JPS62154828A - 角度変調信号用光受信回路 - Google Patents
角度変調信号用光受信回路Info
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- JPS62154828A JPS62154828A JP60295004A JP29500485A JPS62154828A JP S62154828 A JPS62154828 A JP S62154828A JP 60295004 A JP60295004 A JP 60295004A JP 29500485 A JP29500485 A JP 29500485A JP S62154828 A JPS62154828 A JP S62154828A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、光通信において、角度変ＵＡされた光信号を
受信し復調する角度変調信号用光受信回路の改良に関す
る。
受信し復調する角度変調信号用光受信回路の改良に関す
る。
従来、この種の光信号受信回路として例えば第４図に示
す如きものがある。この回路は、例えば光ファイバなど
の光伝送路を経て送られた周：ａ故変調あるいはパルス
化周波数変調された光信号をアバランシェフォトダイオ
ード（ＡＰＤ＞１で受光し、その受光出力信号を前置増
幅器２で増幅したのち帯域通過フィルタ３で帯域制限し
て目的外の信号スベク１−ラムや雑音成分を除去し、し
がるのち振幅制限器４で受光出力信号のＡＭ成分および
雑音成分を除去して復調器５に供給し、ここで復調して
ベースバンド信号を得るように構成されている。尚、６
はＡＰＤｌに増倍率設定用の固定バイアス電圧を供給す
るバイアス７！２源である。
す如きものがある。この回路は、例えば光ファイバなど
の光伝送路を経て送られた周：ａ故変調あるいはパルス
化周波数変調された光信号をアバランシェフォトダイオ
ード（ＡＰＤ＞１で受光し、その受光出力信号を前置増
幅器２で増幅したのち帯域通過フィルタ３で帯域制限し
て目的外の信号スベク１−ラムや雑音成分を除去し、し
がるのち振幅制限器４で受光出力信号のＡＭ成分および
雑音成分を除去して復調器５に供給し、ここで復調して
ベースバンド信号を得るように構成されている。尚、６
はＡＰＤｌに増倍率設定用の固定バイアス電圧を供給す
るバイアス７！２源である。
しかしながら、このような従来の光受信回路は、一般に
ＡＰＤｌのバイアス電圧を任意の値に固定的に設定して
いるため、次のような欠点があった。
ＡＰＤｌのバイアス電圧を任意の値に固定的に設定して
いるため、次のような欠点があった。
すなわら、ＡＰＤｌの増倍率を高めるためにバイアス電
圧を高く設定すると、光信号の振幅、つまり受光電力が
大きい領域でその受光出力信号の振幅が増幅器２のダイ
ナミックレンジを越え、これにより出力信号に歪みが発
生する不具合を生じる。
圧を高く設定すると、光信号の振幅、つまり受光電力が
大きい領域でその受光出力信号の振幅が増幅器２のダイ
ナミックレンジを越え、これにより出力信号に歪みが発
生する不具合を生じる。
一方、これを防止するためにＡＰＤＩのバイアス電圧を
低く設定すると、受光電力が大きな領域でも歪みの少な
い出力信号を得ることができるが、その反面受光電力の
小さな領域において増幅器２の熱雑音の影響が大きくな
って受光出力信号のＣ／Ｎの劣化を招く。
低く設定すると、受光電力が大きな領域でも歪みの少な
い出力信号を得ることができるが、その反面受光電力の
小さな領域において増幅器２の熱雑音の影響が大きくな
って受光出力信号のＣ／Ｎの劣化を招く。
本発明は上記事情に着目してなされたもので、受光電力
の大小に拘らず、Ｃ／Ｎが良好でかつダイナミックレン
ジが広く歪みの少ないｌｌ！Ｉ調出力を得られるように
した角度変調信号用光受信回路を提供することを目的と
する。
の大小に拘らず、Ｃ／Ｎが良好でかつダイナミックレン
ジが広く歪みの少ないｌｌ！Ｉ調出力を得られるように
した角度変調信号用光受信回路を提供することを目的と
する。
〔問題点を解決するための手段と作用〕本発明は、上記
問題点を解決するために、受光出力信号を所定の第１の
リミットレベルで振幅制限する第１の振幅制限器と、こ
の第１の振幅制限器の出力信号のピーク値を検出するビ
ーク噴検出器と、このピーク値検出器の検出レベルに応
じて前記アバランシェフォトダイオードのバイアス電圧
を設定変更するバイアス電圧可変回路と、上記第１の振
幅制限器の後段に設けられその第１のリミットレベルよ
りも低レベルに設定した第２のりミツトレベルで受光出
力信号を振幅制限する第２の振幅制限器を設けたもので
、これにより受光電力の大きな領域ではアバランシェフ
ォトダイオードの増倍率を低く設定して受光出力信号の
振幅が回路のダイナミックレンジを越えないようにしこ
れにより歪みの発生を防ぎ、−力受光電力の小さな領域
