JPS62177171A - 合金膜の形成方法 - Google Patents
合金膜の形成方法Info
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、合金膜の形成方法に関し、特にスパッタリン
グにより合金膜を形成する方法の改良に係わる。
グにより合金膜を形成する方法の改良に係わる。
スパッタリング装置により合金膜、例えばモリブデン（
ＭＯ）とシリコン（Ｓｌ）の合金膜、つまりモリブデン
シリサイド膜を形成する方法としては、最近、第５図に
示すように横形のＭＯ片１と８１片２とを互いに側面が
接触するように交互に配列したモザイク状のターゲット
３が使用されている。こうしたターゲット３を用いた場
合、ＭＯ片１と８１片２の面積比を適当に選ぶことによ
って簡単に目的とする組成の合金膜を形成できる。
ＭＯ）とシリコン（Ｓｌ）の合金膜、つまりモリブデン
シリサイド膜を形成する方法としては、最近、第５図に
示すように横形のＭＯ片１と８１片２とを互いに側面が
接触するように交互に配列したモザイク状のターゲット
３が使用されている。こうしたターゲット３を用いた場
合、ＭＯ片１と８１片２の面積比を適当に選ぶことによ
って簡単に目的とする組成の合金膜を形成できる。
ところで、スパッタリングによって合金膜を形成する場
合、ターゲットを長期間に亙って使用すると、ターゲッ
トのスパッタ面の浸蝕、つまりエロージョンが進行して
その厚さが薄くなり、更にエロージョン領域の形状が変
化し、その結果形成される合金膜の組成が少しずつ変動
する。例えば、前記第５図図示のターゲット３において
ＭＯ片１と８１片２との面積比を１：３としてスパッタ
リングを行ない、モリブデンシリサイド膜の組成をスパ
ッタリング回数（１回に１０ツト、つまり２５枚のウェ
ハを処理）に対してプロットすると、第６図に示す特性
図が得られる。この第６図より、ターゲットの使用初期
においてはモリブデンシリサイド膜の組成比（Ｓｉ／Ｍ
ｏ）は２．４０であるが、スパッタリング回数の増大に
伴ってＳｌの割合が増大し、１００回目のスパッタリン
グ時ではその組成比が２．５５となる。このようにして
得られたモリブデンシリサイド膜の抵抗１１ｉ （Ｎ２
雰囲気中で１０００℃、６０分間熱処理した後の抵抗値
）は、第７図に示すようにスパッタリング初期では４，
０Ωであるが、次第に増大して１００回目では５．５Ω
になる。モリブデンシリサイド膜は、例えばＭＯ８型半
導体メモリの配線材料として用いられるが、前述したよ
うに膜抵抗の変動が生じると、配線抵抗がロフト毎に変
化し、素子の信頼性を著しく低下させる。
合、ターゲットを長期間に亙って使用すると、ターゲッ
トのスパッタ面の浸蝕、つまりエロージョンが進行して
その厚さが薄くなり、更にエロージョン領域の形状が変
化し、その結果形成される合金膜の組成が少しずつ変動
する。例えば、前記第５図図示のターゲット３において
ＭＯ片１と８１片２との面積比を１：３としてスパッタ
リングを行ない、モリブデンシリサイド膜の組成をスパ
ッタリング回数（１回に１０ツト、つまり２５枚のウェ
ハを処理）に対してプロットすると、第６図に示す特性
図が得られる。この第６図より、ターゲットの使用初期
においてはモリブデンシリサイド膜の組成比（Ｓｉ／Ｍ
ｏ）は２．４０であるが、スパッタリング回数の増大に
伴ってＳｌの割合が増大し、１００回目のスパッタリン
グ時ではその組成比が２．５５となる。このようにして
得られたモリブデンシリサイド膜の抵抗１１ｉ （Ｎ２
雰囲気中で１０００℃、６０分間熱処理した後の抵抗値
）は、第７図に示すようにスパッタリング初期では４，
０Ωであるが、次第に増大して１００回目では５．５Ω
になる。モリブデンシリサイド膜は、例えばＭＯ８型半
導体メモリの配線材料として用いられるが、前述したよ
うに膜抵抗の変動が生じると、配線抵抗がロフト毎に変
化し、素子の信頼性を著しく低下させる。
本発明は、ターゲットのエロージョンの進行に伴う組成
比の変動を防止し、所定の組成比を有する２種の金属か
らなる合金膜を再現性よく形成し得る方法を提供しよう
とするものである。
比の変動を防止し、所定の組成比を有する２種の金属か
らなる合金膜を再現性よく形成し得る方法を提供しよう
とするものである。
本発明は、目標とする合金膜の組成比をＸｏ とした場
合、Ｘｓ （≧Ｘａ ）の組成比を持つ一方のターゲ
ットとＸ２ ＜＜Ｘａ ）の組成比を持つ他方のター
ゲットとを備える二層膜形成用のスパッタリング装置を
用意する。そして、かかる装置により被堆積物上に組成
比×１の合金膜を厚さｔｌで堆積し、つづいて組成比ｘ
２の合金膜を厚さｔ２で堆積し、二層合金膜の膜厚（ｔ
ｌ ＋ｔ２ ）が常に一定の膜厚１．どなるようにする
。かかる方法において、次式に示すようにｔｌとｔ２の
比を二層合金膜の平均組成がＸａとなるように決定すれ
ば、２つのターゲットにより堆積される合金膜の組成比
×１、×２が変動しても所定の膜厚ｔｏを有し、平均組
成比が目標とする組成比Ｘａに等しい二層合金膜を再現
性よく形成できる。
