JPS6217068A - 溶融シリカ焼結体の製造方法 - Google Patents
溶融シリカ焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6217068A JPS6217068A JP15630585A JP15630585A JPS6217068A JP S6217068 A JPS6217068 A JP S6217068A JP 15630585 A JP15630585 A JP 15630585A JP 15630585 A JP15630585 A JP 15630585A JP S6217068 A JPS6217068 A JP S6217068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- fused silica
- silica
- firing
- crystallization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、電子産業用、耐火物用等に用いられる溶融シ
リカ焼結体の製造方法に関するものである。
リカ焼結体の製造方法に関するものである。
(従来の技術)
溶融シリカは1300〜1400℃に結晶化(クリスト
バライト9点を有するため、無定形焼結体を得る際には
純度、粒度配合比あるいは焼成条件等が厳密に制御され
てきた。前記の結晶化(クリストバライト化)が焼結体
に生じた場合、高温(約300℃以上)での熱膨張係数
が2桁以上増加し、焼結体の耐熱強度を劣化させ、また
焼成時の割れも発生し易くなる。
バライト9点を有するため、無定形焼結体を得る際には
純度、粒度配合比あるいは焼成条件等が厳密に制御され
てきた。前記の結晶化(クリストバライト化)が焼結体
に生じた場合、高温(約300℃以上)での熱膨張係数
が2桁以上増加し、焼結体の耐熱強度を劣化させ、また
焼成時の割れも発生し易くなる。
従って結晶化量の少ない焼結体を得るために、従来、高
純度シリカ粉末を用いる、焼成時の昇温速度を大きくす
る、あるいは粒度配合比を変えて焼結性を高め低い焼成
温度で処理する等の方法が用いられている。
純度シリカ粉末を用いる、焼成時の昇温速度を大きくす
る、あるいは粒度配合比を変えて焼結性を高め低い焼成
温度で処理する等の方法が用いられている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし従来の製造方法において、高純度シリカ粉末は高
価格であシコスト高を招き、また粒度配合比を調整して
焼成温度を低くした場合、焼結体の緻密性に難点がある
。
価格であシコスト高を招き、また粒度配合比を調整して
焼成温度を低くした場合、焼結体の緻密性に難点がある
。
この発明は上記のような問題点を解消するものであ夛、
緻密性を有しかつ低結晶化の溶融シリカ焼結体の製造方
法を提供することを目的とするものである。
緻密性を有しかつ低結晶化の溶融シリカ焼結体の製造方
法を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
この発明に係る溶融シリカ焼結体の製造方法は。
重量比で5〜309gのシリカのコロイド粒子を含有し
、残部が溶融シリカ粉末で成る圧粉体を、大気中で10
〜b で急速加熱して、緻密な(焼結密度2・011 /、1
以上)、低結晶化(結晶化量10%以下)の溶融シ
リカ焼結体を短時間焼成(5〜20分)で得るようにし
たものである。
、残部が溶融シリカ粉末で成る圧粉体を、大気中で10
〜b で急速加熱して、緻密な(焼結密度2・011 /、1
以上)、低結晶化(結晶化量10%以下)の溶融シ
リカ焼結体を短時間焼成(5〜20分)で得るようにし
たものである。
(作 用)
この発明において、シリカのコロイド粒子は焼結促進剤
として働くとともに、焼結体の結晶化を抑制する効果を
もつ。また、焼成温度まで急速に加熱することによシ、
結晶成長速度が最大といわれる1400℃付近を短時間
で通過し、急速な結晶化の進行をまぬがれ組織の緻密化
を進める。一般シ、1400′Cを超える温度領域では
特に顕著な現象である。
として働くとともに、焼結体の結晶化を抑制する効果を
もつ。また、焼成温度まで急速に加熱することによシ、
結晶成長速度が最大といわれる1400℃付近を短時間
で通過し、急速な結晶化の進行をまぬがれ組織の緻密化
を進める。一般シ、1400′Cを超える温度領域では
特に顕著な現象である。
(実施例)
以下、この発明の一実施例について詳細に説明する。本
実施例において使用されたシリカコロイド粒子の平均粒
度は7mμ、純度は99.8%、そして溶融シリカ粉末
の平均粒度は20μ、純度は99.5%である。これら
を純水とともにが−ルミル混合し、乾燥後、結合剤とし
てPVA0.6〜1.0重量%加え、0 、7 ton
/cdプレス圧で金型成形し、30φX5tの圧粉体
を作成した。また、焼成時の昇温速度は20℃/分、焼
成温度は(イ)1580℃。
