JPS62158110A - 珪素製造方法 - Google Patents

珪素製造方法

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JPS62158110A
JPS62158110A JP61316141A JP31614186A JPS62158110A JP S62158110 A JPS62158110 A JP S62158110A JP 61316141 A JP61316141 A JP 61316141A JP 31614186 A JP31614186 A JP 31614186A JP S62158110 A JPS62158110 A JP S62158110A
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    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/023Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
    • C01B33/025Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は熱源としてプラズマを用いた珪素の製練方法に
関し、特に冶金用に適した純度で太陽電池に用いられる
珪素を製造することに関する。
現在、珪素は、沈めた(subwerビcd)電気アー
ク炉で固体炭素質還元剤による二酸化珪素(SiOi)
の炭素熱還元で製造されているのが典型的である。
二酸化珪素は石英、溶融シリカ又はフユームドシリカ等
の形をしている。炭素質材料は、コークス、石炭、木片
及び池の炭素含有材料の形をしていてもよい。全還元反
応は S i O2+ 2 C= S i + 2 COであ
る。上記反応は、実際には多段階の反応分含むことが一
般に認められており 、16重要ならのは大体次のよう
なものである。
5iOz+3C=SiC+2CO(1)SiOz+C=
SiO+CO(2) sio−+−2c=sic+co     (3)2S
iO,l−3iC=3SiO)Co  (4)SiO+
5iC=2Si+CO(5) −酸化珪素(Sin)は反応温度で気(イ<状の物質で
あり、完全に反応しないと蒸気として失われることがあ
る。ミュラー(Muller)その池による5cand
、  J、 MeLall、、  H1972)、pp
、 145−155には二酸化珪素を炭素熱還元して珪
素を形成させるSi−〇−C化学系のための理論的平衡
条件が記載され、又定義されている。ミュラーその他に
よる限定条件についての教示は平衡状態では一酸化珪素
の分圧は上記反応(5)が起きて珪素を形成するために
は1819℃句温度で0.67気圧に等しいが又はそれ
より大きな圧力でなければならないという限定である。
ジョハンソン(J o b a n n s o n 
)及びエリクソン(E riksson)によるJ 、
E 1ecLrocl+e+a、s oc、 :5OL
ID  5TATE  5CIENCEAND  TE
CllNOLOGY、1:11:2(1984)、pp
365−370にはSi−〇−C系の定義と記述につい
て更に詳しく述べられている。ジョハンソンとエリクソ
ンの教示によれば、反応による圧力の影響が定義されて
いる。l’l論的には本質的に100%の珪素収率を与
えるのに原料効率を最大にするためには5気圧が最適圧
力であると示されている。
珪素を製造するために沈めた電気アーク炉を使用するこ
とは何年も前から商業的な規模で行なわれてきている。
一般にそのような装置を使用した場合、幾つかの固有の
欠点があることが認識されている。現在沈めた電気アー
ク炉を使用する場合、二酸化珪素と炭素質反応固体は炉
の頂部から導入されている1反応が進むにつれて、炉の
底の沈めた電極の下端のところでは空腔が形成される。
溶融した珪素はその空腔の底に集まる。空腔の頂部には
反応物、中間生成物及び生成珪素からなる殻が形成され
る。この殻の上には固体反応物と中間生成物からなる種
々の形成物が存在する。
沈めた電気アーク炉では熱移動及び物資移動が悪いため
適用した電気エネルギーの利用度が悪く、原料の利用度
を低くするように見える。現在の商業的な装置では、こ
れら上記反応に必要な埋:〜的エネルギー量の約3倍を
消費する。この大きなエネルギー消費足は副生成物の排
出ガス中に失われる一酸化炭素として炭素質還元剤と共
に導入されるエネルギーの損失に反映している。悲及び
物質移動の悪さに対しては、幾つかの因子が関係してい
る。炉中の反応物と中間生成物との間の固体−画体及び
固体−気体物質移動の相互作用は、b′C来の電気アー
ク炉中の効果的な熱及び物質移動を制限している。更に
別の欠点は反応のガス状副生成物と共に揮発性SiOの
形で材料が失われることである。現在の沈めた電気アー
ク炉では、最終的珪素収率の10〜20重旦%程重量く
のものがSiOとして失なわれる。−酸化珪素は再び酸
化されて5i02を形成する。結局、SiOは材料損失
の問題のみならず工程全体にわたる開窓の問題も与える
