JPS58124339A - 光受信器 - Google Patents
光受信器Info
- Publication number
- JPS58124339A JPS58124339A JP57007136A JP713682A JPS58124339A JP S58124339 A JPS58124339 A JP S58124339A JP 57007136 A JP57007136 A JP 57007136A JP 713682 A JP713682 A JP 713682A JP S58124339 A JPS58124339 A JP S58124339A
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- JP
- Japan
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- voltage
- output
- circuit
- vco
- apd
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は光伝送路を通して伝送される光信号をアバラン
シェ・フォトダイオードを用いて検出する光受信器に関
する。
シェ・フォトダイオードを用いて検出する光受信器に関
する。
発明の技術的背景
一般にこの種の光受信器は第１図に示されるように構カ
又されている。図中、１１は光ファイバ１２全通して伝
送される光信号全検出して電気信号に変換するアバラン
シェ・フォトダイオード（以下、ＡＰＤと称する）であ
る。ＡＰＤ １１は周知のようになだれ増倍作用全利用
した高感度半導体素子であり、高バイアス電圧を必要と
する。ＡＰＤ Ｉ Ｊの検出出力は前置増幅回路１３、
更には等化増幅回路１４によって増幅されるとともに波
形整形される。識別再生回路１５は等化増幅回路１４の
出力信号から２値情報を再生する。一方、ピーク検出回
路１６は等化増幅回路１４の出力信号のピーク値を検出
し、ピーク検出電圧Ｖｃを出力する。線形増幅器１７は
ピーク検出回路１６から出力されるピーク検出電圧ＶＣ
に反比例した出力電圧をｌ）Ｃ／ＤＣコンバータ１８に
出力する。ＤＣ／ｌ）Ｃコン・ぐ−クＩＢは線形増幅器
１７の出力電圧をこの出力電圧に応じた電圧に変換し、
ＡＰＤ １１に対するバイアス電圧（ＡＰＩ）バイアス
電圧） ＶＡＰＤとして抵抗Ｒを介してＡＰＤ Ｚ １
に印刀口する。このようにして、ピーク検出電圧Ｖｃに
応じてＡＰＩ−）バイアス電圧ＶＡＰＤが可変制御され
、ＡＰＤ １１の検出出力ｃＶＣ官まれる信号成分のレ
ベル〕が最適値に設定される。
又されている。図中、１１は光ファイバ１２全通して伝
送される光信号全検出して電気信号に変換するアバラン
シェ・フォトダイオード（以下、ＡＰＤと称する）であ
る。ＡＰＤ １１は周知のようになだれ増倍作用全利用
した高感度半導体素子であり、高バイアス電圧を必要と
する。ＡＰＤ Ｉ Ｊの検出出力は前置増幅回路１３、
更には等化増幅回路１４によって増幅されるとともに波
形整形される。識別再生回路１５は等化増幅回路１４の
出力信号から２値情報を再生する。一方、ピーク検出回
路１６は等化増幅回路１４の出力信号のピーク値を検出
し、ピーク検出電圧Ｖｃを出力する。線形増幅器１７は
ピーク検出回路１６から出力されるピーク検出電圧ＶＣ
に反比例した出力電圧をｌ）Ｃ／ＤＣコンバータ１８に
出力する。ＤＣ／ｌ）Ｃコン・ぐ−クＩＢは線形増幅器
１７の出力電圧をこの出力電圧に応じた電圧に変換し、
ＡＰＤ １１に対するバイアス電圧（ＡＰＩ）バイアス
電圧） ＶＡＰＤとして抵抗Ｒを介してＡＰＤ Ｚ １
に印刀口する。このようにして、ピーク検出電圧Ｖｃに
応じてＡＰＩ−）バイアス電圧ＶＡＰＤが可変制御され
、ＡＰＤ １１の検出出力ｃＶＣ官まれる信号成分のレ
ベル〕が最適値に設定される。
背欧技術の問題点
このような従来の光受信器では、光フ了イパ１２から光
信号が送信されない状態、いわゆる待機状態にある場合
、ＤＣ／／ＤＣコンバータ１８の出力であるＡＰＤバイ