合、Ｘｓ （≧Ｘａ ）の組成比を持つ一方のターゲ
ットとＸ２ ＜＜Ｘａ ）の組成比を持つ他方のター
ゲットとを備える二層膜形成用のスパッタリング装置を
用意する。そして、かかる装置により被堆積物上に組成
比×１の合金膜を厚さｔｌで堆積し、つづいて組成比ｘ
２の合金膜を厚さｔ２で堆積し、二層合金膜の膜厚（ｔ
ｌ ＋ｔ２ ）が常に一定の膜厚１．どなるようにする
。かかる方法において、次式に示すようにｔｌとｔ２の
比を二層合金膜の平均組成がＸａとなるように決定すれ
ば、２つのターゲットにより堆積される合金膜の組成比
×１、×２が変動しても所定の膜厚ｔｏを有し、平均組
成比が目標とする組成比Ｘａに等しい二層合金膜を再現
性よく形成できる。
Ｘａ −（ｔｌ ・Ｘｔ ＋ｔ２ ・Ｘ２）／（ｔｒ＋
ｔ２） 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を第１図及び第２図を参照して詳
細に説明する。
ｔ２） 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を第１図及び第２図を参照して詳
細に説明する。
第１図は、本実施例に使用されるスパッタリング装置の
概略図であり、図中の１１は被堆積物である例えばウェ
ハを搬入するロード室、１２は予備室、１３１は第１の
スパッタ室、１３２は第２のスパッタ室、１４は膜形成
後のウェハを取出すアンロード室である。前記第１のス
パッタ室１３１内には、前述した第５図に示すモザイク
状のターゲットと同様でＭｏ片とＳｉ片の面積比が１：
３のターゲット３１が配置され、かつ前記第２のスパッ
タ室１３２内にはＭｏ片とＳｉ片の面積比が１：２．７
５のターゲット３２が配置されている。
概略図であり、図中の１１は被堆積物である例えばウェ
ハを搬入するロード室、１２は予備室、１３１は第１の
スパッタ室、１３２は第２のスパッタ室、１４は膜形成
後のウェハを取出すアンロード室である。前記第１のス
パッタ室１３１内には、前述した第５図に示すモザイク
状のターゲットと同様でＭｏ片とＳｉ片の面積比が１：
３のターゲット３１が配置され、かつ前記第２のスパッ
タ室１３２内にはＭｏ片とＳｉ片の面積比が１：２．７
５のターゲット３２が配置されている。
次に、第１のスパッタリング装置を用いて本実施例の合
金膜（モリブデンシリサイド膜）の形成方法を説明する
。
金膜（モリブデンシリサイド膜）の形成方法を説明する
。
まず、ウェハ（図示せず）をロード室１１から予備室１
２を通して第１のスパッタ室１３１に搬入する。つづい
て、第１のスパッタ室１３！を予備ｖ１２及び第２のス
パッタ室１３２に対して遮断した後、同第１のスパッタ
室１３１を所定の真空度とし、その中のターゲット３１
のスパッタリングを行なって膜厚４０００人のモリブデ
ンシリサイド膜を堆積した。この後、ウェハを第２のス
パッタ室を通してアンロード室１４より取出した。
２を通して第１のスパッタ室１３１に搬入する。つづい
て、第１のスパッタ室１３！を予備ｖ１２及び第２のス
パッタ室１３２に対して遮断した後、同第１のスパッタ
室１３１を所定の真空度とし、その中のターゲット３１
のスパッタリングを行なって膜厚４０００人のモリブデ
ンシリサイド膜を堆積した。この後、ウェハを第２のス
パッタ室を通してアンロード室１４より取出した。
こうしたウェハへの膜堆積（スパッタリング）を第２図
に示すように２５回繰返し行なってモリブデンシリサイ
ド膜が形成された２５０ット分のウェハを作製した。な
お、第２図中のスパッタリング回数は１０ツトに相当し
、該１０ツトではウェ八を２５枚処理した。
に示すように２５回繰返し行なってモリブデンシリサイ
ド膜が形成された２５０ット分のウェハを作製した。な
お、第２図中のスパッタリング回数は１０ツトに相当し
、該１０ツトではウェ八を２５枚処理した。
次いで、２６０ツト目のウェハをロード至１１から予備
室１２を通して第１のスパッタ室１３１に搬入し、同ス
パッタ室１３１を所定の真空度とした後、その中のター
ゲット３１のスパッタリングを行なって膜厚（ｔｌ）が
３２００人のモリブデンシリサイド膜を堆積した。つづ
いて、ウェハを第２のスパッタ室１３２に搬入し、所定
の真空度とした後、その中のターゲット３２のスパッタ
リグを行なって膜厚（ｔｌ）が８００人のモリブデンシ
リサイド膜を堆積した。この後、ウェハをアンロード室
１４より取出した。こうしたウェハへの膜厚４０００人
の二層膜の堆積（スパッタリング）を同第２図に示すよ
うに２５回繰返し行なって二層のモリブデンシリサイド
膜が形成された２５０ット分のウェハを作製した。
室１２を通して第１のスパッタ室１３１に搬入し、同ス
パッタ室１３１を所定の真空度とした後、その中のター
ゲット３１のスパッタリングを行なって膜厚（ｔｌ）が
３２００人のモリブデンシリサイド膜を堆積した。つづ
いて、ウェハを第２のスパッタ室１３２に搬入し、所定
の真空度とした後、その中のターゲット３２のスパッタ
リグを行なって膜厚（ｔｌ）が８００人のモリブデンシ
リサイド膜を堆積した。この後、ウェハをアンロード室