。更に装置から逃げるSiO2は、集めて捨てなければ
ならない空気で運ばれる粒子としてがなり円錐な環境問
題を与えている。
現在の沈めた電気アーク炉によるT1素への経路は機械
的問題によっても妨げられている。上方へ動くガスの流
れに対し、反対方向に下方に動く固体の流れは反応空腔
へそれら固体が流れるのを妨げる。更に固体は反応空腔
上の殻の形成及び垂直電(支)への固体の接近によって
引き起こされるブリッジによって保持される。ブリッジ
は炉の比較的冷たい上方部分中に粘稠な中間生成物が形
成されることによっても引き起こされる。この固体保持
のため、炉の開口を設けたり、反応器を屡々あけたり、
固体を、その下方への動きを促進するため、棒でついた
り成はかき込んだりする必要がある。
アーク炉の炭素電極は消費され最終生成物の珪素中の不
純物及び最終的製造コス1〜の両方に関係してくる。炭
素電極は、従来のアーク炉による珪士の製造で、主な不
fJIi物源になっている。更に珪素製造コストの10
%の多くのものは電極の取り替え及び電極にrPわれる
問題に起因する乙のと推定される。
電気アーク炉の代わりにプラズマを用いることは幾つか
の利点を有する。上記反応体系によれば、反応(1) SiOz+3C=SiC+2CO は急熱反応で、全還元反応のためのエネルギーの50%
程多くのエネルギーを消費する。5iOzと炭素含有材
料を直接高エネルギープラズマ中へ供給すると、熱及び
物質移動を最大にし、このSiC形成反応を促進する。
更にSiCの効率的な形成は次のI1素を形成する連続
反応を促進し、その反応は上記反応(4)及び(5)に
よって表わされる。
2SiOz+5iC=3SiO+CO及びSiC+5i
O=2Si+CO。
5iOzの溶融とSiCの形成が同時に行なわれること
は物質移動を改善する。 反応器の形が変わっているこ
とも、固体のブリッジをなくし、かき込むため炉を周期
的に開ける必要もなくしている。結局、炉は閏じておく
ことができ、加圧下で操作することができる。炉を閉じ
ておくことは上で述べたような現在失われている副生成
物ガスのエネルギー含有旦の回収と再利用を促進するで
あろう、アーク炉で用いられる炭素電極を省略すること
は、最終珪素生成物の純度をそれに応じて増大する結果
になるであろう。
1000年6月21日公告された米国待;T第3.25
7,196号にはフエックス(F oex)によって金
属酸化物を処理するのにプラズマを使用することが教示
されている。フエックスによって教示されている方法は
、中心軸の回りに回転することができる容器中で処理さ
れる材料を圧搾することである。
軸方向の空腔が設けられ、その中にプラズマが入ること
ができる。プラズマは固体反応物の領域へ反応物を運ぶ
ための搬送体として用いられている。
フエックスの教示は、本発明の連続的体系に比較して明
らかに複雑なバッチ形状になっている回転反応器を必要
とすることを基にしてFilみ立てられている。更にフ
エックスの教示は粉末全屈酸化物IJ(給物をプラズマ
ジェット中に維持する必要性を、それら粉末を前記回転
反応器へ圧搾し、粉末を反応器中にilc持するため遠
心力を用いることによって除くことに向けられている。
フエックスの、教示による反応域は本発明に記載された
多孔賞の固体p;を通るのではなく、緻密に:XiJっ
た固体の表面のところにある0本発明は粉末反応物をプ
ラズマ液へ連続的に供給することを教示している。これ
らの[1異は本発明による熱及び物質移動の改良された
効率に対し、重要な要因になっている。
コールドウェル(Coldwcl l)及びローブ(R
ogucS)はJ 、 E 1ecLrocl+emi
cal  S oc、 、124(11)(1977)
、pp、 1686−1689に、プレスした二酸化I
jE T。
の棒と炭素粉末とのプラズマ中での反応について記述し
ている。コールドウェル及びローブはラジオ周波誘導プ
ラズマを用いることも記述している。
下で:aするように、誘導プラズマに伴われる大きなガ
スの流れは珪素を形成する還元反応に対し、広しい制約
を与える。更にコールドウェル及びローブは誘導プラズ
マに必要な大きなガスの流れによって起こされる困デ[
な点を記述している。生成物の珪素は蒸気であり、芯冷
によって回収されるa ”JL索は2冷生成物の33%
より多くなることはない、与えられた条件でプラズマ中
に形成される物質の高い反応性のため、この低い11素
回収は最もよい収率であることがコールドウェル及びロ
ーブによって教示されている。コールドウェル及びロー
ブの方法は、本発明の連続的方法に比較してバッチ法で
ある。更にコールドウェル及びローブは、珪素が蒸気と
して反応域を出ていく事実から分かるように、本発明よ
りもはるかに高い温度範囲で操作していることは明らか
である。この高い温度範囲は系の化学的熱的平衡を完全
に変え、本発明との比較を無意味なものにしている。
ドイツ公開特許第2,924,584号(1981年1
月150公開)で、ストラムヶ(S tra+nke)
その池は還元雰囲気中でプラズマ炎中にシリカ又は珪素
を通すことと記述している。スl〜ラムゲその他の教示
は、本発明のように、二酸化r1素の炭素熱還元に関す
