JPS62148925A - 液晶光学変調素子 - Google Patents
液晶光学変調素子Info
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- JPS62148925A JPS62148925A JP60289886A JP28988685A JPS62148925A JP S62148925 A JPS62148925 A JP S62148925A JP 60289886 A JP60289886 A JP 60289886A JP 28988685 A JP28988685 A JP 28988685A JP S62148925 A JPS62148925 A JP S62148925A
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- Japan
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- liquid crystal
- optical
- crystal layer
- ratio
- compensating plate
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/13363—Birefringent elements, e.g. for optical compensation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2413/00—Indexing scheme related to G02F1/13363, i.e. to birefringent elements, e.g. for optical compensation, characterised by the number, position, orientation or value of the compensation plates
- G02F2413/01—Number of plates being 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性液晶を用いた光学変調素子に関する
。
。
本発明は強誘電性を示す液晶を用いた液晶光早変Ａ素子
において、固有の問題として発現する配向欠陥の一つで
あるねじれ構漬によって発生するりタープ−ジョンを、
液晶光学変調素子に臨設した光学補償板を用い補正する
事により、素子の光学的オン・オフ比（例えば液晶表示
素子におけるコントラスト比）を向上させたものである
。
において、固有の問題として発現する配向欠陥の一つで
あるねじれ構漬によって発生するりタープ−ジョンを、
液晶光学変調素子に臨設した光学補償板を用い補正する
事により、素子の光学的オン・オフ比（例えば液晶表示
素子におけるコントラスト比）を向上させたものである
。
強誘電性液晶を用いた液晶光学変調素子の中で液晶をご
く薄い間隙（例えば１μｍ程度）に挾み込む事により双
安定な状態を作りだす方式は、その高速応答性、メモリ
ーＩ生、しきい値特性の急峻性により様々な応用が期待
されている。
く薄い間隙（例えば１μｍ程度）に挾み込む事により双
安定な状態を作りだす方式は、その高速応答性、メモリ
ーＩ生、しきい値特性の急峻性により様々な応用が期待
されている。
前記強誘電性液晶変調素子は、従来幅広く利用されてい
るツイストネマチック型液晶ｆ調素子と較べ、液晶層の
厚さが薄い為量産に適さない欠点を有している。（ツイ
ストネマチック型では５〜１０μｍ程１髪の１＠隙が用
いられている）しかし単純に液晶層を厚くする事は、配
向欠陥である。
るツイストネマチック型液晶ｆ調素子と較べ、液晶層の
厚さが薄い為量産に適さない欠点を有している。（ツイ
ストネマチック型では５〜１０μｍ程１髪の１＠隙が用
いられている）しかし単純に液晶層を厚くする事は、配
向欠陥である。
ねじれ構造を取り易くシ、マルチプレックス駆動した場
合にオン・オフ比の低下を招くため、実用に適さない問
題がある。ねじれ構造の発生メカニズムについては（Ｆ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ、１９８４゜Ｖ ｏ １５
９ Ｐ−６９〜１１６など）多数報告されている。
合にオン・オフ比の低下を招くため、実用に適さない問
題がある。ねじれ構造の発生メカニズムについては（Ｆ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ、１９８４゜Ｖ ｏ １５
９ Ｐ−６９〜１１６など）多数報告されている。
ねじれ構造発生によるオンφオフ比低下のメカニズムを
第１図〜第４図に示す。第１図は強誘電性液晶変調素子
断面の分子配向で、１は自発分極の向き２はＣダイレク
タ−の向き、６は外部電場の向きを示し、７に、 ｅ
は各電場方向に対する正常な配向状態で、ｂはねじれ構
造を持つ場合である。
第１図〜第４図に示す。第１図は強誘電性液晶変調素子
断面の分子配向で、１は自発分極の向き２はＣダイレク
タ−の向き、６は外部電場の向きを示し、７に、 ｅ
は各電場方向に対する正常な配向状態で、ｂはねじれ構
造を持つ場合である。