１４より取出した。こうしたウェハへの膜厚４０００人
の二層膜の堆積（スパッタリング）を同第２図に示すよ
うに２５回繰返し行なって二層のモリブデンシリサイド
膜が形成された２５０ット分のウェハを作製した。
次いで、５１０ツト目〜２００ロツト目のウェハへの全
膜厚４０００人に設定した膜堆積（スパッタリング）を
同第２図に示す手順により以下の如く行なった。
膜厚４０００人に設定した膜堆積（スパッタリング）を
同第２図に示す手順により以下の如く行なった。
■、５１０ット目〜７５０ット目のウェハについては、
第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより膜厚
（ｔｌ）が２７００人のモリブデンシリサイド膜を、第
２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜厚（
ｔｌ）が１３００人のモリブデンシリサイド膜を堆積し
た。
第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより膜厚
（ｔｌ）が２７００人のモリブデンシリサイド膜を、第
２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜厚（
ｔｌ）が１３００人のモリブデンシリサイド膜を堆積し
た。
■、７６０ット目〜１００ロット目のウェハについては
、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が２４００人のモリブデンシリサイド膜を、
第２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜厚
（ｔｌ）が１６００人のモリブデンシリサイド膜を堆積
した。
、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が２４００人のモリブデンシリサイド膜を、
第２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜厚
（ｔｌ）が１６００人のモリブデンシリサイド膜を堆積
した。
■、１０１０ット目〜１２５０ット目のウェハについて
は、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより
膜厚（ｔｌ）が２０００人のモリブデンシリサイド膜を
、第２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が２０００人のモリブデンシリサイド膜を堆
積した。
は、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより
膜厚（ｔｌ）が２０００人のモリブデンシリサイド膜を
、第２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が２０００人のモリブデンシリサイド膜を堆
積した。
■、１２６０ット目〜１５０ロット目のウェハについて
は、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより
膜厚（ｔｌ）が１７００人のモリブデンシリサイド膜を
、第２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が２３００人のモリブデンシリサイド膜を堆
積した。
は、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより
膜厚（ｔｌ）が１７００人のモリブデンシリサイド膜を
、第２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が２３００人のモリブデンシリサイド膜を堆
積した。
■、１５１０ット目〜１７５０ット目のウェハについて
は、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより
膜厚（を工）が１３００人のモリブデンシリサイド膜を
、第２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が２７００人のモリブデンシリサイド膜を堆
積した。
は、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより
膜厚（を工）が１３００人のモリブデンシリサイド膜を
、第２のスパッタ室１３２でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が２７００人のモリブデンシリサイド膜を堆
積した。
■、１７６０ット目〜２００ロット目のウェハについて
は、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより
膜厚（ｔｌ）が１０００人のモリブデンシリサイド膜を
、第２のスパッタｖ１３２でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が３０００人のモリブデンシリサイド膜を堆