るのではなく、むしろシリカ又はIil中の不純物の減
少に関し、これら減少した不純物を気(ヒして珪素材料
から除去できるようにすることに関している Ji′、
げられている還元性ガスは水累(H2)、メタン、エタ
ン、エチレン及び他の飽和及び不飽和低級炭化水素であ
る。
1983年3月220広告の米国特許第4,377.5
134号で、ダールベルグ(D、al+Iberg)そ
の他は二酸化珪素及び還元剤を用いてプラズマ中で■1
索をHJ nzすることを記述している。珪素は蒸気と
してプラズマ中に導入され、基材上への付着或は凝縮に
よって蒸気反応混合物から回収されている。収率につい
ては何も言及されていない、しかしこの教示は上記コー
ルドウェル及びローブの方法と同じ欠点をもつものと思
われる。荀5げられている還元剤は炭素、水累、炭化水
素、窒素、−酸化炭素<CO>、ハロゲン及び水蒸気で
ある。
1984年3月270公告米[11特許第4,439,
410月で、サンテン(SanLen)及びニドストロ
ーム(EdsLro+n)はシリカと任意の還元剤とを
ガスプラズマ中へ注入する珪素製造方法を記述している
。加熱された供給物及びエネルギーに富むプラズマガス
を、固体還元剤が詰められた反応室へ導入する。シリカ
は溶融され、11素に;”;2元される0反応ガスは1
1 。
及びCOの混合物からなり、再循環され、プラズマのた
めのキャリヤーガスとして用いられている。
サンテン及びニドストロームはプラズマが電気アーク又
は誘導手段によって発生ずることを記述している。挙げ
られている炭化水素(天然ガス)、石炭粉、木炭わ)、
カーボンブラック、石油コークス及びその池である。
サンテン及びニドストロームの特許を研究すると、幾つ
かの矛盾が=2ぬられる。第一に発明の記述で用いられ
るプラズマバーナーは誘導プラズマバーナーであると記
載されている。第二に発明の記述で、電気アーク手段に
よってプラズマを発生することについて何も述べていな
いのに、それを’M 3’ff 3’l’i 求してい
る。サンテン及びニドストロームはプラズマが、プラズ
マガスを電気アークに通すことによって発生されること
も特許31’7求している。
サンテン及びニドストロームはプラズマが移動アーク(
Lrao*fcrrcd  arc)又は非移動アーク
方式でプラズマが発生されるか否かについては何も述べ
ておらず、そのことは彼等が本発明で得られる利点へ導
くような重要な相異点を認識していなかったことを示し
ている。この相異は非常に重要である。移動アーク方式
は最少ヱのガスを用いるのに対し、非移動アーク方式は
、同じ量のエネルギーを移動させるのに約5〜10 (
、ffi大きい(kmのガスを用いる。必要なガス体積
の差の例として、1000キロワツ1〜(K W )の
エネルギーで発生されるプラズマについて、移動アーク
配置では、10〜25標準立法フイ一ト/分(serv
n>のガスを必要とするのに対して、非移動アーク配置
では100〜150scf…或はそれ以上のガスを必要
とする。0動ア一ク方式では、二つの電極は、反応器の
頂部と底の如きある距敲へだてて配置されている。プラ
ズマガスは陰極から陽極へ成はその逆にどちらへでも流
れることができる。移動アーク方式で用いられるガスの
体積はプラズマ自身を形成するのに必要な体積である。
非移動アーク方式では、二つのT、極は発生機自身中に
存在する。アークは発生機中でとび、プラズマが形成さ
れ、そのプラズマは実際に多量の体債のガスによって反
応域中へ吹さ込上れる。非移動アーク配置では、供給ガ
スの10%がプラズマへ変換されるのに対し、供給ガス
の90%が反応域へプラズマを移動させるのに用いてい
ると推定されている。ラジオ周波誘導プラズマは同じ導
入エネルギー量について、非移動アークプラズマの場合
と同じ相対的本積のガスを用いられる。誘導プラズマバ
ーナーを用いることに関し、当分野の他の文献(PAえ
ばNaLionnl  l11sLiLuLe  fo
r  MeLallurgy  ReporL  No
、 1895.”A  Review  ofPlas
ma  Technology  wiLI+  Pa
rticular  ncference   Lo 
  Ferro−Allay   ProducLio
n、”A pril  14,1977、νと93)に
はラジオ周波誘導プラズマの大T!1(ヒは困難で高価
であり本質的に実験室的道具に止どまっていることが認
められている。
無関係なガスによる一ffi訳は一酸化珪毒中間生成物
の分圧をひどく減少させ、上記ミュラーその他の文献に
記載されているように珪素の形成を阻害する。この減少
は下で論じ又実施例で示すことにする。
更に矛盾する点として、→)″ンデン及びニドストロー
ムはプラズマガスとして再結晶■I2及びCQを用いる
ことを教示している0本発明が(1:られる際に反応域
へCQを添加すると珪素の形成をひどく阻害することが
判明している。この発見の重要性は下の実施例で論じら
れるであろう。
幾つかの重要な事柄が本発明をつくる過程で発見された
。二fi!2tヒ珪素と固木炭素買材利との連続的供給
物及びプラズマガスが固体反応床を通過させられる非移