第２図は、強誘電性液晶変調素子を上から見た時の分子
の配列を示し、４は表基板付近の液晶分子で、５は裏基
板付近の液晶分子を指す。ｄ、ｆは各電場方向に対する
正常な配向状態で、ｅは表基板付近と裏基板付近の分子
配向が異なるねじれ構造で、角度６は一義的には決まら
ないねじれ角度である。第３図は、強誘電性液晶変調素
子の一例として、第２図（ａ）の７．８のように偏光軸
を持つ偏光板を表・裏基板に設置した透過型液晶表示装
置において、入射した自然光に対し、出射した変調光の
一例を示すもので、９は光源、１０は裏偏光板、１１は
強誘電性液晶変調素子、１２は表偏光板をさし、入射光
１３に対し、１１を通過した光を１４．１２を通過した
光を１５とし各々の電場成分を示した。
の配列を示し、４は表基板付近の液晶分子で、５は裏基
板付近の液晶分子を指す。ｄ、ｆは各電場方向に対する
正常な配向状態で、ｅは表基板付近と裏基板付近の分子
配向が異なるねじれ構造で、角度６は一義的には決まら
ないねじれ角度である。第３図は、強誘電性液晶変調素
子の一例として、第２図（ａ）の７．８のように偏光軸
を持つ偏光板を表・裏基板に設置した透過型液晶表示装
置において、入射した自然光に対し、出射した変調光の
一例を示すもので、９は光源、１０は裏偏光板、１１は
強誘電性液晶変調素子、１２は表偏光板をさし、入射光
１３に対し、１１を通過した光を１４．１２を通過した
光を１５とし各々の電場成分を示した。
第３図（−）は第１図（ａ）、第２図（、）の配列、第
３図（ｂ）は第１図（ｂ）、第２図（ｂ）の配列、第３
図（、）は第１図（ｅ）ｍ２図（ｃ）の配列にそれぞれ
対応している。ここで第２図（ｂ）に示されるように、
ねじれ構造を有す場合は有さない第３図（、）に比較し
て光のもれが大きくなり、オン・オフ比を劣化させる順
向となる。ねじれ構造によるリターデーションに関して
は、 （Ｊ、０ＰＴ−８ＯＣ、Ａｍ ｖｏ１６３
．Ａｌ イ。
３図（ｂ）は第１図（ｂ）、第２図（ｂ）の配列、第３
図（、）は第１図（ｅ）ｍ２図（ｃ）の配列にそれぞれ
対応している。ここで第２図（ｂ）に示されるように、
ねじれ構造を有す場合は有さない第３図（、）に比較し
て光のもれが大きくなり、オン・オフ比を劣化させる順
向となる。ねじれ構造によるリターデーションに関して
は、 （Ｊ、０ＰＴ−８ＯＣ、Ａｍ ｖｏ１６３
．Ａｌ イ。
Ｐ１３７４〜１３８０）など多数報告されている。第４
図は、実際に液晶層に印加されるマルチプレッス駆動波
形の一列である。１６は注目する画素に対する選択期間
を示し、充分高い電圧が加わる為、第１図（ａ）、 （
ｂ）の配向となる。１７は、他の画素の選択期間を示し
、第１図（ｂ）、第２１図（ｂ）の配向を取る可能性が
高くなる。１８は、注目する画素を反転する波形であり
、第１図（ｃ）、第２図（ｃ）の配向を示す。１９は１
７と同様であるが配列の状態は一般的に第１図（ｂ）、
第２図（ｂ）と異なる。この波形に対する、光学的な変
化を図−５に示す。２０は１６に、２１は１７に、２２
は１８．２３は１９にそれぞれ対応する光学的な変化で
、２４は光量０の状態を示す。実際のオン・オフ比は、
２６と２７の光量の比により求められる。また良好な配
向第１図（ａ）、第２図（ａ）と第１図（Ｃ）、第２図
（ｃ）での動作によるオン・オフ比は２５と２８の光量
の比により求められる為、その差がツイスト構造に起因
する特性の低下を示す事になる。
図は、実際に液晶層に印加されるマルチプレッス駆動波
形の一列である。１６は注目する画素に対する選択期間
を示し、充分高い電圧が加わる為、第１図（ａ）、 （
ｂ）の配向となる。１７は、他の画素の選択期間を示し
、第１図（ｂ）、第２１図（ｂ）の配向を取る可能性が
高くなる。１８は、注目する画素を反転する波形であり
、第１図（ｃ）、第２図（ｃ）の配向を示す。１９は１
７と同様であるが配列の状態は一般的に第１図（ｂ）、
第２図（ｂ）と異なる。この波形に対する、光学的な変
化を図−５に示す。２０は１６に、２１は１７に、２２
は１８．２３は１９にそれぞれ対応する光学的な変化で
、２４は光量０の状態を示す。実際のオン・オフ比は、
２６と２７の光量の比により求められる。また良好な配
向第１図（ａ）、第２図（ａ）と第１図（Ｃ）、第２図
（ｃ）での動作によるオン・オフ比は２５と２８の光量
の比により求められる為、その差がツイスト構造に起因
する特性の低下を示す事になる。
第６図は本発明に用いられた強誘電性液晶光学変調素子
の所面図であり、２９は透明基板、３０は電極、３１は
配向ｌ傍、３２が液晶層、３３はシール部を示す。
の所面図であり、２９は透明基板、３０は電極、３１は
配向ｌ傍、３２が液晶層、３３はシール部を示す。
本発明は、先に示したねじれ構造により発生するりター
デージョンを光学補償板を用いる事により補正し、オン
・オフ比の優れた液晶表示素子を得る事を目的とする。
デージョンを光学補償板を用いる事により補正し、オン
・オフ比の優れた液晶表示素子を得る事を目的とする。
液晶層と該液晶層を挾持しかつ液晶層と接する面に電圧
印加が可能となるよう電極を設け、さらに電極面と平行
あるいはほぼ平行なある方位に液晶分子を配列させるべ
く電極面を覆うように配向層を設げた複数の透明基板と
、前記液晶層を囲むように前記基板間に形成したシール
