JPS62151760U - - Google Patents

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JPS62151760U
JPS62151760U JP1987018077U JP1807787U JPS62151760U JP S62151760 U JPS62151760 U JP S62151760U JP 1987018077 U JP1987018077 U JP 1987018077U JP 1807787 U JP1807787 U JP 1807787U JP S62151760 U JPS62151760 U JP S62151760U
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【図面の簡単な説明】
第1図はダイナミツクメモリの対向電極の説明
図、第2図は本考案の一実施例を示す説明図、第
3図は1トランジスタ型ダイナミツクセルの等価
回路図である。 図中、P,Pは対向電極、SAはセンスア
ンプ、BL,はビツト線、Vssは周辺回路
の電源線、1〜4,10,11は第1の配線、1
2は第2の配線、13は第3の配線である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. メモリセルの情報記憶用キヤパシタの一方の電
    極を形成する対向電極がセンスアンプを境に2分
    されたダイナミツク型半導体記憶装置において、
    該対向電極の各々をビツト線と直交する方向に横
    切り且つ当該対向電極に複数の点で接続される第
    1の配線と、これら第1の配線の一端を共通に接
    続する第2の配線と、該第2の配線の略中央部を
    周辺回路の電源線に接続する第3の配線とを備え
    、該第2の配線は該第3の配線のみにより電源線
    に接続されていることを特徴とするダイナミツク
    型半導体記憶装置。
JP1987018077U 1987-02-10 1987-02-10 Expired JPH037961Y2 (ja)

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JP1987018077U JPH037961Y2 (ja) 1987-02-10 1987-02-10

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Publication Number Publication Date
JPS62151760U true JPS62151760U (ja) 1987-09-26
JPH037961Y2 JPH037961Y2 (ja) 1991-02-27

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ID=30811427

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JP1987018077U Expired JPH037961Y2 (ja) 1987-02-10 1987-02-10

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JPH037961Y2 (ja) 1991-02-27

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