実施例において使用されたシリカコロイド粒子の平均粒
度は7mμ、純度は99.8%、そして溶融シリカ粉末
の平均粒度は20μ、純度は99.5%である。これら
を純水とともにが−ルミル混合し、乾燥後、結合剤とし
てPVA0.6〜1.0重量%加え、0 、7 ton
/cdプレス圧で金型成形し、30φX5tの圧粉体
を作成した。また、焼成時の昇温速度は20℃/分、焼
成温度は(イ)1580℃。
(ロ)1550℃、(ハ)1500℃、に)1450℃
の4種とし、焼成時間は15分とした。結晶化量は、焼
結体を粉末にしてXa回折のピークの高さを検量練土か
ら読み取った。
の4種とし、焼成時間は15分とした。結晶化量は、焼
結体を粉末にしてXa回折のピークの高さを検量練土か
ら読み取った。
先づ第1図はシリカコロイド粒子の重量比と焼成後の収
縮率との関係を示す。図よシ明らかなように、溶融シリ
カ焼結体の収縮率はシリカコロイド粒子の含有量に伴っ
て増加し、特に1450℃に)。
縮率との関係を示す。図よシ明らかなように、溶融シリ
カ焼結体の収縮率はシリカコロイド粒子の含有量に伴っ
て増加し、特に1450℃に)。
1500′cC)では顕著である。一方、1580℃(
イ)においてはシリカコロイド粒子の効果は小さい。
イ)においてはシリカコロイド粒子の効果は小さい。
次に第2図はシリカコロイド粒子の重量比と焼結密度と
の関係を示す。シリカコロイド粒子30重量%で、焼成
温度1500℃(ハ)の場合2.05,9/i、155
0℃←)の場合z、12p/adまで、焼結密度は増加
している。(溶融シリカの真密度は2.201/CI!
である。) また第3図はシリカコロイド粒子の重量比と結晶化量と
の関係を示す。シリカコロイド粒子30重量%で、焼成
温度1500℃(ハ)の場合5%以下、1550℃(ロ
)の場合lO%となっている。シリカコロイド粒子を含
有しない場合に比べ、結晶化量は約5分の1から6分の
1に低減され、焼結密度は13%から37%の増加を示
している。
の関係を示す。シリカコロイド粒子30重量%で、焼成
温度1500℃(ハ)の場合2.05,9/i、155
0℃←)の場合z、12p/adまで、焼結密度は増加
している。(溶融シリカの真密度は2.201/CI!
である。) また第3図はシリカコロイド粒子の重量比と結晶化量と
の関係を示す。シリカコロイド粒子30重量%で、焼成
温度1500℃(ハ)の場合5%以下、1550℃(ロ
)の場合lO%となっている。シリカコロイド粒子を含
有しない場合に比べ、結晶化量は約5分の1から6分の
1に低減され、焼結密度は13%から37%の増加を示
している。
以上の結果は、溶融シリカ粉末中の超微粒子であるコロ
イド粒子が焼結促進剤としての効果及び焼成時の結晶化
抑制効果を有することを示している。そして、これらの
効果は:rt2イド粒子が大きな比表面積を有し、さら
に凝集力が極めて高いことに起因している。また、急速
加熱によっても焼結駆動力は高められている。
イド粒子が焼結促進剤としての効果及び焼成時の結晶化
抑制効果を有することを示している。そして、これらの
効果は:rt2イド粒子が大きな比表面積を有し、さら
に凝集力が極めて高いことに起因している。また、急速
加熱によっても焼結駆動力は高められている。
本発明範囲外、即ち重量比5チ以下のシリカコロイド粒
子の場合はプレス成形性が悪く、重量比30%以上のシ
リカコロイド粒子の場合は焼成時の収量率が大きくなル
過ぎるという欠点を有していた。
子の場合はプレス成形性が悪く、重量比30%以上のシ
リカコロイド粒子の場合は焼成時の収量率が大きくなル
過ぎるという欠点を有していた。
また、この実施例では溶融シリカ粉末の平均粒度を20
μとしたが、他の平均粒度をもつ溶融シリカ粉末につい
ても同様の効果を有することが実験で確認されている。
μとしたが、他の平均粒度をもつ溶融シリカ粉末につい
ても同様の効果を有することが実験で確認されている。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、この発明によれば溶融シ
リカ粉末中にシリカコロイド粒子を加え、さらに急速加
熱を施したことによシ、焼結性が高められ、また結晶化
を抑制することができ、従来に比べ耐熱強度の高い溶融
シリカ焼結体が得られる効果がある。
リカ粉末中にシリカコロイド粒子を加え、さらに急速加
熱を施したことによシ、焼結性が高められ、また結晶化
を抑制することができ、従来に比べ耐熱強度の高い溶融
シリカ焼結体が得られる効果がある。
第1図〜第3図はこの発明の一実施例によるシリカコロ
イド粒子の効果を示す図で、第1図は焼成後の収縮率、
第2図は焼結密度、第3図は結晶化量の関係を各々示す
。
イド粒子の効果を示す図で、第1図は焼成後の収縮率、
第2図は焼結密度、第3図は結晶化量の関係を各々示す
。
Claims (1)
- 重量比で5〜30%のシリカのコロイド粒子を含有し
、残部が溶融シリカ粉末で成る圧粉体を、大気中で急速