ではアバランシェフォトダイオードの増倍率を高めて受
光出力信号の振幅を大きくし、これにより熱雑音の影響
を低減してＣ／Ｎを高めるようにしたものである。
問題点を解決するために、受光出力信号を所定の第１の
リミットレベルで振幅制限する第１の振幅制限器と、こ
の第１の振幅制限器の出力信号のピーク値を検出するビ
ーク噴検出器と、このピーク値検出器の検出レベルに応
じて前記アバランシェフォトダイオードのバイアス電圧
を設定変更するバイアス電圧可変回路と、上記第１の振
幅制限器の後段に設けられその第１のリミットレベルよ
りも低レベルに設定した第２のりミツトレベルで受光出
力信号を振幅制限する第２の振幅制限器を設けたもので
、これにより受光電力の大きな領域ではアバランシェフ
ォトダイオードの増倍率を低く設定して受光出力信号の
振幅が回路のダイナミックレンジを越えないようにしこ
れにより歪みの発生を防ぎ、−力受光電力の小さな領域
ではアバランシェフォトダイオードの増倍率を高めて受
光出力信号の振幅を大きくし、これにより熱雑音の影響
を低減してＣ／Ｎを高めるようにしたものである。
第１図は、本発明の一実施例における光受信回路の構成
を示すものである。尚、同図において前記第４図と同一
部分には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
を示すものである。尚、同図において前記第４図と同一
部分には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
振幅制限器４から出力された受光出力信号はピーク値検
出器８に導かれ、ここでピーク値が検出される。そして
このピーク値検出器８の検出出力は差動増幅器９に導入
される。差動増幅器９は、上記ピーク検出器８の検出出
力を予め設定しである基準電圧ＶＲとレベル比較し、そ
の差電圧を例えばＤ Ｃ／Ｄ Ｃ変換器からなる電圧可
変形のバイアス電源１０に供給してＡＰＤＩのバイアス
電圧を可変制御する。また、振幅制限器４と復調器５と
の間には第２の振幅制限器７が設けである。この振幅制
限器７は、リミットレベルが前段の振幅制限器４よりも
低いレベルに設定され、振幅制限器４で振幅制限されな
い小受光電力時の受光出力信号を振幅制限してＡＭ成分
の雑音を除去するものである。
出器８に導かれ、ここでピーク値が検出される。そして
このピーク値検出器８の検出出力は差動増幅器９に導入
される。差動増幅器９は、上記ピーク検出器８の検出出
力を予め設定しである基準電圧ＶＲとレベル比較し、そ
の差電圧を例えばＤ Ｃ／Ｄ Ｃ変換器からなる電圧可
変形のバイアス電源１０に供給してＡＰＤＩのバイアス
電圧を可変制御する。また、振幅制限器４と復調器５と
の間には第２の振幅制限器７が設けである。この振幅制
限器７は、リミットレベルが前段の振幅制限器４よりも
低いレベルに設定され、振幅制限器４で振幅制限されな
い小受光電力時の受光出力信号を振幅制限してＡＭ成分
の雑音を除去するものである。
このような構成であるから、先ず受光電力が大きい領域
では、振幅制限器４が動作状態となってこの振幅制限器
４から第２図のＡより右側の領域に示す如くそのリミッ
トレベルで出力信号ｙｉ１幅が一定化された光出力信号
が出力される。したがってピーク値検出器８からは上記
出力信＠振幅に応じてレベルが一定な検出出力が出力さ
れ、着初増幅器９で基準電圧ＶＲと比較される。ここで
、この基準電圧ＶＲは後述する小受光電力時においてＡ
ＰＤＩの増倍率が最適箱となる値で、かつ大受光電力時
におけるピーク検出器８の検出出力レベルよりも若干高
く設定しである。このため、受光電力が大きいときには
前記振幅制限器４のリミットレベルに応じた高レベルの
ピーク検出出力と基準電圧ＶＲとの差である小さな電圧
がバイアス電源１０に供給され、この結果バイアス電源
１０からは上記差電圧に応じた小さなバイアス電圧が発
生されてＡＰＤｌに供給される。このため、ＡＰＤｌは
低Ｊ１１ｆ！ｒ率で受光動作を行なうことになる。した
がって、光信号の振幅が大きくてもその受光出力信号の
振幅は低く抑えられるので、受光出力信号の振幅が増幅
器２のダイナミックレンジを越えることはなく、これに
より歪みの少ない復調出力を優ることができる。
では、振幅制限器４が動作状態となってこの振幅制限器
４から第２図のＡより右側の領域に示す如くそのリミッ
トレベルで出力信号ｙｉ１幅が一定化された光出力信号
が出力される。したがってピーク値検出器８からは上記
出力信＠振幅に応じてレベルが一定な検出出力が出力さ
れ、着初増幅器９で基準電圧ＶＲと比較される。ここで
、この基準電圧ＶＲは後述する小受光電力時においてＡ
ＰＤＩの増倍率が最適箱となる値で、かつ大受光電力時
におけるピーク検出器８の検出出力レベルよりも若干高
く設定しである。このため、受光電力が大きいときには
前記振幅制限器４のリミットレベルに応じた高レベルの
ピーク検出出力と基準電圧ＶＲとの差である小さな電圧
