JPS62178583A - ベンジルアミノアセタ−ル誘導体の製造方法 - Google Patents

ベンジルアミノアセタ−ル誘導体の製造方法

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JPS62178583A
JPS62178583A JP61015366A JP1536686A JPS62178583A JP S62178583 A JPS62178583 A JP S62178583A JP 61015366 A JP61015366 A JP 61015366A JP 1536686 A JP1536686 A JP 1536686A JP S62178583 A JPS62178583 A JP S62178583A
Authority
JP
Japan
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acetal
yield
benzylaminoacetal
reaction
methylbenzylaminodimethyl
Prior art date
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Pending
Application number
JP61015366A
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English (en)
Inventor
今木 直
詑摩 勇樹
大石 真里
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Mitsubishi Chemical America Inc
Original Assignee
Mitsubishi Chemical America Inc
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Publication date
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Priority to EP19900402393 priority patent/EP0404694A3/en
Priority to EP86401866A priority patent/EP0214051A3/en
Priority to KR1019860007130A priority patent/KR900000967B1/ko
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  • Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はベンジルアミノアセタール誘導体の製造方法に
関する。
さらに詳しくは、本発明は医薬品等の有用な中間原料で
ある下記一般式(3)で示されるベンジルアミノアセタ
ール誘導体の製造法に関する。
(式中でRは低級アルキル基を示す。)なお上記一般式
(3)で示されるベンジにアミノアセタール誘導体は新
規化合物である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ベンジルアミン誘導体はベンズアルデヒド誘導体のアミ
ン化反応により製造され従来法では、下記コニ程で目的
のベンジルアミノアセタール誘導体へ導く。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の要旨は、下記構造式(1) で示される/−メトキシーコ、!−メチレンジオキシベ
ンズアルデヒドを下記一般式(2)で示されるアセター
ル R (式中Rは低級アルキル基を示す。) および酸の存在下還元することを特徴とする下記一般式
(3) (式中Rは、上記一般式(,2)で定諦したとおシであ
る。) で示されるベンジルアミノアセタール誘導体の製造法に
存する。
94体に公知の化−fjr物(Aunt + :J r
 Ohemt 2り。
−〇〇! 、/?7ご)である。
このベンズアルデヒド誘導体は公知の方法よシ0−バニ
リンを出発原料として次式に従って合成される。
本発明方法で使用される酸としてはHCl 。
H2BO3、aH,aooH1aF13cooH,p 
−ト# x ンスルホン酸等の無機酸または有機酸が挙
げられ、その使用量はベンズアルデヒド/そルに対して
0.07〜10モル、好まシくは0.7〜4モルである
同じく本発明方法で使用される還元剤としてはNtLB
HBON%NaBH4が挙げられるが、固体触媒の存在
下接触水添による方法でも良(、NaBB3CNあるい
はNl!LB!!4を使用する場合よシ選択性が良い。
固体触媒としては、Pd10. Pa/At、O,ある
いはpt/Az鵞03、Pt/ 01PtOs  等の
白金族触媒が挙げられる。
還元剤を使用する場合の使用量はベンズアルデヒド1モ
ルに対し0.2 j〜70モル、好ましくは7〜2モル
であシ、固体触媒の場合の使用tはベンズアルデヒド1
モル−ルに対し0.00θ/〜θ、01モル、好ましく
は0,0θ/〜0.01モルである。
この場合の水素圧は%/〜/ Okg/a/i−G 、
好ましくは/〜−2kg/d−Gである。
反応溶媒としては、反応に不活性な溶媒ならば何でもよ
い。好ましくは、MeOH,EtOH等アルコール溶媒
が使用される。
反応温度は、0〜750℃、好ましくは10〜10℃で
ある。
〔実施例〕
以下、実施例によシ、本発明をさらに詳細に説明するが
、本発明は、その要旨を越えない限シ以下の実施例によ
って限定されるものではない。
実施例−/ 100t+!/のエタノールに塩酸ココ、−fを溶かし
たエタノール溶液へr3m1%N−メチルアミノアセト
アルデヒドジメチルアセタール3.タイt%コーノコ−
シー3,4t−メチレンジオキシベンズアルデヒド/、
09.ソジウムシアノボロハイドライド0.3 j t
 、エタノール10−を仕込み、窒素気流下オイルパス
中、20℃にて一時間攪拌した。反応終了後、室温まで
冷却し、−NのNaOH溶液でアルカリ性(pH//)
にし、酢酸エチルで抽出し念。抽出液をGo、’1.+
O分析したところ、原料である2御メトキシー3.9を
一メチレンジオキシベンズアルデヒドは認められず(転
換率10θ%)、生成物としては、−一メトキシー3.