動アーク配置でプラズマを用いると珪素の形成が起きな
いことが見出だされた。プラズマガスの大きな流れが反
応ガスの+?ii釈に重要な影瞥を与えているのであろ
う、この発見は、−酸化珪素の臨界的分圧を越えるまで
珪素が形成されないことを示す上記教示に一致している
。この現象を更に例示するために、プラズマガスが反応
床を通過ぜず実質的に反応ガスを5品釈しないようにプ
ラズマ−反応::の配置をD>正すると珪素の形成が行
なわれる結果が得られた。この11叱正は、下の実施例
でニーするように、移動アークプラズマ配置のための反
応域中のガスの流れに近似している。
更に別の発見は珪素を生成していた反応2コの反応域へ
一酸化炭素を添加すると珪素の形成がとまることが示さ
れたことである。この発見は下の実施例で例示する。
本発明は図面を考慮することにより当業名には一層よ<
ri解されるであろう、第1図及び第2図は一部を断面
にした本発明の二つの好ましい具体例を例示するための
(既略的図面である。
反応器本体(1)から始めて、反応器本体は耐火物で裏
打ちしたタンク型容器などで、当分野で知られた製練装
置の設計のもので良い、0泗ア一クプラズマ発生拡(2
)は、第一電極(3)が反応器本体(1)の頂部に位π
し、第二電極(4)が反応冊本f4((1)中(3)か
ら術れた距雛の所にあるように配置されており、示され
た電極の正確な位置及び極性は例示するためのものであ
って、限定するものではないことは分かるであろう、移
動アークプラズマ発生代は当分野で知られたものと同様
な設計のものでよい、プラズマ発生機は還元ガス又は不
活性ガス又はそれらの混合物をプラズマ発生機へ与える
手段(5)へ結合さ、れている、プラズマガスを与える
ためのその手段は、商業的加圧ガスパイプライン或はト
レーラ−及び適当な結き部の如きUC来のどんな手段で
もよい、この特別な形の移動アークプラズマ発生機では
プラズマガスの流れは反応器の頂部から下方へり動する
。固f4ζ反応物の流れを反応器本体(1)及びプラズ
マ中へ向けるため、二煎1ヒ珪素と固体還元剤との混3
物を供給する手段(6)が反応器本体(1)の頂部に取
り付けられている。又反応冊本(+: (1)の頂部に
は二酸化珪素をプラズマ中へ供給する手段(7)も取り
付けられている0手段(6)によって供給される二酸化
珪素と固体還元剤との混合物と、手段(7)によって供
給される二煎fヒ珪素とは、反応器本体(1)及びプラ
ズマ中へ交互に送られる。二酸化r1累と固体還元剤と
の混合物又は二煎化珪素単独を供給するための手段(6
)及び手段(7)はガス停止バルブ、スクリュー(J(
給代、空圧搬送磯等と一緒になった自然落下供給機又は
ガス加圧機の如きどんな従来からの手段でらよい、(6
)及び(7)からの交互の供給を調節するために、二煎
fヒ珪素と固体還元剤との混合物及び二酸化珪素供給物
の交互の供給を調節するための手段(8)が設けられて
いる。交互の併給を調節する手段は手動制御、自動供給
制御の如きどんなもC来からの手段でもよい、第1図の
配置では、反応器本体(1)にはS!造工程が始まる前
に固体反応物床が部分的に満たされており、その反応物
床は(9)どして示されている。固体反応物床は二酸化
珪素と固#−還元剤との混合物又は固体還元剤単独のも
のでよい、溶融珪素生成物は反応器本体(1)の底に集
められ、溶融珪素を回収する千ru(10)によって回
収される。溶融珪素を回収するこの手段(10)はバッ
チ又は連続的流出部材の如き既知の手段のどのような乙
のでもよい、副生成物ガスは底の部分から反応器本体(
1)をでる。
反応3コから副生成7勿ガスを回収する手段(11)が
設(1られている。副生成物ガスを回収するこの手段(
11)はJJIス或はエネルギー回収のための燃焼機の
如きとんな1;C来の手段でもよい、第2図は第1図に
示した反応器系の変更したものである0反応器系の部材
の参vA番号は第1図と第2図の両方で同じである。第
二の基本的な差は、プラズマガスの流れと固体反応物供
給物が反応器本体の底半分に導入されることである。示
されたようなT;、Ffl(3)及び(4)をらつプラ
ズマ発生に(2)の正確な位置は例示のためであって、
限定するものでないことは理解さl′Lるであろう、第
2図で反応器及びプラズマへ供給される固体反応物は二
酸化珪素と固体還元剤との混合物である。固体反応物は
固体供給手段(6)によって反応器本体(1)の下半分
へ導入される。示されているような二酸化T’i Zと
固体還元剤との混合物を供給する手段(6)の正確な位
置は例示するためであって限定するものではないことを
]1!解すべきである。第2図では反応器本体(1)は
製造工程が始まる前に固C4(反応物でil’lsたさ
れてはいない。
本発明に従い、ここに記述するような条件でエネルギー
源としてガスプラズマを用いた珪素製造方法が与えられ
る。従って記述されていることは、エネルギー源として
ガスプラズマを用いたII 素袈遣方法において、 i)最少量のガスを用いてプラズマを形成する移動アー
ク配置を用いた反応器でガスプラズマを発生させ、 ii)二煎化工1石と固体還元剤を反応器及びプラズマ