アス電圧ＶＡＰＤは最大値に保たれる。ところでＡＰＤ
Ｊ Ｚのブレークダウン電ＩＩＥＩｉＭは温度変化な
どによって変動する。したがって、上記ＡＰＩ）バイア
ス電圧ＶＡＰＤの最高値がＡＰＤ １１のブレークダウ
ン電圧値以下になるように設定されている場合でも、上
述の変動によりブレークダウン電圧値が上記最高値より
小さくなってＡＰＤ １１がブレークダウンを起こす恐
れがあった。このため、従来の光受信器では、上述の待
機状態において、ＡＰＤ １１のブレークダウンにより
ＡＰＤ Ｊ １が劣化し、受信系の信頼性が低下する欠
点があった。
信号が送信されない状態、いわゆる待機状態にある場合
、ＤＣ／／ＤＣコンバータ１８の出力であるＡＰＤバイ
アス電圧ＶＡＰＤは最大値に保たれる。ところでＡＰＤ
Ｊ Ｚのブレークダウン電ＩＩＥＩｉＭは温度変化な
どによって変動する。したがって、上記ＡＰＩ）バイア
ス電圧ＶＡＰＤの最高値がＡＰＤ １１のブレークダウ
ン電圧値以下になるように設定されている場合でも、上
述の変動によりブレークダウン電圧値が上記最高値より
小さくなってＡＰＤ １１がブレークダウンを起こす恐
れがあった。このため、従来の光受信器では、上述の待
機状態において、ＡＰＤ １１のブレークダウンにより
ＡＰＤ Ｊ １が劣化し、受信系の信頼性が低下する欠
点があった。
発明の目的
Ａ−１発明は上記事情に鑑みてなされたものでその目的
は、受光信号の無い待機状態にＡＰＤ （アバランシェ
・フォトダイオード）に印加されるバイアス電圧ヲ、Ａ
ＰＤがブレークダウンする恐扛のない充分低い電圧値に
設定でき、もってブレークダウン電圧特性変動などによ
りＡＰＤがブレークダウンしてこのＡＰＤが劣化するこ
とを防止でき、受信系の信；頑性が向上できる先受信器
全提供することにある。
は、受光信号の無い待機状態にＡＰＤ （アバランシェ
・フォトダイオード）に印加されるバイアス電圧ヲ、Ａ
ＰＤがブレークダウンする恐扛のない充分低い電圧値に
設定でき、もってブレークダウン電圧特性変動などによ
りＡＰＤがブレークダウンしてこのＡＰＤが劣化するこ
とを防止でき、受信系の信；頑性が向上できる先受信器
全提供することにある。
発明の概要
ＡＰＤ （アバランシェ・フォトダイオード）を含む光
／電気変喚増１隔回路の出力のピーク値または平均値を
検出する検出回路の出力電圧Ｖｃと基準電圧■ｃｏを比
較し、ＶＣ＞ｖｃｏのとき上記検出回路の出力′重圧Ｖ
ｃをそのまま出力（〜、ＶＣ＜Ｖｃ。
／電気変喚増１隔回路の出力のピーク値または平均値を
検出する検出回路の出力電圧Ｖｃと基準電圧■ｃｏを比
較し、ＶＣ＞ｖｃｏのとき上記検出回路の出力′重圧Ｖ
ｃをそのまま出力（〜、ＶＣ＜Ｖｃ。
のときに特定車圧ｖｃ１に出力する比較回路と、この比
較回路の出力に応じた′鑞圧金上記ＡＰＤのバイアス電
圧ＶＡＰＩ）として出力する血圧制御回路とを設け、Ｖ
ｃ＜Ｖｃｏのときのバイアス軍、圧Ｖ人ＰＤが最高値と
ならないようにしたものである。
較回路の出力に応じた′鑞圧金上記ＡＰＤのバイアス電
圧ＶＡＰＩ）として出力する血圧制御回路とを設け、Ｖ
ｃ＜Ｖｃｏのときのバイアス軍、圧Ｖ人ＰＤが最高値と
ならないようにしたものである。
発明の実施例
第２図は本発明の一実施例を示すブロック図である。な
お、第１図と同一部分には同一４１号を付して詳細な説
明を省略する。図中、２１はピーク検出回路１６から出
力されるピーク検出電圧ｖｃと基準電ｒＩＥＶｃｏ と
を比較する比較回路である。比較回路２ノは上記ピーク
検出電圧ｖｃとあらかじめ設定されている設定電圧ｖｃ
１（Ｖｃ＋＞Ｖｃｏ ）との比較も行なうようにガって
いる。比較回路２１はＶｃ≦ＶＣＯのとき設定電圧ｖＣ
１を出力し、Ｖｃｏ＜Ｖｃ（Ｖｃ＋のときピーク検５− 出電圧ｖｃをそのまま出力し、ｖｃ≧Ｖｃｉのとき設定
電圧ｖｃ１を出力するようになっている。２２は比較回
路２）の出力（出力電圧■ｃ′と称する）に応じたＡＰ
Ｄバイアス電圧ＶＡＰＤを発生する電圧制御回路である
。電圧制御回路２２は制御電圧変換回路２３、バイアス
制御回路２４、およびＤＣ／ＤＣコンバータ２５を有し