4t−メチレンジオキシ−N−メチルベンジルアミノジ
メチルアセタール/、50f(収率り5%)、コーメト
キシー3,9t−メチレンジオキシベンジルアルコール
0.0 % 4 t(収率弘、9%)であった。目的物
であるコーメトキシー3.ヌーメチレンジオキシーN−
メチルベンジルアミノジメチルアセタールの選択性はり
5%であった。
実施例−一 100dのエタノールに塩醸コ2,2 fを溶かしたエ
タノール溶液/、r J tdlN−メチルアミノアセ
トアルデヒドジメチルアセタール3.?6t%−−ノー
−シー3.弘−メチレンジオキシペンズアルデヒド/、
09.エタノール10m1.jチパラジウムーカーボン
0./ 、2 fを仕込み、室温にて水添反応を行なっ
た。反応は3.5時間で終了させた。水素吸収量は理論
量に対して/コ0チであった。反応終了後、濾過によシ
バラジウム−カーボンを除去し、テ液にコN NaOH
水溶液を加えてアルカリ性(pH/ / )にした後、
酢酸エチルで抽出した。抽出液をGo 、 T、+O分
析してみたところ、原料であるコーメトキシー3、ター
メチレンジオキシベンズアルデヒドは認められず、コー
メトキシー3.弘−メチレンジオキシーN−メチルベン
ジルアミノジメチルアセタール/、9t7 t (収率
93%)、コーメトキシ−7,% −メチレンジオキシ
ベンジルアルコール0.0 /コ?(収率/%)、コー
メトキシー3.弘−メチレンジオキシトルエン2.9t
my (収率0)%)であった。目的物である一一メト
キシーJ、% −メf レンジオキシ−N−メチルベン
ジルアミノジメチルアセタールの選択性はタッチであっ
た。
実施例−3 100tdのエタノールに塩酸ココ、J fを溶かした
エタノール溶液0.9d、N−メチルアミノアセトアル
デヒドジメチルアセタール/、り/P。
−一メトキシー3.ターメチレンジオキシペンズアルデ
ヒ゛ド/、09.エタノール10td、触媒として!チ
パラジウムーカーボン0./ J tを仕込み、室温に
て水添反応を行なった。3時間で反応を止めた。水素吸
収量は、理論量に対して703%であった。反応終了後
、炉遇してパラジウム−カーボンを除去し、P液にコN
 NaOH水溶液を加えてアルカリ性(I)H//)K
した後、酢酸エチルで抽出した。抽出液を、Go。
10分析したところ、原料であるλ−メトキシz、s 
−1+レンジオキシーN−メチルベンジルアミノジメチ
ルアセタール/、λりP(収率/λ%)、J−メトキシ
−3,メーメチレンジオキシペンジルアルコール0./
 / f (収率//%)、λ−メトキシー3−−メチ
レンジオキシトルエン0.OJ t (収率、2%)で
あった。目的物であるコーメトキシー3.弘−メチレン
ジオキシーN−メチルベンジルアミノジメチルアセター
ルの選択性は//%であった。
実施例−な 触媒を5%プラチナ−カーボンo、s a t トL。
て、実施例−3と同量仕込み、室温にて、水添反応を行
ない、3時間反応させた。水素吸収量は理論量に対して
777%であった。反応終了後、濾過してプラチナ−カ
ーボンを除去し、戸数にjNNaOH水溶液を加えてア
ルカリ性(pH//)にした後、酢酸エチルで抽出した
。抽出液を、Go、LC分析したところ、原料であるコ
ーメトキシー3.弘−メチレンジオキシベンズアルデヒ
ドはθ、g1!Ig(転換率A/θ0チ)、−一メトキ
シー7.%−メチレンジオキシ−N−メチルベンジルア
ミノジメチルアセタール/、! 、2 f(収率/%%
)、コーメトキシー3,4t−メチレンジオキシベンジ
ルアルコール0./ J ? (収率/3%)、ノーメ
トキシ−3,弘−メチレンジオキシトルエンgTnf!