へ直接供給し、 ;;i)プラズマガス、二酸化珪素及び固体還元剤を反
応器の反応域へ送り、 iV)反応域がら溶融珪素とガス状副生成物を回収する
、 ことからなる珪素製造方法である。
ガスプラズマのための「移動アーク配置」とはプラズマ
発生機の二つの電極が互いにE!、離を隔てて配置され
ていることを意味する。ガスの流れは陰極から陽極l\
或はその逆に進行する。第1図及び第2図はU動アーク
プラズマ発生侭装置の二つの代表的な乙のを含んでいる
。この移動アークプラズマ配置の性質のために、プラズ
マを形成するのに必要なガスの体積は、「非移動アーク
配置」に比較して著しく少ない(1/10泣)、lu昔
では二つの7C(支)がプラズマ発生機中に含まれてお
り、ガスの流れだりがプラズマを反応域へ移動さ1°る
。これらの差は上で詳細に論じられている。「最少量の
ガス」とはプラズマを効果的に形成するのに必要なガス
の、系中に供給ずべき量3息味する。ガスの導入を最少
にji Ciすることは上で論じたように、反応媒体の
n、釈により生ずる問題点を少なくする。
ロ動アークプラズマ発生(工及びプラズマガスを与える
ための手段は、そのような手段の:2:1の技術分野で
知られており、図面についての記述で示されている。
本発明で用いられる「固体反応物」とは多くの種類及び
形態での二IIL!2(ヒTn S及び固体還元剤を意
味する。二酸化珪素と固体還元剤のプラズマへの供給は
、ガス停止バルブ、スクリュー供30代、空圧122送
殿等と一緒になった自然7下供給機或はガス加圧も1の
如き&(来の手段によって行なうことができる。二煎1
ヒ珪素と固体還元剤は交互に、J買初は二酸化珪素と固
体還元剤の混合物として、次に二酸化珪素単独として、
供給してもよい、それら供給は交互にくりかえしてもよ
く、交互の(j(給は手動切り替え、0動制御等の如き
既知の手段によって行なわれる。二煎1ヒ珪累と固f4
ζ還元剤は一緒にした;昆3鞠として供給してもよい。
二煎1ヒ珪素と炭素との高エネルギープラズマ中での直
接の反応は全反応 5iOz−ト 2C=Si  1−2COを促進する。
この全反応は下に概略を示す連続的な反応体系によって
表すことができ、個々の反応は前に示されている。
5iOzl−30=SiC−1−2CO(1’)2Si
O:1sic=33io(−Co   (4)S i 
C+ S i O= 2 S i 十CO(5)この連
続反応は反応(1)によるSiCの形成を押し進めるこ
とにより、促進される。SiCの存在は、反応(・1)
により、5in2が効果的に消費されてSiCを形成す
るのを確実にし、そのSiCは次にSiCと反応して珪
素を形成し、副生成物ガスへ失なわれることはない0反
応(1)にU〔い、SiCの形成を押し進めるためのが
ぎは二煎1ヒ珪素に対する炭素の化学量論的量をモルで
炭素が過剰になるように、即ち二酸化珪素1モル通り灰
石3モルを越えるように維持することである。−万全供
給1勿は辷酸rヒ珪素と炭素が本質的に全反応の化学量
論的量に維持されるように調節すべきである。
その化学量論的量は二fi!21ヒ珪素1モルツリ炭素
2モルである。「木質的に全反応の1ヒ学呈ニ一的足」
とは炭素の二面(ヒ珪素に対する;’pJ合が(ヒ学呈
論的’nLか又はそれより1〜2 % ′、J、で多い
ことを意味する。
全反応及び反応(1)の両方で、二面[ヒ珪素に対し、
1ヒ学ME :14的旦より少ない量の炭素を用いると
、二面(ヒ珪素原Flについての効率が、消費されない
SiOとして失われる分だけ減少する欠点を生ずること
はわかるであろう、従って最初に二煎1ヒ珪;)1と固
体還元剤との混合物をU(給し、次に二面fヒ珪素を供
給する交互の供給では、二面(ヒ珪素と固体還元剤との
混合物中の二酸化珪素と固体還元剤との割3は炭素が二
面(ヒr工素に対しくヒ学呈論的量より2025まで多
くなるような過剰のモル数になるように調節される。化
学量論的量は二酸化珪素1モル当たり炭素3モルである
。二面]ヒ珪素の供給は炭素と二酸化珪素の一緒にした
割合が木質的に全反応の化学量;−的量になるように調
節される。その〔ヒで;ぞ量論酌量は二面「ヒ珪累1モ
ルゴリ炭県2モルである。この考えは二酸化珪素と固体
還元剤との混合物が反応器及びプラズマへの供給物であ
る場合にも適用される。
反応器は固体反応物、固体還元剤単独、又は二酸化珪素
と固体3=元剤との混合物によって部分的に満たされて
もよい0反応2二の部分的充填は、プラズマへ直接供給
された二酸化珪素と固体還元剤との反応から固体の形成
に適用される逍切な空間を与えるものと考えられる。単
独または二煎化工1累との混3物として反応器を部分的
に充填するのに用いられる固体還元剤は、反応2;中及
びプラズマへ送られるl12iI本3コ元剤と同じでも
或は異なっていてもよい。開環に反応器を部分的に充填
するのに用いられる二酸化珪素は反応器及びプラズマへ
直接0(むされる二面rヒ珪崇ど同じでち或は異なって
いてもよい。
プラズマを用いると従来の電気アーク炉で用いらtして
いた炭素電極を除<2−5果になる。炭素電(至)は製
練工程で主な不純物源になっている。 t;Cって炭諾