積した。
は、第１のスパッタ室１３１でのスパッタリングにより
膜厚（ｔｌ）が１０００人のモリブデンシリサイド膜を
、第２のスパッタｖ１３２でのスパッタリングにより膜
厚（ｔｌ）が３０００人のモリブデンシリサイド膜を堆
積した。
しかして、得られた２００ロット分（合計５０００枚）
のウェハ上に形成されたモリブデンシリサイド膜につい
て、それら膜のＳｉ／Ｍｏの組成比を調べたところ第３
図に示す特性図となった。また、得られた２００ロット
分のウェハ上に形成されたモリブデンシリサイド膜をＮ
２雰囲気中で１０００℃、６０分間熱処理した後、それ
ら膜抵抗を調べたところ第４図に示す特性図となった。
のウェハ上に形成されたモリブデンシリサイド膜につい
て、それら膜のＳｉ／Ｍｏの組成比を調べたところ第３
図に示す特性図となった。また、得られた２００ロット
分のウェハ上に形成されたモリブデンシリサイド膜をＮ
２雰囲気中で１０００℃、６０分間熱処理した後、それ
ら膜抵抗を調べたところ第４図に示す特性図となった。
なお、第３図中のＸはウェハ上に形成されたモリブデン
シリサイド膜のＳｉ／Ｍｏの組成比を、ｘｌは第１のス
パッタ・室のターゲット３！を用いて２００回スパッタ
リング（２００ロット分）することにより形成された単
一層のモリブデンシリサイド膜のＳｉ／Ｍｏの組成比を
、×２は、第２のスパッタ室のターゲット３２を用いて
２００回スパッタリング（２００ロット分）することに
より形成された単一層のモリブデンシリサイド膜のＳｉ
／Ｍｏの組成比を、夫々示す。
シリサイド膜のＳｉ／Ｍｏの組成比を、ｘｌは第１のス
パッタ・室のターゲット３！を用いて２００回スパッタ
リング（２００ロット分）することにより形成された単
一層のモリブデンシリサイド膜のＳｉ／Ｍｏの組成比を
、×２は、第２のスパッタ室のターゲット３２を用いて
２００回スパッタリング（２００ロット分）することに
より形成された単一層のモリブデンシリサイド膜のＳｉ
／Ｍｏの組成比を、夫々示す。
第３図及び第４図から明らかな如く、本実施例によりウ
ェハ上に堆積されたモリブデンシリサイド膜は前述した
第６図及び第７図の従来法に比べてスパッタリングの回
数が増大、つまりターゲットのエロージョンが進行して
も組成比 （Ｓｉ／Ｍｏ）の変動が少なく、略一定の抵抗値にでき
る。
ェハ上に堆積されたモリブデンシリサイド膜は前述した
第６図及び第７図の従来法に比べてスパッタリングの回
数が増大、つまりターゲットのエロージョンが進行して
も組成比 （Ｓｉ／Ｍｏ）の変動が少なく、略一定の抵抗値にでき
る。
なお、上記実施例では合金膜としてモリブデンシリサイ
ドの形成について説明したが、タングステンシリサイド
、タンタルシリサイド等の他の合金膜の形成にも同様に
適用できる。
ドの形成について説明したが、タングステンシリサイド
、タンタルシリサイド等の他の合金膜の形成にも同様に
適用できる。
上記実施例では、ターゲットとしてターゲツト片を組合
わせたモザイク状のターゲットを用いたが、合金製のタ
ーゲットを用いても同様な効果を達成できる。
わせたモザイク状のターゲットを用いたが、合金製のタ
ーゲットを用いても同様な効果を達成できる。
上記実施例では、２種の金属からなる２種のターゲット
を用いて二層の合金膜を形成する場合について説明した
が、２種の金属からなる３種以上のターゲットを用いて
合金膜を形成してもよいし、或いは３種以上の金属から
なる３種以上のターゲットを用いて合金膜を形成しても
よい。
を用いて二層の合金膜を形成する場合について説明した
が、２種の金属からなる３種以上のターゲットを用いて
合金膜を形成してもよいし、或いは３種以上の金属から
なる３種以上のターゲットを用いて合金膜を形成しても
よい。
（発明の効果〕
以上詳述した如く、本発明によればターゲットのエロー
ジョンの進行に伴う組成比の変動を防止し、所定の組成
比を有する２種の金属からなる合金膜を再現性よく形成
でき、ひいてはＭＯ３型半導体メモリの配線材料などに
有効に使用できる等顕著な効果を有するものである。
ジョンの進行に伴う組成比の変動を防止し、所定の組成
比を有する２種の金属からなる合金膜を再現性よく形成
でき、ひいてはＭＯ３型半導体メモリの配線材料などに
有効に使用できる等顕著な効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例で使用したスパッタリング装置
の概略図、第２図は本実施例における第１のスパッタ室
と第２のスパッタ室での堆積膜厚条件を示す説明図、第
３図は本実施例により形成されたモリブデンシリサイド
膜のスパッタリング回数とその組成比（Ｓｉ／Ｍｏ）の
関係を示す特性図、第４図は本実施例により形成された
モリブデンシリサイド膜のスパッタリング回数とその抵
抗値との関係を示す特性図、第５図はモザイク状のター
ゲットを示す斜視図、第６図は従来のスパッタリングに
より形成されたモリブデンシリサイド膜のスパッタリン
グ回数とその組成比（Ｓｉ／Ｍｏ）の関係を示す特性図
、第７図は従来のスパッタリングにより形成されたモリ