がバイアス電源１０に供給され、この結果バイアス電源
１０からは上記差電圧に応じた小さなバイアス電圧が発
生されてＡＰＤｌに供給される。このため、ＡＰＤｌは
低Ｊ１１ｆ！ｒ率で受光動作を行なうことになる。した
がって、光信号の振幅が大きくてもその受光出力信号の
振幅は低く抑えられるので、受光出力信号の振幅が増幅
器２のダイナミックレンジを越えることはなく、これに
より歪みの少ない復調出力を優ることができる。
一方受光電力が低下し、これにより受光出力信号の振幅
が振幅制限器４のリミットレベル窓下になると、振幅制
限器４による振幅制限が解除されて受光出力信号の振幅
値は低下し始める。そうすると、ピーク値検出器８の検
出出力も低下し始め、それに応じて差動増幅器９の差電
圧が増加して、これにより第２図のＡから８のｆ［に示
すようにバイアス電源１０の出力電圧が増加する。この
ため、ＡＰＤＩの増倍率は増加し、受光出力信号の振幅
値の減少は抑制されて振幅値の大きな受光出力信号が得
られる。したがって、増幅器２における熱雑音の影響は
低減され、受光出力信号のＣ／Ｎは高く保持される。尚
、このとき差動増幅器９の基準電圧ＶＲを、受光電力が
第２図のＢのときにＡＰＤｌの増倍率が最適値になるよ
うに設定しておけば、このＢ付近においても十分良好な
Ｃ／Ｎが得られることになる。
が振幅制限器４のリミットレベル窓下になると、振幅制
限器４による振幅制限が解除されて受光出力信号の振幅
値は低下し始める。そうすると、ピーク値検出器８の検
出出力も低下し始め、それに応じて差動増幅器９の差電
圧が増加して、これにより第２図のＡから８のｆ［に示
すようにバイアス電源１０の出力電圧が増加する。この
ため、ＡＰＤＩの増倍率は増加し、受光出力信号の振幅
値の減少は抑制されて振幅値の大きな受光出力信号が得
られる。したがって、増幅器２における熱雑音の影響は
低減され、受光出力信号のＣ／Ｎは高く保持される。尚
、このとき差動増幅器９の基準電圧ＶＲを、受光電力が
第２図のＢのときにＡＰＤｌの増倍率が最適値になるよ
うに設定しておけば、このＢ付近においても十分良好な
Ｃ／Ｎが得られることになる。
尚、受光電力が第２図のＢ以下の領域では、それ以上の
バイアス電圧の増加は反ってＡＰＤｌのショット雑音の
増加をＪＥいて好ましくないので、バイアス電′Ｂ１０
の発生電圧値に上限を設けてバイアス電圧を一定化する
。
バイアス電圧の増加は反ってＡＰＤｌのショット雑音の
増加をＪＥいて好ましくないので、バイアス電′Ｂ１０
の発生電圧値に上限を設けてバイアス電圧を一定化する
。
また上記小受光電力時には、受光出力信号の振幅値が振
幅制限器４のリミットレベル以下に低下して振幅制限さ
れないことになる。しかし、この振幅υ１限器４を通過
した受光信号は第２の振幅制限器７により上記前段の振
幅制限器４のリミットレベルよりも低く設定したリミッ
トレベルにより振幅制限されるので、復調器５へはＡＭ
雑音成分が除去された受光出力信号が供給されることに
なり、この結果復調器５からは歪みの少ない復調出力が
１９られる。尚、第２の振幅制限器７のリミットレベル
は、受信回路としての最小受光電力に対応するレベルに
設定すればよい。
幅制限器４のリミットレベル以下に低下して振幅制限さ
れないことになる。しかし、この振幅υ１限器４を通過
した受光信号は第２の振幅制限器７により上記前段の振
幅制限器４のリミットレベルよりも低く設定したリミッ
トレベルにより振幅制限されるので、復調器５へはＡＭ
雑音成分が除去された受光出力信号が供給されることに
なり、この結果復調器５からは歪みの少ない復調出力が
１９られる。尚、第２の振幅制限器７のリミットレベル
は、受信回路としての最小受光電力に対応するレベルに
設定すればよい。
このように本実施例であれば、受光電力が大きい領域で
はＡＰＤｌのバイアス電圧を低く設定し、−力受光電力
が小さい領域では小さくなるに従ってＡＰＤ １のバイ
アス電圧を増加させるようにしたので、大受光電力時に
は受光出力信号の振幅が増幅器２のダイナミックレンジ
を越えないようにすることができ、これにより歪みの発
生を低減して高品質のｔｌｌ比出力得ることができる。
はＡＰＤｌのバイアス電圧を低く設定し、−力受光電力
が小さい領域では小さくなるに従ってＡＰＤ １のバイ
アス電圧を増加させるようにしたので、大受光電力時に
は受光出力信号の振幅が増幅器２のダイナミックレンジ
を越えないようにすることができ、これにより歪みの発
生を低減して高品質のｔｌｌ比出力得ることができる。
また小受光電力時には、ＡＰＤｌの増倍率を高めること
ができるので、大きな受光出力信号を得ることができ、
この結果増幅器２の熱雑音の影響を低減してＣ／’ Ｎ
を高く保持することができる。第３図のイは本実施例に
よる受光電力に対するＣ／Ｎを示したものである。ちな
みに、同図の口は小受光電力時にＣ／Ｎを高めるために
ＡＰＤ １のバイアス電圧を高く固定設定した場合のＣ
