JPS6217187A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS6217187A JPS6217187A JP15749585A JP15749585A JPS6217187A JP S6217187 A JPS6217187 A JP S6217187A JP 15749585 A JP15749585 A JP 15749585A JP 15749585 A JP15749585 A JP 15749585A JP S6217187 A JPS6217187 A JP S6217187A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 22
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、フォトエツチングの際のエツチング部分を少
なくすることによりエツチング液の管理を容易にしたリ
ードフレームの製造方法に関する。
なくすることによりエツチング液の管理を容易にしたリ
ードフレームの製造方法に関する。
[従来の技術]
リードフレームは、中央部に半導体集積回路(IC)素
子を搭載する搭載台と、その周囲に搭載台に向って延出
する複数のリード部を形成したものであり、金属板にフ
ォトエツチングまたはプレス打抜き加工を施して所望の
パターン形状のリードフレームを製造している。
子を搭載する搭載台と、その周囲に搭載台に向って延出
する複数のリード部を形成したものであり、金属板にフ
ォトエツチングまたはプレス打抜き加工を施して所望の
パターン形状のリードフレームを製造している。
従来、フォトエツチングによりリードフレームを製造す
る場合、金属板にフォトレジストを塗布し、露光拳現像
して所望のレジストパターンを形成し、不要部公金ての
金属を露出させ、この露出部分をエツチングして製造し
ている。
る場合、金属板にフォトレジストを塗布し、露光拳現像
して所望のレジストパターンを形成し、不要部公金ての
金属を露出させ、この露出部分をエツチングして製造し
ている。
しかし、第3図に示すように、リードフレーム形成部分
2に対し、不要部分3の面積は広く。
2に対し、不要部分3の面積は広く。
エツチング液中への金属溶解量は膨大なものとなり、エ
ツチング液の劣化が速い、そのため、新しいエツチング
液の補給あるいは交換を頻繁に行う必要があり、その作
業に多大な労力を費やすとともにエツチング液の使用量
が多くなり製造コストが高くなるという欠点がある。
ツチング液の劣化が速い、そのため、新しいエツチング
液の補給あるいは交換を頻繁に行う必要があり、その作
業に多大な労力を費やすとともにエツチング液の使用量
が多くなり製造コストが高くなるという欠点がある。
そこで本発明者らは、鋭意研究の結果リードフレームの
パターン形状を変更することなくエツチングされる部分
の面積を減らし、エツチング液の持続性を向上させるこ
とを見い出し、本発明に至った。
パターン形状を変更することなくエツチングされる部分
の面積を減らし、エツチング液の持続性を向上させるこ
とを見い出し、本発明に至った。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、フ
ォトエツチングに使用するエツチング液の持続性を向上
し、エツチング液の管理を容易にすることで1作業に費
す労力の軽減および製造コストの低減を図ることができ
るリードフレームの製造方法を提供することにある。
ォトエツチングに使用するエツチング液の持続性を向上
し、エツチング液の管理を容易にすることで1作業に費
す労力の軽減および製造コストの低減を図ることができ
るリードフレームの製造方法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
このような目的は以下の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、金属板にフォトエツチングを施し不
要部分を除去して所望のパターン形状のリードフレーム
を製造するに際し、 前記不要部分の少なくとも周縁部をエツチングにより溶
解除去することを特徴とするリードフレームの製造方法
である。
要部分を除去して所望のパターン形状のリードフレーム
を製造するに際し、 前記不要部分の少なくとも周縁部をエツチングにより溶
解除去することを特徴とするリードフレームの製造方法
である。
以下本発明のリードフレームの製造方法を添付図面に示
す奸適実施例について詳細に説明する。
す奸適実施例について詳細に説明する。
第1図および第2図は、本発明のリードフレームの製造
方法の工程を示す平面図である。
方法の工程を示す平面図である。
金属板1の少なくとも一方の面にフォトレジストを塗布
し、露光拳現像して第1図に示すようなフォトレジスト
層4.5を形成する。
し、露光拳現像して第1図に示すようなフォトレジスト