ブデンシリサイド膜のスパッタリング回数とその抵抗値
との関係を示す特性図である。 １・・・Ｍｏ片、２・・・Ｓｉ片、３．３１．３２・・
・ターゲット、１１・・・ロード室、１２・・・予備室
、１３１．１３２・・・スパッタ室、１４・・・アンロ
ード室。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
の概略図、第２図は本実施例における第１のスパッタ室
と第２のスパッタ室での堆積膜厚条件を示す説明図、第
３図は本実施例により形成されたモリブデンシリサイド
膜のスパッタリング回数とその組成比（Ｓｉ／Ｍｏ）の
関係を示す特性図、第４図は本実施例により形成された
モリブデンシリサイド膜のスパッタリング回数とその抵
抗値との関係を示す特性図、第５図はモザイク状のター
ゲットを示す斜視図、第６図は従来のスパッタリングに
より形成されたモリブデンシリサイド膜のスパッタリン
グ回数とその組成比（Ｓｉ／Ｍｏ）の関係を示す特性図
、第７図は従来のスパッタリングにより形成されたモリ
ブデンシリサイド膜のスパッタリング回数とその抵抗値
との関係を示す特性図である。 １・・・Ｍｏ片、２・・・Ｓｉ片、３．３１．３２・・
・ターゲット、１１・・・ロード室、１２・・・予備室
、１３１．１３２・・・スパッタ室、１４・・・アンロ
ード室。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）、２種の金属からなり、その組成比が異なる複数
種のターゲットを用いて、被堆積物上に一定厚さの複数
層の合金膜を堆積するに際し、各ターゲットから堆積さ
れる合金膜の膜厚比を変更させて所定の組成比に制御す
ることを特徴とする合金膜の形成方法。 - （２）、ターゲットとして、２種金属のうちエロージョ
ンの進行によりスパッタリング量が多くなる金属が目標
とする組成比と同等もしくは多い組成の一方のターゲッ
トと、同スパッタリング量が多くなる金属が目標とする
組成比より少ない組成の他方のターゲットとを用い、こ
れらターゲットを用いて被堆積物上に一定厚さの二層合
金膜を堆積するに際し、エロージョン深さの増大に従つ
て一方のターゲットから堆積される合金膜の厚さを漸時
薄くし、他方のターゲットから堆積される合金膜の厚さ
を漸時厚くすることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の合金膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1780186A JPS62177171A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 合金膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1780186A JPS62177171A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 合金膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177171A true JPS62177171A (ja) | 1987-08-04 |
| JPH039189B2 JPH039189B2 (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=11953820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1780186A Granted JPS62177171A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 合金膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62177171A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0356667A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-12 | Teijin Ltd | 薄膜形成方法 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1780186A patent/JPS62177171A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0356667A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-12 | Teijin Ltd | 薄膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH039189B2 (ja) | 1991-02-07 |
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