(収率0.ρ%)であった。目的物であるノーメトキシ
−3,ターメチレンジオキシ−N−メチルベンジルアミ
ノジメチルアセタールの選択性は27%であつ念。
実施例−! /θOmeのメタノールに塩酸コj?を溶かしたメタノ
ール溶液0./6d%N−メチルアミノアセトアルデヒ
ドジメチルアセタール0.7り?、コーメトキシー3.
弘−メチレンジオキシベンズアルデヒドへor1ソジウ
ムシアノボロハイドライドo、zst、メタノール10
1を仕込み、窒素気流下、オイルバス中、70℃K チ
ー1 時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、2
NのNaOH水溶液でアルカリ性(pH/ / )にし
、酢酸エチルで抽出した。抽出液をao 、 DC!分
析したところ、原料であるコーメトキシ−3,9を一メ
チレンジオキシベンズアルデヒドは認められず(転換率
700%)、生成物として、−一メトキシー3.ターメ
チレンジオキシ−N−メチルベンジルアミノジメチルア
セタールθ、/??(収率jt%)、コーメトキシ−3
,4を一メチレンジオキシベンジルアルコール0.’G
t @ f (収率Zμ%)であった。目的物である一
一メトキシー!−−メチレンジオキシ−N−メチルベン
ジルアミノジメチルアセタールの選択性は−rt%であ
った。
実施例−6 / 00 tttlのエタノールに塩酸ココ、コfを溶
かしたエタノール溶液0./?ytte%N−メチルア
ミノアセトアルデヒドジメチルアセタール0.7??、
ノーメトキシ−3,4t−メチレンジオキシベンズアル
デヒド/、θ?、!チパラジウムーカーボンθ、/2f
、エタノール10.1を仕込み、オイルバス中、70℃
にて、2時間、水添反応を行なった。水素吸収量は理論
量に対して700チであった。反応終了後、濾過してパ
ラジクムーカーボンを除去し、戸数に−NのNaOH水
溶液を加えてアルカリ性(pH7/ )にした後、酢酸
エチルで抽出した。抽出液をGC!、LO分析したとこ
ろ、原料であるコーメトキシー3.トーメチレンジオキ
シベンズアルデヒドは0.007F(転換率99%)、
生成物として、コーメトキシー3,5t−メチレンジオ
キシ−N−メチルベンジルアミノジメチルアセタール/
、j 、2 t (収率/4t%)1.2−メトキシ−
3,ドーメチレンジオキシペンジルアルコールθ、02
 t (収率s%)、−一メトキシー3.弘−メチレン
ジオキシトルエン0.07tf(収率r%)であった。
目的物であるコーメトキシー3,9t−メチレンジオキ
シ−N−メチルベンジルアミノジメチルアセタールの選
択性はり?チであった。
〔発明の効果〕
本発明方法によれば、高収率、高選択性をもってベンジ
ルアミノアセタール肪導体を容易に合成できる。
出 願 人  三菱化成工業株式会社 代 理 人  弁理士 長谷用   −ほか/名 手続補正書(自発) 昭和67年7月7乙口

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記構造式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) で示される1−メトキシ−2,3−メチレンジオキシベ
    ンズアルデヒドを下記一般式(2)で示されるアセター
    ル ▲数式、化学式、表等があります▼(2) (式中Rは低級アルキル基を示す。) および酸の存在下還元することを特徴とする下記一般式
    (3) ▲数式、化学式、表等があります▼(3) (式中Rは、上記一般式(2)で定義したとおりである
    。) で示されるベンジルアミノアセタール誘導体の製造法。
JP61015366A 1985-08-26 1986-01-27 ベンジルアミノアセタ−ル誘導体の製造方法 Pending JPS62178583A (ja)

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US06/896,961 US4769480A (en) 1985-08-26 1986-08-15 Benzylamine derivative
HU863589A HUT44774A (en) 1985-08-26 1986-08-15 Process for producing benzylamine derivatives
EP19900401305 EP0387156A3 (en) 1985-08-26 1986-08-22 A process for preparing cotarnine
EP19900402393 EP0404694A3 (en) 1985-08-26 1986-08-22 4-hydroxy-8-methoxy-2-methyl-6, 7-methylenedioxy-1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline, and process for preparing the same
EP86401866A EP0214051A3 (en) 1985-08-26 1986-08-22 Benzylamine derivative
KR1019860007130A KR900000967B1 (ko) 1985-08-26 1986-08-26 벤질아민 유도체 및 그 제법
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