不透明
なセラミツクキヤツプ等の絶縁層７で覆つてある
が、必要に応じて黒色樹脂等でモールドしてもよ
い。８，８…は燐化ガリウム等からなる発光ダイ
オードで、半導体素子５と同様導電箔層４上に固
着され金属細線６，６で配線してある。これらの
発光ダイオード８，８を白色樹脂成型品等からな
る反射枠９で包囲し、光拡散シート１０を利用す
る事で発光ダイオード８，８…の表面積よりはる
かに広い表示面積を得る事ができる。
の断面図で１はプリント基板である。このプリン
ト基板１は紙材にフエノール樹脂を含浸させた樹
脂基台２の一面に白色エポキシ樹脂から成る不透
明な絶縁層３を積層し、さらにその上に銅等から
なる導伝箔層４を積層し、その後エツチング等に
より導電箔層４を所望のパターンに形成したもの
である。５はシリコン等の集積回路素子即ち半導
体素子であり、導電箔層４上に載置固着され金属
細線６，６で配線が施こしてある。さらに不透明
なセラミツクキヤツプ等の絶縁層７で覆つてある
が、必要に応じて黒色樹脂等でモールドしてもよ
い。８，８…は燐化ガリウム等からなる発光ダイ
オードで、半導体素子５と同様導電箔層４上に固
着され金属細線６，６で配線してある。これらの
発光ダイオード８，８を白色樹脂成型品等からな
る反射枠９で包囲し、光拡散シート１０を利用す
る事で発光ダイオード８，８…の表面積よりはる
かに広い表示面積を得る事ができる。
上述の構成のうちプリント基板１についてさら
に詳述する。従来フエノール基板は紙材にフエノ
ール樹脂を含浸させ基台（第１図１２）と導電箔
層（第１図１４）とは接着力が弱い為、他のエポ
キシ基板等で用いる機械的打鋲のみでは剥離しや
すいので、導電箔層１４の裏面を粗面加工した上
で接着剤（例えばビニルアセタール変性フエノー
ル樹脂等）を用いていた。本考案のプリント基板
１では樹脂基台２と導電箔層４との間にエポキシ
樹脂等の絶縁層３が介在するので機械的打鋲のみ
で製造できる。この絶縁層３は前述の実験をもと
に半導体素子５の裏面からの光の侵入を防ぐもの
であるが、単に不透明というだけでなく炭酸カル
シウム等を用いて光反射性を具備させ、シート状
にして半導体素子５の周縁のみならず全面にする
事で、プリント基板１の製造が容易になるのみで
なく発光ダイオード８，８の光を表示面側に指向
させる底面反射器とする事ができる。このような
絶縁層３は厚さは20μｍ乃至40μｍあれば充分で
あり、半導体素子５を直接この絶縁層３の上に載
置してもよい。
に詳述する。従来フエノール基板は紙材にフエノ
ール樹脂を含浸させ基台（第１図１２）と導電箔
層（第１図１４）とは接着力が弱い為、他のエポ
キシ基板等で用いる機械的打鋲のみでは剥離しや
すいので、導電箔層１４の裏面を粗面加工した上
で接着剤（例えばビニルアセタール変性フエノー
ル樹脂等）を用いていた。本考案のプリント基板
１では樹脂基台２と導電箔層４との間にエポキシ
樹脂等の絶縁層３が介在するので機械的打鋲のみ
で製造できる。この絶縁層３は前述の実験をもと
に半導体素子５の裏面からの光の侵入を防ぐもの
であるが、単に不透明というだけでなく炭酸カル
シウム等を用いて光反射性を具備させ、シート状
にして半導体素子５の周縁のみならず全面にする
事で、プリント基板１の製造が容易になるのみで
なく発光ダイオード８，８の光を表示面側に指向
させる底面反射器とする事ができる。このような
絶縁層３は厚さは20μｍ乃至40μｍあれば充分で
あり、半導体素子５を直接この絶縁層３の上に載
置してもよい。
以上の如く本考案は、フエノール樹脂系の樹脂
基台と、その樹脂基台に積層された不透明な絶縁
層と、その絶縁層上に積層された導電箔層とから
成るプリント基板と、そのプリント基板の導電箔
層上に載置された発光ダイオードと、プリント基
板上に載置され不透明な絶縁層で覆われた半導体
素子とを具備した発光ダイオード表示器であるか
ら安価で製造も容易である。さらにその絶縁層に
光反射性をもたせる事で表示を明るくする事もで
きる。
基台と、その樹脂基台に積層された不透明な絶縁
層と、その絶縁層上に積層された導電箔層とから
成るプリント基板と、そのプリント基板の導電箔
層上に載置された発光ダイオードと、プリント基
板上に載置され不透明な絶縁層で覆われた半導体
素子とを具備した発光ダイオード表示器であるか
ら安価で製造も容易である。さらにその絶縁層に
光反射性をもたせる事で表示を明るくする事もで
きる。
第１図は従来の表示器の断面図、第２図は本考
案実施例の発光ダイオード表示器の断面図であ
る。 １……プリント基板、２……樹脂基台、３……
絶縁層、４……導電箔層、５……半導体素子、７
……絶縁層、８，８……発光ダイオード。
案実施例の発光ダイオード表示器の断面図であ
る。 １……プリント基板、２……樹脂基台、３……
絶縁層、４……導電箔層、５……半導体素子、７
……絶縁層、８，８……発光ダイオード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ フエノール樹脂系の樹脂基台と、その樹脂基
台に積層された不透明な絶縁層と、その絶縁層
上に積層された導電箔層とから成るプリント基
板と、そのプリント基板の導電箔層上に載置さ
れた発光ダイオードと、プリント基板上に載置
され不透明な絶縁体で覆われた半導体素子とを
具備した事を特徴とする発光ダイオード表示
器。 ２ 前記絶縁層は光反射性の絶縁層である事を特
徴とする前記実用新案登録請求の範囲第１項記
載の発光ダイオード表示器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17152681U JPS5877071U (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 発光ダイオ−ド表示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17152681U JPS5877071U (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 発光ダイオ−ド表示器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877071U JPS5877071U (ja) | 1983-05-24 |
| JPS6218072Y2 true JPS6218072Y2 (ja) | 1987-05-09 |
Family
ID=29963445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17152681U Granted JPS5877071U (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 発光ダイオ−ド表示器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877071U (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0517894Y2 (ja) * | 1985-12-13 | 1993-05-13 | ||
| JP2526470Y2 (ja) * | 1988-10-12 | 1997-02-19 | 三洋電機株式会社 | 面発光素子 |
| JP2002124703A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-04-26 | Rohm Co Ltd | チップ型発光装置 |
| WO2007072659A1 (ja) * | 2005-12-20 | 2007-06-28 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | 発光装置 |
| JP2007294867A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP17152681U patent/JPS5877071U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5877071U (ja) | 1983-05-24 |
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