部とからなる液晶光学変調素子において、前記液晶力１
強誘電性を示し、かつ、第６図の２９に示す各透明基板
の外側か内側のいずれかの場所に、液晶層と平行になる
よう、少なくとも１枚の光学補償板を設けた事により、
強誘電性液晶光学変調素子に固有な不良モードであるね
じれ構造によるリターデーション発生を補正した事を特
徴とする。
印加が可能となるよう電極を設け、さらに電極面と平行
あるいはほぼ平行なある方位に液晶分子を配列させるべ
く電極面を覆うように配向層を設げた複数の透明基板と
、前記液晶層を囲むように前記基板間に形成したシール
部とからなる液晶光学変調素子において、前記液晶力１
強誘電性を示し、かつ、第６図の２９に示す各透明基板
の外側か内側のいずれかの場所に、液晶層と平行になる
よう、少なくとも１枚の光学補償板を設けた事により、
強誘電性液晶光学変調素子に固有な不良モードであるね
じれ構造によるリターデーション発生を補正した事を特
徴とする。
本発明によれば、第３図のｈの１４に示すリターデーシ
ョンを補償板を用い第７図のようにキャンセルする事が
出来る。ここで３４は補償板で、３５は補償板を曲過し
た先のし、ｉ、’ＩＡ成分を示す。第７１１（ａ）は、
光源９に対し液晶変調素子１１つ外側に補償板６１を設
置した場合の設ｎｆ条件■乞示し、第７図（ｂ）は６１
を９と１１の内１１１１１に設置した場合の設置条件Ｈ
に対応する。また、角度６６は、鉛直方向から左廻りに
、偏光軸７，８・補償板のｎｅ軸６７・Ｄ、＋ｔ％分子
の平均的配向方向６８の各樵とのなす角度でφとする。
ョンを補償板を用い第７図のようにキャンセルする事が
出来る。ここで３４は補償板で、３５は補償板を曲過し
た先のし、ｉ、’ＩＡ成分を示す。第７１１（ａ）は、
光源９に対し液晶変調素子１１つ外側に補償板６１を設
置した場合の設ｎｆ条件■乞示し、第７図（ｂ）は６１
を９と１１の内１１１１１に設置した場合の設置条件Ｈ
に対応する。また、角度６６は、鉛直方向から左廻りに
、偏光軸７，８・補償板のｎｅ軸６７・Ｄ、＋ｔ％分子
の平均的配向方向６８の各樵とのなす角度でφとする。
〔実カイ１′に２す〕
成品？ｊの厚さ２μｍ１液晶の屈折率異方性０．１６の
光学変調素子を、１／４波長板を用い補正した場合の結
果を表−１に示す。表から見られるように、黒レベルの
暗さが明らかに改善され、オン・オフ比であるコントラ
スト比が飛躍的に向上した。また、補償板の設置＠所に
よらず効果が有る事も確認された。
光学変調素子を、１／４波長板を用い補正した場合の結
果を表−１に示す。表から見られるように、黒レベルの
暗さが明らかに改善され、オン・オフ比であるコントラ
スト比が飛躍的に向上した。また、補償板の設置＠所に
よらず効果が有る事も確認された。
表−１
〔発明の効果〕
本発明の応用により、強誘電性液晶を用いた光学変調素
子固有の不良モードであるツイスト構造を持つ配向を示
す場合でも、実用レベルのオン・オフ比に補正する事が
出来る。又、それぞれ異なるツイスト角・液晶層厚・液
晶屈折率異方性を持つ例に示した素子に対しても、偏光
軸、平均分子軸、補償板のｎｅ軸の方向を、稠整する事
により幅広く素子を最適化する事が出来、表示性能を向
上する事が出来る。
子固有の不良モードであるツイスト構造を持つ配向を示
す場合でも、実用レベルのオン・オフ比に補正する事が
出来る。又、それぞれ異なるツイスト角・液晶層厚・液
晶屈折率異方性を持つ例に示した素子に対しても、偏光
軸、平均分子軸、補償板のｎｅ軸の方向を、稠整する事
により幅広く素子を最適化する事が出来、表示性能を向
上する事が出来る。
＠１図（、）〜（ｃ）１は、素子における各配向状態を
断面図で示したもので（ｂ）力５−１２じれ構造に対応
する。 第２図（、）〜（ｃ）は、各配回状態の平面図で（ｂ）
がねじれ構造に対応する。第３１′；！Ｊ（ａ）〜（ｃ
）は、谷配向を持つ素子の光学時性［Ａを摸武的に表わ
したもので、２４４ ｉＪ］は、マルチプレクス駆動に
用いられる波形図の一例を示し、その駆動波形に対応し
た光学応答時性図を第５図に示す。第６図は、本発明に
用いられる、液晶光学変調素子の代表的な例を断面図を
用いて表わしている。第７図（、）、 （ｂ）は、光学
補償板によりリターデーションが補市される様子を示す
光学特性図。 以 −上 出願人 セイコーエプソン株式会社 （ｄ） （＆）
（Ｃ）７名、＆”Ｊ
Ｋ（ｓ ｔｈ ＠’？Ｈ３ｊｚｌ第１図 （α）（ｂ）（Ｃ） 浴披ｊ配置ロー斗菌１男 第２図 ’Ａｒ しｓｎ Ｉｓ ｈ°’ｊ ’ｒ Ｌ１１４４
＋’Ｌ１ｍ第３図 マル子７σし７人証食いｙ佛ト幻 第４図 癩晶光営嘔諷禾）め吋菌１如 第６図 （ａ−） （ｂ）＊ＩＨｔ７及
、上〃町いＴて序尺Ｑ光中モ平す１図−＝１−１−−’
−１−ト・３−＠ 形叩茄・答特・）゛ヱ１兄 第５図 第７図
断面図で示したもので（ｂ）力５−１２じれ構造に対応
する。 第２図（、）〜（ｃ）は、各配回状態の平面図で（ｂ）
がねじれ構造に対応する。第３１′；！Ｊ（ａ）〜（ｃ
）は、谷配向を持つ素子の光学時性［Ａを摸武的に表わ
したもので、２４４ ｉＪ］は、マルチプレクス駆動に
用いられる波形図の一例を示し、その駆動波形に対応し
た光学応答時性図を第５図に示す。第６図は、本発明に
