JPS62151262A - ろうの広がり防止方法 - Google Patents
ろうの広がり防止方法Info
- Publication number
- JPS62151262A JPS62151262A JP29515485A JP29515485A JPS62151262A JP S62151262 A JPS62151262 A JP S62151262A JP 29515485 A JP29515485 A JP 29515485A JP 29515485 A JP29515485 A JP 29515485A JP S62151262 A JPS62151262 A JP S62151262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing
- solder
- filler metal
- brazing filler
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、リードフレームや電気接点等の精密部品をろ
う付けする際、ろう材の広がりを所定の範囲内に抑える
ろうの広がり防止方法に関する。
う付けする際、ろう材の広がりを所定の範囲内に抑える
ろうの広がり防止方法に関する。
（従来技術とその問題点）
リードフレームや電気接点をセラミックやばね材と接合
するのに、従来より各種ろう材を使用したろう付けを行
うことがしばしば行われている。
するのに、従来より各種ろう材を使用したろう付けを行
うことがしばしば行われている。
この際ろう材の広がりは、継手の形状や材質によって変
化するが、ろう付は温度及び雰囲気によっても大きく変
化するものである。
化するが、ろう付は温度及び雰囲気によっても大きく変
化するものである。
銀ろうや半田の広がりは、濡れ性と相俟ってろう付けに
は欠かすことのできない重要な性質であるにもかかわら
ず広がり過ぎた場合には、めっき面や接点面等の重要な
部分を銀ろうや半田の成分で汚染してしまうことがあり
、電子部品のめっき不良や接点の接触障害等の原因とし
て、しばしば問題となっていた。
は欠かすことのできない重要な性質であるにもかかわら
ず広がり過ぎた場合には、めっき面や接点面等の重要な
部分を銀ろうや半田の成分で汚染してしまうことがあり
、電子部品のめっき不良や接点の接触障害等の原因とし
て、しばしば問題となっていた。
これに対し、従来効果的な方法が無く、せいぜいろう付
は温度を低めにしたり、銀ろうや半田のボリウムムを加
減して、広がりを必要最小限に抑えているが、その骨接
合強度を犠牲にしていることが多い。
は温度を低めにしたり、銀ろうや半田のボリウムムを加
減して、広がりを必要最小限に抑えているが、その骨接
合強度を犠牲にしていることが多い。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、被ろう接
材の表面に、ろう材に濡れない被膜を形成して、ろう付
は部を囲み、バリアーを形成しようとするものである。
材の表面に、ろう材に濡れない被膜を形成して、ろう付
は部を囲み、バリアーを形成しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明のろう広がり防止方
法の１つは、金属と金属、又は金属とセラミ・７り等を
、１００〜９００℃の範囲で、溶融するろう材を用いて
接合する際、その接合周辺にＴｉ、Ｚｒｓ Ｈｆ、Ｃｓ
Ｓ ｉ、ＧｅＸＡ１１Ｂｅ、Ｃａの少なくとも１種以
上又はそれを主成分としたものから成る被膜又はその酸
化物から成る被膜を形成して、ろう材の広がりを所定の
範囲内に抑えることを特徴とする。
法の１つは、金属と金属、又は金属とセラミ・７り等を
、１００〜９００℃の範囲で、溶融するろう材を用いて
接合する際、その接合周辺にＴｉ、Ｚｒｓ Ｈｆ、Ｃｓ
Ｓ ｉ、ＧｅＸＡ１１Ｂｅ、Ｃａの少なくとも１種以
上又はそれを主成分としたものから成る被膜又はその酸
化物から成る被膜を形成して、ろう材の広がりを所定の
範囲内に抑えることを特徴とする。
（実施例）
本発明によるろうの広がり防止方法の実施例を従来例と
共に説明する。
共に説明する。
先ず、従来例について説明すると、第１図に示すように
コバールで作ったリードフレームｌのビン２の先端３に
厚さ０．１ｎｍ、幅１龍のＡｇ Ｃｕ２８％のろうテ
ープ３はりつけ、水素雰囲気中で８３０℃に加熱溶融し
た結果、第２図に示すようＡｇ−Ｃｕ２８はのろう４′
はビン２の上部５に広がって、先端３に一定の溜りを設
けることができなかった。
コバールで作ったリードフレームｌのビン２の先端３に
厚さ０．１ｎｍ、幅１龍のＡｇ Ｃｕ２８％のろうテ
ープ３はりつけ、水素雰囲気中で８３０℃に加熱溶融し
た結果、第２図に示すようＡｇ−Ｃｕ２８はのろう４′
はビン２の上部５に広がって、先端３に一定の溜りを設
けることができなかった。
次に実施例と比較例について説明すると、第３図に示す
ようにコバールで作った多数のリードフレーム１のビン
２の先端３寄りの位置に、スパッタリングによりＴｉ１
Ｚｒ、、１１ｆ１Ｃ１Ｂｅ１Ｃａ、ＡｌｚＯｚ、５ｉｎ
２、Ｇ ｅ Ｏｚ、Ｃａの各々５μの被膜６を形成した
。そして各リードフレーム１のビン２の先端３に、第４
図に示す如←厚さ０．１ｍｍ、幅１１１のＡｇ−Ｃｕ２
８％のろう４をスポット溶融にて仮止めし、８５０℃、
水素雰囲気中にて加熱溶接した結果、第５図に示すよう
な外観のろう付は素材７を得ることができた。これらの
ろう付は素材７に於いてＡｇ−Ｃｕ２Ｂ％のろう４′が