ている。制御電圧変換回路２３はたとえば第１図の線形
増幅器１７と同様の線形増幅器であり、比較回路２１の
出力（出力電圧Ｖｃ’ ）に反比例しだ電圧ｆ（Ｖｃ
′）を制御電圧としてバイアス制御回路２４に出力する
。バイアス制御回路２４はたとえば線形増幅器であり、
ＤＣ／ＤＣコンノ々−夕２５から供給される所定電圧値
の高電圧に基づいて上記制佃ｊ電圧ｆ（Ｖｃ’）に比例
した電圧をＡＰＤバイアス′鉱圧ｖＡＰＤとして出力す
る。このＡＰＤバイアス電圧ＶＡ、ＰＤは抵抗Ｒを介し
てＡＰＤ １１に印加される。
お、第１図と同一部分には同一４１号を付して詳細な説
明を省略する。図中、２１はピーク検出回路１６から出
力されるピーク検出電圧ｖｃと基準電ｒＩＥＶｃｏ と
を比較する比較回路である。比較回路２ノは上記ピーク
検出電圧ｖｃとあらかじめ設定されている設定電圧ｖｃ
１（Ｖｃ＋＞Ｖｃｏ ）との比較も行なうようにガって
いる。比較回路２１はＶｃ≦ＶＣＯのとき設定電圧ｖＣ
１を出力し、Ｖｃｏ＜Ｖｃ（Ｖｃ＋のときピーク検５− 出電圧ｖｃをそのまま出力し、ｖｃ≧Ｖｃｉのとき設定
電圧ｖｃ１を出力するようになっている。２２は比較回
路２）の出力（出力電圧■ｃ′と称する）に応じたＡＰ
Ｄバイアス電圧ＶＡＰＤを発生する電圧制御回路である
。電圧制御回路２２は制御電圧変換回路２３、バイアス
制御回路２４、およびＤＣ／ＤＣコンバータ２５を有し
ている。制御電圧変換回路２３はたとえば第１図の線形
増幅器１７と同様の線形増幅器であり、比較回路２１の
出力（出力電圧Ｖｃ’ ）に反比例しだ電圧ｆ（Ｖｃ
′）を制御電圧としてバイアス制御回路２４に出力する
。バイアス制御回路２４はたとえば線形増幅器であり、
ＤＣ／ＤＣコンノ々−夕２５から供給される所定電圧値
の高電圧に基づいて上記制佃ｊ電圧ｆ（Ｖｃ’）に比例
した電圧をＡＰＤバイアス′鉱圧ｖＡＰＤとして出力す
る。このＡＰＤバイアス電圧ＶＡ、ＰＤは抵抗Ｒを介し
てＡＰＤ １１に印加される。
次に第２図の構成の動作を説明する。まず、ピーク検出
回路１６から出力されるピーク検出６一 電圧Ｖ。がＶ。ｏ＜ｖｃ＜Ｖｃｌである場合について説
明する。比較回路２１はピーク検出′嵯圧Ｖｃと基準電
圧Ｖｃｏとの比較、ピーク検出電圧ｖｃと設定電圧Ｖｃ
１との比較を行ない、Ｖｃｏ＜ＶＣ＜Ｖｃｌであること
を判定すると、上記ピーク検出電圧ＶＣを出力電圧ｖｃ
′として出力する。制御］ ″Ｉｌｉ圧変換回路２３は
この出力電圧ｖｃ′（−Ｖｃ）に反叱例した制御電圧ｆ
（Ｖｃ’−Ｖｃ ）をバイアス制御回路２４に出力す
る。しかして・ぐイアス制憫１回路２４は制御電圧ｆ（
Ｖｃ′＝ｖｃ）に比例した電圧をＡＰＤバイアス電圧Ｖ
ＡＰＤとして出力する。すなわちＶｃｏ＜Ｖｃ＜Ｖｃ＋
の晩会には、第３図のＡＰＤバイアス制御特性図に示さ
れているように、ＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤは最適値
に制御される。なお、第３図において、横軸はピーク検
出電圧ＶＣであり、縦軸はＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤ
でめる１一方、ＶＣ≦ｖｃｏの場合には、比較回路２１
は設定電圧■ｃ１を出力電圧ｖｃ′として出力する。こ
の出力電圧Ｖｃ’ （−Ｖｃ＋ ）は制御１亜圧変換回
路２３によって制御電圧ｆ （Ｖｃ′＝Ｖｃ１ ）に変
換さｎｌ・ぐイアス制御回路２４に出力づれる。バイア
スｆｒｉ制御回路２４は制御ｊ電圧ｆ （Ｖｃ’＝Ｖｃ
ｉ ）に応じたＡＰＤバイアス醒圧Ｖｈｐｏｋ出カする
。本実施例において、このときのＡＰＤバイアス″醒圧
ＶＡＰＤ％す力わちピーク検出電圧ＶＣがｖｃ≦Ｖｃｏ
のときのＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤは、第３図に示さ
れるようにＡＰＩ） Ｊ １に印７Ｊ［ｉされ得るバイ
アス′市圧ＶＡＰＤの中の最低値である。いいがえれば
、ＶＣ≦Ｖｃｏのときに比較回路２１から出力される設
