JPS6193896U - - Google Patents

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JPS6193896U
JPS6193896U JP17960384U JP17960384U JPS6193896U JP S6193896 U JPS6193896 U JP S6193896U JP 17960384 U JP17960384 U JP 17960384U JP 17960384 U JP17960384 U JP 17960384U JP S6193896 U JPS6193896 U JP S6193896U
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JP
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random access
access memory
memory cell
integrated circuit
semiconductor integrated
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JP17960384U
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  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す図、第2図
はこの考案におけるランダムアクセスメモリにす
る場合のデータ記憶部の構成例を示す図、第3図
はこの考案におけるリードオンリメモリでHIGHレ
ベルを保持するデータ記憶部の構成例を示す図、
第4図はこの考案におけるリードオンリメモリで
LOWレベルを保持するデータ記憶部の構成例を
示す図、第5図は従来のランダムアクセスメモリ
のメモリセルを示す図、第6図は従来のリードオ
ンリメモリでHIGHレベルを保持するメモリセルを
示す図、第7図は従来のリードオンリメモリでL
OWレベルを保持するメモリセルを示す図である
。 図において、1,2はデータ線、3はアドレス
線、4,5はゲート、6,7はトランスミツシヨ
ンゲート、8はグランド、9は電源、10はメモ
リセル入出力点、11は配線切換え領域、12は
データ記憶部、13はメモリセル形状である。な
お、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ランダムアクセスメモリを内蔵する半導体集積
    回路において、ランダムアクセス用メモリセルの
    外形形状及びランダラアクセス用メモリセル内の
    データ線とアドレス線の入出力点位置を同一にし
    、ランダムアクセルをHIGHレベル、又はLOWレ
    ベルに固定する配線領域を備えたことを特徴とす
    る半導体集積回路。
JP17960384U 1984-11-27 1984-11-27 Pending JPS6193896U (ja)

Priority Applications (1)

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JP17960384U JPS6193896U (ja) 1984-11-27 1984-11-27

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JP17960384U JPS6193896U (ja) 1984-11-27 1984-11-27

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JPS6193896U true JPS6193896U (ja) 1986-06-17

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ID=30737168

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JP17960384U Pending JPS6193896U (ja) 1984-11-27 1984-11-27

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