JPH04328853A - リードフレーム材料およびリードフレーム - Google Patents

リードフレーム材料およびリードフレーム

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JPH04328853A
JPH04328853A JP9783691A JP9783691A JPH04328853A JP H04328853 A JPH04328853 A JP H04328853A JP 9783691 A JP9783691 A JP 9783691A JP 9783691 A JP9783691 A JP 9783691A JP H04328853 A JPH04328853 A JP H04328853A
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JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
etching
metal plate
reaction rate
metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP9783691A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuru Haruyama
春山 満
Yoshiaki Ogawa
義明 小川
Yoji Nagabuchi
長渕 洋二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、リードフレーム材料
およびリードフレーム、特にLSI等の半導体装置に使
用されるリードフレーム材料とそれを用いたリードフレ
ームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、LSI等の半導体装置に用いられ
るリードフレームは銅合金あるいは鉄合金をエッチング
加工やパンチング加工によってつくられていた。前記銅
合金にはCuに、Sn・Ni・Fe・Cr・Zn・P・
……等の元素を1種あるいは2種以上添加した合金が多
数発表されており、前記鉄合金にはFeにNi・Cr等
の元素を添加した合金であり、42合金などが良く知ら
れていた。
【0003】周知のように、近年、LSI等の半導体装
置はパッケージの小型化や半導体素子の高集積化による
半導体素子の小型化と半導体装置のピン数の増加等が進
んできている。この結果、半導体装置に用いられるリー
ドフレームも必然的に微細化および多ピン化が要求され
、その加工技術も進展しており、現状では300ピン程
度のものがリードフレームの多ピンの最高としてつくら
れ、これ以上の超多ピンのものはTAB(Tape A
utomated Bonding)によるテープキャ
リヤがリードフレームの代わりに使われている。また、
上記の多ピンリードフレームにおいてはパンチング加工
による限界を越えており、エッチング加工によってつく
られている。したがって半導体装置の小型化および高性
能化に伴いリードフレームの加工法はエッチング加工の
比率が高くなってきている。
【0004】図4は従来例のリードフレームのインナー
リード先端付近の側断面図、図5は従来例のリードフレ
ームの製造工程を示す工程図である。図4は、上記のよ
うに従来のリードフレーム材料を用いてエッチング加工
により製造されたリードフレームのインナーリード先端
付近の断面形状を示しており、図4において、5はリー
ドフレーム材料、3はリードフレーム材料の表面に施さ
れたCuやNiまたはNi合金等の下地めっきであり、
4は半導体素子とリードフレームとをワイヤーボンディ
ングにより接続するために必要なAgめっきである。
【0005】次に、従来例の製造方法について、図5の
工程図を用いて説明する。図5は、前記のようにリード
フレームを得るためのエッチング加工の各製造工程にお
けるリードフレーム材料等の断面を示しており、銅合金
あるいは鉄合金の単一の金属材料から成る板状のリード
フレーム材料5(工程1)の表面に、フィルム状あるい
は液状の光感応性樹脂6を被覆し(工程2)、フォトマ
スク7を介して露光により光感応性樹脂6を選択的に硬
化させ(工程3)、現像によって光感応性樹脂6の未硬
化部分を分解剥離してフォトレジスト8を形成する(工
程4)。これをエッチングによりフォトレジスト8で覆
われていないリードフレーム材料5を部分的に溶解する
(工程5)ことにより、リードフレーム材料5のエッチ
ングパターンが出来上がる。
【0006】上記のように被エッチング材の表面にフォ
トレジスト8を形成し部分的にエッチングを行う場合、
エッチングは板厚方向だけでなく平面方向(横方向)に
も進行し、この平面方向のエッチングにより被エッチン
グ材のエッチング後に得られる表面パターン幅はフォト
レジスト8により形成したパターン幅より狭くなるアン
ダーカットと呼ばれる現象が生じる。また、このアンダ