被膜６を越えたものは皆無であった。
ようにコバールで作った多数のリードフレーム１のビン
２の先端３寄りの位置に、スパッタリングによりＴｉ１
Ｚｒ、、１１ｆ１Ｃ１Ｂｅ１Ｃａ、ＡｌｚＯｚ、５ｉｎ
２、Ｇ ｅ Ｏｚ、Ｃａの各々５μの被膜６を形成した
。そして各リードフレーム１のビン２の先端３に、第４
図に示す如←厚さ０．１ｍｍ、幅１１１のＡｇ−Ｃｕ２
８％のろう４をスポット溶融にて仮止めし、８５０℃、
水素雰囲気中にて加熱溶接した結果、第５図に示すよう
な外観のろう付は素材７を得ることができた。これらの
ろう付は素材７に於いてＡｇ−Ｃｕ２Ｂ％のろう４′が
被膜６を越えたものは皆無であった。
上記の実施例はＴ ｉ ％ Ｚ ｒ 、Ｈｆ −、Ｃ、
Ｂ ｅ ％Ｃａの単一金属の被膜及びＡβ、５ｉＳＧｅ
の酸化物の被膜の場合であるが、これらの合金の被膜や
これらを主成分とした合金の被膜の場合も同様にろうの
広がりを防止できることは云うまでもない。
Ｂ ｅ ％Ｃａの単一金属の被膜及びＡβ、５ｉＳＧｅ
の酸化物の被膜の場合であるが、これらの合金の被膜や
これらを主成分とした合金の被膜の場合も同様にろうの
広がりを防止できることは云うまでもない。
また上記実施例では硬ろうについての場合であるが、本
発明はこれに限るものではなく、軟ろうの場合にも良い
ものである。
発明はこれに限るものではなく、軟ろうの場合にも良い
ものである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のろうの広がり防止方法
によれば、被ろう接材の表面に、ろう材に濡れない被膜
を形成して、ろう付けの際のろうの広がりを任意の範囲
内に抑えることができるので、接合強度の高いろう接が
可能となると共にろう接によるこれまで汚染が解消され
、品質の良い部品の生産が可能である。従って、最近の
電子回路より高集積化に伴う微細面積内でのろう付け、
半田付は作業の要求に十分応えることができ、微細ろう
付けに画期的な自由度を与えることができるという優れ
た効果がある。
によれば、被ろう接材の表面に、ろう材に濡れない被膜
を形成して、ろう付けの際のろうの広がりを任意の範囲
内に抑えることができるので、接合強度の高いろう接が
可能となると共にろう接によるこれまで汚染が解消され
、品質の良い部品の生産が可能である。従って、最近の
電子回路より高集積化に伴う微細面積内でのろう付け、
半田付は作業の要求に十分応えることができ、微細ろう
付けに画期的な自由度を与えることができるという優れ
た効果がある。
第１図はリードフレームのビンの先端にろうテープをは
りつけた状態を示す図、第２図はそのろうテープを加熱
溶融した状態を示す図、第３図はリードフレームのビン
の先端寄りの位置に本発明の方法により被膜を形成した
状態を示す図、第４図は第３図のリードフレームのビン
の先端にろうを仮止めした状態を示す図、第５図は第４
図のリードフレームのろうを加熱溶融した状態を示す図
である。
りつけた状態を示す図、第２図はそのろうテープを加熱
溶融した状態を示す図、第３図はリードフレームのビン
の先端寄りの位置に本発明の方法により被膜を形成した
状態を示す図、第４図は第３図のリードフレームのビン
の先端にろうを仮止めした状態を示す図、第５図は第４
図のリードフレームのろうを加熱溶融した状態を示す図
である。
Claims (1)
- １）金属と金属、又は金属とセラミック等を、１００〜
９００℃の範囲で溶融するろう材を用いて接合する際、
その接合面周辺にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ａｌ、Ｂｅ、Ｃａの少なくとも１種以上またはそれを主
成分とした合金から成る被膜又はその酸化物から成る被
膜を形成して、ろう材の広がりを所定の範囲内に抑える
ことを特徴とするろうの広がり防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29515485A JPS62151262A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | ろうの広がり防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29515485A JPS62151262A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | ろうの広がり防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62151262A true JPS62151262A (ja) | 1987-07-06 |
Family
ID=17816954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29515485A Pending JPS62151262A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | ろうの広がり防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62151262A (ja) |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29515485A patent/JPS62151262A/ja active Pending
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