定電圧ｖｃ１は、この設定電圧ｖｃ１に対応するＡＰＤ
バイアス直圧ＶＡＰＤが最低Ｉ［に制御される賦圧１直
にあらかじめ設定されている。Ｖｃ≦ＶｃｏのときのＡ
ＰＤバイアス驚圧ＶＡＰＤはＡＰＤ １１のブレークダ
ウン電圧より光分低い値であシ、たとえ温朋変化などで
ブレークダウン電圧特性が変動したとしてもＡＰＤ １
１がブレークダウンする恐れはない。したがって受光信
号が無い侍機状爬において、従来例のようにＡＰＤバイ
アス電圧ＶＡＰＤが最高値の状蝶を保つためにブレーク
ダウンによるＡＰＤの劣化會招くことはなくなる。本実
施例において上記ＡＰＤバイアス区圧ＶＡＰＤの最低値
は元ファイバ１２からの光信号検出が可能な最低のバイ
アス値である。なお、本実施例の要旨によれば、ｖｃ≦
ｖｃｏの場合のＡＰＤ−々イアスミ圧ＶＡｐｏｋ、必ず
しも上記光信号検出が可能な最低のバイアス値に設定す
る必要はなく、Ｖｃｏ＜Ｖｃ＜Ｖｃ＋のときにとり得る
ＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤの最高値より小さい′電圧
値であればよい。
回路１６から出力されるピーク検出６一 電圧Ｖ。がＶ。ｏ＜ｖｃ＜Ｖｃｌである場合について説
明する。比較回路２１はピーク検出′嵯圧Ｖｃと基準電
圧Ｖｃｏとの比較、ピーク検出電圧ｖｃと設定電圧Ｖｃ
１との比較を行ない、Ｖｃｏ＜ＶＣ＜Ｖｃｌであること
を判定すると、上記ピーク検出電圧ＶＣを出力電圧ｖｃ
′として出力する。制御］ ″Ｉｌｉ圧変換回路２３は
この出力電圧ｖｃ′（−Ｖｃ）に反叱例した制御電圧ｆ
（Ｖｃ’−Ｖｃ ）をバイアス制御回路２４に出力す
る。しかして・ぐイアス制憫１回路２４は制御電圧ｆ（
Ｖｃ′＝ｖｃ）に比例した電圧をＡＰＤバイアス電圧Ｖ
ＡＰＤとして出力する。すなわちＶｃｏ＜Ｖｃ＜Ｖｃ＋
の晩会には、第３図のＡＰＤバイアス制御特性図に示さ
れているように、ＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤは最適値
に制御される。なお、第３図において、横軸はピーク検
出電圧ＶＣであり、縦軸はＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤ
でめる１一方、ＶＣ≦ｖｃｏの場合には、比較回路２１
は設定電圧■ｃ１を出力電圧ｖｃ′として出力する。こ
の出力電圧Ｖｃ’ （−Ｖｃ＋ ）は制御１亜圧変換回
路２３によって制御電圧ｆ （Ｖｃ′＝Ｖｃ１ ）に変
換さｎｌ・ぐイアス制御回路２４に出力づれる。バイア
スｆｒｉ制御回路２４は制御ｊ電圧ｆ （Ｖｃ’＝Ｖｃ
ｉ ）に応じたＡＰＤバイアス醒圧Ｖｈｐｏｋ出カする
。本実施例において、このときのＡＰＤバイアス″醒圧
ＶＡＰＤ％す力わちピーク検出電圧ＶＣがｖｃ≦Ｖｃｏ
のときのＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤは、第３図に示さ
れるようにＡＰＩ） Ｊ １に印７Ｊ［ｉされ得るバイ
アス′市圧ＶＡＰＤの中の最低値である。いいがえれば
、ＶＣ≦Ｖｃｏのときに比較回路２１から出力される設
定電圧ｖｃ１は、この設定電圧ｖｃ１に対応するＡＰＤ
バイアス直圧ＶＡＰＤが最低Ｉ［に制御される賦圧１直
にあらかじめ設定されている。Ｖｃ≦ＶｃｏのときのＡ
ＰＤバイアス驚圧ＶＡＰＤはＡＰＤ １１のブレークダ
ウン電圧より光分低い値であシ、たとえ温朋変化などで
ブレークダウン電圧特性が変動したとしてもＡＰＤ １
１がブレークダウンする恐れはない。したがって受光信
号が無い侍機状爬において、従来例のようにＡＰＤバイ
アス電圧ＶＡＰＤが最高値の状蝶を保つためにブレーク
ダウンによるＡＰＤの劣化會招くことはなくなる。本実
施例において上記ＡＰＤバイアス区圧ＶＡＰＤの最低値
は元ファイバ１２からの光信号検出が可能な最低のバイ
アス値である。なお、本実施例の要旨によれば、ｖｃ≦
ｖｃｏの場合のＡＰＤ−々イアスミ圧ＶＡｐｏｋ、必ず
しも上記光信号検出が可能な最低のバイアス値に設定す
る必要はなく、Ｖｃｏ＜Ｖｃ＜Ｖｃ＋のときにとり得る
ＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤの最高値より小さい′電圧
値であればよい。
ＶＣ≧ＶＣ４の場合には、Ｖｃ≦Ｖｃｏのときと同様に
比較回路２１は設定電圧ｖｃ１全１ヲ・電圧Ｖｃ′とし
て出力する。したがって、この場合のＡＰＤバイアス電
圧ＶＡＰＤは■ｃ≦ｖｃｏのときと同じく光信号検出が
可能な最低のバイアス値となる（第３図参照）。なお、
ｖｃ≧ＶＣ１の場合にもｖｃｏ＜ＶＣ＜ｖｃｌのときと
同様に比較回路２１からピーク検出′電圧Ｖｃを出力さ
せるようにしてもよい。このような場合には、比較回路
２１はピーク検出電圧Ｖｃと基準電圧ｖｃｏとの比較を
行なうだけでよい。
比較回路２１は設定電圧ｖｃ１全１ヲ・電圧Ｖｃ′とし
て出力する。したがって、この場合のＡＰＤバイアス電
圧ＶＡＰＤは■ｃ≦ｖｃｏのときと同じく光信号検出が
可能な最低のバイアス値となる（第３図参照）。なお、
ｖｃ≧ＶＣ１の場合にもｖｃｏ＜ＶＣ＜ｖｃｌのときと
同様に比較回路２１からピーク検出′電圧Ｖｃを出力さ
せるようにしてもよい。このような場合には、比較回路
２１はピーク検出電圧Ｖｃと基準電圧ｖｃｏとの比較を
行なうだけでよい。
なお、前記実施例では、ＤＣ／ＤＣコンバータ９−
２５が所定電圧値の高電圧を発生するものとして説明し
たが、制御電圧変換回路２３の出力をＤＣ／Ｉ）Ｃコン
バータ２５の大刀電圧とし、この人力′電圧に応じたＤ
Ｃ／ＤＣフン・ぐ−夕２５の出力電圧−ｉ ＡＰＤバイ
アス電圧ＶＡＰＤとしてもよい。また、ピーク検出回路
１６に代えて平均値検出回路を用いてもよい。
たが、制御電圧変換回路２３の出力をＤＣ／Ｉ）Ｃコン
バータ２５の大刀電圧とし、この人力′電圧に応じたＤ
Ｃ／ＤＣフン・ぐ−夕２５の出力電圧−ｉ ＡＰＤバイ
アス電圧ＶＡＰＤとしてもよい。また、ピーク検出回路
１６に代えて平均値検出回路を用いてもよい。
発明の効果
以上詳述したように本発明の先受信器によれば、ブレー
クダウン発生によるＡＰＤ （アバランシェ・フォトダ
イオード）の劣化が防止できるので受信系の信頼性が向
上する。
クダウン発生によるＡＰＤ （アバランシェ・フォトダ
イオード）の劣化が防止できるので受信系の信頼性が向
上する。
絹１図は従来例を示すブロック図、第２図は本発明の一
実施例を示すブロック図、第３図は上記実施例における
ピーク検出電圧Ｖ。とＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤとの
関係を示す図。 １１・・・アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）
、１６・・・ピーク検出回路、１８．２５・・・ＤＣ／
ＤＣコンバータ、２１・・・比較回路、２２・・・電１
０− 圧制御回路。 −１１− 第１図 第２図 −−−下−−−−−−一
実施例を示すブロック図、第３図は上記実施例における
ピーク検出電圧Ｖ。とＡＰＤバイアス電圧ＶＡＰＤとの
関係を示す図。 １１・・・アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）
、１６・・・ピーク検出回路、１８．２５・・・ＤＣ／
ＤＣコンバータ、２１・・・比較回路、２２・・・電１
０− 圧制御回路。 −１１− 第１図 第２図 −−−下−−−−−−一
Claims (2)
- （１）光信号を電気信号に変換するアバランシェ・フォ
トダイオードを含む光／電気変換増幅回路と、この光／
電気変換増幅回路の出力のピーク値または平均１直を検
出する検出回路と、この検出回路の出力電圧Ｖｃと基準
電圧ＶＣＯとの大小全比較し、ｖｃ＞ｖｃｏのときに出
力′電圧Ｖｃ＆そのまま出力し、Ｖｃ＜Ｖｃｏのときに
特定電圧ＶＣ１を出力する比較回路と、この比較回路の
出力電圧に応じた電圧を上記アバランシェ・フォトダイ
オードに対するバイアス電圧ＶＡＰＤとして上記が電気
変換回路に出力する電圧制御回路とを具備することを特
徴とする光受信器。 - （２）上記比較回路から上記特定電圧ｖｃ１が出力され
た場合に上記電圧制御回路から出力されるバイアス電圧
ＶＡＰＤは、上記光／電気変換増幅回路にて光信号検出
可能な最低電圧であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光受１Ｓ器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007136A JPS58124339A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 光受信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007136A JPS58124339A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 光受信器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124339A true JPS58124339A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11657654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007136A Pending JPS58124339A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 光受信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124339A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154828A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Toshiba Corp | 角度変調信号用光受信回路 |
| EP2146446A1 (en) | 2008-07-17 | 2010-01-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical receiver |
| WO2010020278A1 (en) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Avalanche photodiode circuits |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP57007136A patent/JPS58124339A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154828A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Toshiba Corp | 角度変調信号用光受信回路 |
| EP2146446A1 (en) | 2008-07-17 | 2010-01-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical receiver |
| WO2010020278A1 (en) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Avalanche photodiode circuits |
| US8686343B2 (en) | 2008-08-20 | 2014-04-01 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Avalanche photodiode circuits with protection against damage from sudden increases in incident light level |
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