／Ｎの変化を示し、またハは大受光電力時にＣ／Ｎの良
好で歪みの少ない受光出力信号が得られるようにＡＰＤ
ｌのバイアス電圧を低い値に固定設定した場合のＣ／Ｎ
の変化を示すものである。この特性からも、本実施例の
回路によって、受光電力の大小に係わらず広範囲でＣ／
Ｎが良好でかつダイナミックレンジに対応した受光出力
＠号が攪られることが分かる。
ができるので、大きな受光出力信号を得ることができ、
この結果増幅器２の熱雑音の影響を低減してＣ／’ Ｎ
を高く保持することができる。第３図のイは本実施例に
よる受光電力に対するＣ／Ｎを示したものである。ちな
みに、同図の口は小受光電力時にＣ／Ｎを高めるために
ＡＰＤ １のバイアス電圧を高く固定設定した場合のＣ
／Ｎの変化を示し、またハは大受光電力時にＣ／Ｎの良
好で歪みの少ない受光出力信号が得られるようにＡＰＤ
ｌのバイアス電圧を低い値に固定設定した場合のＣ／Ｎ
の変化を示すものである。この特性からも、本実施例の
回路によって、受光電力の大小に係わらず広範囲でＣ／
Ｎが良好でかつダイナミックレンジに対応した受光出力
＠号が攪られることが分かる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例
えば、上記実施例では小受光電力領域においてＡＰＤｌ
のバイアス電圧を受光出力信号の振幅値の低下に従って
徐々に増加させるようにしたが、任意の受光電力圃を境
にそれよりも受光電力が大きい領域ではバイアス電圧値
を所定の低い値に設定しておき、−力受光電力が低い領
域ではバイアス電圧値を所定の高い値に切換えて設定す
るようにしてもよい。また、上記実施例では帯１或通過
フィルタ３を振幅制限器４の前段側に挿入した場合につ
いて示したが、角度変調信号の周波数が１種類だけで他
に何も周波数多重されていない場合には、雑音を除去し
て波形を等化するだけなので、フィルタ３を振幅制限器
４の後段に配置してもよい。その他、角度変調信号の種
類（例えばＦＭ変調信号以外にパルス化ＦＭ変調信号や
位相変調信号でもよい）や、バイアス電圧可変回路の構
成、バイアス電圧の可変特性、振幅制限器のリミッタレ
ベルの値等についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々変形して実施できる。
えば、上記実施例では小受光電力領域においてＡＰＤｌ
のバイアス電圧を受光出力信号の振幅値の低下に従って
徐々に増加させるようにしたが、任意の受光電力圃を境
にそれよりも受光電力が大きい領域ではバイアス電圧値
を所定の低い値に設定しておき、−力受光電力が低い領
域ではバイアス電圧値を所定の高い値に切換えて設定す
るようにしてもよい。また、上記実施例では帯１或通過
フィルタ３を振幅制限器４の前段側に挿入した場合につ
いて示したが、角度変調信号の周波数が１種類だけで他
に何も周波数多重されていない場合には、雑音を除去し
て波形を等化するだけなので、フィルタ３を振幅制限器
４の後段に配置してもよい。その他、角度変調信号の種
類（例えばＦＭ変調信号以外にパルス化ＦＭ変調信号や
位相変調信号でもよい）や、バイアス電圧可変回路の構
成、バイアス電圧の可変特性、振幅制限器のリミッタレ
ベルの値等についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々変形して実施できる。
以上詳述したように本発明によれば、受光出力信号を所
定の第１のリミットレベルで振幅制限する第１の振幅制
限器と、この第１の振幅制限器の出力信号のピーク値を
検出するピーク値検出器と、このピーク値検出器の検出
レベルに応じて前記アバランシェフォトダイオードのバ
イアス電圧を設定変更するバイアス電圧可変回路と、上
記第１の振幅制限器の後段に設けられその第１のリミッ
トレベルよりも低レベルに設定した第２のリミットレベ
ルで受光出力信号を振幅制限する第２の振幅制限器を設
けたもので、これにより受光電力の大きな領域ではアバ
ランシェフォトダイオードの増倍率を低く設定して受光
出力信号の振幅が回路のダイナミックレンジを越えない
ようにしこれにより歪みの発生を防ぎ、−力受光電力の
小さな領域ではアバランシェフォトダイオードの増１ｇ
率を高めて受光出力信号の振幅を大きくし、これにより
熱雑音の影響を低減してＣ＝’ Ｎを高めるようにした
ことによって、受光電力の大小に拘らず、Ｃ／Ｎが良好
でかつダイナミックレンジが広く歪みの少ない復調出力
を得ることができる角度変調信号用光受信回路を提供す
ることができる。
定の第１のリミットレベルで振幅制限する第１の振幅制
限器と、この第１の振幅制限器の出力信号のピーク値を
検出するピーク値検出器と、このピーク値検出器の検出
レベルに応じて前記アバランシェフォトダイオードのバ
イアス電圧を設定変更するバイアス電圧可変回路と、上
記第１の振幅制限器の後段に設けられその第１のリミッ