用いられる、液晶光学変調素子の代表的な例を断面図を
用いて表わしている。第７図（、）、 （ｂ）は、光学
補償板によりリターデーションが補市される様子を示す
光学特性図。 以 −上 出願人 セイコーエプソン株式会社 （ｄ） （＆）
（Ｃ）７名、＆”Ｊ
Ｋ（ｓ ｔｈ ＠’？Ｈ３ｊｚｌ第１図 （α）（ｂ）（Ｃ） 浴披ｊ配置ロー斗菌１男 第２図 ’Ａｒ しｓｎ Ｉｓ ｈ°’ｊ ’ｒ Ｌ１１４４
＋’Ｌ１ｍ第３図 マル子７σし７人証食いｙ佛ト幻 第４図 癩晶光営嘔諷禾）め吋菌１如 第６図 （ａ−） （ｂ）＊ＩＨｔ７及
、上〃町いＴて序尺Ｑ光中モ平す１図−＝１−１−−’
−１−ト・３−＠ 形叩茄・答特・）゛ヱ１兄 第５図 第７図
Claims (1)
- 液晶層と該液晶層を挾持しかつ液晶層と接する面に電圧
印加が可能となるよう電極を設け、さらに電極面と平行
あるいはほぼ平行なある方位に液晶分子を配列させるべ
く電極面を覆うように配向層を設けた複数の透明基板と
、前記液晶層を囲むように前記基板間に形成したシール
部からなる液晶光学変調素子において、前記液晶が強誘
電性を示し、かつ、該液晶光学素子における液晶層に平
行な、いずれか、あるいは両方の側面に光学補償板を設
けた事を特徴とする液晶光学変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289886A JPS62148925A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 液晶光学変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289886A JPS62148925A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 液晶光学変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62148925A true JPS62148925A (ja) | 1987-07-02 |
Family
ID=17749041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60289886A Pending JPS62148925A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 液晶光学変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62148925A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194317A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH01183625A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びそれに用いる位相板の製造方法 |
| JPH0223A (ja) * | 1987-08-24 | 1990-01-05 | Seiko Epson Corp | 液晶光学装置および液晶光学装置を備えた立体映像装置 |
| JPH024220A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Seiko Instr Inc | 液晶装置 |
| JPH02108019A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| JPH02256022A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの光源とそれを用いた液晶表示装置 |
-
1985
- 1985-12-23 JP JP60289886A patent/JPS62148925A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0223A (ja) * | 1987-08-24 | 1990-01-05 | Seiko Epson Corp | 液晶光学装置および液晶光学装置を備えた立体映像装置 |
| JPH0194317A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH01183625A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びそれに用いる位相板の製造方法 |
| JPH024220A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Seiko Instr Inc | 液晶装置 |
| JPH02108019A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| JPH02256022A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの光源とそれを用いた液晶表示装置 |
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