電極を除くことは最終珪素物τ丁が少なくとも98重量
?、テ、でされば99重JM、 %或はそれ以上の純度
を6つようになる結果を与えるであろう。
反応装置はプラズマの流れ、二酸化珪素及び固体還元剤
が下に同じ方向に流れ、溶は珪素とガス状副生成物が反
応器の下半分から排出されるように配置することができ
る。この配置の一例は第1図に示されている0反応装置
は別法としてプラズマの流れ、二面Cヒ珪累及び固体還
元剤が反応2ゴの下半分に導入され、溶融珪素が反応2
:の底から排出されるように配置することができる。第
2図はこの配置の一例である。
反応装置は、大気圧から6気圧までの範囲の圧力がt、
1[持できるように設計されている。高い圧力を用いて
エネルギー利用度及び原利効串を最大にすることができ
る。大気圧以上の圧力で閉じた反応装置を操作すると副
生成物ガスの回収と、再利用を一層良く促進することが
できる。
プラズマガスは水素、飽和炭fヒ水素不飽和炭(ヒ水素
からなる群から選択された還元性ガスでよい。
又プラズマガスはアルゴン及びH,1からなるW「がら
選択された不活(1ガスでもよい、プラズマを形成する
のに用いられるガスは還元性ガスと不活性ガスのン昆合
1勿でもよい。
プラズマへ併給され、或は固体還元剤との混合物として
反応器を部分的に充填するのに用いられていでもよい二
煎(ヒエ1ズ;は、多くの天然酸の形の石英及び多くの
形態の溶融シリカ及びフユームドシリカからなる群から
選択される。二煎1ヒ珪索の形は粉末、粒子、塊、小石
状のもの、ペレット及び固形物からなる群から選択され
る。
プラズマへ供給さ)する371元剤及び反応器を充填す
るのに用いられる固体還元剤はカーボンブラック、木炭
、コークス、石炭、木片からなる群から選択される。固
体3=元剤の形は粉末、粒子、小片、塊、ベレッ1〜及
び固形物からなる群から選択される。
プラズマへ供給され、或は反応2利を部分的に充填する
のに用いてもよい二酸化珪素と固体j=還元剤の混合物
は、15)末、粒子、塊、ペレット及び固形物からなる
群から選択される形のものであってよい。
「溶融T1素の回収」とはバッチ又は連続的流出の如き
既知の方法により反応域から溶融珪素生成物を取り出す
どんなり′C来の手段をらH’J4、Vる。珪素を形成
するための「副生成物ガス」は主に副生成物の一酸化炭
素からなる。このガス流中には、プラズマガス及び一層
少ない量の水蒸気、二面fヒ炭素等の如きガスも含まれ
る。「副生成物の回収」とはエネルギーの処分又は回収
の既知の手段によってガスを収り扱うことを息昧する。
エネルギーの回収の例は熱ガスを用いてプラズマガス或
は反応1−Jを余シ!1すること、燃焼性ガスを燃焼さ
せて水蒸気のための熱を発生させること、発電(戊に結
3さhたガスタービンでの燃焼等である。
本発明を実施するのに好ましい態様は、移動アークブン
ズマ光生殿のTLjgiの一つ、プラズマガス源、二酸
化エ1累と固体還元剤の供給物が、二面化珪Z;と固体
還元剤との温き物で満たされた反応2′:Iの頂部の所
にあるように装置をt1′、%成することである。この
配置はプラズマガスの流れ、反応物、」U終溶融珪素及
びガス状副生成物が同じ方向に流れる結果を与える。
二酸化珪素と固体還元剤とを反応器中及びプラズマへ供
給する好ましい方法は、交互の供給として、最初に二酸
化珪素と固体還元剤との混合1勿を供給し、次に二煎化
珪素を供給し、それら供給を繰り返すことである。二酸
化珪素と固体還元剤との混合物のために、二酸化珪素と
固体還元剤との割合は、その炭素が二酸化珪素に対し、
化学量論酌量よりも1〜10%多くなるような範囲の過
剰のモル数になるように調節される。別法として二煎1
ヒrn H:の供給は、二酸化珪素に対する炭素のモル
割αが本質的に全反応のfヒ学量論酌量になるようにJ
、1節される。
好ましいプラズマガスはメタン又はアルゴンと水石の混
り物である。
用いられる原[1の24度は生成物珪素が少なくとも9
926の純度をもつような2J(1度である。二酸化エ
1素洪給物は1I5)末又は粒子の形の石英又はシリカ
である。二面fヒ珪素供給物ど共に供給される〕還元剤
は粉末又は粒子の形のカーボンブラック、石炭、木炭又
はコークスである。反応器が充填される固体反応物は石
英又はシリカと木炭、石炭、コークス又は木の混合物で
ある。l7tI木反応物の混合物は塊、小片或は固り物
の形になっている。
反応器中の圧力はエネルギー或は原L1の利用度を最大
にするため5〜6気圧の範囲に維持すべきである。
珪素を製造するための反応器装置は第1図によって表わ
されている装置である。
次の実施例は本発明を例示するために与えられているの
であって本発明を限定するものと考えてはならない。
例1(本発明の1・i囲に入らない) パイ四ツl−型の沈めたアーク炉を113正して、二煎
1ヒ珪紫の炭素熱還元に度せたプラズマ配置でガス添加
の影響を研究した。−酸1ヒ炭素が評価されたガスであ
る。
珪素製錬実験を200kV Aアーク反応器で完了した
。電極は中空でプラズマに度ぜてガスが通れるようにな
っていた。SiO2と炭素質還元剤との炭素熱反応をは
じめた。基本線の条件に達した段、問題のガスを中空?