トレベルよりも低レベルに設定した第２のリミットレベ
ルで受光出力信号を振幅制限する第２の振幅制限器を設
けたもので、これにより受光電力の大きな領域ではアバ
ランシェフォトダイオードの増倍率を低く設定して受光
出力信号の振幅が回路のダイナミックレンジを越えない
ようにしこれにより歪みの発生を防ぎ、−力受光電力の
小さな領域ではアバランシェフォトダイオードの増１ｇ
率を高めて受光出力信号の振幅を大きくし、これにより
熱雑音の影響を低減してＣ＝’ Ｎを高めるようにした
ことによって、受光電力の大小に拘らず、Ｃ／Ｎが良好
でかつダイナミックレンジが広く歪みの少ない復調出力
を得ることができる角度変調信号用光受信回路を提供す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例における角度変調信号用光受
信回路のブロック構成図、第２図は同回路の動作説明に
用いる受光電力に対する受光出力信号の振幅およびＡＰ
Ｄのバイアス電圧１直の変化を示す特性図、第３図は第
１図の回路の効果を説明するための受光電力に対するＣ
／Ｎの変化特性図、第４図は従来の角度変調信号用光受
信回路のブロック構成図である。 １・・・アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ＞、２
・・・前置増幅器、３・・・帯域通過フィルタ、４・・
・振幅制限器、５・・・復調器、７・・・第２の振幅制
限器、８・・・ピーク値検出器、９・・・差動増幅器、
１０・・・バイアス電源、ＶＲ・・・基準電圧。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第３０ ５ 第４因
信回路のブロック構成図、第２図は同回路の動作説明に
用いる受光電力に対する受光出力信号の振幅およびＡＰ
Ｄのバイアス電圧１直の変化を示す特性図、第３図は第
１図の回路の効果を説明するための受光電力に対するＣ
／Ｎの変化特性図、第４図は従来の角度変調信号用光受
信回路のブロック構成図である。 １・・・アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ＞、２
・・・前置増幅器、３・・・帯域通過フィルタ、４・・
・振幅制限器、５・・・復調器、７・・・第２の振幅制
限器、８・・・ピーク値検出器、９・・・差動増幅器、
１０・・・バイアス電源、ＶＲ・・・基準電圧。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第３０ ５ 第４因
Claims (3)
- （１）角度変調された光信号をアバランシェフォトダイ
オードで受光し、その受光出力信号を増幅し振幅制限し
たのち角度復調してベースバンド信号を得る角度変調信
号用光受信回路において、前記受光出力信号を所定の第
１のリミットレベルで振幅制限する第１の振幅制限器と
、この第１の振幅制限器の出力信号のピーク値を検出す
るピーク値検出器と、このピーク値検出器の検出レベル
に応じて前記アバランシェフォトダイオードのバイアス
電圧を所定値に設定変更するバイアス電圧可変回路と、
前記第１の振幅制限器の後段に設けられその第１のリミ
ットレベルよりも低レベルに設定した第２のリミットレ
ベルで受光出力信号を振幅制限する第２の振幅制限器と
を具備したことを特徴とする角度変調信号用光受信回路
。 - （２）バイアス電圧可変回路は、アバランシェフォトダ
イオードのバイアス電圧をピーク値検出器の検出レベル
の低下に応じて徐々に増加させるものである特許請求の
範囲第（１）項記載の角度変調信号用光受信回路。 - （３）バイアス電圧可変回路は、アバランシェフォトダ
イオードのバイアス電圧を、ピーク値検出器の検出レベ
ルが所定値以上のとき任意の低電圧値に設定するととも
に、所定値未満のとき任意の高電圧値に切換えて設定す
るものである特許請求の範囲第（１）項記載の角度変調
信号用光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295004A JP2501319B2 (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 角度変調信号用光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295004A JP2501319B2 (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 角度変調信号用光受信回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154828A true JPS62154828A (ja) | 1987-07-09 |