層4.5を形成する。
金属板lの構成材料としては、鉄、鉄合金、銅、銅合金
等を挙げることができる。
等を挙げることができる。
フォトレジストには市販のものを用いることが可能であ
り、露光・現像処理は、任意の方法で行うことができる
。
り、露光・現像処理は、任意の方法で行うことができる
。
本発明はこのフォトレジスト層の形成パターンに特徴が
あるものである。
あるものである。
従来では第3図に示すようにフォトレジスト層4は金属
板1のリードフレーム形成部分2上にのみ形成され、不
要部分3上には形成されていなかった。
板1のリードフレーム形成部分2上にのみ形成され、不
要部分3上には形成されていなかった。
これに対し本発明では金属板1のリードフレーム形成部
分2上にフォトレジスト層4を形成するとともに、不要
部分3上においてもその周縁部6を残してフォトレジス
ト層5を形成する。
分2上にフォトレジスト層4を形成するとともに、不要
部分3上においてもその周縁部6を残してフォトレジス
ト層5を形成する。
ここで不要部分3とは、リードフレームを構成しない部
分であって、金属板1から除去される部分をいう。
分であって、金属板1から除去される部分をいう。
また理解を容易にするため、第1図において不要部周縁
部6に斜線を施した。
部6に斜線を施した。
なお、必ずしも金属板lのすべての不要部分3において
その周縁部を残したフォトレジスト層5の形成を必要と
するものではなく、比較的小面積の不要部分3において
は、従来通りフォトレジスト層を形成しないものであっ
てもよい。
その周縁部を残したフォトレジスト層5の形成を必要と
するものではなく、比較的小面積の不要部分3において
は、従来通りフォトレジスト層を形成しないものであっ
てもよい。
次に第1図に示す状態でエツチングを施すと、不要部分
3においては、その周縁部6のみがエツチング液に溶解
され、フォトレジスト層5が形成されている部分は溶解
されずに残る。しかしこの残存部分はリードフレーム形
成部分2とは連結せず、分離された状態となるので、自
然に金属板lから脱落し、これにより第2図に示すよう
な不要部分が除去されたリードフレーム7が得られる。
3においては、その周縁部6のみがエツチング液に溶解
され、フォトレジスト層5が形成されている部分は溶解
されずに残る。しかしこの残存部分はリードフレーム形
成部分2とは連結せず、分離された状態となるので、自
然に金属板lから脱落し、これにより第2図に示すよう
な不要部分が除去されたリードフレーム7が得られる。
周縁部6の幅は、目的とするリードフレーム7の諸寸法
に対応して選択的に決定することができるがフォトレジ
スト層の形成技術上の問題や、エツチング速度等を考慮
して平均200ルm w 1 mmとするのが好ましい
。その理由は、2007tm未満と幅が狭い場合にはエ
ツチング速度が遅くなり、lamをこえると溶解量が大
となり、本発明の効果がなくなるからである。ただし、
必要とするパターン形状に200 uLra以下の間隔
がある場合には、そのパターン間隔に合わせても良い。
に対応して選択的に決定することができるがフォトレジ
スト層の形成技術上の問題や、エツチング速度等を考慮
して平均200ルm w 1 mmとするのが好ましい
。その理由は、2007tm未満と幅が狭い場合にはエ
ツチング速度が遅くなり、lamをこえると溶解量が大
となり、本発明の効果がなくなるからである。ただし、
必要とするパターン形状に200 uLra以下の間隔
がある場合には、そのパターン間隔に合わせても良い。
なおエツチングに使用するエツチング液は、例えば塩化
第2鉄溶液等を用いることができる。
第2鉄溶液等を用いることができる。
エツチング終了後はフォトレジスト層4の剥離や、水洗
等の後処理を行い、所望のパターン形状のリードフレー
ム7が完成スる。
等の後処理を行い、所望のパターン形状のリードフレー
ム7が完成スる。
[実施例]
(実施例)
!300mm、横300m+o、厚さ0.2 ll1m
ノリン青銅製金属板の両面にフォトレジストFR−15
[富士薬品工業(株)製]をスピナーコートにより塗布
し、カタログ記載の条件で露光・現像を行い第1図に示
すパターン形状のフォトレジスト層を両面に形成した。
ノリン青銅製金属板の両面にフォトレジストFR−15
[富士薬品工業(株)製]をスピナーコートにより塗布
し、カタログ記載の条件で露光・現像を行い第1図に示
すパターン形状のフォトレジスト層を両面に形成した。
このとき不要部周縁部のフォトレジスト層を形成しない
部分の幅は平均500 gmとした。
部分の幅は平均500 gmとした。
(比較例)
第3図に示すようにフォトレジスト層の形成をリードフ
レーム形成部分にのみ行った以外は実施例と同様とした
。
レーム形成部分にのみ行った以外は実施例と同様とした
。
これら実施例及び比較例についてエツチングを行い、エ
ツチング液の劣化度合を測定した。
ツチング液の劣化度合を測定した。