liに通して流した。
S i 021モルと炭素2モルとのバッチ投入物(投
入物の基準としてSiOz6kg)を反応2′:Iへ送
った。
この基本線の混合物は石英としての5iOzとしての塊
状石炭、石油コークス及び木片からなる炭素質混合物か
らなっていた。
アーク反応器を24時間操作することによって安定1ヒ
させた。安定した状yこと、珪素の発生が認められた。
COを5SCrIflの速度で中空’tiを通して注入
した。ガス注入は過剰の発煙(過剰のSiOであるとt
Wにさhた)及び珪素生成の完全な停止を起こす炉の異
常な作動金もたらした。
これらの結果は、珪素の形成に対する非反応物或は希釈
ガスの有害な効果、及びSiO中間生成物の分圧が1i
素の形成にとって最少でなければならないという理論を
示しているように見える。
例2(本発明の範囲に入らない) エネルギー源としてプラズマを用いた有効な製練反応2
′:Iをfflみ立て評価した。その21価した配置で
は、プラズマ源は反応2″:Iの頂部に収り「・1けた
プラズマト−チは定格電力最大1.Sメガワットのウェ
ス−J−ングハウス マーク IIDI−−チであった
。工程ガスの加熱はI・−チ(非移動ガスアークプラズ
マ)中で完全に行なわれた。材J″1を連続的に供給す
るため反応器の上に供給ポツパーが取り付けられた。
操作中連続的追い出し用ガスとして、実験を始める前に
装置から酸素及び池のガスを追い出すためにアルゴンと
用いた。トーチの操(1:に用いたガスは水素対アルゴ
ンの8/1混合物(体積J!準」であった0反応器はそ
の底の部分に穴をもっていた。
その穴は圧力制御侭を通して、水によるガス洗浄器へ通
じていた。
二面fヒ11素材料と固体産前質材「]との混合物の固
形物及び塊状石炭の形の固14りを実験が始まる前に反
応器へ投入した。炭禦貰材せとm砕石英との小さな固形
物を実験中プラズマへU(給した。実験が終わった時、
固体の全ffl量及び0(給した固体を決定した。この
固体について調べた結果はh計して固体の約34重量%
が反応中に失われたことを示していた。
プラズマを反応器投入物の頂部へ向け、ガスを床を通し
て流し、そして反応器の底から排気した。
炭素質材i1と石英との供給物をプラズマの尾の所へ送
った。珪素は床に見出だされなかった。床の頂部は多孔
質SiCであるように見えた。大きな材f:lの減少は
化学反応が起きたことを示していた。
SiCが現れたことと固【・I<の上記ffi量減少は
反応5iOz−l−C=SiO+CO及び S i O1−2C¥SiC+CO が起きたことを示している。珪素が存在しないことは反
応: 5iO1−SiC=2Si+CO が起きなかったことを示している。
上記実験の結果は珪素が反応3″:I中で形成されなか
ったことを示しており、このJX+1合プラズマ発生機
は非移動アーク配置で、多量の木精の不粘性ガス或は非
反応性ガスが供給されていた。。
例3 ρ12のプラズマ/反応3:系を113正して反応域中
の希釈ガスの(イ(債を最少にし、移動アークプラズマ
のガス流に似せるように試みた。
黒鉛管からなる多岐官を反応皿中反応’3’i周囲の所
に配置した。この配置で、プラズマガスは反応器投入物
の上部を通るが、床中のガス流抵抗により反応器の頂部
の方向に押し返され、そして次に黒鉛管を通って下へ行
った。ガスはその熱か量をその投入物の頂部へ、直接接
触により伝達し、次に伝導及び対流により、管壁を通し
て1云達した。
このやり方で、プラズマガスは反応域内め反応ガスをn
1釈することはなかった。プラズマガスと反応ガスは反
応器の底で、後で一緒にされ、排気された。
例2の場合のように、反応器はrStWに固(4(反応
物が投入された。この場合ら固体は、後で実験中プラズ
マ中へ送られた。失駿前に反応=コバ\段入された固体
は塊状石炭、扮砕石英及び木炭であった。
実験中プラズマへ供給された固r4(は小石状5iOz
及び炭素であった。実@後反応器の内容物及び固体供給
物を調べた。この調べた結果は、固体の真のffl量損
大損失32%であったことを示していた。
容2:の圧力を2気圧より高く止弁させた。プラズマガ
ス及び反応ガスを反応器の底で一緒にし、洗浄器へ排気
した。黒鉛管及び排出管は炭素及び木炭の塵でふさがっ
た。黒鉛管の近く或はそれにIA接して11;f:の付
着が見られた。イ・1着した珪素の:r(: f’lは
Cヒ学分析し、99.r3重ユリSより大きい珪素であ
ることが判明した。
そのr′、素の(・1着物は、珪素が上昇させた温度で
3反応域中に形成されたことを示している。この結果は
Si○の分圧を珪素形成が行なわれるための最小の水i
(りになるようにすることにより、余、?1なガス3存
在させないことが珪素の形成を起こすと:うことの裏f
1りを与えている。更に反応中の圧力は珪素の形成を助
Gツな0反応域中の61釈ガスの存在を配置の変更によ
り最少にし、移動アークプラズマ発生機のガスの流れに
近似させた。
上の実験の結果は反応器 5iO1−3iC=2Si十CO が行なわれ、移動アーク配置に似たガス流及び反応中圧
力を用いることにより促進されたことを示している。
【図面の簡単な説明】
第1図はプラズマガスの流れと固体反応物が反応器の頂
部から導入される珪素炉配置の概略的図面である。 第2図は第112の配置を変えたもので、プラズマガス
の流れと固体反応物とが反応器の下半分に導入される配
置の概略的すめんである。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)i)プラズマを形成するために、最少のガスを用
    い、移動アーク配置を用いた反 応器でガスプラズマを発生させ、 ii)二酸化珪素と固体還元剤とを直接反応器中プラズ
    マへ供給し、 iii)プラズマガス、二酸化珪素及び固体還元剤を反
    応器の反応域へ送り、 iv)溶融した珪素及びガス状副生成物を反応器から回
    収する ことからなるエネルギー源としてガスプラズマを用いた
    珪素の製造方法。
  2. (2)二酸化珪素と固体還元剤とが、交互に最初は二酸
    化珪素と固体還元剤との混合物として、次に二酸化珪素
    を供給し、その供給を交互に繰り返すことによつて供給
    される前記第1項に記載の方法。
  3. (3)二酸化珪素と固体還元剤との混合物中、二酸化珪
    素と固体還元剤との割合が、炭素が二酸化珪素に対し、
    化学量論的量より20%まで多くなる過剰のモル量にな
    るように調節されている前記第2項に記載の方法。
  4. (4)二酸化珪素と固体還元剤との混合物中、二酸化珪
    素と固体還元剤との割合が、炭素が二酸化珪素に対し、
    化学量論的量より1〜10%の範囲まで多くなる過剰の
    モル量になるように調節されている前記第2項に記載の
    方法。
  5. (5)二酸化珪素の供給が、炭素と二酸化珪素を一緒に
    した割合が、本質的に全反応の化学量論的量になるよう
    に調節されている前記第2項に記載の方法。
  6. (6)二酸化珪素と固体還元剤とが一緒にした混合物と
    して供給される前記第1項に記載の方法。
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DD87303223A DD257058A5 (de) 1985-12-26 1987-05-27 Verfahren zur herstellung von silicium unter verwendung eines gasplasmas als energiequelle
BR8702801A BR8702801A (pt) 1985-12-26 1987-06-01 Processo para produzir silicio usando um plasma gasoso como fonte de energia