| JP2501319B2 JP2501319B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=17815092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60295004A Expired - Lifetime JP2501319B2 (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 角度変調信号用光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501319B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126710A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Nec Corp | アバランシェフォトダイオードバイアス電圧制御回路 |
| EP0392244A2 (de) * | 1989-04-14 | 1990-10-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Optischer Empfänger mit einer Lawinenphotodiode |
| JPH04124922A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-24 | Nec Corp | 光送信装置 |
| CN114994710A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-09-02 | 南京信息工程大学 | 一种动态范围分段控制的激光雷达 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152348A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Fujitsu Ltd | Photoelectric converting circuit |
| JPS58124339A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Toshiba Corp | 光受信器 |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP60295004A patent/JP2501319B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152348A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Fujitsu Ltd | Photoelectric converting circuit |
| JPS58124339A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Toshiba Corp | 光受信器 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126710A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Nec Corp | アバランシェフォトダイオードバイアス電圧制御回路 |
| EP0392244A2 (de) * | 1989-04-14 | 1990-10-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Optischer Empfänger mit einer Lawinenphotodiode |
| EP0392244A3 (de) * | 1989-04-14 | 1991-08-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optischer Empfänger mit einer Lawinenphotodiode |
| JPH04124922A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-24 | Nec Corp | 光送信装置 |
| CN114994710A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-09-02 | 南京信息工程大学 | 一种动态范围分段控制的激光雷达 |
| CN114994710B (zh) * | 2022-08-03 | 2022-10-28 | 南京信息工程大学 | 一种动态范围分段控制的激光雷达 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2501319B2 (ja) | 1996-05-29 |
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