ーカットの進行量をアンダーカット量9と称する(工程
5)。尚、このようにして出来上がったリードフレーム
のエッチングパターンは、最後にフォトレジスト8を剥
離し(工程6)、下地めっき3(工程7),Agめっき
4(工程8)の順にめっき加工が施されリードフレーム
として出来上がる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のリ
ードフレーム材料を用いたリードフレームは、エッチン
グ加工の際に生じるアンダーカット9により、フォトレ
ジスト8で形成したパターン幅よりもエッチング後に得
られるパターン幅はかなり狭くなってしまうという問題
点があった。このアンダーカット9は、リードフレーム
のエッチング加工においては必ず生じるものでエッチン
グ加工の条件により極微量の制御は出来るが著しい改善
は難しく、現状ではフォトレジスト8のパターン幅を広
く設計することにより対応されていた。
【0008】しかし、リードフレームの微細化および多
ピン化要求によりアンダーカットの問題が大きくなって
きている。すなわち、従来のリードフレーム材料を用い
てエッチング加工して現状でつくられているものよりも
っと多ピンのリードフレームを製造する場合、フォトレ
ジストのパターン幅は設計上狭くする必要がありアンダ
カット量9の値を考慮したパターン幅が確保出来ず、こ
れをエッチング加工するとリードフレーム材料5のエッ
チング後に得られるパターン幅は細くなりすぎてしまう
という問題点があった。
【0009】そのためもっとも微細となるインナーリー
ド先端部では、ワイヤーボンディングに必要なインナー
リード幅が確保出来ず、リードフレームの多ピン化の限
界に来ているという問題点があった。
【0010】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、表面にエッチングにおける反
応速度の小さい金属板を積層することにより、エッチン
グ加工におけるアンダーカット量の増大を抑えて微細パ
ターンの形成を可能とし、また表面金属板と内層金属板
の組合せによって双方の特徴を生かすことを目的とする
【0011】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の請
求項1においては、表面にフォトレジストを形成しエッ
チング加工するリードフレーム材料において、内層を形
成する第1の金属板と、前記第1の金属板の片面もしく
は両面に積層する前記第1の金属板よりエッチング反応
速度の小さい第2の金属板とを具備して成るリードフレ
ーム材料により、前記目的を達成しようとするものであ
る。
【0012】また、この発明の請求項2においては、内
層を形成するエッチング反応速度の大きい第1の金属板
と、前記第1の金属板の片面もしくは両面に積層し表面
を形成するエッチング速度の小さい第2の金属板とを有
し、かつエッチング加工後の断面形状が表面側で幅広く
、内側で幅狭く形成して成るリードフレームにより、前
記目的を達成しようとするものである。
【0013】
【作用】この発明の請求項1のリードフレーム材料は、
内層の第1の金属板より表面の第2の金属板がエッチン
グ加工における反応速度が小さいので、この材料のエッ
チングを行うと、板厚方向はエッチング反応速度の大き
い第1の金属板のエッチング性の依存して進行するのに
対し、平面方向はエッチングの反応速度の小さい第2の
金属板のエッチング性に依存して進行する。従って板厚
方向のエッチングが完了する時点において平面方向のエ
ッチングは表面金属があることにより遅くなり、前記従
来例に比べアンダーカットの小さいエッチングパターン
形状を形成する。
【0014】また、この発明の請求項2のリードフレー
ムは、エッチング反応速度の大きい内層の第1の金属板
と、エッチング反応速度の小さい表面の第2の金属板を
有するリードフレーム材料をエッチング加工することに
より、断面形状を表面側で幅広く、内側で幅狭く形成す
る。
【0015】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面に基づいて
説明する。図1はこの発明の一実施例であるリードフレ
ーム材料の側断面図、図2はこの実施例のリードフレー
ムインナーリード先端の側断面図、図3はこの実施例の
エッチングにおける断面形状の変化を示す図である。
【0016】図1において、1はエッチングの反応速度
の大きい第1の金属板である内層金属、2は内層金属に
積層したエッチングの反応速度の小さい第2の金属板で
ある表面金属である。内層金属と表面金属との組合せは
エッチング反応速度の差により選定されるものであるが
、例えば、内層金属に銅あるいは銅合金を用いる場合は
、Fe・Ni合金あるいはNiなどが好適な材料となる
【0017】例えば、銅合金としてCu・2%,Sn・
0.2%Ni合金を用いた場合、あるエッチング条件で
のエッチング反応速度は38ないし40μm/min.