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013049625A (ja) * 2012-10-22 2013-03-14 Akita Univ 微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素の製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4798659A (en) * 1986-12-22 1989-01-17 Dow Corning Corporation Addition of calcium compounds to the carbothermic reduction of silica
SE461037B (sv) * 1987-10-09 1989-12-18 Skf Plasma Tech Saett att av kol och kiseldioxid kontinuerligt framstaella flytande kisel i en reaktor
NO165288C (no) * 1988-12-08 1991-01-23 Elkem As Silisiumpulver og fremgangsmaate for fremstilling av silisiumpulver.
US5131992A (en) * 1990-01-08 1992-07-21 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Interior Microwave induced plasma process for producing tungsten carbide
JP3205352B2 (ja) * 1990-05-30 2001-09-04 川崎製鉄株式会社 シリコン精製方法及び装置
US5445679A (en) * 1992-12-23 1995-08-29 Memc Electronic Materials, Inc. Cleaning of polycrystalline silicon for charging into a Czochralski growing process
US5611947A (en) * 1994-09-07 1997-03-18 Alliant Techsystems, Inc. Induction steam plasma torch for generating a steam plasma for treating a feed slurry
US5753567A (en) * 1995-08-28 1998-05-19 Memc Electronic Materials, Inc. Cleaning of metallic contaminants from the surface of polycrystalline silicon with a halogen gas or plasma
US20080314446A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 General Electric Company Processes for the preparation of solar-grade silicon and photovoltaic cells
US20080314445A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 General Electric Company Method for the preparation of high purity silicon
US7572425B2 (en) * 2007-09-14 2009-08-11 General Electric Company System and method for producing solar grade silicon
US20120061618A1 (en) 2010-09-11 2012-03-15 James Santoianni Plasma gasification reactors with modified carbon beds and reduced coke requirements
US11242252B2 (en) * 2016-01-08 2022-02-08 Plassein Technologies Ltd. Llc Refining process for producing solar silicon, silicon carbide, high-purity graphite and hollow silica microspheres
WO2018141805A1 (de) 2017-02-06 2018-08-09 Solar Silicon Gmbh Verfahren zur herstellung von elementarem silizium
EP3807215A1 (de) 2018-06-15 2021-04-21 Solar Silicon GmbH Verfahren zur herstellung von elementarem silizium
CN115385338A (zh) * 2022-08-01 2022-11-25 亚洲硅业(青海)股份有限公司 一种硅材料的制备方法及装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54159330A (en) * 1978-06-02 1979-12-17 Kema Nord Ab Production of silicon or silicon iron

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2924584A1 (de) * 1979-06-19 1981-01-15 Straemke Siegfried Verfahren zur herstellung von silicium fuer solarzellen
DE3016807A1 (de) * 1980-05-02 1981-11-05 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von silizium
SE435370B (sv) * 1981-10-20 1984-09-24 Skf Steel Eng Ab Sett att framstella kisel
SE436124B (sv) * 1982-09-08 1984-11-12 Skf Steel Eng Ab Sett att framstella ferrokisel
US4798659A (en) * 1986-12-22 1989-01-17 Dow Corning Corporation Addition of calcium compounds to the carbothermic reduction of silica

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54159330A (en) * 1978-06-02 1979-12-17 Kema Nord Ab Production of silicon or silicon iron

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013049625A (ja) * 2012-10-22 2013-03-14 Akita Univ 微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0227023A1 (en) 1987-07-01
EP0227023B1 (en) 1990-03-14
AU7321987A (en) 1988-11-24
BR8702801A (pt) 1988-12-27
SE8702065L (sv) 1988-11-20
AU598263B2 (en) 1990-06-21
SE460190B (sv) 1989-09-18
SE8702065D0 (sv) 1987-05-19
JPH0453806B2 (ja) 1992-08-27
CA1298236C (en) 1992-03-31
US4680096A (en) 1987-07-14

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