なお、エツチングは塩化第2鉄溶液を4分間両面にスプ
レーエツチングして行った。使用したエツチング液の液
量は20文であった。
レーエツチングして行った。使用したエツチング液の液
量は20文であった。
その結果を表1に示す。
表 1
以上の結果より本発明のリードフレームの製造方法では
、リードフレーム1ケのエツチングに要する液量が極端
に少く、エツチング液の交換頻度が少く、すなわちエツ
チング液の使用量を著減することができることが分かる
。
、リードフレーム1ケのエツチングに要する液量が極端
に少く、エツチング液の交換頻度が少く、すなわちエツ
チング液の使用量を著減することができることが分かる
。
[発明の効果コ
本発明のリードフレームの製造方法によれば、不要部分
全体ではなく、その周縁部のみをエツチングするので、
エツチング液中に溶解する金属量が大幅に減少し、エツ
チング液の劣化が著しく少ないので、エツチング液の補
給または交換の頻度が減少する。
全体ではなく、その周縁部のみをエツチングするので、
エツチング液中に溶解する金属量が大幅に減少し、エツ
チング液の劣化が著しく少ないので、エツチング液の補
給または交換の頻度が減少する。
そのため補給や交換の作業に費す労力を軽減することが
できるとともに、エツチング液使用量が少なくなり製造
コストの低減を図ることができる。
できるとともに、エツチング液使用量が少なくなり製造
コストの低減を図ることができる。
第1図は、本発明のリードフレームの製造方法における
フォトレジスト層の形成パターン例を示す平面図である
。 第2図は、第1図に示す金属板のエツチング完了時のリ
ードフレームを示す平面図である。 第3図は、従来のリードフレームの製造方法におけるフ
ォトレジスト層の形成パターンを示す平面図である。 符号の説明
フォトレジスト層の形成パターン例を示す平面図である
。 第2図は、第1図に示す金属板のエツチング完了時のリ
ードフレームを示す平面図である。 第3図は、従来のリードフレームの製造方法におけるフ
ォトレジスト層の形成パターンを示す平面図である。 符号の説明
Claims (1)
- (1)金属板にフォトエッチングを施し不要部分を除去
して所望のパターン形状のリードフレームを製造するに
際し、 前記不要部分の少なくとも周縁部をエッチングにより溶
解除去することを特徴とするリードフレームの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15749585A JPS6217187A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15749585A JPS6217187A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6217187A true JPS6217187A (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15650930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15749585A Pending JPS6217187A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6217187A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5416179A (en) * | 1977-07-07 | 1979-02-06 | Toshiba Corp | Production of film carrier for integrated circuit elements |
JPS61131473A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | Hitachi Cable Ltd | エツチングによるリ−ドフレ−ムパタ−ンの形成方法 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP15749585A patent/JPS6217187A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5416179A (en) * | 1977-07-07 | 1979-02-06 | Toshiba Corp | Production of film carrier for integrated circuit elements |
JPS61131473A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | Hitachi Cable Ltd | エツチングによるリ−ドフレ−ムパタ−ンの形成方法 |
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