JPS62160745A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS62160745A
JPS62160745A JP238886A JP238886A JPS62160745A JP S62160745 A JPS62160745 A JP S62160745A JP 238886 A JP238886 A JP 238886A JP 238886 A JP238886 A JP 238886A JP S62160745 A JPS62160745 A JP S62160745A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
metal wirings
metal wiring
deposited
basis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP238886A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Tabuchi
田渕　良弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP238886A priority Critical patent/JPS62160745A/ja
Publication of JPS62160745A publication Critical patent/JPS62160745A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｃ発明の属する技術分野〕 この発明は半導体素子製造過程における金属配線の信頼
性維持に関する。
〔従来技術とその問題点〕
従来の半導体素子製造過程においては、下地であるＳｉ
ないし５ｋ０２の上にＭ１リ−８ｉなどの金属配線を形
成し、さらにこの金属配線の上にプラズマ窒化膜などに
より最終パッシベーション膜を堆積させる。このように
して製造された半導体素子においてＡｌ、Ａｌ３　Ｉｆ
ｉ−ｅ　−Ｓ　ｉなどの金属配線には次のような応力が
働く。すなわち第１の応力としてプラズマ窒化膜による
圧縮応力、第２の応力としてＡｄ　＋　Ａｌ、Ａｌ３−
　Ｓ　ｉの金属配線とＳｉ　ｓ　５ｉ０２との熱膨張の
差による熱応力、第３の応力としてＡｌ、Ａｌ３−Ａｌ
、Ａｌ３−８ｉの内部応力である。これら応力のため半
導体素子ではプラズマ窒化膜堆積後の熱処理やヒートサ
イクルによる信頼性試験後にＭ〜リーＳｉの金属配線に
ボイドが発生することがある。このボイドの発生により
金属配線の実効断面積が減少し、さらには断線にまでい
たり、半導体素子の信頼性の面での問題点を生じた。
〔発明の目的〕
この発明は上述した問題点に鑑み、最も影響力の大きい
金属配線と下地との熱膨張の差による熱応力を極力小さ
くして金属配線のボイド発生な防止し、半導体素子の金
属配線の信頼性を向上させることを目的とする。
〔発明の要点〕
この発明では前記目的達成のため、下地たるＳｉ＋５ｉ
０２とＡ形ＴＡＡ　−Ｓ　ｉなどの金属配線との間に熱
膨張係数がＳｉ＋５ｉ０２とＭｉリ−８ｉの中間の値を
もつ薄膜を形成する。丁なわち下地と金属配線との間に
薄膜を介在させることにより下地との熱応力を減少させ
、その後の熱処理やヒートサイクルに′よる信頼性試験
での！’−ｅ　ＩＡＡ−８ｉ配線のボイドの発生を減少
させ半導体素子の金属配線の信頼性を向上させようとす
るものである。
〔発明の実施例〕
第１図はこの発明の実施例を示すもので半導体素子の断
面図である。この半導体素子の構成はＳｉ基板１，５ｉ
０２膜２．ゲート電極３の上にＷ　Ｓ　ｔ　ｚ　＋Ｍｏ
５ｔ２　＋　’Ｌ’１Ｓｉ２　＊　ＴａＳｉ２などから
なる薄ａ４を５００〜３ρＯＯＡ程度堆積し、さらにそ
の上にＡ−ｅ白Ｕ　−８ｉ膜５　？：１０，０ＯＯＡ堆
積する。そしてこの４および５の膜により金属配線を形
成するもので、この金属配線の上に最終パッシベーショ
ン膜としてプラズマ窒化膜６を堆積させる。このような
構成にすれば薄膜４の介在により下地１１２．３とＭｎ
す−Ｓｉ膜５との熱応力は緩和される。
〔発明の効果〕
この発明では下地Ｓｉ＋５ｉＣ）と金属配置ｆＡ　ｋ１
３　シＭ−＝Ｓｉとの間に両者の熱膨張係数の中間値を
持つ薄膜を介在させることにより、下地と金属配線の熱
応力が緩和され、プラズマ窒化膜の堆積後の熱処理やヒ
ートサイクルによる信頼性試験におけるＡ−ｅｔＡｌ、
Ａｌ−８ｉのボルド発生が抑えられ半導体素子の金属配
線の信頼性が向上した。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の実施例を示すもので半導体素子の断
面図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）半導体素子製造過程で下地であるＳｉ、ＳｉＯ＿２
    の上にＡｌ、Ａｌ−Ｓｉなどの金属配線を形成し、さら
    にこの金属配線の上にプラズマ窒化膜などにより最終パ
    ッシベーション膜を堆積させてなる装置において、下地
    と金属配線との間に熱膨張係数が両者の中間の値をもつ
    薄膜を形成したことを特徴とする半導体装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、下地が
    Ｓｉ、ＳｉＯ＿２、金属配線がＡｌ、Ａｌ−Ｓｉであり
    、両者間に形成する薄膜がＷＳｉ＿２、ＭＳｉ＿２、Ｔ
    ａＳｉ＿２、ＴｉＳｉ＿２であることを特徴とする半導
    体装置。
JP238886A 1986-01-09 1986-01-09 半導体装置 Pending JPS62160745A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP238886A JPS62160745A (ja) 1986-01-09 1986-01-09 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP238886A JPS62160745A (ja) 1986-01-09 1986-01-09 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62160745A true JPS62160745A (ja) 1987-07-16

Family

ID=11527845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP238886A Pending JPS62160745A (ja) 1986-01-09 1986-01-09 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62160745A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5320857A (en) * 1976-08-11 1978-02-25 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5735318A (en) * 1980-08-12 1982-02-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5833833A (ja) * 1981-08-24 1983-02-28 Hitachi Ltd 半導体装置の電極形成法
JPS60138942A (ja) * 1983-11-22 1985-07-23 ソシエテ　アノニム　ポウア−　レテウド　エ　ラ　フアブリカシイオン　デ　サ−キツト　インテグレス　スペシオ−　イ−エフセ−アイエス 集積回路およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5320857A (en) * 1976-08-11 1978-02-25 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5735318A (en) * 1980-08-12 1982-02-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5833833A (ja) * 1981-08-24 1983-02-28 Hitachi Ltd 半導体装置の電極形成法
JPS60138942A (ja) * 1983-11-22 1985-07-23 ソシエテ　アノニム　ポウア−　レテウド　エ　ラ　フアブリカシイオン　デ　サ−キツト　インテグレス　スペシオ−　イ−エフセ−アイエス 集積回路およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01160055A (ja) シリコン炭化層構造
JP3054637B2 (ja) 集積回路のパッシベーション方法
US5332868A (en) Method and structure for suppressing stress-induced defects in integrated circuit conductive lines
JPS62160745A (ja) 半導体装置
JP2003124302A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH08321612A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH03179778A (ja) 薄膜半導体形成用絶縁基板
JPH01241134A (ja) 半導体装置
JPH02260639A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62154646A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02234430A (ja) 半導体装置
JPH0555455A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02257642A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02170431A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6194346A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5837936A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH0297025A (ja) 半導体集積回路装置及びその製造方法
JPS60249333A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS63202044A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3225879B2 (ja) 酸化シリコン膜形成法及び多層配線形成法
JPS6364343A (ja) 半導体装置
JP2000188289A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63229839A (ja) 半導体装置
JPH04271163A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59205736A (ja) 集積回路装置