JPS62177037U - - Google Patents

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JPS62177037U
JPS62177037U JP6462286U JP6462286U JPS62177037U JP S62177037 U JPS62177037 U JP S62177037U JP 6462286 U JP6462286 U JP 6462286U JP 6462286 U JP6462286 U JP 6462286U JP S62177037 U JPS62177037 U JP S62177037U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案半導体装置の一実施例の要部を
示す断面図であつて、第２図の―′線断面図
、第２図は一実施例のポリシリコンフユーズ素子
部分を示す部分拡大平面図、第３図は本考案の他
の実施例の要部を示す断面図であつて、第４図の
―′線断面図、第４図は他の実施例のポリシ
リコンフユーズ素子部分を示す部分拡大平面図、
第５図は従来のＳＲＡＭの一例を示す略線的平面
図、第６図は第５図例のポリシリコンフユーズ素
子部分を示す部分拡大平面図、第７図は第６図の
―′線断面図、第８図は他の従来例の説明に
供する線図である。 １は半導体基板、２はメモリセルアレイ、３は
予備行、５はポリシリコンフユーズ素子、５ａ，
５ｂは夫々電極部、５ｃはフユーズ部、１０はフ
イールド酸化膜、１２はＰＳＧによる第１層間絶
縁膜、１３はＰＳＧによる第２層間絶縁膜、１３
ａは第２層間絶縁層の開口部、１４はオーバーコ
ート膜、１４ａ及び１４ｂは夫々オーバーコート
膜の開口部、１６はＡｓＳＧによる第１層間絶縁
膜である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. フユーズ素子を複数の層間絶縁膜で被覆する様
    になされた半導体装置において、上記複数の層間
    絶縁膜のうち最下層の層間絶縁膜以外の層間絶縁
    膜の上記フユーズ素子のフユーズ部上に開口部を
    設けたことを特徴とする半導体装置。
JP6462286U 1986-04-28 1986-04-28 Expired - Lifetime JPH0539634Y2 (ja)

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JP6462286U JPH0539634Y2 (ja) 1986-04-28 1986-04-28

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JPS62177037U true JPS62177037U (ja) 1987-11-10
JPH0539634Y2 JPH0539634Y2 (ja) 1993-10-07

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JPH0539634Y2 (ja) 1993-10-07

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