加熱し焼成することを特徴とする溶融シリカ焼結体の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15630585A JPS6217068A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 溶融シリカ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15630585A JPS6217068A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 溶融シリカ焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6217068A true JPS6217068A (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15624896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15630585A Pending JPS6217068A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 溶融シリカ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6217068A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63312630A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェ−ハの熱処理装置 |
JPH03183656A (ja) * | 1989-12-09 | 1991-08-09 | Toto Ltd | 銅合金用溶解炉の炉材および焼結方法 |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP15630585A patent/JPS6217068A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63312630A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェ−ハの熱処理装置 |
JPH03183656A (ja) * | 1989-12-09 | 1991-08-09 | Toto Ltd | 銅合金用溶解炉の炉材および焼結方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6117469A (ja) | 緻密質コ−ジエライトの製造法 | |
JPS6217068A (ja) | 溶融シリカ焼結体の製造方法 | |
JPS6114187A (ja) | 補強板状焼結体 | |
JPS5860666A (ja) | 緻密質の溶融石英ガラス焼結体の製造方法 | |
JPS60239352A (ja) | セラミツク焼結体の製造方法 | |
JPS6081062A (ja) | 高強度セラミツクス材料 | |
JPS62216959A (ja) | 溶融シリカ成形体の製造方法 | |
JPS63100065A (ja) | 窒化物焼結体の製造方法 | |
JPS61134585A (ja) | 薄肉アルミナ匣鉢の製造方法 | |
JPS63166765A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 | |
JPS63242964A (ja) | アルミナセラミックスの製造方法 | |
JPS61168570A (ja) | 窒化硼素焼結体およびその製造方法 | |
JPS6158859A (ja) | 高密度フエライト焼結体 | |
JPS6116748B2 (ja) | ||
CN112500162A (zh) | 一种yag透明陶瓷及其致密化烧结方法 | |
JPH0818876B2 (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
JPS62270461A (ja) | アルミナ質セラミツクスの製造方法 | |
JPH06107455A (ja) | ムライト質基板の製造方法 | |
JPS6340769A (ja) | 高密度窒化硼素常圧焼結体の製造方法 | |
JPS60251166A (ja) | セラミツクの製造方法 | |
JPH04175264A (ja) | ムライト質焼結体の原料粉末及びムライト質焼結体の製造方法 | |
JPS61101484A (ja) | 単結晶フエライトの製造方法 | |
JPS61168564A (ja) | セラミツク絶縁基板 | |
JPS63156077A (ja) | 薄板セラミツクス焼結体の製造方法 | |
JPS6265977A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 |