であり、Fe・Ni合金である42合金のエッチング反
応速度は17ないし18μm/min.の組合せなどが
挙げられる。この実施例では、前記のCu・2%Sn・
0.2%Ni合金と42合金の組合せを用いた。
【0018】図2は、この実施例であるCu・2%Sn
・0.2%Ni合金と42合金のクラッド材を用いた多
ピンリードフレームのインナーリード先端付近の断面形
状を示し、表面金属2のパターン幅が内層金属1のパタ
ーン幅より広く、隣接するリードの間隙も狭くなってい
ることがわかる。
【0019】次に、この実施例のリードフレームの製造
方法を図3を用いて説明する。前記のようなリードフレ
ームを得るためのエッチング工程は、前記図4に示した
従来のエッチング工程と特別に変わることはない。しか
し、エッチング加工中におけるリードフレーム材料のエ
ッチング進行経過の様子は従来のものとは異なっている
。図3はエッチング加工中におけるリードフレーム材料
のエッチング進行経過を断面形状で表しており、所望す
るパターンの形状に形成されたフォトレジスト8の隙間
にエッチング液を供給することにより、エッチングを開
始し(a)表面金属2の中央付近からエッチングが進行
し、内層金属1に到達すると、内層金属1のエッチング
が開始され(b)、この時点での表面金属2のアンダー
カット9は表面金属2の厚みが薄いために小さい。
【0020】さらに、エッチングを継続すると(c)表
面金属2と内層金属1のエッチング反応速度の差により
、板厚方向のエッチングの進行が速いのに対し、表面付
近の平面方向のエッチング進行が遅いので両面からの凹
みが貫通しエッチングが終了時点では、内層金属1の上
下の端面の幅よりも表面金属2の幅の方が広くなる。 その結果、従来の単一のリードフレーム材料をエッチン
グ加工した場合よりも間隙の狭いパターンを得ることが
出来る。
【0021】尚、この実施例のCu・2%Sn・0.2
%Ni合金と42合金のクラッド材を用いて製造したイ
ンナーリードピッチ200μmのリードフレームと、そ
の比較例として製造した本実施例と同一板厚のCu・2
%Sn・0.2%Ni合金を用いた同パターンリードフ
レームの双方のインナーリード先端部分の幅および間隙
を測定したところ、表1の結果が得られた。
【0022】
【表1】 このように表1から、この実施例によれば従来のリード
フレーム材料を用いた場合よりも間隙の狭いパターンを
得ることが確認出来た。
【0023】尚、この実施例では表面金属と内層金属の
積層方法はクラッドを用いたが、このほかにもめっきな
どの方法が有効に活用できる。また、この実施例ではリ
ードフレームの表面に下地めっきを施しているが、表面
金属の選択次第でこれを省略することもできる。さらに
、表面金属と内層金属との組合せに余地がある場合は、
双方の特徴を生かせるような選択が可能である。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のリード
フレーム材料を用いてエッチング加工したリードフレー
ムによれば、表面にエッチングにおける反応速度の小さ
い材料を積層することにより、エッチング加工における
アンダーカット量の増大が抑えられて微細パターンの形
成が可能になる。また、表面金属と内層金属の組合せ次
第で、双方の特徴を生かせるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例であるリードフレーム材料
の側断面図
【図2】この実施例のリードフレームインナーリード先
端の側断面図
【図3】この実施例のリードフレーム材料のエッチング
における断面形状の変化を示す図
【図4】従来例のリードフレームのインナーリード先端
付近の側断面図
【図5】従来例のリードフレームの製造工程を示す工程
【符号の説明】
1    第1の金属板(内層金属) 2    第2の金属板(表面金属) 3    下地めっき 4    Agめっき 5    リードフレーム材料 6    光感応性樹脂 7    フォトマスク 8    フォトレジスト 9    アンダーカット量 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  表面にフォトレジストを形成しエッチ
    ング加工するリードフレーム材料において、内層を形成
    する第1の金属板と、前記第1の金属板の片面もしくは
    両面に積層する前記第1の金属板よりエッチング反応速
    度の小さい第2の金属板とを具備して成ることを特徴と
    するリードフレーム材料。
  2. 【請求項2】  内層を形成するエッチング反応速度の
    大きい第1の金属板と、前記第1の金属板の片面もしく
    は両面に積層し表面を形成するエッチング速度の小さい
    第2の金属板とを有し、かつエッチング加工後の断面形
    状が表面側で幅広く、内側で幅狭く形成して成ることを
    特徴とするリードフレーム。
JP9783691A 1991-04-30 1991-04-30 リードフレーム材料およびリードフレーム Pending JPH04328853A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005522860A (ja) * 2002-04-11 2005-07-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ キャリヤ、キャリヤを製造する方法および電子機器
KR100989007B1 (ko) * 2002-04-11 2010-10-20 엔엑스피 비 브이 반도체 디바이스
JP2014175321A (ja) * 2013-03-05 2014-09-22 Nichia Chem Ind Ltd リードフレーム及び発光装置
JP2016207860A (ja) * 2015-04-23 2016-12-08 大日本印刷株式会社 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法

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JP2005522860A (ja) * 2002-04-11 2005-07-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ キャリヤ、キャリヤを製造する方法および電子機器
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JP2014175321A (ja) * 2013-03-05 2014-09-22 Nichia Chem Ind Ltd リードフレーム及び発光装置
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